TWI591727B - 熱處理方法及熱處理裝置 - Google Patents

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鈴木智博
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東京威力科創股份有限公司
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Description

熱處理方法及熱處理裝置
本發明係關於以光源作為熱源之熱處理方法及熱處理裝置。
例如在半導體裝置的製造步驟中，例如於作為基板的「半導體晶圓」(以下，稱為「晶圓」)上依次進行：「進行成膜之成膜處理、熱處理等各種處理」。在離子注入後的熱處理，為了將擴散抑制到最小，要求以高速進行升降溫；而近年，隨著半導體裝置的微細化、高密集化，此要求係特別顯著。
而近年，作為執行更高速之升降溫的熱處理裝置之熱源，例如專利文獻1所示般，有使用LED光的情形。在將LED光作為熱源使用時，為了應對高速升溫，係以高密度配置LED。 [先前技術文獻] [專利文獻]
【專利文獻1】日本特開2010-153734號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，由本發明者們確認了：「在使用了LED光之熱處理中，例如對於在表面未形成膜的晶圓、及在表面形成了既定的膜的晶圓，在同樣的條件下照射LED光時，兩晶圓間在到達溫度上會產生差別」。
又，當到達溫度與所期望的溫度不同時，由於會對晶圓的處理結果造成影響，故會造成問題。因此，吾人期望一種熱處理裝置，其可以不受到被處理體的表面狀態左右，而得到所期望的到達溫度。
有鑑於相關要點，本發明之目的在於：「在以光源作為熱源的熱處理裝置中，不受被處理體的表面狀態影響，而加熱到所期望的溫度」。 [解決問題之方式]
為達成上述目的，本發明提供一種熱處理方法，其特徵為：使用複數之發光元件作為熱源，對被處理體進行熱處理；自該發光元件以第1照度照射光線到被處理體，並求取該被處理體的反射率，而基於「該被處理體的反射率」與預先求得之「在該第1照度之該被處理體的升溫曲線與該被處理體的反射率之關係」，將來自該發光元件之光的照度，從該第1照度修正為第2照度。
由於依本發明，求取被處理體的反射率，並基於該反射率，將來自發光元件的光之照度，從第1照度修正為第2照度，故可以不受被處理體的表面狀態影響，而加熱至所期望的溫度。
該被處理體的反射率，亦可藉由「自該發光元件以該第1照度照射光線時，測定由該被處理體所反射之光的照度」而求得。
由該被處理體所反射之光的照度之測定，亦可在該被處理體與該發光元件之間的空間進行。
該發光元件亦可配置在與該被處理體的背面對向之位置；來自該發光元件的光之照射，係對於該被處理體的背面進行。
依其它觀點之本發明為一種熱處理裝置，其特徵在於：照射光線到被處理體而進行熱處理；該熱處理裝置包含：支持構件，用以支持該被處理體；複數之發光元件，與被支持於該支持構件之被處理體對向設置，用以照射光線到該被處理體；以及控制部，其係構成為控制該複數之發光元件，以對於該被處理體以第1照度照射光線；該控制部，基於「該被處理體的反射率」與「預先求得之「在該第1照度之該被處理體的升溫曲線與該被處理體之反射率的關係」，將來自該發光元件之光的照度，從該第1照度修正為第2照度。
亦可更包含反射光監測器，用以測定由該被處理體所反射後之來自該發光元件之光的照度；該控制部，基於自該發光元件以該第1照度照射光線時，以該反射光監測器測定之光的照度，求取該被處理體的反射率。
