JP2016207981A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板表面の隆起部の周辺を十分に露光できる。【解決手段】周辺露光ユニットＵ３は、周縁Ｗｃに沿う隆起部Ｗｆを表面Ｗａに有し、隆起部Ｗｆを含む表面Ｗａ上に被膜が形成されたウェハＷの中央部Ｗｍを支持し、ウェハＷの周縁部Ｗｄが中央部Ｗｍに対して垂れ下がった状態となるようにウェハＷを保持する保持部２０と、鉛直軸まわりに保持部２０とウェハＷとを回転させる回転部２５と、保持部２０に保持されたウェハＷの周縁部Ｗｄに表面Ｗａ側からエネルギー線を照射する照射部４０と、を備える。【選択図】図４

Description

本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。

特許文献１には、半導体ウェハの表面に形成されたレジスト膜の周縁部を除去するために、基板の周縁部に表面側から光ビームを照射する装置が開示されている。

特開平５―２５９０６９号公報

半導体ウェハ（基板）の薄型化に伴って、周縁に沿う隆起部を表面に有する基板が用いられる場合がある。この隆起部は、薄肉部分を補強するためのものである。このような基板に対し、特許文献１に記載の装置を用いる場合、光ビームが隆起部に遮られ、隆起部周辺を十分に露光できないおそれがある。

本開示は、基板表面の隆起部の周辺を十分に露光できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。

本開示に係る基板処理装置は、周縁に沿う隆起部を表面に有し、隆起部を含む表面上に被膜が形成された基板の中央部を支持し、当該基板の周縁部が中央部に対して垂れ下がった状態となるように当該基板を保持する保持部と、鉛直軸まわりに保持部と基板とを回転させる回転部と、保持部に保持された基板の周縁部に表面側からエネルギー線を照射する照射部と、を備える。

基板の表面に隆起部が形成されている場合、特に、隆起部と薄肉部（隆起部に囲まれている部分）との隅部にエネルギー線が照射され難くなる。これに対し、保持部は、基板の周縁部が中央部に対して垂れ下がった状態となるように基板を保持する。これにより、隆起部が基板の外周側に傾く。このため、回転部により保持部と基板とを回転させながら、基板の周縁部にエネルギー線を照射する際に、上記隅部に万遍なくエネルギー線が照射される。従って、隆起部の周辺を十分に露光できる。

保持部は、基板を支持する部分の中心と周縁との距離が可変となるように構成されていてもよい。この場合、基板を支持する部分の中心と周縁との距離に応じて基板の周縁部の垂れ下がり量を調節し、隆起部の周辺をより確実に露光できる。

保持部は、基板の裏面に接触する支持面を有し、支持面は、周縁に対して中央が膨出した曲面であってもよい。この場合、支持面の形状に応じて基板の周縁部の垂れ下がり量を調節し、隆起部の周辺をより確実に露光できる。

基板の周縁部に対向する開口から気体の吐出又は吸引を行うことにより、基板の周縁部の垂れ下がり量を調節する第一調節機構を更に備えてもよい。この場合、第一調節機構によって開口からの気体の吐出量又は吸引量を調節することにより、基板の周縁部の垂れ下がり量を調節し、隆起部の周辺をより確実に露光できる。また、エネルギー線の照射途中においても基板の垂れ下がり量を調節できる。このため、基板の周縁部の垂れ下がり量をより細かく調節することができる。

保持部と照射部との高低差を調節する第二調節機構を更に備えてもよい。基板の周縁部の垂れ下がり量がばらつくと、基板の周縁部と照射部との距離もばらつくこととなる。これに対し、第二調節機構を付加することで、基板の周縁部の垂れ下がり量がばらつく場合であっても、これに応じて保持部と照射部との高低差を調節することで、基板の周縁部と照射部との距離を安定化することができる。これにより、隆起部の周辺をより確実に露光できる。

