JP2020061420A - 基板処理装置、及び基板処理方法、及び記憶媒体 - Google Patents

基板処理装置、及び基板処理方法、及び記憶媒体 Download PDF

Info

Publication number
JP2020061420A
JP2020061420A JP2018190293A JP2018190293A JP2020061420A JP 2020061420 A JP2020061420 A JP 2020061420A JP 2018190293 A JP2018190293 A JP 2018190293A JP 2018190293 A JP2018190293 A JP 2018190293A JP 2020061420 A JP2020061420 A JP 2020061420A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
unit
transfer
warm
substrate
movable
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018190293A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7133424B2 (ja
Inventor
秀和 木山
Hidekazu Kiyama
秀和 木山
雄大 門倉
Takehiro Kadokura
雄大 門倉
和俊 石丸
Kazutoshi Ishimaru
和俊 石丸
貴茂 末松
Takashige Suematsu
貴茂 末松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2018190293A priority Critical patent/JP7133424B2/ja
Priority to CN201910931531.5A priority patent/CN111009486A/zh
Priority to KR1020190121668A priority patent/KR20200039576A/ko
Priority to US16/592,976 priority patent/US11257701B2/en
Publication of JP2020061420A publication Critical patent/JP2020061420A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7133424B2 publication Critical patent/JP7133424B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65GTRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G47/00Article or material-handling devices associated with conveyors; Methods employing such devices
    • B65G47/74Feeding, transfer, or discharging devices of particular kinds or types
    • B65G47/90Devices for picking-up and depositing articles or materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70975Assembly, maintenance, transport or storage of apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248Temperature monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706Mechanical details, e.g. roller, belt
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67754Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】処理位置への基板の位置決め精度を向上させるのに有効な基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置は、少なくとも一つの処理対象の基板を搬送する搬送装置と、基板を搬送する通常搬送と、通常搬送に比較して高い位置決め精度で基板を搬送する高精度搬送とを搬送装置に行わせる搬送制御部と、必要に応じて通常搬送及び高精度搬送とは別のウォームアップ動作を搬送装置に行わせるウォームアップ制御部と、搬送装置の停止状態の継続時間が予め設定された基準時間を越えている場合に、高精度搬送の開始時の接近に応じてウォームアップ動作が必要と判定する要否判定部と、を備える。【選択図】図5