該反射光監測器，亦可配置為：在該被處理體與該發光元件之間的空間，測定由該被處理體所反射之來自該發光元件之光的照度。
該發光元件亦可配置在與該被處理體的背面對向的位置。   [發明之效果]
藉由本發明，可以在以光源作為熱源的熱處理裝置中，不受被處理體的表面狀態影響，而加熱到所期望的溫度。
以下，就本發明之實施態樣的一例，參照圖式說明。圖1為表示依本發明之實施態樣的熱處理裝置1之概略構成的縱剖面圖。
熱處理裝置1具有略呈圓筒狀之處理容器11，該處理容器11設置有載置台10，該載置台10係用以載置作為被處理體之矽基板，亦即晶圓W。處理容器11具有：載置台10上方之熱處理部12、以及設置於載置台10的外側之氣體擴散部13。又，在晶圓W，預先形成有SOG(Spin On Glass，旋塗式玻璃膜)膜(未圖示)，本實施態樣中，係以為了使此SOG膜的電漿耐性提高而進行熱處理之情形為例說明。
在載置台10的頂面設置複數支持銷20作為支持晶圓W的支持構件。在支持銷20的內部，內藏有溫度感測器20a。因此，藉由以溫度感測器20a測定載置該晶圓W的支持銷20之溫度，可以模擬地測定晶圓W的溫度。作為溫度感測器，例如使用熱電偶等。又，亦可將熱電偶等溫度感測器20a本身作為支持銷20使用。又，所謂模擬地測定晶圓W的溫度，不僅是藉由溫度感測器20a測定與晶圓W接觸之支持銷20的溫度，亦包括藉由溫度感測器20a支持晶圓W，並藉由使溫度感測器20a接觸晶圓W來測定之情形。
在處理容器11的天板11a的底面，設有熱源21。熱源21係以複數之發光元件單元30構成。各發光元件單元30，為了能照射光線到載置於載置台10的晶圓W，係與載置台10對向，換言之，係與支持於支持銷20的晶圓W對向設置。各發光元件單元30係穿透電極31支持於支持板31a，支持板31a係支持於天板11a。在天板11a的內部，設置有未圖示之冷媒管，藉由將冷卻水通過其內部，以進行各發光元件單元30之冷卻。
發光元件單元30，如圖2所示具有以六角狀形成之支持板32，在該支持板32的表面配置複數之發光元件33。例如使用發光二極體(LED)作為發光元件33。在各發光元件33之間形成反射層34，藉由使來自發光元件33的光反射，可以朝向載置台10有效地將光取出。發光元件33及反射層34係由支持板32支持。又，反射層34的反射率例如在0.8以上。
各發光元件33係以形成為半球狀之透鏡層(未圖示)覆蓋。透鏡層具有介於折射率高的LED與折射率為1的空氣兩者中間的折射率，係為了緩和光線從LED向空氣中直接射出所造成的全反射，而加以設置。藉由設置透鏡層，從各發光元件33的側面亦可以將光取出。又，從側面取出的光藉由反射層34反射而朝向載置台10照射。又，熱源21係構成為，例如圖3所示般，配置以使一個發光元件單元30之六角狀的支持板32的邊係相互鄰接。藉由設定成這種配置構成，所有發光元件單元30係無間隙地配置。發光元件單元30之間的既定位置，在本實施態樣中於發光元件單元30的中央部，後述之反射光監測器51係插通發光元件單元30而配置著。
在一個發光元件單元30，係搭載著1000～2000個左右的發光元件33。關於作為發光元件33使用的LED，係使用「光的波長在紫外～近紅外的範圍，較佳為360～1000nm的範圍之，例如GaN(氮化鎵)、GaAs(砷化鎵)等化合物半導體」。又，當加熱對象為矽製的晶圓時，較佳為使用由GaAs系材料構成之LED；該GaAs系材料具有對矽晶圓之吸收率為高之950～970nm附近的波長。