保持部は、基板の中央部を支持する第一支持部と、第一支持部を囲むように設けられ、基板を支持する第二支持部と、第一支持部及び第二支持部の高低差を調節する第三調節機構と、を有してもよい。この場合、第三調節機構によって第一支持部と第二支持部との高低差を調節することにより、基板の周縁部の垂れ下がり量を調節し、隆起部の周辺をより確実に露光できる。また、エネルギー線の照射途中においても基板の垂れ下がり量を調節できる。このため、基板の周縁部の垂れ下がり量をより細かく調節することができる。

本開示に係る基板処理方法は、周縁に沿う隆起部を表面に有し、隆起部を含む表面上に被膜が形成された基板の中央部を支持し、当該基板の周縁部が中央部に対して垂れ下がった状態となるように当該基板を保持すること、鉛直軸まわりに基板を保持する保持部と基板とを回転させること、保持部に保持された基板の周縁部に表面側からエネルギー線を照射すること、を含む。

本開示によれば、基板表面の隆起部の周辺を十分に露光できる。

基板処理システムの斜視図である。 図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。 図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。 基板処理装置の概略構成を示す模式図である。 基板処理方法を示すフローチャートである。 保持部に保持されたウェハにエネルギー線が照射される状態を示す図である。 基板処理装置の変形例を示す模式図である。 基板処理装置の他の変形例を示す模式図である。 基板処理装置の更に他の変形例を示す模式図である。 基板処理装置の更に他の変形例を示す模式図である。 基板処理装置の更に他の変形例を示す模式図である。 第一支持部及び第二支持部の高低差と、基板の周縁部の垂れ下がり量との関係を示す図である。

以下、添付図面を参照して、実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。

〔基板処理システム〕
まず、本実施形態に係る基板処理システム１の概要を説明する。図１に示すように、基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、レジスト膜の露光処理を行う。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷ（基板）の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。

図１〜図３に示すように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６とを備える。キャリアブロック４、処理ブロック５及びインタフェースブロック６は、水平方向に並んでいる。

キャリアブロック４は、キャリアステーション１２と搬入・搬出部１３とを有する。搬入・搬出部１３はキャリアステーション１２と処理ブロック５との間に介在する。キャリアステーション１２は、複数のキャリア１１を支持する。キャリア１１は、例えば円形の複数枚のウェハＷを密封状態で収容し、ウェハＷを出し入れするための開閉扉（不図示）を一側面１１ａ側に有する。キャリア１１は、側面１１ａが搬入・搬出部１３側に面するように、キャリアステーション１２上に着脱自在に設置される。

搬入・搬出部１３は、キャリアステーション１２上の複数のキャリア１１にそれぞれ対応する複数の開閉扉１３ａを有する。側面１１ａの開閉扉と開閉扉１３ａとを同時に開放することで、キャリア１１内と搬入・搬出部１３内とが連通する。搬入・搬出部１３は受け渡しアームＡ１を内蔵している。受け渡しアームＡ１は、キャリア１１からウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。

処理ブロック５は、複数の処理モジュール１４，１５，１６，１７を有する。処理モジュール１４，１５は、複数の液処理ユニットＵ１と、複数の熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。処理モジュール１６は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、ウェハＷの周縁部を露光する周辺露光ユニットＵ３と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。処理モジュール１７は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３と、これらのユニットを経ずにウェハＷを搬送する直接搬送アームＡ６と内蔵している。液処理ユニットＵ１は、各種の処理液をウェハＷの表面に供給する。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板によりウェハＷを加熱し、加熱後のウェハＷを例えば冷却板により冷却して熱処理を行う。

処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりウェハＷの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール１４の液処理ユニットＵ１は、処理液の一例として、下層膜形成用の液体をウェハＷ上に塗布する。処理モジュール１４の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、液体の塗布により形成された液膜を硬化させるための加熱処理が挙げられる。

処理モジュール１５は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１は、処理液の一例として、レジスト膜形成用の液体を下層膜の上に塗布する。処理モジュール１５の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、液体の塗布により形成された液膜を硬化させるための加熱処理が挙げられる。

処理モジュール１６は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１６の液処理ユニットＵ１は、処理液の一例として、上層膜形成用の液体をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１６の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、液体の塗布により形成された液膜を硬化させるための加熱処理が挙げられる。処理モジュール１６は、周辺露光ユニットＵ３によりウェハＷの周縁部にエネルギー線を照射する。