Description

本開示は、基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体に関する。
特許文献1には、露光位置に基板を保持可能な基板ステージと、基板ステージの露光位置に保持された基板に、パターン露光用の光を照射する照射装置と、少なくとも基板ステージの空運転を行う制御部とを有する基板処理装置が開示されている。この基板処理装置では、露光されるべき基板の基板ステージへの供給が停止したときに空運転が行われることにより、装置の温度等が所定範囲に保たれ露光精度の安定化が図られている。
特開2011−164542号公報
本開示は、処理位置への基板の位置決め精度を向上させるのに有効な基板処理装置を提供する。
本開示の一側面に係る基板処理装置は、少なくとも一つの処理対象の基板を搬送する搬送装置と、基板を搬送する通常搬送と、通常搬送に比較して高い位置決め精度で基板を搬送する高精度搬送とを搬送装置に行わせる搬送制御部と、必要に応じて通常搬送及び高精度搬送とは別のウォームアップ動作を搬送装置に行わせるウォームアップ制御部と、搬送装置の停止状態の継続時間が予め設定された基準時間を越えている場合に、高精度搬送の開始時の接近に応じてウォームアップ動作が必要と判定する要否判定部と、を備える。
本開示によれば、処理位置への基板の位置決め精度を向上させるのに有効な基板処理装置を提供することができる。
図1は、基板処理システムの概略構成を例示する斜視図である。 図2は、基板処理装置の概略構成を例示する模式図である。 図3は、処理フロア内の概略構成を例示する模式図である。 図4は、搬送装置の概略構成を例示する模式図である。 図5は、制御装置の機能的な構成を例示するブロック図である。 図6の(a)及び図6の(b)は、通常搬送の一例を説明するための図である。 図7の(a)及び図7の(b)は、高精度搬送の一例を説明するための図である。 図8の(a)〜図8の(c)は、ウォームアップ動作の一例を説明するための図である。 図9の(a)及び図9の(b)は、リセット条件の達成可否の一例を説明するための図である。 図10は、制御装置のハードウェア構成を例示するブロック図である。 図11は、搬送処理手順を例示するフローチャートである。 図12は、リセット条件判断手順を例示するフローチャートである。 図13は、リセット条件設定手順を例示するフローチャートである。
以下、実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸及びZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
〔基板処理システム〕
基板処理システム1は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハWである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。基板処理システム1は、塗布・現像装置2と露光装置3とを備える。露光装置3は、ウェハW(基板)上に形成されたレジスト膜(感光性被膜)の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置2は、露光装置3による露光処理の前に、ウェハW(基板)の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
〔基板処理装置〕
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置2の構成を説明する。図1及び図2に示すように、塗布・現像装置2は、キャリアブロック4と、処理ブロック5と、インタフェースブロック6と、制御装置100とを備える。
キャリアブロック4は、塗布・現像装置2内へのウェハWの導入及び塗布・現像装置2内からのウェハWの導出を行う。例えばキャリアブロック4は、ウェハW用の複数のキャリアCを支持可能であり、受け渡し装置A1を内蔵している。キャリアCは、例えば円形の複数枚のウェハWを収容する。受け渡し装置A1は、キャリアCからウェハWを取り出して処理ブロック5に渡し、処理ブロック5からウェハWを受け取ってキャリアC内に戻す。
処理ブロック5は、複数の処理フロア11,12,13,14を有する。図2及び図3に示すように、処理フロア11,12,13,14は、複数の塗布ユニットU1(処理モジュール)と、複数の熱処理ユニットU2(処理モジュール)と、これらのユニットにウェハWを搬送する搬送装置A3とを内蔵している。塗布ユニットU1は、処理液をウェハWの表面に塗布する。熱処理ユニットU2は、例えば熱板及び冷却板を内蔵しており、熱板によりウェハWを加熱し、加熱後のウェハWを冷却板により冷却して熱処理を行う。
処理フロア11は、塗布ユニットU1及び熱処理ユニットU2によりウェハWの表面上に下層膜を形成する。処理フロア11の塗布ユニットU1は、下層膜形成用の処理液をウェハW上に塗布する。処理フロア11の熱処理ユニットU2は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