在天板11a的頂面配置有複數電源40，用以向各發光元件單元30供給電流。電源40連接於後述之控制部150；向各發光元件單元30供給之電流指示値，係藉由控制部150個別控制。
又，在處理容器11的天板11a，於該處理容器11內，連接有處理氣體供給管41，用以從未圖示之處理氣體供給機構，導入既定之處理氣體。在處理容器11的氣體擴散部13底部連接著排氣管42，該排氣管42連接於未圖示之排氣裝置，通過此排氣管42，可以向處理容器11內排氣。
在載置台10與發光元件單元30之間，使自發光元件單元30向晶圓W照射的光穿透之光穿透構件43，係與載置台10的頂面隔著既定的距離而間隔配置。光穿透構件43，例如藉由螺絲固定等，而支持於自天板11a的底面向鉛直下方延伸而下之垂下部11b的下端。垂下部11b係形成為圓環狀；發光元件單元30係成為收容於「由垂下部11b、與該垂下部11b的下端所支持的光穿透構件43所圍成的空間」的內部之狀態。又，使用例如石英等作為光穿透構件43。
在光穿透構件43的頂面，換言之，在光穿透構件43之發光元件單元30側，配置有複數照度監測器50；該複數照度監測器50，係用以測定自發光元件單元30向晶圓W照射的光之照度。例如使用光二極體等受光元件作為照度監測器50。如此，藉由配置將照度監測器50自載置台10的頂面分離而設置之光穿透構件43，能抑制照度監測器50的影子轉印到晶圓W。照度監測器50係連接於後述之控制部150，以照度監測器50檢測的光，係以照度監測器50轉換為電訊號，而輸入至控制部150。又，從防止照度監測器50的影子朝向晶圓W轉印的觀點，照度監測器50較佳為使用約1～2mm平方之小型感測器。又，關於配線，較佳為藉由印刷、電鍍而在光穿透構件43之全面成膜，並藉由蝕刻等形成寬度約在0.2mm以下的配線圖案。又，也並非一定要設置照度監測器50，亦可由對於發光元件單元30之電流指示値來推定照度。
又，在光穿透構件43的上方亦即天板11a的底面，測定由晶圓W所反射之來自發光元件單元30的光之反射光監測器51，係設置於對應於晶圓W的中央部之位置。反射光監測器51不檢測來自發光元件單元30之照射光，且為了能檢測來自晶圓W的反射光，係配置為受光部51a位在比發光元件單元30的下端面更下方的位置。反射光監測器51亦與照度監測器50同樣連接於控制部150。
控制部150例如為電腦。控制部150如圖4所示，具有：輸入部151，用以輸入來自照度監測器50、反射光監測器51之信號；演算部152，對於從輸入部151輸入的資料進行演算；儲存部153，儲存既定的資料；以及輸出部154，輸出用以控制各電源40、其它設備的動作之信號。
就演算部152的機能詳述。如圖5所示，在演算部152，藉由將被輸入到輸入部151之以反射光監測器51檢測的光之照度S，除以以照度監測器50檢測的光之照度U，而求得在晶圓W反射之光的比率，亦即晶圓W之反射率R。此時，來自發光元件單元30的光之照度，例如係以第1照度U固定地控制。與此同時，基於「預先求得之晶圓W的升溫曲線與晶圓W的反射率R之相關關係Q」與「以反射光監測器51檢測之照度S」求得了反射率R，而基於該反射率R，計算為了使晶圓W升溫至期望的溫度所應該修正之照度ΔU。接著，基於計算出之照度ΔU，計算朝向電源40之電流指令値；該電源40係向發光元件單元30供給電流。該計算出之電流指令値，係自輸出部154對各電源40輸出。
