KR102221692B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR102221692B1
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Abstract

본 기재의 기판 처리 장치는 반도체 소자가 안착되는 테이블 및 상기 테이블로부터 이격되게 위치되고, 열을 발생시키는 가열 유닛을 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate treatment apparatus and substrate treatment method}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체를 제조하는데 사용될 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 패키지들은 일련의 제조 공정들을 반복적으로 수행함으로써 반도체 기판으로서 사용되는 실리콘 웨이퍼 상에 형성될 수 있으며, 상기와 같이 형성된 반도체 패키지들은 다이싱 공정, 다이 본딩 공정 및 몰딩 공정을 통해 반도체 스트립으로 제조될 수 있다.
상기와 같이 복수의 반도체 패키지들이 탑재된 반도체 스트립은 절단 및 분류(Sawing & Sorting) 공정을 통해 개별화되고 양품 또는 불량품 판정에 따라 분류될 수 있다. 상기 절단 및 분류 공정은 상기 반도체 스트립을 척 테이블 상에 로드한 후 절단 블레이드를 이용하여 다수의 반도체 패키지들로 개별화하며, 상기 개별화된 반도체 패키지들은 픽업 장치에 의해 일괄적으로 픽업되어 세척 공정 및 건조 공정이 실시될 수 있다.
한편, 건조 공정에서 반도체 소자가 깔끔하게 건조되지 않으면, 반도체 소자를 촬영하여 불량을 판단하는 검사 공정에서 수분을 이물질로 판단하여 정상적인 반도체 소자가 불량 반도체인 것으로 잘못 판단될 수 있다.
한국공개특허 제2004-0073434호
본 발명의 목적은 반도체 소자에 잔류하는 수분 제거 신뢰성이 향상될 수 있는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 기판 처리 장치는 반도체 소자가 안착되는 테이블; 및 상기 테이블로부터 이격되게 위치되고, 열을 발생시키는 가열 유닛;을 포함한다.
한편, 상기 가열 유닛의 동작을 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 제어부는, 상기 반도체 소자가 테이블 상에 위치되지 않은 상태에서 상기 가열 유닛이 동작될 수 있도록 하고, 상기 반도체 소자가 테이블 상에 위치된 상태에서 상기 가열 유닛이 재차 동작될 수 있도록 할 수 있다.
한편, 상기 테이블의 온도를 측정하는 온도 측정 부재를 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 제어부는 상기 온도 측정 부재에서 측정된 상기 테이블의 온도가 목표 온도가 되는 경우, 상기 반도체 소자를 테이블 상에 위치시킬 수 있다.
한편, 상기 제어부는 상기 온도 측정 부재에서 측정된 상기 테이블의 온도가 목표 온도 미만인 경우, 상기 가열 유닛을 계속 동작시킬 수 있다.
한편, 상기 가열 유닛은, 베이스 부재; 및 상기 베이스 부재에 패턴을 이루도록 설치되는 발광 다이오드;를 포함할 수 있다.
한편, 상기 테이블은, 상기 반도체 소자를 반전시켜서 다른 위치에 적재될 수 있게 하는 반전 테이블일 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 기판 처리 방법은 상기 기판 처리 장치를 사용하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서, 테이블을 가열하는 제1 가열 단계; 반도체 소자를 상기 테이블에 안착하는 안착 단계; 및 상기 반도체 소자와 상기 테이블을 가열하는 제2 가열 단계;를 포함한다.
한편, 상기 제1 가열 단계, 상기 안착 단계 및 상기 제2 가열 단계는 순차적으로 실시될 수 있다.
한편, 상기 테이블의 온도를 측정하는 온도 측정 단계; 및 상기 테이블의 온도가 목표 온도인지를 판단하는 판단 단계;를 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 판단 단계에서 상기 테이블의 온도가 목표 온도 미만인 경우, 상기 제1 가열 단계를 실시할 수 있다.