処理フロア12は、塗布ユニットU1及び熱処理ユニットU2により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理フロア12の塗布ユニットU1は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜の上に塗布する。処理フロア12の熱処理ユニットU2は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
処理フロア13は、塗布ユニットU1及び熱処理ユニットU2によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理フロア13の塗布ユニットU1は、上層膜形成用の液体をレジスト膜の上に塗布する。処理フロア13の熱処理ユニットU2は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
処理フロア14は、塗布ユニットU1及び熱処理ユニットU2により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。処理フロア14の塗布ユニットU1は、露光済みのウェハWの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。処理フロア14の熱処理ユニットU2は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理(PEB:Post Exposure Bake)、現像処理後の加熱処理(PB:Post Bake)等が挙げられる。
処理ブロック5内におけるキャリアブロック4側には棚ユニットU10が設けられている。棚ユニットU10は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットU10の近傍には昇降装置A7が設けられている。昇降装置A7は、棚ユニットU10のセル同士の間でウェハWを昇降させる。
処理ブロック5内におけるインタフェースブロック6側には棚ユニットU11が設けられている。棚ユニットU11は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
インタフェースブロック6は、露光装置3との間でウェハWの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック6は、受け渡し装置A8を内蔵しており、露光装置3に接続される。受け渡し装置A8は、棚ユニットU11に配置されたウェハWを露光装置3に渡し、露光装置3からウェハWを受け取って棚ユニットU11に戻す。
制御装置100は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置2を制御する。まず制御装置100は、キャリアC内のウェハWを棚ユニットU10に搬送するように受け渡し装置A1を制御し、このウェハWを処理フロア11用のセルに配置するように昇降装置A7を制御する。
次に制御装置100は、棚ユニットU10のウェハWを処理フロア11内の塗布ユニットU1及び熱処理ユニットU2に搬送するように搬送装置A3を制御する。また、制御装置100は、このウェハWの表面上に下層膜を形成するように塗布ユニットU1及び熱処理ユニットU2を制御する。その後制御装置100は、下層膜が形成されたウェハWを棚ユニットU10に戻すように搬送装置A3を制御し、このウェハWを処理フロア12用のセルに配置するように昇降装置A7を制御する。
次に制御装置100は、棚ユニットU10のウェハWを処理フロア12内の塗布ユニットU1及び熱処理ユニットU2に搬送するように搬送装置A3を制御する。また、制御装置100は、このウェハWの下層膜上にレジスト膜を形成するように塗布ユニットU1及び熱処理ユニットU2を制御する。その後制御装置100は、ウェハWを棚ユニットU10に戻すように搬送装置A3を制御し、このウェハWを処理フロア13用のセルに配置するように昇降装置A7を制御する。
次に制御装置100は、棚ユニットU10のウェハWを処理フロア13内の各ユニットに搬送するように搬送装置A3を制御し、このウェハWのレジスト膜上に上層膜を形成するように塗布ユニットU1及び熱処理ユニットU2を制御する。その後制御装置100は、ウェハWを棚ユニットU11に搬送するように搬送装置A3を制御する。
次に制御装置100は、棚ユニットU11のウェハWを露光装置3に送り出すように受け渡し装置A8を制御する。その後制御装置100は、露光処理が施されたウェハWを露光装置3から受け入れて、棚ユニットU11における処理フロア14用のセルに配置するように受け渡し装置A8を制御する。
次に制御装置100は、棚ユニットU11のウェハWを処理フロア14内の各ユニットに搬送するように搬送装置A3を制御し、このウェハWのレジスト膜に現像処理を施すように塗布ユニットU1及び熱処理ユニットU2を制御する。その後制御装置100は、ウェハWを棚ユニットU10に戻すように搬送装置A3を制御し、このウェハWをキャリアC内に戻すように昇降装置A7及び受け渡し装置A1を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。
なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置2の構成に限られない。基板処理装置は、塗布ユニットU1等のウェハWに処理を行う処理モジュールと、処理モジュールまでウェハWを搬送する搬送装置と、これらを制御可能な制御装置100とを備えていればどのようなものであってもよい。
続いて、処理フロア11内の構成の具体例を説明する。図3には、処理フロア11内の概略構成が平面視にて模式的に示されている。処理フロア11内では、複数(ここでは5個)の塗布ユニットU1及び複数(ここでは5個)の熱処理ユニットU2が、Y軸方向に沿って並んでいる。処理フロア11内において、複数の塗布ユニットU1と複数の熱処理ユニットU2との間には、搬送装置A3が配置されている。複数の塗布ユニットU1が配置されているエリアと複数の熱処理ユニットU2が配置されているエリアとの間には、搬送室TRが設けられている。このように、搬送室TRは、塗布ユニットU1及び熱処理ユニットU2外に設定されている。搬送室TRには、搬送装置3Aが設置される。
棚ユニットU10及び棚ユニットU11は、Y軸方向において搬送室TRを挟むように配置されている。換言すると、棚ユニットU10及び棚ユニットU11は、Y軸方向において複数の塗布ユニットU1及び複数の熱処理ユニットU2を挟むように配置されている。以下、棚ユニットU10側を「Y軸方向の負方向」とし、棚ユニットU11側を「Y軸方向の正方向」とする。塗布ユニットU1側を「X軸方向の負方向」とし、熱処理ユニットU2側を「X軸方向の正方向」とする。また、複数の塗布ユニットU1(複数の熱処理ユニットU2)のうちの特定の塗布ユニットU1(熱処理ユニットU2)であることを示すために、Y軸方向の負方向から数えた順序を用いて塗布ユニットU1(熱処理ユニットU2)を特定することがある。
〔搬送装置〕
続いて、搬送装置A3の構成を具体的に説明する。図4に示すように、搬送装置A3は、アーム21と、アーム22と、移動用可動部30(第一可動部)と、回転用可動部40(第三可動部)と、出入用可動部50A(第二可動部)と、出入用可動部50B(第二可動部)と、を備える。
アーム21,22は、搬送対象のウェハWを支持する。アーム21は、アーム22よりも上方に配置されている。搬送装置A3は、2つのアーム21,22を備えているので、2枚のウェハWを保持可能である。
移動用可動部30は、第一ライン33に沿ってアーム21,22を移動させる。本実施形態では、第一ライン33は、塗布ユニットU1及び熱処理ユニットU2外の搬送室TRにおいてY軸方向に沿っている。第一ライン33がY軸方向に沿うことで、移動用可動部30がアーム21,22を移動させる方向は、複数の塗布ユニットU1が並んでいる方向又は複数の熱処理ユニットU2が並んでいる方向に対応している。移動用可動部30は、移動ステージ31とリニアアクチュエータ32とを備える。移動ステージ31は、例えば板状に形成された基台であり、アーム21,22を支持する。
リニアアクチュエータ32は、第一ライン33に沿って移動ステージ31を移動させる。例えばリニアアクチュエータ32は、回転トルクを発生させる動力源と、一対のプーリに架け渡されたタイミングベルト34とを有する。例えばタイミングベルト34により、動力源による回転トルクが第一ライン33に沿った並進の力に変換されて移動ステージ31に伝達され、移動ステージ31が第一ライン33に沿って移動する。
出入用可動部50A,50Bは、移動ステージ31上に設けられており、移動ステージ31と共に移動する。出入用可動部50Aは、第二ライン52に沿ってアーム21を移動させる(出し入れさせる)。出入用可動部50Bは、第二ライン52に沿ってアーム22を移動させる(出し入れさせる)。出入用可動部50A,50Bは、それぞれリニアアクチュエータ51と昇降アクチュエータ54とを有する。
例えばリニアアクチュエータ51は、回転トルクを発生させる動力源と、一対のプーリに架け渡されたタイミングベルト53とを有する。例えばタイミングベルト53により、動力源による回転トルクが第二ライン52に沿った並進の力に変換されてアーム21,22に伝達され、アーム21,22が第二ライン52に沿って移動する。リニアアクチュエータ51は、アーム21,22を待機位置から進出位置までの間で往復移動させる。待機位置は、移動ステージ31上のエリア内の位置であり、進出位置は、移動ステージ31上のエリア外の位置である。昇降アクチュエータ54は、例えばアーム21,22を支持するように設けられ、アーム21,22を昇降させる。例えば昇降アクチュエータ54は、ウェハWの受け渡しに際してアーム21,22を昇降させる。