茲就相關關係Q說明。即使是自發光元件單元30以固定的照度對晶圓W照射光線的情形，依照晶圓W的表面狀態，更具體而言，依照晶圓W表面的反射率R，晶圓W的到達溫度會變不同。又，晶圓W的反射率R，依照形成於晶圓W的表面之膜的種類，會變得大不相同。因此，即使以第1照度固定來自發光元件單元30的光之照度，此到達溫度及升溫曲線的變化曲線，係例如圖6所示般，依照反射率R大不相同。因此，有必要晶圓W的反射率R與相關關係Q，適當修正照射到晶圓W的光之照度U。又，圖6中表示，關於：「在表面未形成膜的矽之晶圓W」、「在表面分別形成有反射防止膜與TiN膜之晶圓W」、及「在表面蒸鍍有Al晶圓W」之升溫曲線。
相關關係Q，例如藉由預先進行的試驗求得。具體而言，例如在與「其內部內藏熱電偶等溫度測定裝置之晶圓W」約略同一徑狀的擋片晶圓之表面，形成具有各種反射率R之膜，並藉由在各個膜計算：「自熱源21以第1照度U照射光線到形成有各膜之擋片晶圓，而獲得之升溫曲線」以及「將該擋片晶圓升溫直至所期望的溫度之，亦即，在獲得所期望的升溫曲線上必要之，來自熱源21之光的照度」，以求取相關關係Q。
接著，在演算部152，自「晶圓W之反射率R」及「使用擋片晶圓預先求得之升溫曲線與反射率R」的相關關係Q，於具有該反射率R之晶圓W中，求取為了獲得所期望的晶圓溫度應修正之光的照度ΔU。此相關關係Q，係預先儲存於儲存部153。
又，在儲存部153也儲存有「控制各電源40或其它設備等，使熱處理裝置1動作之程式」。又，上述程式係記錄於，例如電腦可讀取之硬碟(HD)、軟性磁碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等可在電腦讀取之儲存媒體，亦可從該儲存媒體安裝至控制部150。
關於本實施態樣的熱處理裝置1，係如以上構成，接著，就關於本實施態樣的熱處理裝置1中的晶圓W之熱處理，加以說明。
在晶圓W之熱處理時，首先，將晶圓W搬入處理容器11內，載置而保持於載置台10上。接著，在透過排氣管42排氣至處理容器11內的同時，自處理氣體供給管41供給既定之處理氣體。與此併行，將冷卻水通過天板11a內部之未圖示的冷媒管。
接著，自控制部150之輸出部154，向各電源40輸出既定之電流指令値，藉此，從發光元件單元30，例如以第1照度U對晶圓W照射光線。
接著，在演算部152，基於以照度監測器50及反射光監測器51之測定結果，計算晶圓W的反射率R。接著，基於反射率R及相關關係Q，計算為了將晶圓W加熱至所期望的溫度所應修正的照度ΔU。接著，在演算部152，求取此照度ΔU及照度U之和，並計算為了將晶圓W加熱至所期望的溫度之第2照度Ux。其後，基於此第2照度Ux，計算對於「向各發光元件單元30供給電流」之電源40的電流指令値，並將該計算之電流指令値自輸出部154輸出至電源40。又，在演算部152，基於「與以溫度感測器20a測定之晶圓W的溫度有關之溫度Tc」及「照射至晶圓W之第2照度Ux」，計算晶圓W之實際溫度P，並將「該實際溫度P」與「由相關關係Q及以照度監測器50檢測之光的照度U所推定之晶圓W的溫度」比較，在產生偏差時，亦可進而修正電流指令値以使該偏差消失。換言之，即使以修正後之第2照度Ux加熱晶圓W，當實際溫度P並未沿所期望的升溫曲線而升溫時，亦可適當修正電流指令値。藉此，控制對各發光元件單元30之電流値，將晶圓W控制為所期望的溫度，於本實施態樣大約為400℃。又，以400℃於1分鐘期間進行加熱，晶圓W的熱處理結束。藉由此熱處理，形成於晶圓W的表面之SOG膜(未圖示)的電漿耐性會提高。
由於依上述實施態樣，求取晶圓W的反射率R，並基於該反射率R與預先求取之相關關係Q，將來自發光元件單元30之光的照度，從第1照度U修正為第2照度Ux，因此，不會受到「晶圓W之表面狀態，亦即形成於晶圓W之表面的膜之反射率R」的影響，而可以將晶圓W加熱到所期望的溫度。