処理モジュール１７は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１７の液処理ユニットＵ１は、露光済みのレジスト膜を現像する液処理を行う。処理モジュール１７の液処理ユニットＵ１は、処理液の一例として、現像液をウェハＷ上に塗布する。更にこの液処理ユニットＵ１は、処理液の一例として、リンス液をウェハＷ上に供給することで、レジスト膜の溶解成分を現像液と共に洗い流す。熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）等が挙げられる。

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、床面から処理モジュール１６に亘るように設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウェハＷを昇降させる。

処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は床面から処理モジュール１７の上部に亘るように設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

インタフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたウェハＷを露光装置３に渡し、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。

このように構成された塗布・現像装置２の各構成要素は、概ね次の手順で塗布・現像処理を実行する。まず、受け渡しアームＡ１がキャリア１１内のウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送する。このウェハＷを、昇降アームＡ７が処理モジュール１４用のセルに配置し、処理モジュール１４の搬送アームＡ３が処理モジュール１４の各ユニットに搬送する。処理モジュール１４の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２は、搬送アームＡ３により搬送されたウェハＷの表面上に下層膜を形成する。下層膜の形成が完了すると、搬送アームＡ３がウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻す。

このウェハＷを、昇降アームＡ７が処理モジュール１５用のセルに配置し、処理モジュール１５の搬送アームＡ３が処理モジュール１５の各ユニットに搬送する。処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２は、搬送アームＡ３により搬送されたウェハＷの下層膜上にレジスト膜を形成する。レジスト膜の形成が完了すると、搬送アームＡ３がウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻す。

このウェハＷを、昇降アームＡ７が処理モジュール１６用のセルに配置し、処理モジュール１６の搬送アームＡ３が処理モジュール１６の各ユニットに搬送する。処理モジュール１６の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２は、搬送アームＡ３により搬送されたウェハＷのレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１６の周辺露光ユニットＵ３は、搬送アームＡ３により搬送されたウェハＷの周縁部を露光する。上層膜の形成及び周縁部の露光が完了すると、搬送アームＡ３がウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻す。

このウェハＷを、昇降アームＡ７が処理モジュール１７用のセルに配置し、直接搬送アームＡ６が棚ユニットＵ１１に搬送する。このウェハＷを受け渡しアームＡ８が露光装置３に送り出す。露光装置３における露光処理が完了すると、受け渡しアームＡ８がウェハＷを露光装置３から受け入れ、棚ユニットＵ１１に戻す。

このウェハＷを、処理モジュール１７の搬送アームＡ３が処理モジュール１７の各ユニットに搬送する。処理モジュール１７の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２は、搬送アームＡ３により搬送されたウェハＷのレジスト膜の現像処理及びこれに伴う熱処理を行う。これらの処理が完了すると、搬送アームＡ３はウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送する。このウェハＷを、昇降アームＡ７が受け渡し用のセルに配置し、受け渡しアームＡ１がキャリア１１内に戻す。以上で、塗布・現像処理が完了する。

〔周辺露光ユニット〕
続いて、基板処理装置の一例として、周辺露光ユニットＵ３について詳細に説明する。この説明に先立って、周辺露光ユニットＵ３による処理の対象となるウェハＷについて説明する。

図４に示すように、ウェハＷは、保持部２０に保持されており、平面視で略円形を呈する。ウェハＷは、周縁Ｗｃに沿う隆起部Ｗｆを表面Ｗａに有する。一例として、隆起部Ｗｆは、ウェハＷの全周に亘って形成されている。以下、ウェハＷにおいて隆起部Ｗｆに囲まれた部分を薄肉部Ｗｅという。隆起部Ｗｆ及び薄肉部Ｗｅは、例えば研削等の除去加工により形成されている。