回転用可動部40は、移動用可動部30と出入用可動部50A,50Bとの間に設けられており、移動ステージ31と共に移動する。回転用可動部40は、鉛直方向の軸線43まわりに出入用可動部50A,50Bを回転させる。これにより、第一ライン33に対する第二ライン52の角度(以下、単に「第二ライン52の角度」という。)が変更される。換言すると、回転用可動部40は、アーム21,22の移動方向(向き)を変更する。すなわち、回転用可動部40は、アーム21,22の出し入れ方向を変更する。
第二ライン52の角度は、回転用可動部40により、例えば0°〜±180°の範囲で変更される。以降の説明では、アーム21,22が待機位置から進出位置に向かう方向(向き)がY軸方向の正方向と一致する場合、第二ライン52の角度が0°であるとする。アーム21,22が待機位置から進出位置に向かう方向(向き)がY軸方向の負方向と一致する場合、第二ライン52の角度が180°(−180°)であるとする。アーム21,22が待機位置から進出位置に向かう方向(向き)がX軸方向の正方向と一致する場合、第二ライン52の角度が90°であるとする。アーム21,22が待機位置から進出位置に向かう方向(向き)がX軸方向の負方向と一致する場合、第二ライン52の角度が−90°であるとする。図4には、第二ライン52の角度が0°の場合の搬送装置A3の構成が示されている。
回転用可動部40は、回転ステージ41と回転アクチュエータ42とを備える。回転アクチュエータ42は、軸線43まわりに回転ステージ41を回転させる。例えば回転アクチュエータ42は、回転トルクを発生させる動力源と、一対のプーリに架け渡されたタイミングベルト44を有する。例えば動力源による回転トルクが、タイミングベルト44を介して回転ステージ41に伝達され、回転ステージ41が軸線43周りに回転する。回転ステージ41は、例えば板状に形成された基台である。回転ステージ41は、出入用可動部50A,50B及びアーム21,22を保持している。換言すると、回転ステージ41の回転に伴って、出入用可動部50A,50B及びアーム21,22は、軸線43を中心として回転する。回転用可動部40は移動ステージ31に保持されているので、移動ステージ31の移動に伴って、回転用可動部40、出入用可動部50A,50B、及びアーム21,22は、第一ライン33に沿って移動する。
以上のように構成された搬送装置A3は、制御装置100により制御される。制御装置100は、ウェハWを搬送する通常搬送と、通常搬送に比較して高い位置決め精度でウェハWを搬送する高精度搬送とを搬送装置A3に行わせるように構成されている。制御装置100は、必要に応じて通常搬送及び高精度搬送とは別のウォームアップ動作を搬送装置A3に行わせるように構成されている。制御装置100は、搬送装置A3の停止状態の継続時間が予め設定された基準時間を越えている場合に、高精度搬送の開始時の接近に応じてウォームアップ動作が必要と判定するように構成されている。例えば制御装置100は、図5に示すように、機能上の構成(以下、「機能モジュール」という。)として、動作指令保持部111と、搬送制御部112と、ウォームアップ制御部113と、接近状態監視部114と、動作状態監視部115と、要否判定部116と、リセット処理部117と、リセット条件保持部118と、条件設定部119とを備える。
動作指令保持部111は、搬送装置A3に対する搬送動作指令及びウォームアップ動作指令を記憶する。例えば搬送動作指令には、搬送を行う順序、搬送対象のウェハW、各搬送における搬送元のユニット及び搬送先のユニットに関する情報等が含まれる。ここで、搬送元のユニットとは、搬送装置A3が搬送対象のウェハWを受け取るユニットを示しており、搬送先のユニットとは、搬送装置A3が搬送対象のウェハWを受け渡すユニットを示している。換言すると、搬送装置A3は、搬送元のユニットから搬送先のユニットまで搬送対象のウェハWを搬送する。本実施形態では、搬送元のユニット及び搬送先のユニットは、塗布ユニットU1、熱処理ユニットU2、及び棚ユニットU10,U11のうちのいずれかのユニットである。
搬送制御部112は、ウェハWを搬送する通常搬送と、通常搬送に比較して高い位置決め精度で基板を搬送する高精度搬送とを搬送装置A3に行わせる。搬送制御部112は、動作指令保持部111から取得した搬送動作指令に基づいて、搬送装置A3に搬送動作を行わせる。搬送動作には、通常搬送を行う通常搬送動作と、高精度搬送を行う高精度搬送動作とが含まれる。いずれの搬送動作も、ウェハWを保持していない状態の搬送装置3Aにより行われる引取動作を含み得る。搬送とは、搬送元のユニットにおいて一つの(搬送対象の)ウェハWを受け取る動作から搬送先のユニットにおいて当該ウェハWを所定位置(例えば処理位置)に置くまでの動作である。