又，雖然上述實施態樣中，係基於照度監測器50及反射光監測器51之測定結果，計算反射率R，然而，反射率R之計算方法，並不限定於本實施態樣之內容。
例如，亦可藉由設於熱處理裝置1的外部之反射率測定裝置(未圖示)，預先測定晶圓W表面之反射率R，並在進行該晶圓W的熱處理前，事先將反射率R輸入儲存部153。又，由於已知「來自發光元件單元30之光的照度U」與「對電源40之電流指令値」的關係，亦可僅從「在反射光監測器51之測定値」與「對電源40之電流指令値」的關係，計算反射率R。
雖然上述實施態樣中，係自晶圓W上方照射光線而加熱晶圓W，然而，亦可自晶圓W的下方照射光線而加熱晶圓W。又，關於自晶圓W的下方照射光線之情形之熱處理裝置的構成，將於後述。
雖然上述實施態樣中，係將反射光監測器51設置在與晶圓W的中央部對應之位置，然而，反射光監測器51的配置，並不限定於本實施態樣的內容，例如亦可設置在與晶圓W的外圍部附近對應之位置。但是，光的反射，不只在晶圓W的表面，亦可能在處理容器11的側面發生，因此，若在晶圓W的外圍部附近測定，也有包含到自來處理容器11的反射之可能性。從而，反射光監測器51，較佳為設置於晶圓W的中央部附近。
又，雖然上述實施態樣中，只設有一個反射光監測器51，但亦可設置複數反射光監測器51。相關之情形，亦可因應各反射光監測器51，分別計算反射率R，並個別控制「對應該反射光監測器51之位置」的發光元件單元30之輸出。藉此，例如即使在晶圓W面內，存在反射率不同的部位時，亦可將晶圓W面內平均地升溫。
關於在晶圓W面內的反射率不同的情形，例如舉凡形成於晶圓W之膜的膜厚，於晶圓W面內不平均的狀況。以下，就於晶圓W面內反射率不同時之發光元件單元30的輸出之控制，例如使用圖7所示之熱處理裝置100之情形為例加以說明。又，圖7中描繪從上述晶圓W的下方照射光線之熱處理裝置100，首先就此熱處理裝置100說明。又，以下，在具有與熱處理裝置1實質相同的機能構成之元件，係藉由賦予相同的符號而省略重複說明。
熱處理裝置100中，於處理容器11的底部配置發光元件單元30，於發光元件單元30的上方設置有光穿透構件43。藉由此光穿透構件43，處理容器11內的空間被分隔成上下，處理容器11內，被區分為：「熱處理部110，用以對晶圓W進行熱處理」以及「熱源收容部111，用以收容發光元件單元30」兩區塊。
在光穿透構件43的頂面配置複數支持銷112，用以支持晶圓W，構成為可在光穿透構件43上支持晶圓W。又，並非一定要有支持銷112，亦可直接晶圓W將載置於光穿透構件43的頂面。
又，在光穿透構件43貫通連接排氣管42，此排氣管42係貫通處理容器11的底部而設置，通過此排氣管42，可進行處理容器11的熱處理部110之環境氣體之排氣。
在處理容器11的底部，配置有複數反射光監測器51。反射光監測器51係配置為「受光部51a位在比發光元件單元30的上端面更為上方的位置」，俾於「無需檢測來自發光元件單元30的照射光，且可以檢測來自晶圓W的反射光」。
反射光監測器51，例如圖8所示，係配置於俯視觀察時鄰接三個發光元件單元30的中間位置。換言之，係配置成：藉由一個反射光監測器51，可以檢測與鄰接之三個發光元件單元30的反射光。又，圖8中，為了易於反射光監測器51之配置的說明，係描繪與圖3並同數量的發光元件單元30。又，之所以本實施態樣中對於三個發光元件單元30配置一個反射光監測器51，係為了使反射光監測器51的設置數量最小化。從而，反射光監測器51的設置數量或配置，並不限定於本實施態樣的內容，亦可任意設定。又，關於照度監測器50，從高精度計算與各反射光監測器51對應之區域中的晶圓W之反射率R的觀點，較佳為配置在與各反射光監測器51對應的位置。