ウェハＷの直径に制限はないが、具体例として８インチが挙げられる。薄肉部ＷｅにおけるウェハＷの厚さは例えば２０μｍ〜２００μｍであり、具体的には例えば１００μｍである。隆起部ＷｆにおけるウェハＷの厚さは例えば７５０μｍ〜８００μｍである。隆起部Ｗｆを含むウェハＷの表面Ｗａ上には、被膜の一例として、上述したレジスト膜等が形成されている。

周辺露光ユニットＵ３は、保持部２０と、回転部２５と、照射部４０と、制御部５０とを備える。

保持部２０は、ウェハＷの中央部Ｗｍを支持し、例えば吸着等によって保持する。保持部２０は、ウェハＷの裏面Ｗｂに接触する支持面２０ａを有する。ウェハＷのうち保持部２０により支持される領域（支持面２０ａに接触する領域）Ｗｊは、薄肉部Ｗｅの全域に比べて小さく、隆起部Ｗｆより内側に位置している。領域Ｗｊの直径は、例えば３０ｍｍ〜８０ｍｍであってもよい。

回転部２５は、例えばモータ等の動力源によって、保持部２０を鉛直な回転軸まわりに回転させる。保持部２０が回転すると、これに保持されたウェハＷも共に回転する。

照射部４０はウェハＷの周縁部（周縁Ｗｃ及びその近傍部分）Ｗｄの上方に配置されている。照射部４０はエネルギー線を下方に出射する。一例として、照射部４０はＵＶランプを有し、紫外線を出射する。

制御部５０は、搬送アームＡ３、保持部２０、回転部２５、及び照射部４０を制御する。制御部５０は、例えば、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。この場合、制御部５０のハードウェア構成は、必ずしもプログラマブルなコンピュータに限られない。例えば、制御部５０少なくとも一部は、その機能に特化した電気回路により構成されていてもよいし、当該電気回路を集積したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）により構成されていてもよい。

〔周辺露光手順〕
続いて、基板処理方法の一例として、周辺露光ユニットＵ３による周辺露光手順について説明する。図５に示すように、周辺露光ユニットＵ３は、まずステップＳ０１，Ｓ０２を順に実行する。ステップＳ０１では、制御部５０が、ウェハＷを保持部２０上に配置するように搬送アームＡ３を制御する。ステップＳ０２では、制御部５０がウェハＷを保持するように保持部２０を制御する。これにより、ウェハＷが保持部２０上に保持される。上述したように、保持部２０は、ウェハＷの中央部Ｗｍを支持する。このため、保持部２０により保持されないウェハＷの周縁部Ｗｄが中央部Ｗｍに対して垂れ下がる（図４参照）。

次に、周辺露光ユニットＵ３はステップＳ０３を実行する。ステップＳ０３では、制御部５０が、保持部２０の回転を開始するように回転部２５を制御する。これにより、ウェハＷが鉛直軸まわりに回転する。

次に、周辺露光ユニットＵ３はステップＳ０４を実行する。ステップＳ０４では、制御部５０が、エネルギー線の出射を開始するように照射部４０を制御する。これにより、ウェハＷの周縁部Ｗｄにエネルギー線が照射される。ウェハＷは鉛直軸まわりに回転しているので、エネルギー線は周縁部Ｗｄの全周に亘って照射される。

上述したように、ウェハＷの周縁部Ｗｄは中央部Ｗｍに対して垂れ下がっている。これにより、隆起部ＷｆがウェハＷの外周側に傾く。図６に示すように、例えば、ウェハＷの周縁部Ｗｄが中央部Ｗｍに対して垂れ下がり、水平面に対して角度θで傾いている場合、隆起部ＷｆはウェハＷの外周側に角度θで傾く。このため、隆起部Ｗｆと薄肉部Ｗｅとの隅部Ｗｇにもエネルギー線ＵＶが万遍なく照射される。

次に、周辺露光ユニットＵ３はステップＳ０５を実行する。ステップＳ０５では、制御部５０が、所定時間の経過を待機する。所定時間は、必要な露光量に応じて適宜設定される。所定時間の経過により、ウェハＷの周縁部Ｗｄが十分に露光される。

