KR102221692B1 - Substrate treatment apparatus and substrate treatment method - Google Patents

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Abstract

본 기재의 기판 처리 장치는 반도체 소자가 안착되는 테이블 및 상기 테이블로부터 이격되게 위치되고, 열을 발생시키는 가열 유닛을 포함한다.The substrate processing apparatus of the present disclosure includes a table on which a semiconductor element is seated, and a heating unit positioned to be spaced apart from the table and generating heat.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate treatment apparatus and substrate treatment method}Substrate treatment apparatus and substrate treatment method TECHNICAL FIELD

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체를 제조하는데 사용될 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can be used to manufacture a semiconductor.

일반적으로 반도체 패키지들은 일련의 제조 공정들을 반복적으로 수행함으로써 반도체 기판으로서 사용되는 실리콘 웨이퍼 상에 형성될 수 있으며, 상기와 같이 형성된 반도체 패키지들은 다이싱 공정, 다이 본딩 공정 및 몰딩 공정을 통해 반도체 스트립으로 제조될 수 있다.In general, semiconductor packages can be formed on a silicon wafer used as a semiconductor substrate by repeatedly performing a series of manufacturing processes, and the semiconductor packages formed as described above are converted into semiconductor strips through a dicing process, a die bonding process, and a molding process. Can be manufactured.

상기와 같이 복수의 반도체 패키지들이 탑재된 반도체 스트립은 절단 및 분류(Sawing & Sorting) 공정을 통해 개별화되고 양품 또는 불량품 판정에 따라 분류될 수 있다. 상기 절단 및 분류 공정은 상기 반도체 스트립을 척 테이블 상에 로드한 후 절단 블레이드를 이용하여 다수의 반도체 패키지들로 개별화하며, 상기 개별화된 반도체 패키지들은 픽업 장치에 의해 일괄적으로 픽업되어 세척 공정 및 건조 공정이 실시될 수 있다.As described above, a semiconductor strip on which a plurality of semiconductor packages are mounted may be individualized through a cutting and sorting process and classified according to a determination of good or defective products. In the cutting and sorting process, the semiconductor strip is loaded on a chuck table and then individually divided into a plurality of semiconductor packages using a cutting blade, and the individualized semiconductor packages are collectively picked up by a pickup device to be cleaned and dried. The process can be carried out.

한편, 건조 공정에서 반도체 소자가 깔끔하게 건조되지 않으면, 반도체 소자를 촬영하여 불량을 판단하는 검사 공정에서 수분을 이물질로 판단하여 정상적인 반도체 소자가 불량 반도체인 것으로 잘못 판단될 수 있다.On the other hand, if the semiconductor device is not neatly dried in the drying process, moisture is determined as a foreign material in the inspection process in which the semiconductor device is photographed to determine a defect, and the normal semiconductor device may be erroneously determined as a defective semiconductor.

한국공개특허 제2004-0073434호Korean Patent Publication No. 2004-0073434

본 발명의 목적은 반도체 소자에 잔류하는 수분 제거 신뢰성이 향상될 수 있는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of improving the reliability of removing moisture remaining in a semiconductor device.

본 발명의 일 측면에 따른 기판 처리 장치는 반도체 소자가 안착되는 테이블; 및 상기 테이블로부터 이격되게 위치되고, 열을 발생시키는 가열 유닛;을 포함한다.A substrate processing apparatus according to an aspect of the present invention includes a table on which a semiconductor element is mounted; And a heating unit positioned to be spaced apart from the table and generating heat.

한편, 상기 가열 유닛의 동작을 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 제어부는, 상기 반도체 소자가 테이블 상에 위치되지 않은 상태에서 상기 가열 유닛이 동작될 수 있도록 하고, 상기 반도체 소자가 테이블 상에 위치된 상태에서 상기 가열 유닛이 재차 동작될 수 있도록 할 수 있다.Meanwhile, a control unit for controlling an operation of the heating unit is included, and the control unit allows the heating unit to be operated while the semiconductor element is not positioned on the table, and the semiconductor element is positioned on the table. In the state, the heating unit may be operated again.

한편, 상기 테이블의 온도를 측정하는 온도 측정 부재를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, a temperature measuring member for measuring the temperature of the table may be further included.

한편, 상기 제어부는 상기 온도 측정 부재에서 측정된 상기 테이블의 온도가 목표 온도가 되는 경우, 상기 반도체 소자를 테이블 상에 위치시킬 수 있다.Meanwhile, when the temperature of the table measured by the temperature measuring member becomes a target temperature, the control unit may position the semiconductor device on the table.