한편, 상기 판단 단계에서 상기 테이블의 온도가 목표 온도가 되는 경우, 상기 안착 단계를 실시할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 가열 유닛을 포함하고, 상기 가열 유닛이 테이블만 우선적으로 가열하도록 할 수 있다. 그리고, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 반도체 소자가 테이블에 위치된 상태에서 테이블과 반도체 소자 모두를 재차 가열하도록 할 수 있다. 이에 따라, 반도체 소자의 상측은 가열 유닛에 의해 가열되고, 반도체 소자의 하측은 가열된 테이블의 의해 가열될 수 있다.
이때 발생되는 복사열을 통하여 반도체 소자의 표면에 잔류하는 물 입자가 활성화되면서 더욱 신속하게 건조될 수 있다.
반면, 테이블의 내부에 열선을 배치하여 테이블 전체를 가열하도록 이루어진 비교예의 기판 처리 장치의 경우, 테이블 전체를 가열하기 위하여 다소 많은 전력을 필요로 할 수 있다. 뿐만 아니라, 이러한 기판 처리 장치는 테이블에서 전달된 열에 의하여 반도체 소자의 하측이 가열되는 방식이므로, 반도체 소자의 하측로부터 상측까지 열이 전달되기 위해서는 가열에 상당한 시간이 필요로 할 수 있다.
그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 발광 다이오드로 이루어진 가열 유닛으로 테이블의 상면 및 반도체 소자를 직접 가열하는 방식이므로, 비교예의 기판 처리 장치와 비교하여 낮은 소비 전력으로 반도체 소자의 상측 및 하측을 보다 신속하게 가열할 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 반도체 소자의 건조 시간이 비교예의 기판 처리 장치와 비교하여 현저하게 단축될 수 있으므로, 반도체 제조 시간이 단축되어 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도면이다.
도 2는 가열 유닛을 발췌하여 도시한 사시도이다.
도 3 및 도 4는 기판 처리 장치의 동작 과정을 순차적으로 도시한 도면이다.
도 3은 가열 유닛이 테이블을 가열하는 상태를 도시한 도면이다.
도 4는 가열 유닛이 테이블과 반도체 소자 모두를 가열하는 상태를 도시한 도면이다.
도 5는 제어부, 가열 유닛 및 온도 측정 부재를 도시한 구성도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 도시한 순서도이다.
도 7은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 도시한 순서도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적인 실시예에서만 설명하고, 그 외의 다른 실시예에서는 대표적인 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐만 아니라, 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"된 것도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 테이블(110) 및 가열 유닛(120)을 포함한다.
테이블(110)에는 반도체 소자(10)가 안착될 수 있다. 테이블(110)은 일례로 기판 처리 장치(100)에 포함된 다양한 테이블 중에서도 반전 테이블일 수 있다. 반전 테이블은 반도체 소자(10)를 반전시켜서 다른 위치에 적재할 수 있다. 상기 반전 테이블은 상하방향으로 180도 반전될 수 있다. 이를 위하여 반전 테이블에서 반도체 소자(10)가 안착되는 부분에 흡착홀(미도시)이 형성될 수 있다.
반전 테이블은 흡착홀에 의해 반도체 소자(10)를 진공 흡착함으로써, 반도체 소자(10)가 반전되는 과정에서 낙하하지 않고 초기 위치를 안정적으로 유지할 수 있다. 반전 테이블은 일반적인 기판 처리 장치에 포함된 반전 테이블일 수 있으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. 다만, 상기 테이블(110)이 반드시 반전 테이블인 것으로 한정하지는 않으며, 반도체 소자(10)의 건조가 실시될 수 있는 테이블이면 어느 테이블이든 무방할 수 있다.
가열 유닛(120)은 상기 테이블(110)로부터 이격되게 위치되고, 열을 발생시킨다. 가열 유닛(120)은 테이블(110)의 상방에 위치될 수 있다. 가열 유닛(120)은 일례로 베이스 부재(121)와 발광 다이오드(122)를 포함할 수 있다.