次に、周辺露光ユニットＵ３はステップＳ０６〜Ｓ０８を順に実行する。ステップＳ０６では、制御部５０が、エネルギー線ＵＶの照射を終了するように照射部４０を制御する。ステップＳ０７では、制御部５０が、ウェハＷの回転を終了するように回転部２５を制御する。ステップＳ０８では、制御部５０が、ウェハＷの保持を解除するように保持部２０を制御し、保持部２０上からウェハＷを搬出するように搬送アームＡ３を制御する。以上で周辺露光手順が完了する。

〔本実施形態の効果〕
以上に説明したように、周辺露光ユニットＵ３は、周縁Ｗｃに沿う隆起部Ｗｆを表面Ｗａに有し、隆起部Ｗｆを含む表面Ｗａ上に被膜が形成されたウェハＷの中央部Ｗｍを支持し、ウェハＷの周縁部Ｗｄが中央部Ｗｍに対して垂れ下がった状態となるようにウェハＷを保持する保持部２０と、鉛直軸まわりに保持部２０とウェハＷとを回転させる回転部２５と、保持部２０に保持されたウェハＷの周縁部Ｗｄに表面Ｗａ側からエネルギー線ＵＶを照射する照射部４０とを備える。

ウェハＷの表面Ｗａに隆起部Ｗｆが形成されている場合、特に、隆起部Ｗｆと薄肉部Ｗｅとの隅部Ｗｇにエネルギー線ＵＶが照射され難くなる。これに対し、保持部２０は、ウェハＷの周縁部Ｗｄが中央部Ｗｍに対して垂れ下がった状態となるようにウェハＷを保持する。これにより、隆起部ＷｆがウェハＷの外周側に傾く。このため、回転部２５により保持部２０とウェハＷとを回転させながら、ウェハＷの周縁部Ｗｄにエネルギー線ＵＶを照射する際に、隅部Ｗｇに万遍なくエネルギー線ＵＶが照射される。従って、隆起部Ｗｆの周辺を十分に露光できる。

保持部２０は、ウェハＷを支持する部分の中心と周縁との距離が可変となるように構成されていてもよい。図７に例示する保持部２０は、交換可能な複数の支持部材２１，２２を有している。支持部材２１，２２は保持部２０の支持面２０ａをなし、ウェハＷを支持する。支持部材２１，２２の外径は互いに異なっており、支持部材２２の外径が支持部材２１の外径よりも大きい。このため、支持部材２１，２２を交換することにより、ウェハＷを支持する部分の中心Ｗｏと周縁Ｗｌとの距離Ｌが可変となる。支持部材２１がウェハＷを支持する場合の垂れ下がり量Ｄ１は、支持部材２２がウェハＷを支持する場合の垂れ下がり量Ｄ２よりも大きい。このように、距離Ｌに応じてウェハＷの周縁部Ｗｄの垂れ下がり量を調節し、隆起部Ｗｆの周辺をより確実に露光できる。

支持面２０ａは、当該支持面２０ａの周縁に対して中央が膨出した曲面であってもよい。図８に例示する保持部２０は、交換可能な複数の支持部材２３，２４を有している。支持部材２３，２４の上面２３ａ，２４ａは保持部２０の支持面２０ａをなす。上面２３ａ，２４ａは、いずれも周縁に対して中央が膨出した曲面である。支持部材２３，２４の上面２３ａ，２４ａの形状は互いに異なっており、上面２３ａの膨らみは上面２４ａの膨らみに比べて大きい。このため、支持部材２３，２４を交換することにより、支持面２０ａの形状が可変となる。上面２３ａに支持されるウェハＷの周縁部Ｗｄの垂れ下がり量Ｄ３は、上面２４ａに支持されるウェハＷの周縁部Ｗｄの垂れ下がり量Ｄ４に比べて大きい。このように、支持面２０ａの形状に応じてウェハＷの周縁部Ｗｄの垂れ下がり量を調節し、隆起部Ｗｆの周辺をより確実に露光できる。