図6の(a)及び図6の(b)は、搬送装置A3による通常搬送動作の一例を示している。この通常搬送動作は、引取動作を含む。図6の(a)に示すように、搬送制御部112は、まず移動用可動部30を動作させることにより、アーム21,22をY軸方向の負方向に移動させる。具体的には、搬送制御部112は、リニアアクチュエータ32を動作させることにより、アーム21を出し入れし棚ユニットU10内のウェハWを受け取ることが可能な位置まで移動ステージ31を移動させる。そして、搬送制御部112は、棚ユニットU10にアーム21を出し入れさせ、棚ユニットU10に位置するウェハWを受け取らせる。例えば、搬送制御部112は出入用可動部50Aのリニアアクチュエータ51を動作させアーム21を棚ユニットU10内に進入させ、昇降アクチュエータ54によりアーム21を上昇させることで、アーム21にウェハWを保持させる。その後、搬送制御部112はリニアアクチュエータ51を動作させアーム21を棚ユニットU10から後退させ、昇降アクチュエータ54によりアーム21を下降させる。以上の動作が上記引取動作に相当する。
図6の(b)には、棚ユニットU10から3番目の熱処理ユニットU2までウェハWを搬送させる動作が示されている。上述の引取動作の後、搬送制御部112は、移動用可動部30を動作させることにより、アーム21,22をY軸方向において3番目の熱処理ユニットU2の位置まで移動させる。続いて、搬送制御部112は、回転用可動部40を動作させることにより、第二ライン52の角度が90°になるまで出入用可動部50A,50Bを回転させる。その後、搬送制御部112は、アーム21を3番目の熱処理ユニットU2に向って出し入れさせ、3番目の熱処理ユニットU2内の処理位置にウェハWを配置させる。例えば、搬送制御部112は、出入用可動部50Aの昇降アクチュエータ54によりアーム21を上昇させた後に、リニアアクチュエータ51を動作させアーム21を棚ユニットU10内に進入させる。そして、搬送制御部112は、昇降アクチュエータ54によりアーム21を下降させることで、熱処理ユニットU2の処理位置にウェハWを置かせる。その後、搬送制御部112はリニアアクチュエータ51を動作させアーム21を熱処理ユニットU2から後退させる。
図7の(a)及び図7の(b)は、搬送装置A3による高精度搬送動作の一例を示している。高精度搬送は、通常搬送の搬送先ユニットに比較して、高い位置決め精度でウェハWを配置することが求められる搬送先ユニットにウェハWを搬送する場合に行われる。例えば高精度搬送では、搬送先のユニットの処理位置と実際にウェハWが置かれた位置(載置位置)との差が、数十μm程度となるようにウェハWが搬送される。本実施形態では、塗布ユニットU1にウェハWを搬送する際に、高精度搬送が行われる。例えば塗布ユニットU1において、搬送されてきたウェハWのエッジ部分(周縁部)が所定の幅にカットされる場合、カットした幅がウェハWの全周において略均一となるように、載置位置の位置決め精度が求められる。
図7の(a)には、棚ユニットU10から3番目の塗布ユニットU1までウェハWを搬送させる高精度搬送動作が示されている。図7の(a)に示すように、搬送制御部112は、移動用可動部30を動作させることにより、アーム21,22をY軸方向において3番目の塗布ユニットU1の位置まで移動させる。続いて、搬送制御部112は、回転用可動部40を動作させることにより、第二ライン52の角度が−90°になるまで出入用可動部50A,50Bを回転させる。その後、搬送制御部112は、アーム21を3番目の塗布ユニットU1に向って出し入れさせ、ウェハWを3番目の塗布ユニットU1内の処理位置に配置する。
図7の(b)には、4番目の熱処理ユニットU2から3番目の塗布ユニットU1までウェハWを搬送させる高精度搬送動作と、当該高精度搬送動作の前に連なる動作とを含む一連の動作が示されている。この一連の動作は、搬送装置A3が複数のウェハWのうちの少なくとも一つのウェハWを保持した状態で継続される動作である。一連の動作には、異なる2枚のウェハWを持ち替えるための持ち替え動作の前後の動き、及びウェハWを持っていない状態の搬送装置A3が最初にウェハWを受け取るための動き(引受動作)が含まれ得る。
図7の(b)に示すように、搬送制御部112は、動作ラインL1,L2,L3に沿って搬送装置A3を動作させる。動作ラインL1は、棚ユニットU10から2番目の熱処理ユニットU2までのウェハWの搬送を模式的に示している。搬送制御部112は、搬送装置3Aに棚ユニットU10から2番目の熱処理ユニットU2までウェハWを搬送させる。具体的には、搬送制御部112は、移動用可動部30によりアーム21,22を2番目の熱処理ユニットU2の位置まで移動させる。続いて、搬送制御部112は、第二ライン52の角度が90°となるように回転用可動部40により出入用可動部50A,50Bを回転させる。そして、搬送制御部112は、2番目の熱処理ユニットU2において、異なる2つのウェハWの持ち替え動作を搬送装置3Aに行わせる。具体的には、搬送制御部112は、アーム22を2番目の熱処理ユニットU2に出し入れさせ、2番目の熱処理ユニットU2に置いてあるウェハWをアーム22に受け取らせる。搬送制御部112は、アーム22にウェハWを受け取らせた後に、アーム21を出し入れさせアーム21に保持しているウェハWを2番目の熱処理ユニットU2の処理位置に配置する。