베이스 부재(121)는 판(plate) 형상일 수 있다. 발광 다이오드(122)는 상기 베이스 부재(121)에 패턴을 이루어 위치될 수 있다. 즉, 발광 다이오드(122)는 베이스 부재(121)의 일면에 일정한 간격을 유지하면서 복수의 열과 복수의 행을 이룰 수 있다.
이러한 발광 다이오드(122)는 공급되는 전류에 세기에 따라 발열 온도가 미세하게 조절될 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)에 포함된 가열 유닛(120)은 전술한 테이블(110) 및 반도체 소자(10)가 가열되는 온도를 미세하게 조절하는데 있어서 코일과 같은 방식으로 이루어진 가열 유닛과 비교하여 보다 유리할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 제어부(130)를 포함할 수 있다.
제어부(130)는 상기 가열 유닛(120)의 동작을 제어할 수 있다. 더욱 상세하게 설명하면, 상기 제어부(130)는 상기 반도체 소자(10)가 테이블(110) 상에 위치되지 않은 상태에서 상기 가열 유닛(120)이 동작될 수 있도록 할 수 있다. 그리고, 제어부(130)는 상기 반도체 소자(10)가 테이블(110) 상에 위치된 상태에서 상기 가열 유닛(120)이 재차 동작될 수 있도록 할 수 있다. 뿐만 아니라, 제어부(130)는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)의 전반적인 동작을 제어할 수도 있다. 예를 들어, 제어부(130)는 반도체 소자(10)를 이동할 수 도 있다.
이와 같이 제어부(130)는 가열 유닛(120)이 테이블(110)만 우선적으로 가열할 수 있게 하고, 다음으로 반도체 소자(10)가 테이블(110)에 위치된 상태에서 테이블(110)과 반도체 소자(10) 모두를 재차 가열하도록 할 수 있다. 이에 따라, 반도체 소자(10)의 하측(10b)은 가열된 테이블(110)의 상측(110a)에 의하여 가열되고, 반도체 소자(10)의 상측(10a)은 가열 유닛(120)에 의해 추가적으로 가열될 수 있다. 가열에 의하여 발생되는 복사열은 반도체 소자(10)의 표면에 잔류하는 물 입자를 활성화시킴으로써, 물 입자가 더욱 신속하게 건조될 수 있다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 온도 측정 부재(140)를 더 포함할 수 있다.
온도 측정 부재(140)는 상기 테이블(110)의 온도를 측정할 수 있다. 온도 측정 부재(140)는 테이블(110)로부터 이격되게 위치될 수 있다.
이와 다르게 온도 측정 부재(140)는 테이블(110)의 내부에서 상측에 인접하게 설치되어 테이블(110)의 상측(110a)의 온도를 측정할 수도 있다. 온도 측정 부재(140)는 대상물의 온도를 측정할 수 있는 것이면 어느 것이든 사용될 수 있으므로, 특정 장치로 한정하지는 않는다.
가열 유닛(120)이 테이블(110)을 지속적으로 가열하는 상태에서, 온도 측정 부재(140)는 테이블(110)의 온도를 실시간으로 측정할 수 있다. 이와 다르게, 온도 측정 부재(140)는 일정 시간 마다 동작되면서 테이블(110)의 온도를 측정할 수도 있다.
한편, 상기 제어부(130)는 상기 온도 측정 부재(140)에서 측정된 상기 테이블(110)의 온도가 목표 온도가 되는 경우, 상기 반도체 소자(10)를 테이블(110) 상에 위치시킬 수 있다. 이러한 제어부(130)는 상기 온도 측정 부재(140)가 테이블(110)을 목표 온도 이상으로 불필요하게 가열하는 것을 방지함으로써, 전력이 낭비되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 상기 제어부(130)는 상기 온도 측정 부재(140)에서 측정된 상기 테이블(110)의 온도가 목표 온도 미만인 경우, 상기 가열 유닛(120)을 계속 동작시킬 수 있다. 테이블(110) 및 반도체 소자(10)가 제어부(130)에 의하여 더욱 정확한 온도로 가열될 수 있다. 여기서, 목표 온도는 세척 공정 후 반도체 소자(10)에 잔류하는 수분이 활성화될 수 있을 정도의 온도일 수 있다. 예를 들어, 목표 온도는 100도일 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다.
앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 가열 유닛(120)을 포함하고, 상기 가열 유닛(120)이 테이블(110)만 우선적으로 가열하도록 할 수 있다. 그리고, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 반도체 소자(10)가 테이블(110)에 위치된 상태에서 테이블(110)과 반도체 소자(10) 모두를 재차 가열하도록 할 수 있다.
이에 따라, 반도체 소자(10)의 상측(10a)은 가열 유닛(120)에 의해 가열되고, 반도체 소자(10)의 하측(10b)은 가열된 테이블(110)의 의해 가열될 수 있다. 이때 발생되는 복사열을 통하여 반도체 소자(10)의 표면에 잔류하는 물 입자가 활성화되면서 더욱 신속하게 건조될 수 있다.
반면, 테이블의 내부에 열선을 배치하여 테이블 전체를 가열하도록 이루어진 비교예의 기판 처리 장치의 경우, 테이블 전체를 가열하기 위하여 다소 많은 전력을 필요로 할 수 있다. 뿐만 아니라, 비교예의 기판 처리 장치는 테이블에서 전달될 열에 의하여 반도체 소자의 하측이 가열되는 방식이므로, 열이 반도체 소자의 하측로부터 상측까지 전달되기 위해서는 가열에 상당한 시간이 필요로 할 수 있다.
그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 발광 다이오드(122)로 이루어진 가열 유닛(120)으로 테이블(110)의 상면 및 반도체 소자(10)를 직접 가열하는 방식이므로, 비교예의 기판 처리 장치와 비교하여 낮은 소비 전력으로 반도체 소자(10)의 상측(10a)과 하측(10b)을 가열함으로써, 반도체 소자(10)의 표면 전체를 보다 신속하게 가열할 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 반도체 소자(10)의 건조 시간이 비교예의 기판 처리 장치와 비교하여 현저하게 단축될 수 있으므로, 반도체 제조 시간이 단축되어 생산성을 향상시킬 수 있다.
전술한 바와 같은 기판 처리 장치(100)에서 기판을 처리하는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법(S100)은 제1 가열 단계(S110), 안착 단계(S120) 및 제2 가열 단계(S130)를 포함한다.
제1 가열 단계(S110)에서는 테이블을 가열할 수 있다.
안착 단계(S120)에서는 반도체 소자를 상기 테이블에 안착할 수 있다.
제2 가열 단계(S130)에서는 상기 반도체 소자와 상기 테이블을 가열할 수 있다.
한편, 상기 제1 가열 단계(S110), 상기 안착 단계(S120) 및 상기 제2 가열 단계(S130)는 순차적으로 실시될 수 있다. 이에 따라, 전술한 바와 같이 반도체 소자의 상측은 가열 유닛에 의해 가열되고, 반도체 소자의 하측은 가열된 테이블의 의해 가열될 수 있다. 상기 제1 가열 단계(S110), 상기 안착 단계(S120) 및 상기 제2 가열 단계(S130)는 기판 처리 장치에서 상세하게 설명하였으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기판 처리 방법(S200)은 온도 측정 단계(S140)와 판단 단계(S150)를 더 포함할 수 있다.
온도 측정 단계(S140)는 테이블의 온도를 측정할 수 있다. 테이블의 온도 측정은 전술한 바와 같이 온도 측정 부재에 의해 실시될 수 있다.
판단 단계(S150)는 상기 테이블의 온도가 목표 온도인지를 판단할 수 있다.
상기 판단 단계(S150)에서 상기 테이블의 온도가 목표 온도 미만인 경우, 상기 제1 가열 단계(S110)를 실시할 수 있다. 여기서, 이미 상기 제1 가열 단계(S110)가 실시되고 있으면, 상기 제1 가열 단계(S110)를 계속 유지할 수 있다. 그러나, 상기 판단 단계(S150)에서 상기 테이블의 온도가 목표 온도가 되는 경우, 상기 안착 단계(S120)를 실시할 수 있다.