周辺露光ユニットＵ３は、ウェハＷの周縁部Ｗｄに対向する開口から気体の吐出又は吸引を行うことにより、ウェハＷの周縁部Ｗｄの垂れ下がり量を調節する第一調節機構を更に備えていてもよい。図９に例示する第一調節機構３１は、吸引ノズル３１ａと、ブロアノズル３１ｂとを有する。吸引ノズル３１ａ及びブロアノズル３１ｂの開口は、いずれもウェハＷの周縁部Ｗｄに対向している。吸引ノズル３１ａは、例えば真空ポンプ等に接続されている。ブロアノズル３１ｂは、例えばブロア等に接続されている。吸引ノズル３１ａはウェハＷの表面Ｗａ側に配置されており、照射部４０の周辺に固定されている。ブロアノズル３１ｂはウェハＷの裏面Ｗｂ側に配置されており、吸引ノズル３１ａに対応する位置に固定されている。このような構成を採用する場合、吸引ノズル３１ａからの気体の吸引により周縁部Ｗｄの上部を減圧し、ブロアノズル３１ｂからの気体の吐出により周縁部Ｗｄの下部を加圧することにより、ウェハＷの垂れ下がり量を小さくできる。このように、第一調節機構３１によって開口からの気体の吐出量又は吸引量を調節することにより、ウェハＷの周縁部Ｗｄの垂れ下がり量を調節し、隆起部Ｗｆの周辺をより確実に露光できる。また、エネルギー線ＵＶの照射途中においてもウェハＷの垂れ下がり量を調節できる。このため、ウェハＷの周縁部Ｗｄの垂れ下がり量をより細かく調節することができる。

なお、この構成は一例であり、吸引ノズル３１ａがウェハＷの裏面Ｗｂ側に配置され、ブロアノズル３１ｂがウェハＷの表面Ｗａ側に配置されていてもよい。吸引ノズル３１ａ及びブロアノズル３１ｂが同じ側に配置されていてもよい。第一調節機構３１は、吸引ノズル３１ａ及びブロアノズル３１ｂのいずれか一方のみを有するものであってもよい。

周辺露光ユニットＵ３は、保持部２０と照射部４０との高低差を調節する第二調節機構を更に備えてもよい。第二調節機構の一例として、周辺露光ユニットＵ３は、保持部２０の高さを調節する昇降部３０を更に備えてもよい（図１０参照）。昇降部３０は、例えばモータ又はエアシリンダ等を動力源として回転部２５及び保持部２０を昇降させる。

ウェハＷの周縁部Ｗｄの垂れ下がり量がばらつくと、周縁部Ｗｄと照射部４０との距離もばらつくこととなる。これに対し、昇降部３０を付加することで、周縁部Ｗｄの垂れ下がり量がばらつく場合であっても、これに応じて保持部２０と照射部４０との高低差を調節することで、周縁部Ｗｄと照射部４０との距離を安定化することができる（図１０参照）。

このような調節を実現するために、周辺露光ユニットＵ３は、図１０に示すように周縁部Ｗｄの垂れ下がり量に関する情報を検出する距離センサＳを更に備えてもよい。距離センサＳは、例えばレーザ変位計等の非接触式のセンサであり、照射部４０の周辺に固定されている。制御部５０は、距離センサＳによる検出値に応じて昇降部３０を制御するように構成されていてもよい。例えば制御部５０は、周縁部Ｗｄの垂れ下がり量が大きくなるのに応じて保持部２０を上昇させるように昇降部３０を制御してもよい。

なお、第二調節機構は保持部２０と照射部４０との高低差を調節するものであればよいので、保持部を昇降させる昇降部３０に限られない。例えば第二調節機構は、保持部２０に代えて照射部４０を昇降させるものであってもよい。

保持部２０は、図１１に示すように、ウェハＷの中央部Ｗｍを支持する第一支持部６１と、第一支持部６１を囲むように設けられ、ウェハＷを支持する第二支持部６２と、第一支持部６１及び第二支持部６２の高低差を調節する第三調節機構３３とを有していてもよい。第三調節機構３３は、例えばモータやエアシリンダ等の動力源によって、第二支持部６２を昇降させる。