動作ラインL2は、2番目の熱処理ユニットU2から4番目の熱処理ユニットU2までのウェハWの搬送を模式的に示している。搬送制御部112は、2番目の熱処理ユニットU2において受け取らせたウェハWを、搬送装置3Aにより4番目の熱処理ユニットU2まで運ばせる。具体的には、搬送制御部112は、移動用可動部30によりアーム21,22を4番目の熱処理ユニットU2の位置まで移動させる。そして、搬送制御部112は、アーム22に保持しているウェハWと、4番目の熱処理ユニットU2に置いてあるウェハWとの持ち替え動作を搬送装置3Aに行わせる。動作ラインL3は、4番目の熱処理ユニットU2から3番目の塗布ユニットU1までのウェハWの搬送を模式的に示している。動作ラインL3で示されるウェハWの搬送は、高精度搬送である。搬送制御部112は、4番目の熱処理ユニットU2において受け取らせたウェハWを、搬送装置3Aにより3番目の塗布ユニットU1まで運ばせる。具体的には、搬送制御部112は、移動用可動部30によりアーム21,22を3番目の塗布ユニットU1まで移動させ、第二ライン52が−90°となるように回転用可動部40により出入用可動部50A,50Bを回転させる。そして、搬送制御部112は、アーム21を3番目の塗布ユニットU1に出し入れさせ、アーム21が保持しているウェハWを3番目の塗布ユニットU1の処理位置に配置させる。
ウォームアップ制御部113は、必要に応じて通常搬送及び高精度搬送とは別のウォームアップ動作(ウォーミングアップ動作)を搬送装置A3に行わせる。ウォームアップ制御部113は、要否判定部116からウォームアップ動作が必要であるとの信号を受けた場合に、ウォームアップ動作を搬送装置A3に実行させる。換言すると、ウォームアップ制御部113は、要否判定部116からウォームアップ動作が必要であるとの信号を受けていないときには、ウォームアップ動作を搬送装置A3に実行させない(ウォームアップ動作を禁止する)。
ウォームアップ制御部113は、動作指令保持部111に保持されているウォームアップ動作に関する指令に基づいて、ウェハWを保持していない状態で搬送装置A3にウォームアップ動作を行わせる。ウォームアップ動作には、引取動作における引き取り対象のウェハWから遠ざかる方向に搬送装置A3を移動させる動作が含まれる。ウォームアップ動作は、例えば搬送装置A3に含まれるタイミングベルトを馴染ませる動作である。例えばタイミングベルトの伸び特性が、搬送装置A3の動作の繰り返しに応じて変化し、ある特性に収束する。このときのタイミングベルトの収束した伸び特性を、ここでは収束特性という。例えばウォームアップ動作は、タイミングベルトの伸び特性を上記収束特性に近づける動作である。
ウォームアップ制御部113は、移動用可動部30、回転用可動部40、及び出入用可動部50A,50Bそれぞれを動作(駆動)させることにより、搬送装置A3にウォームアップ動作を行わせる。例えばウォームアップ制御部113は、アーム21,22を塗布ユニットU1及び熱処理ユニットU2に進入させないように移動用可動部30、回転用可動部40、及び出入用可動部50A,50Bそれぞれを動作させる。例えばアーム21,22が塗布ユニットU1に進入していない状態とは、平面視においてアーム21,22と塗布ユニットU1とが重なっていない状態である。換言すると、ウォームアップ制御部113は、搬送室TR内において、これらの可動部を動作させる。例えばウォームアップ制御部113は、可動部の少なくとも一部をフルストロークで1往復以上動作させる。ウォームアップ制御部113は、移動用可動部30、回転用可動部40、及び出入用可動部50A,50Bを順に動作させてもよく、いずれか二以上の可動部の動作期間が少なくとも部分的に重なるように動作させてもよい。いずれの可動部を対象としてウォームアップ動作を行うかは、例えば各可動部に含まれるタイミングベルトの長さに基づいて決められる。ウォームアップ制御部113は、ウォームアップ動作を実行させる際に、少なくとも移動用可動部30及び出入用可動部50A,50Bを動作させる。ウォームアップ制御部113は、ウォームアップ動作を実行させる際に、移動用可動部30及び出入用可動部50A,50Bに加えて、回転用可動部40を動作させてもよい。
図8の(a)〜図8の(c)を参照して、ウォームアップ動作の具体例を説明する。まず、ウォームアップ制御部113は、図8の(a)に示すように、移動用可動部30によりアーム21,22を棚ユニットU10の近くまで移動させる。そして、ウォームアップ制御部113は、第二ライン52の角度が0°となるように回転用可動部40により出入用可動部50A,50Bを回転させる。そして、出入用可動部50A,50Bそれぞれのリニアアクチュエータ51を駆動することにより、第二ライン52を第一ライン33に沿わせた状態で、アーム21,22をフルストロークで往復移動させる。例えば第二ライン52を第一ライン33に沿わせた状態では、所定の近さに第二ライン52が第一ライン33に近づいていればよい。例えば所定の近さは、アーム21,22を少なくとも塗布ユニットU1及び熱処理ユニットU2に進入させることなく、フルストロークでリニアアクチュエータ51を動作させることが可能な程度の近さである。