한편, 상기 제어부는 상기 온도 측정 부재에서 측정된 상기 테이블의 온도가 목표 온도 미만인 경우, 상기 가열 유닛을 계속 동작시킬 수 있다.Meanwhile, when the temperature of the table measured by the temperature measuring member is less than a target temperature, the control unit may continue to operate the heating unit.

한편, 상기 가열 유닛은, 베이스 부재; 및 상기 베이스 부재에 패턴을 이루도록 설치되는 발광 다이오드;를 포함할 수 있다.On the other hand, the heating unit, the base member; And a light emitting diode installed to form a pattern on the base member.

한편, 상기 테이블은, 상기 반도체 소자를 반전시켜서 다른 위치에 적재될 수 있게 하는 반전 테이블일 수 있다.Meanwhile, the table may be an inversion table that inverts the semiconductor device so that it can be mounted in a different position.

본 발명의 일 측면에 따른 기판 처리 방법은 상기 기판 처리 장치를 사용하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서, 테이블을 가열하는 제1 가열 단계; 반도체 소자를 상기 테이블에 안착하는 안착 단계; 및 상기 반도체 소자와 상기 테이블을 가열하는 제2 가열 단계;를 포함한다.A substrate processing method according to an aspect of the present invention is a substrate processing method of processing a substrate using the substrate processing apparatus, comprising: a first heating step of heating a table; A seating step of seating a semiconductor device on the table; And a second heating step of heating the semiconductor device and the table.

한편, 상기 제1 가열 단계, 상기 안착 단계 및 상기 제2 가열 단계는 순차적으로 실시될 수 있다.Meanwhile, the first heating step, the seating step, and the second heating step may be sequentially performed.

한편, 상기 테이블의 온도를 측정하는 온도 측정 단계; 및 상기 테이블의 온도가 목표 온도인지를 판단하는 판단 단계;를 더 포함할 수 있다.On the other hand, a temperature measuring step of measuring the temperature of the table; And determining whether the temperature of the table is a target temperature.

한편, 상기 판단 단계에서 상기 테이블의 온도가 목표 온도 미만인 경우, 상기 제1 가열 단계를 실시할 수 있다.Meanwhile, when the temperature of the table is less than the target temperature in the determination step, the first heating step may be performed.

한편, 상기 판단 단계에서 상기 테이블의 온도가 목표 온도가 되는 경우, 상기 안착 단계를 실시할 수 있다.Meanwhile, when the temperature of the table becomes the target temperature in the determination step, the seating step may be performed.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 가열 유닛을 포함하고, 상기 가열 유닛이 테이블만 우선적으로 가열하도록 할 수 있다. 그리고, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 반도체 소자가 테이블에 위치된 상태에서 테이블과 반도체 소자 모두를 재차 가열하도록 할 수 있다. 이에 따라, 반도체 소자의 상측은 가열 유닛에 의해 가열되고, 반도체 소자의 하측은 가열된 테이블의 의해 가열될 수 있다.The substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention may include a heating unit, and the heating unit may preferentially heat only a table. In addition, the substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention may reheat both the table and the semiconductor element while the semiconductor element is positioned on the table. Accordingly, the upper side of the semiconductor element can be heated by the heating unit, and the lower side of the semiconductor element can be heated by the heated table.

이때 발생되는 복사열을 통하여 반도체 소자의 표면에 잔류하는 물 입자가 활성화되면서 더욱 신속하게 건조될 수 있다.The water particles remaining on the surface of the semiconductor device are activated through the radiant heat generated at this time, and thus the water particles can be dried more quickly.

반면, 테이블의 내부에 열선을 배치하여 테이블 전체를 가열하도록 이루어진 비교예의 기판 처리 장치의 경우, 테이블 전체를 가열하기 위하여 다소 많은 전력을 필요로 할 수 있다. 뿐만 아니라, 이러한 기판 처리 장치는 테이블에서 전달된 열에 의하여 반도체 소자의 하측이 가열되는 방식이므로, 반도체 소자의 하측로부터 상측까지 열이 전달되기 위해서는 가열에 상당한 시간이 필요로 할 수 있다.On the other hand, in the case of the substrate processing apparatus of the comparative example in which a heating wire is disposed inside the table to heat the entire table, a little more power may be required to heat the entire table. In addition, since such a substrate processing apparatus is a method in which the lower side of the semiconductor element is heated by the heat transferred from the table, it may take a considerable amount of time for the heat to be transferred from the lower side to the upper side of the semiconductor element.