図１２に示すように、第一支持部６１の位置を基準にして第二支持部６２の位置を低くすると、ウェハＷの垂れ下がり量が大きくなる。このように、第三調節機構３３によって第一支持部６１と第二支持部６２の高低差を調節することにより、ウェハＷの周縁部Ｗｄの垂れ下がり量を調節し、隆起部Ｗｆの周辺をより確実に露光できる。また、エネルギー線ＵＶの照射途中においてもウェハＷの垂れ下がり量を調節できる。このため、ウェハＷの周縁部Ｗｄの垂れ下がり量をより細かく調節することができる。

なお、図９及び図１１の構成において、周辺露光ユニットＵ３は上記距離センサＳを更に備えてもよい。制御部５０は、距離センサＳによる検出値に応じて第一調節機構３１又は第三調節機構３３を制御するように構成されていてもよい。例えば制御部５０は、ウェハＷの周縁部Ｗｄの垂れ下がり量が大きくなるのに応じて、吸引ノズル３１ａからの気体の吸引及びブロアノズル３１ｂからの気体の吐出の少なくとも一方を実行するように制御してもよく、ウェハＷの周縁部Ｗｄの垂れ下がり量が大きくなるのに応じて、第二支持部６２を上昇させるように第三調節機構３３を制御してもよい。

なお、第二調節機構は第一支持部６１と第二支持部６２との高低差を調節するものであればよいので、第二支持部６２に代えて第一支持部６１を昇降させるものであってもよい。

以上、実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

例えば、周辺露光ユニットＵ３は、レジスト膜の形成後にウェハＷの周縁部Ｗｄを露光できるように配置されていればよいので、必ずしも処理モジュール１６に配置されていなくてもよい。例えば周辺露光ユニットＵ３は、処理モジュール１５又はインタフェースブロック６等に配置されていてもよい。

また、周辺露光ユニットＵ３は、ウェハＷを回転させる回転部２５に代えて、ウェハＷの周縁Ｗｃに沿って照射部４０を移送する機構を備えていてもよい。

塗布・現像装置２の周辺露光ユニットＵ３として例示した構成は、半導体ウェハ以外の基板を処理対象とする装置にも適用可能である。処理対象の基盤としては、例えばガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）基板等が挙げられる。

Ｕ３…周辺露光ユニット、Ｗ…ウェハ、Ｗａ…表面、Ｗｃ…周縁、Ｗｄ…周縁部、Ｗｍ…中央部、Ｗｆ…隆起部、２０…保持部、２５…回転部、４０…照射部。

Claims (7)

1. 周縁に沿う隆起部を表面に有し、前記隆起部を含む前記表面上に被膜が形成された基板の中央部を支持し、当該基板の周縁部が中央部に対して垂れ下がった状態となるように当該基板を保持する保持部と、
   鉛直軸まわりに前記保持部と前記基板とを回転させる回転部と、
   前記保持部に保持された前記基板の周縁部に前記表面側からエネルギー線を照射する照射部と、を備える基板処理装置。
2. 前記保持部は、前記基板を支持する部分の中心と周縁との距離が可変となるように構成されている、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記保持部は、前記基板の裏面に接触する支持面を有し、
   前記支持面は、周縁に対して中央が膨出した曲面である、請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記基板の周縁部に対向する開口から気体の吐出又は吸引を行うことにより、前記基板の周縁部の垂れ下がり量を調節する第一調節機構を更に備える、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記保持部と前記照射部との高低差を調節する第二調節機構を更に備える、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記保持部は、前記基板の中央部を支持する第一支持部と、前記第一支持部を囲むように設けられ、前記基板を支持する第二支持部と、前記第一支持部及び前記第二支持部の高低差を調節する第三調節機構と、を有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
7. 周縁に沿う隆起部を表面に有し、前記隆起部を含む前記表面上に被膜が形成された基板の中央部を支持し、当該基板の周縁部が中央部に対して垂れ下がった状態となるように当該基板を保持すること、
   鉛直軸まわりに前記基板を保持する保持部と前記基板とを回転させること、
   前記保持部に保持された前記基板の周縁部に前記表面側からエネルギー線を照射すること、を含む、基板処理方法。

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