關於本實施態樣的熱處理裝置100係如以上構成。又，在熱處理裝置100，係對於載置於支持銷112上的晶圓W，從晶圓W下方的各發光元件單元30，以第1照度U照射光線。
接著，在演算部152基於各照度監測器50及各反射光監測器51，計算與晶圓W的各反射光監測器51對應之區域的反射率R。接著，在演算部152，基於反射率R與相關關係Q計算第2照度Ux，並基於此第2照度Ux，修正向鄰接各反射光監測器51之發光元件單元30供給的電流指令値。藉此，即使形成於晶圓W背面的膜之膜厚，於晶圓W面內並非平均時，亦能面內平均地升溫晶圓W。又，關於形成在晶圓W背面的膜，例如有「在加熱處理前進行CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積)處理時附著的膜」、或是「藉由對晶圓W進行電鍍處理而形成的膜」等。 【實施例】
接著，作為實施例，發明者們藉由依本實施態樣之熱處理裝置1，進行了將直徑300mm的晶圓W加熱之試驗。其試驗結果如圖9所示。又，關於晶圓W，係使用「在表面未形成膜的矽之晶圓W」、「在表面分別形成有反射防止膜、TiN的膜晶圓W」、以及「在表面蒸鍍有Al之晶圓W」。又，關於此時之條件，第1照度係設定為「為了在未形成膜的矽之晶圓W，於既定的環境下獲得所期望的升溫曲線上，必要之照度」。又，對於形成有各種膜之晶圓W，以第1照度照射光線，並基於以反射光監測器51獲得之測定結果及相關關係Q，適當修正第2照度Ux並進行加熱。
如圖9所示，吾人能確認，在依本實施態樣之熱處理裝置1，所有晶圓W能升溫直至約略相同的溫度；而不會有如圖6所示之習知情形般，晶圓W間到達溫度不同。又，吾人能確認，各晶圓W的升溫曲線亦為略約相同的形狀，晶圓W間的溫度變化曲線亦能固定。
以上，就本發明之較佳的實施態樣說明，但本發明並非限定於相關的例子。只要是通常知識者，於申請專利範圍所記載的技術思想之範疇內，顯而能思及之各種變更例子或是修正例子，自然亦屬於本發明之技術範圍。
例如，上述實施態樣中係使用LED作為熱源21，但作為熱源21使用的光源，並不限定於LED，只要能加熱作為被處理體之晶圓W，亦即只要能照射會被晶圓W吸收的波長之光線，可任意選擇。
又，雖然上述實施態樣中，係藉由熱處理裝置1、100，就進行晶圓W的熱處理時之溫度控制加以說明，然而，從「基於晶圓W的反射率R，修正供給至發光元件單元30之電力」的觀點，換言之，從「控制從發光元件單元30照射的光線之強度」的觀點，本發明亦可適用於熱處理以外之處理。例如，在向晶圓W的表面照射光線的同時，以CCD相機等攝像裝置取得晶圓W的攝像影像，並基於該攝像影像檢查缺陷的有無等，也就是所謂的宏觀缺陷檢查中，晶圓W表面的反射率並非面內平均時，在攝像影像的亮度上會產生差異。因此，會有即使缺陷並不存在，卻判定為有缺陷之情形。相關的情形，可以如本發明般，設置複數反射光監測器51，並藉由在各個區域計算反射率R，以進行更為正確之宏觀缺陷檢查。
1‧‧‧熱處理裝置
10‧‧‧載置台
11‧‧‧處理容器
11a‧‧‧天板
11b‧‧‧垂下部
12‧‧‧熱處理部
13‧‧‧氣體擴散部
20‧‧‧支持銷
20a‧‧‧溫度感測器
21‧‧‧熱源
30‧‧‧發光元件單元
31‧‧‧電極
32‧‧‧支持板
33‧‧‧發光元件
34‧‧‧反射層
40‧‧‧電源
41‧‧‧處理氣體供給管
42‧‧‧排氣管