그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 발광 다이오드로 이루어진 가열 유닛으로 테이블의 상면 및 반도체 소자를 직접 가열하는 방식이므로, 비교예의 기판 처리 장치와 비교하여 낮은 소비 전력으로 반도체 소자의 상측 및 하측을 보다 신속하게 가열할 수 있다.However, since the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention directly heats the upper surface of the table and the semiconductor element with a heating unit made of a light emitting diode, the upper side of the semiconductor element with lower power consumption compared to the substrate processing apparatus of the comparative example. And the lower side can be heated more quickly.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 반도체 소자의 건조 시간이 비교예의 기판 처리 장치와 비교하여 현저하게 단축될 수 있으므로, 반도체 제조 시간이 단축되어 생산성을 향상시킬 수 있다.Accordingly, in the substrate processing apparatus according to the exemplary embodiment of the present invention, the drying time of the semiconductor device may be significantly shortened compared to the substrate processing apparatus of the comparative example, and thus the semiconductor manufacturing time may be shortened, thereby improving productivity.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도면이다.
도 2는 가열 유닛을 발췌하여 도시한 사시도이다.
도 3 및 도 4는 기판 처리 장치의 동작 과정을 순차적으로 도시한 도면이다.
도 3은 가열 유닛이 테이블을 가열하는 상태를 도시한 도면이다.
도 4는 가열 유닛이 테이블과 반도체 소자 모두를 가열하는 상태를 도시한 도면이다.
도 5는 제어부, 가열 유닛 및 온도 측정 부재를 도시한 구성도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 도시한 순서도이다.
도 7은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 도시한 순서도이다.1 is a diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view showing an extract of the heating unit.
3 and 4 are views sequentially illustrating an operation process of the substrate processing apparatus.
3 is a diagram showing a state in which the heating unit heats the table.
4 is a diagram showing a state in which the heating unit heats both the table and the semiconductor element.
5 is a configuration diagram showing a control unit, a heating unit, and a temperature measuring member.
6 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
7 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to another exemplary embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art may easily implement the present invention. The present invention may be implemented in various different forms and is not limited to the embodiments described herein.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly describe the present invention, parts irrelevant to the description have been omitted, and the same reference numerals are attached to the same or similar components throughout the specification.

또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적인 실시예에서만 설명하고, 그 외의 다른 실시예에서는 대표적인 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.In addition, in various embodiments, components having the same configuration will be described only in a representative embodiment by using the same reference numerals, and in other embodiments, only configurations different from the representative embodiment will be described.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐만 아니라, 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"된 것도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is said to be "connected" with another part, this includes not only the case of being "directly connected" but also being "indirectly connected" with another member therebetween. In addition, when a part "includes" a certain component, it means that other components may be further included rather than excluding other components unless specifically stated to the contrary.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms used herein including technical or scientific terms have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. Terms as defined in a commonly used dictionary should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and should not be interpreted as an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present application. Does not.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 테이블(110) 및 가열 유닛(120)을 포함한다.1 to 4, a substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a table 110 and a heating unit 120.

테이블(110)에는 반도체 소자(10)가 안착될 수 있다. 테이블(110)은 일례로 기판 처리 장치(100)에 포함된 다양한 테이블 중에서도 반전 테이블일 수 있다. 반전 테이블은 반도체 소자(10)를 반전시켜서 다른 위치에 적재할 수 있다. 상기 반전 테이블은 상하방향으로 180도 반전될 수 있다. 이를 위하여 반전 테이블에서 반도체 소자(10)가 안착되는 부분에 흡착홀(미도시)이 형성될 수 있다.The semiconductor device 10 may be mounted on the table 110. The table 110 may be, for example, an inversion table among various tables included in the substrate processing apparatus 100. The inversion table can invert the semiconductor element 10 and load it in a different position. The inversion table may be inverted 180 degrees in the vertical direction. To this end, an adsorption hole (not shown) may be formed in a portion of the inversion table where the semiconductor device 10 is seated.