이러한 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기판 처리 방법(S200)은 온도 측정 단계(S140)와 판단 단계(S150)를 포함함으로써, 전술한 실시예에 따른 기판 처리 방법(S100, 도 6 참조)과 비교하여 테이블 및 반도체 소자를 더욱 정확한 온도로 가열할 수 있다. 그러므로, 반도체 소자가 과열되는 것을 방지하여 반도체 소자의 손상을 방지할 수 있다. 뿐만 아니라, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기판 처리 방법(S200)은 반도체 소자가 목표 온도에 미치지 못하는 것을 방지하여 물 입자가 충분히 활성화되도록 할 수 있다.
이상에서 본 발명의 여러 실시예에 대하여 설명하였으나, 지금까지 참조한 도면과 기재된 발명의 상세한 설명은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
100: 기판 처리 장치
110: 테이블
120: 가열 유닛
121: 베이스 부재
122: 발광 다이오드
130: 제어부
140: 온도 측정 부재

Claims (12)

  1. 반도체 스트립을 절단하여 복수의 반도체 소자들로 개별화하고, 개별화된 상기 반도체 소자들에 대해 세척 공정 및 건조 공정을 실시하는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 복수의 반도체 소자가 안착되는 테이블;
    상기 테이블로부터 이격되게 위치하고, 열을 발생시키는 가열 유닛; 및
    상기 가열 유닛의 동작을 제어하는 제어부;를 포함하고,
    상기 제어부는 상기 반도체 소자가 상기 테이블 상에 위치되지 않은 상태에서 상기 가열 유닛이 상기 테이블을 가열시킬 수 있도록 동작시키고,
    상기 반도체 소자가 상기 테이블 상에 위치된 상태에서 상기 가열 유닛이 상기 반도체 소자와 상기 테이블을 함께 가열하도록 동작시키며,
    상기 반도체 소자의 하측은 가열된 상기 테이블의 상측에 의하여 가열되고, 상기 반도체 소자의 상측은 상기 가열 유닛에 의해 추가적으로 가열됨으로써, 상기 반도체 소자의 표면에 잔류하는 물 입자가 건조되는 것을 특징으로 하고,
    상기 테이블은 상기 반도체 소자를 반전시켜서 다른 위치에 적재될 수 있게 하는 반전 테이블인 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 테이블의 온도를 측정하는 온도 측정 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 온도 측정 부재에서 측정된 상기 테이블의 온도가 목표 온도가 되는 경우, 상기 반도체 소자를 테이블 상에 위치시키는 기판 처리 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 온도 측정 부재에서 측정된 상기 테이블의 온도가 목표 온도 미만인 경우, 상기 가열 유닛을 계속 동작시키는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 가열 유닛은,
    베이스 부재; 및
    상기 베이스 부재에 패턴을 이루도록 설치되는 발광 다이오드;를 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 삭제
  8. 제1항, 제3항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 기판 처리 장치를 사용하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서,
    상기 가열 유닛으로 상기 테이블을 가열하는 제1 가열 단계;
    상기 반도체 소자를 상기 테이블에 안착하는 안착 단계; 및
    상기 가열 유닛으로 상기 반도체 소자와 상기 테이블을 함께 가열하는 제2 가열 단계;
    를 포함하는 기판 처리 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 가열 단계, 상기 안착 단계 및 상기 제2 가열 단계는 순차적으로 실시되는 기판 처리 방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 테이블의 온도를 측정하는 온도 측정 단계; 및
    상기 테이블의 온도가 목표 온도인지를 판단하는 판단 단계;를 더 포함하는 기판 처리 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 판단 단계에서 상기 테이블의 온도가 목표 온도 미만인 경우, 상기 제1 가열 단계를 실시하는 기판 처리 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 판단 단계에서 상기 테이블의 온도가 목표 온도가 되는 경우, 상기 안착 단계를 실시하는 기판 처리 방법.
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