43‧‧‧光穿透構件
50‧‧‧照度監測器
51‧‧‧反射光監測器
51a‧‧‧受光部
150‧‧‧控制部
151‧‧‧輸入部
152‧‧‧演算部
153‧‧‧儲存部
154‧‧‧輸出部
Q‧‧‧相關關係
R‧‧‧反射率
S‧‧‧照度
Tc‧‧‧溫度
U‧‧‧第1照度
Ux‧‧‧第2照度
ΔU‧‧‧照度
W‧‧‧晶圓
【圖1】表示關於本實施態樣的熱處理裝置之概略構成的縱剖面圖。 【圖2】表示發光元素單元之概略構成的俯視圖。 【圖3】表示熱源之概略構成的俯視圖。 【圖4】表示控制部之概略構成的說明圖。 【圖5】表示控制部中照度的概略修正方法之流程圖。 【圖6】表面狀態不同的晶圓之升溫曲線。 【圖7】表示關於其他實施態樣的熱處理裝置之概略構成的縱剖面圖。 【圖8】表示反射光監測器之配置的俯視圖。 【圖9】將表面狀態不同之晶圓以本實施態樣的熱處理裝置升溫時之升溫曲線。
10‧‧‧載置台
20‧‧‧支持銷
20a‧‧‧溫度感測器
21‧‧‧熱源
30‧‧‧發光元件單元
31‧‧‧電極
40‧‧‧電源
50‧‧‧照度監測器
51‧‧‧反射光監測器
51a‧‧‧受光部
151‧‧‧輸入部
152‧‧‧演算部
154‧‧‧輸出部
Q‧‧‧相關關係
R‧‧‧反射率
S‧‧‧照度
Tc‧‧‧溫度
U‧‧‧第1照度
Ux‧‧‧第2照度
ΔU‧‧‧照度
W‧‧‧晶圓

Claims (8)

  1. 一種熱處理方法，使用複數之發光元件作為熱源，對被處理體進行熱處理，其特徵為包含以下步驟： 自該發光元件，以第1照度照射光線到被處理體； 求取該被處理體的反射率； 基於「該被處理體的反射率」與預先求得之「在該第1照度之該被處理體的升溫曲線與該被處理體的反射率」之相關關係，將來自該發光元件之光的照度，從該第1照度修正為第2照度。
  2. 如請求項1所述之熱處理方法，其中， 該被處理體之反射率，係藉由對於「自該發光元件以該第1照度照射光線時，由該被處理體所反射之光的照度」加以測定，而求得。
  3. 如請求項2所述之熱處理方法，其中， 由該被處理體所反射之光的照度之測定，係在該被處理體與該發光元件之間的空間進行。
  4. 如請求項1至3中任一項所述之熱處理方法，其中， 該發光元件係配置在與該被處理體的背面對向之位置； 來自該發光元件之光的照射，係對於該被處理體的背面進行。
  5. 一種熱處理裝置，照射光線至被處理體，而進行熱處理； 該熱處理裝置，包含： 支持構件，用以支持該被處理體； 複數之發光元件，與被支持於該支持構件之被處理體對向設置，照射光線到該被處理體；以及 控制部，控制該複數之發光元件，以對於該被處理體以第1照度照射光線； 該控制部，基於「該被處理體之反射率」與預先求得之「在該第1照度之該被處理體的升溫曲線與該被處理體的反射率」之關係，將來自該發光元件之光的照度，從該第1照度修正為第2照度。
  6. 如請求項5所述之熱處理裝置，其中， 更包含反射光監測器，用以測定由該被處理體所反射之「來自該發光元件之光」的照度； 該控制部，基於「自該發光元件，以該第1照度照射光線」時，由該反射光監測器測定之光的照度，求取該被處理體的反射率。
  7. 如請求項6所述之熱處理裝置，其中， 該反射光監測器係配置以在該被處理體與該發光元件之間的空間，測定由該被處理體所反射之「來自該發光元件之光」的照度。
  8. 如請求項5至7中任一項所述之熱處理裝置，其中， 該發光元件係配置在與該被處理體的背面對向之位置。
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