반전 테이블은 흡착홀에 의해 반도체 소자(10)를 진공 흡착함으로써, 반도체 소자(10)가 반전되는 과정에서 낙하하지 않고 초기 위치를 안정적으로 유지할 수 있다. 반전 테이블은 일반적인 기판 처리 장치에 포함된 반전 테이블일 수 있으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. 다만, 상기 테이블(110)이 반드시 반전 테이블인 것으로 한정하지는 않으며, 반도체 소자(10)의 건조가 실시될 수 있는 테이블이면 어느 테이블이든 무방할 수 있다.The inversion table vacuum-adsorbs the semiconductor element 10 by the suction hole, so that the initial position can be stably maintained without dropping the semiconductor element 10 during the inversion process. Since the inversion table may be an inversion table included in a general substrate processing apparatus, a detailed description thereof will be omitted. However, the table 110 is not necessarily limited to an inversion table, and any table may be used as long as it is a table on which the semiconductor device 10 can be dried.

가열 유닛(120)은 상기 테이블(110)로부터 이격되게 위치되고, 열을 발생시킨다. 가열 유닛(120)은 테이블(110)의 상방에 위치될 수 있다. 가열 유닛(120)은 일례로 베이스 부재(121)와 발광 다이오드(122)를 포함할 수 있다.The heating unit 120 is positioned to be spaced apart from the table 110 and generates heat. The heating unit 120 may be located above the table 110. The heating unit 120 may include, for example, a base member 121 and a light emitting diode 122.

베이스 부재(121)는 판(plate) 형상일 수 있다. 발광 다이오드(122)는 상기 베이스 부재(121)에 패턴을 이루어 위치될 수 있다. 즉, 발광 다이오드(122)는 베이스 부재(121)의 일면에 일정한 간격을 유지하면서 복수의 열과 복수의 행을 이룰 수 있다.The base member 121 may have a plate shape. The light emitting diode 122 may be positioned in a pattern on the base member 121. That is, the light emitting diode 122 may form a plurality of columns and a plurality of rows while maintaining a constant interval on one surface of the base member 121.

이러한 발광 다이오드(122)는 공급되는 전류에 세기에 따라 발열 온도가 미세하게 조절될 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)에 포함된 가열 유닛(120)은 전술한 테이블(110) 및 반도체 소자(10)가 가열되는 온도를 미세하게 조절하는데 있어서 코일과 같은 방식으로 이루어진 가열 유닛과 비교하여 보다 유리할 수 있다.The heating temperature of the light emitting diode 122 may be finely adjusted according to the intensity of the supplied current. In other words, the heating unit 120 included in the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention finely adjusts the temperature at which the table 110 and the semiconductor element 10 are heated, such as a coil. It may be more advantageous compared to a heating unit made in a way.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 제어부(130)를 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention may include a control unit 130.

제어부(130)는 상기 가열 유닛(120)의 동작을 제어할 수 있다. 더욱 상세하게 설명하면, 상기 제어부(130)는 상기 반도체 소자(10)가 테이블(110) 상에 위치되지 않은 상태에서 상기 가열 유닛(120)이 동작될 수 있도록 할 수 있다. 그리고, 제어부(130)는 상기 반도체 소자(10)가 테이블(110) 상에 위치된 상태에서 상기 가열 유닛(120)이 재차 동작될 수 있도록 할 수 있다. 뿐만 아니라, 제어부(130)는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)의 전반적인 동작을 제어할 수도 있다. 예를 들어, 제어부(130)는 반도체 소자(10)를 이동할 수 도 있다.The controller 130 may control the operation of the heating unit 120. In more detail, the controller 130 may enable the heating unit 120 to be operated while the semiconductor device 10 is not positioned on the table 110. In addition, the control unit 130 may enable the heating unit 120 to be operated again while the semiconductor device 10 is positioned on the table 110. In addition, the controller 130 may control the overall operation of the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention. For example, the controller 130 may move the semiconductor device 10.

이와 같이 제어부(130)는 가열 유닛(120)이 테이블(110)만 우선적으로 가열할 수 있게 하고, 다음으로 반도체 소자(10)가 테이블(110)에 위치된 상태에서 테이블(110)과 반도체 소자(10) 모두를 재차 가열하도록 할 수 있다. 이에 따라, 반도체 소자(10)의 하측(10b)은 가열된 테이블(110)의 상측(110a)에 의하여 가열되고, 반도체 소자(10)의 상측(10a)은 가열 유닛(120)에 의해 추가적으로 가열될 수 있다. 가열에 의하여 발생되는 복사열은 반도체 소자(10)의 표면에 잔류하는 물 입자를 활성화시킴으로써, 물 입자가 더욱 신속하게 건조될 수 있다.In this way, the control unit 130 allows the heating unit 120 to preferentially heat only the table 110, and then, the table 110 and the semiconductor element in a state in which the semiconductor element 10 is positioned on the table 110 (10) All can be heated again. Accordingly, the lower side 10b of the semiconductor element 10 is heated by the upper side 110a of the heated table 110, and the upper side 10a of the semiconductor element 10 is additionally heated by the heating unit 120. Can be. Radiant heat generated by heating activates the water particles remaining on the surface of the semiconductor device 10, so that the water particles can be dried more quickly.

도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 온도 측정 부재(140)를 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5, the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention may further include a temperature measuring member 140.

온도 측정 부재(140)는 상기 테이블(110)의 온도를 측정할 수 있다. 온도 측정 부재(140)는 테이블(110)로부터 이격되게 위치될 수 있다.The temperature measuring member 140 may measure the temperature of the table 110. The temperature measuring member 140 may be positioned to be spaced apart from the table 110.

이와 다르게 온도 측정 부재(140)는 테이블(110)의 내부에서 상측에 인접하게 설치되어 테이블(110)의 상측(110a)의 온도를 측정할 수도 있다. 온도 측정 부재(140)는 대상물의 온도를 측정할 수 있는 것이면 어느 것이든 사용될 수 있으므로, 특정 장치로 한정하지는 않는다.Alternatively, the temperature measuring member 140 may be installed adjacent to the upper side of the table 110 to measure the temperature of the upper side 110a of the table 110. Since the temperature measuring member 140 may be used as long as it can measure the temperature of the object, it is not limited to a specific device.

가열 유닛(120)이 테이블(110)을 지속적으로 가열하는 상태에서, 온도 측정 부재(140)는 테이블(110)의 온도를 실시간으로 측정할 수 있다. 이와 다르게, 온도 측정 부재(140)는 일정 시간 마다 동작되면서 테이블(110)의 온도를 측정할 수도 있다.In a state in which the heating unit 120 continuously heats the table 110, the temperature measuring member 140 may measure the temperature of the table 110 in real time. Alternatively, the temperature measuring member 140 may measure the temperature of the table 110 while being operated every predetermined time.

한편, 상기 제어부(130)는 상기 온도 측정 부재(140)에서 측정된 상기 테이블(110)의 온도가 목표 온도가 되는 경우, 상기 반도체 소자(10)를 테이블(110) 상에 위치시킬 수 있다. 이러한 제어부(130)는 상기 온도 측정 부재(140)가 테이블(110)을 목표 온도 이상으로 불필요하게 가열하는 것을 방지함으로써, 전력이 낭비되는 것을 방지할 수 있다.Meanwhile, when the temperature of the table 110 measured by the temperature measuring member 140 becomes a target temperature, the controller 130 may position the semiconductor device 10 on the table 110. The control unit 130 may prevent the temperature measuring member 140 from unnecessarily heating the table 110 to a target temperature or higher, thereby preventing wasted power.

한편, 상기 제어부(130)는 상기 온도 측정 부재(140)에서 측정된 상기 테이블(110)의 온도가 목표 온도 미만인 경우, 상기 가열 유닛(120)을 계속 동작시킬 수 있다. 테이블(110) 및 반도체 소자(10)가 제어부(130)에 의하여 더욱 정확한 온도로 가열될 수 있다. 여기서, 목표 온도는 세척 공정 후 반도체 소자(10)에 잔류하는 수분이 활성화될 수 있을 정도의 온도일 수 있다. 예를 들어, 목표 온도는 100도일 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다.Meanwhile, when the temperature of the table 110 measured by the temperature measuring member 140 is less than a target temperature, the control unit 130 may continue to operate the heating unit 120. The table 110 and the semiconductor device 10 may be heated to a more accurate temperature by the control unit 130. Here, the target temperature may be a temperature sufficient to activate moisture remaining in the semiconductor device 10 after the cleaning process. For example, the target temperature may be 100 degrees, but is not limited thereto.

앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 가열 유닛(120)을 포함하고, 상기 가열 유닛(120)이 테이블(110)만 우선적으로 가열하도록 할 수 있다. 그리고, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 반도체 소자(10)가 테이블(110)에 위치된 상태에서 테이블(110)과 반도체 소자(10) 모두를 재차 가열하도록 할 수 있다.The substrate processing apparatus 100 according to the embodiment of the present invention described above may include a heating unit 120, and the heating unit 120 may preferentially heat only the table 110. In addition, the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention may reheat both the table 110 and the semiconductor element 10 while the semiconductor element 10 is positioned on the table 110. .

이에 따라, 반도체 소자(10)의 상측(10a)은 가열 유닛(120)에 의해 가열되고, 반도체 소자(10)의 하측(10b)은 가열된 테이블(110)의 의해 가열될 수 있다. 이때 발생되는 복사열을 통하여 반도체 소자(10)의 표면에 잔류하는 물 입자가 활성화되면서 더욱 신속하게 건조될 수 있다.Accordingly, the upper side 10a of the semiconductor element 10 may be heated by the heating unit 120, and the lower side 10b of the semiconductor element 10 may be heated by the heated table 110. The water particles remaining on the surface of the semiconductor device 10 are activated through the radiant heat generated at this time, so that the water particles can be dried more quickly.

반면, 테이블의 내부에 열선을 배치하여 테이블 전체를 가열하도록 이루어진 비교예의 기판 처리 장치의 경우, 테이블 전체를 가열하기 위하여 다소 많은 전력을 필요로 할 수 있다. 뿐만 아니라, 비교예의 기판 처리 장치는 테이블에서 전달될 열에 의하여 반도체 소자의 하측이 가열되는 방식이므로, 열이 반도체 소자의 하측로부터 상측까지 전달되기 위해서는 가열에 상당한 시간이 필요로 할 수 있다.On the other hand, in the case of the substrate processing apparatus of the comparative example in which a heating wire is disposed inside the table to heat the entire table, a little more power may be required to heat the entire table. In addition, in the substrate processing apparatus of the comparative example, since the lower side of the semiconductor element is heated by the heat to be transferred from the table, it may take a considerable amount of time for the heat to be transferred from the lower side to the upper side of the semiconductor element.

그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 발광 다이오드(122)로 이루어진 가열 유닛(120)으로 테이블(110)의 상면 및 반도체 소자(10)를 직접 가열하는 방식이므로, 비교예의 기판 처리 장치와 비교하여 낮은 소비 전력으로 반도체 소자(10)의 상측(10a)과 하측(10b)을 가열함으로써, 반도체 소자(10)의 표면 전체를 보다 신속하게 가열할 수 있다.However, since the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention directly heats the upper surface of the table 110 and the semiconductor element 10 with the heating unit 120 made of the light emitting diode 122, the comparison By heating the upper side 10a and the lower side 10b of the semiconductor element 10 with lower power consumption compared to the substrate processing apparatus of the example, the entire surface of the semiconductor element 10 can be heated more quickly.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 반도체 소자(10)의 건조 시간이 비교예의 기판 처리 장치와 비교하여 현저하게 단축될 수 있으므로, 반도체 제조 시간이 단축되어 생산성을 향상시킬 수 있다.Accordingly, in the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention, the drying time of the semiconductor element 10 can be significantly shortened compared to the substrate processing apparatus of the comparative example, and thus the semiconductor manufacturing time is shortened to improve productivity. I can make it.

전술한 바와 같은 기판 처리 장치(100)에서 기판을 처리하는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하면 다음과 같다.A substrate processing method according to an exemplary embodiment of the present invention in which a substrate is processed by the substrate processing apparatus 100 as described above will be described as follows.

도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법(S100)은 제1 가열 단계(S110), 안착 단계(S120) 및 제2 가열 단계(S130)를 포함한다.Referring to FIG. 6, a substrate processing method S100 according to an embodiment of the present invention includes a first heating step S110, a seating step S120, and a second heating step S130.

제1 가열 단계(S110)에서는 테이블을 가열할 수 있다.In the first heating step (S110), the table may be heated.

안착 단계(S120)에서는 반도체 소자를 상기 테이블에 안착할 수 있다.In the seating step S120, the semiconductor device may be seated on the table.

제2 가열 단계(S130)에서는 상기 반도체 소자와 상기 테이블을 가열할 수 있다. In the second heating step (S130), the semiconductor device and the table may be heated.

한편, 상기 제1 가열 단계(S110), 상기 안착 단계(S120) 및 상기 제2 가열 단계(S130)는 순차적으로 실시될 수 있다. 이에 따라, 전술한 바와 같이 반도체 소자의 상측은 가열 유닛에 의해 가열되고, 반도체 소자의 하측은 가열된 테이블의 의해 가열될 수 있다. 상기 제1 가열 단계(S110), 상기 안착 단계(S120) 및 상기 제2 가열 단계(S130)는 기판 처리 장치에서 상세하게 설명하였으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.Meanwhile, the first heating step (S110), the seating step (S120), and the second heating step (S130) may be sequentially performed. Accordingly, as described above, the upper side of the semiconductor element can be heated by the heating unit, and the lower side of the semiconductor element can be heated by the heated table. Since the first heating step (S110), the seating step (S120), and the second heating step (S130) have been described in detail in the substrate processing apparatus, detailed descriptions thereof will be omitted.

도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기판 처리 방법(S200)은 온도 측정 단계(S140)와 판단 단계(S150)를 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 7, a substrate processing method S200 according to another embodiment of the present invention may further include a temperature measurement step S140 and a determination step S150.

온도 측정 단계(S140)는 테이블의 온도를 측정할 수 있다. 테이블의 온도 측정은 전술한 바와 같이 온도 측정 부재에 의해 실시될 수 있다.In the temperature measurement step S140, the temperature of the table may be measured. The temperature measurement of the table may be performed by the temperature measuring member as described above.

판단 단계(S150)는 상기 테이블의 온도가 목표 온도인지를 판단할 수 있다.In the determining step S150, it may be determined whether the temperature of the table is a target temperature.

상기 판단 단계(S150)에서 상기 테이블의 온도가 목표 온도 미만인 경우, 상기 제1 가열 단계(S110)를 실시할 수 있다. 여기서, 이미 상기 제1 가열 단계(S110)가 실시되고 있으면, 상기 제1 가열 단계(S110)를 계속 유지할 수 있다. 그러나, 상기 판단 단계(S150)에서 상기 테이블의 온도가 목표 온도가 되는 경우, 상기 안착 단계(S120)를 실시할 수 있다.When the temperature of the table is less than the target temperature in the determination step S150, the first heating step S110 may be performed. Here, if the first heating step S110 is already being performed, the first heating step S110 may be maintained. However, when the temperature of the table becomes the target temperature in the determination step S150, the seating step S120 may be performed.

이러한 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기판 처리 방법(S200)은 온도 측정 단계(S140)와 판단 단계(S150)를 포함함으로써, 전술한 실시예에 따른 기판 처리 방법(S100, 도 6 참조)과 비교하여 테이블 및 반도체 소자를 더욱 정확한 온도로 가열할 수 있다. 그러므로, 반도체 소자가 과열되는 것을 방지하여 반도체 소자의 손상을 방지할 수 있다. 뿐만 아니라, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기판 처리 방법(S200)은 반도체 소자가 목표 온도에 미치지 못하는 것을 방지하여 물 입자가 충분히 활성화되도록 할 수 있다.The substrate processing method S200 according to another embodiment of the present invention includes a temperature measurement step S140 and a determination step S150, so that the substrate processing method S100 according to the above-described embodiment (refer to FIG. 6) and In comparison, it is possible to heat the table and semiconductor devices to a more accurate temperature. Therefore, it is possible to prevent the semiconductor element from being overheated, thereby preventing damage to the semiconductor element. In addition, in the substrate processing method S200 according to another embodiment of the present invention, water particles may be sufficiently activated by preventing the semiconductor device from reaching a target temperature.

이상에서 본 발명의 여러 실시예에 대하여 설명하였으나, 지금까지 참조한 도면과 기재된 발명의 상세한 설명은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.Although various embodiments of the present invention have been described above, the drawings referenced so far and the detailed description of the disclosed invention are merely illustrative of the present invention, which are used only for the purpose of describing the present invention, and are limited in meaning or claims. It is not used to limit the scope of the invention described in the range. Therefore, those of ordinary skill in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

100: 기판 처리 장치
110: 테이블
120: 가열 유닛
121: 베이스 부재
122: 발광 다이오드
130: 제어부
140: 온도 측정 부재100: substrate processing apparatus
110: table
120: heating unit
121: base member
122: light-emitting diode
130: control unit
140: temperature measurement member

Claims (12)

반도체 스트립을 절단하여 복수의 반도체 소자들로 개별화하고, 개별화된 상기 반도체 소자들에 대해 세척 공정 및 건조 공정을 실시하는 기판 처리 장치에 있어서,
상기 복수의 반도체 소자가 안착되는 테이블;
상기 테이블로부터 이격되게 위치하고, 열을 발생시키는 가열 유닛; 및
상기 가열 유닛의 동작을 제어하는 제어부;를 포함하고,
상기 제어부는 상기 반도체 소자가 상기 테이블 상에 위치되지 않은 상태에서 상기 가열 유닛이 상기 테이블을 가열시킬 수 있도록 동작시키고,
상기 반도체 소자가 상기 테이블 상에 위치된 상태에서 상기 가열 유닛이 상기 반도체 소자와 상기 테이블을 함께 가열하도록 동작시키며,
상기 반도체 소자의 하측은 가열된 상기 테이블의 상측에 의하여 가열되고, 상기 반도체 소자의 상측은 상기 가열 유닛에 의해 추가적으로 가열됨으로써, 상기 반도체 소자의 표면에 잔류하는 물 입자가 건조되는 것을 특징으로 하고,
상기 테이블은 상기 반도체 소자를 반전시켜서 다른 위치에 적재될 수 있게 하는 반전 테이블인 기판 처리 장치. A substrate processing apparatus for cutting a semiconductor strip to individualize a plurality of semiconductor elements, and performing a washing process and a drying process on the individualized semiconductor elements,
A table on which the plurality of semiconductor elements are mounted;
A heating unit spaced apart from the table and generating heat; And
Includes; a control unit for controlling the operation of the heating unit,
The control unit operates so that the heating unit can heat the table in a state in which the semiconductor element is not located on the table,
The heating unit is operated to heat the semiconductor element and the table together with the semiconductor element positioned on the table,
The lower side of the semiconductor element is heated by the upper side of the heated table, and the upper side of the semiconductor element is additionally heated by the heating unit, thereby drying water particles remaining on the surface of the semiconductor element,
The table is a substrate processing apparatus which is an inversion table that inverts the semiconductor element so that it can be loaded in a different position. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 테이블의 온도를 측정하는 온도 측정 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The substrate processing apparatus further comprises a temperature measuring member for measuring the temperature of the table. 제3항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 온도 측정 부재에서 측정된 상기 테이블의 온도가 목표 온도가 되는 경우, 상기 반도체 소자를 테이블 상에 위치시키는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
The control unit,
When the temperature of the table measured by the temperature measuring member becomes a target temperature, the semiconductor element is positioned on the table. 제3항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 온도 측정 부재에서 측정된 상기 테이블의 온도가 목표 온도 미만인 경우, 상기 가열 유닛을 계속 동작시키는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
The control unit,
When the temperature of the table measured by the temperature measuring member is less than a target temperature, the heating unit is continuously operated. 제1항에 있어서,
상기 가열 유닛은,
베이스 부재; 및
상기 베이스 부재에 패턴을 이루도록 설치되는 발광 다이오드;를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The heating unit,
Base member; And
A substrate processing apparatus comprising a light emitting diode installed to form a pattern on the base member. 삭제delete 제1항, 제3항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 기판 처리 장치를 사용하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서,
상기 가열 유닛으로 상기 테이블을 가열하는 제1 가열 단계;
상기 반도체 소자를 상기 테이블에 안착하는 안착 단계; 및
상기 가열 유닛으로 상기 반도체 소자와 상기 테이블을 함께 가열하는 제2 가열 단계;
를 포함하는 기판 처리 방법.In the substrate processing method of processing a substrate using the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6,
A first heating step of heating the table with the heating unit;
A seating step of seating the semiconductor device on the table; And
A second heating step of heating the semiconductor element and the table together with the heating unit;
Substrate processing method comprising a. 제8항에 있어서,
상기 제1 가열 단계, 상기 안착 단계 및 상기 제2 가열 단계는 순차적으로 실시되는 기판 처리 방법.The method of claim 8,
The first heating step, the seating step, and the second heating step are performed sequentially. 제8항에 있어서,
상기 테이블의 온도를 측정하는 온도 측정 단계; 및
상기 테이블의 온도가 목표 온도인지를 판단하는 판단 단계;를 더 포함하는 기판 처리 방법.The method of claim 8,
A temperature measurement step of measuring the temperature of the table; And
The substrate processing method further comprising a; determining step of determining whether the temperature of the table is a target temperature. 제10항에 있어서,
상기 판단 단계에서 상기 테이블의 온도가 목표 온도 미만인 경우, 상기 제1 가열 단계를 실시하는 기판 처리 방법.The method of claim 10,
When the temperature of the table is less than the target temperature in the determination step, the first heating step is performed. 제10항에 있어서,
상기 판단 단계에서 상기 테이블의 온도가 목표 온도가 되는 경우, 상기 안착 단계를 실시하는 기판 처리 방법.The method of claim 10,
When the temperature of the table reaches the target temperature in the determination step, the mounting step is performed.
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