次に、図8の(b)に示すように、ウォームアップ制御部113は、移動用可動部30のリニアアクチュエータ32を動作させることで、移動ステージ31を第一ライン33(Y軸方向)に沿ってフルストロークで移動させる。また、ウォームアップ制御部113は、回転用可動部40を動作させることで、出入用可動部50A,50Bを回転させる。これらの移動用可動部30の動作と回転用可動部40の動作とは、いずれの順番で行われてもよい。例えば、ウォームアップ制御部113は、移動用可動部30により棚ユニットU11近くまでアーム21,22を移動させた後に、回転用可動部40により出入用可動部50A,50Bを180°回転(半回転)させてもよい。続いて、図8の(c)に示すように、ウォームアップ制御部113は、第二ライン52を第一ライン33に沿わせた状態で、アーム21,22をフルストロークで往復移動させる。その後、ウォームアップ制御部113は、移動用可動部30のリニアアクチュエータ32を動作させ、Y軸方向の負方向に向かって移動ステージ31をフルストロークで移動させてもよい。
接近状態監視部114は、高精度搬送の開始時の接近状態(接近レベル)を監視する。具体的には、接近状態監視部114は、搬送制御部112から得られた搬送装置A3の現在の動作状況と、動作指令保持部111から得られた搬送動作指令とに基づいて、現時点における高精度搬送の開始時の接近状態を監視する。
動作状態監視部115は、搬送装置A3の動作状態を監視する。具体的には、動作状態監視部115は、各可動部の動作方向及び動作量を監視し、並びに搬送装置A3の停止状態の継続時間をカウントする。搬送装置A3の停止状態とは、移動用可動部30、回転用可動部40、及び出入用可動部50A,50Bのうちの少なくとも一つの可動部が所定時間、継続的又は断続的に停止している状態である。本実施形態では、リセット処理部117により継続時間のカウントがリセットされるまでの間、搬送装置A3は停止状態が継続していると判断される。
要否判定部116は、搬送装置A3の停止状態の継続時間が予め設定された基準時間を越えている場合に、高精度搬送の開始時の接近に応じてウォームアップ動作が必要と判定する。要否判定部116は、接近状態監視部114からの接近状態に関する情報及び動作状態監視部115からの継続時間のカウント値に基づいて、継続時間が基準時間を越えているかどうか、及び高精度搬送の開始時が接近しているかどうかを判定する。例えば要否判定部116は、搬送装置A3の停止状態の継続時間が予め設定された基準時間を越えている場合に、高精度搬送の開始時の接近レベルが予め設定された接近条件を満たすのに応じてウォームアップ動作が必要と判定する。
接近条件の一例としては、接近レベル(現時刻)が、高精度搬送の開始時までの所定時間以内の時刻(例えば図7の(a)の点P1への到達時刻)に到達していることが挙げられる。あるいは、接近条件として、接近レベルが高精度搬送を含む上記一連の動作の開始時(例えば図7の(b)の点P2への到達時刻)に到達していることが挙げられる。
要否判定部116は、搬送装置A3の停止状態の継続時間が基準時間に満たない場合には、ウォームアップ動作が不要であると判定する。この場合、ウォームアップ制御部113は搬送装置A3にウォームアップ動作を行わせない。また、要否判定部116は、搬送装置A3の停止状態の継続時間が基準時間を満たしていても、高精度搬送の開始時の接近レベルが接近条件を満たしていない場合には、ウォームアップ動作が不要であると判定する。この場合も、ウォームアップ制御部113は搬送装置A3にウォームアップ動作を行わせない。例えば、上記継続時間が基準時間を満たし通常搬送が単独で行われる場合において、当該通常搬送の開始時が近づいていても、ウォームアップ動作は行われない。
リセット処理部117は、搬送装置A3の動作がリセット条件を満たすのに応じて搬送装置A3の停止状態の継続時間をリセットする。換言すると、リセット処理部117は、搬送装置A3の動作がリセット条件を満たした場合、動作状態監視部115による継続時間のカウント値をゼロに戻す。リセット処理部117は、リセット条件をリセット条件保持部118から取得する。例えばリセット処理部117は、いずれかの可動部の動作距離がリセット条件保持部118に保持されているリセット距離を越えた場合に、当該可動部の動作はリセット条件を満たすと判定する。あるいはリセット処理部117は、いずれかの可動部の動作継続時間がリセット条件保持部118に保持されているリセット時間を越えた場合に、当該可動部の動作はリセット条件を満たすと判定する。なお、リセット条件は、移動用可動部30、回転用可動部40、及び出入用可動部50A,50Bそれぞれの動作に対して異なる値で定められてもよい。
図9の(a)及び図9の(b)を参照して、移動用可動部30によるリセット条件を満たす動作と満たさない動作との一例を説明する。図9の(a)及び図9の(b)に示す一例では、移動用可動部30に対するリセット距離は、基準ストロークMS0に定められている。基準ストロークMS0は、棚ユニットU10に最も近づく位置から4番目の熱処理ユニットU2までのY軸方向における移動ステージ31(アーム21,22)の移動量に対応している。図9の(a)に示す一例では、移動用可動部30によりアーム21,22が棚ユニットU10に最も近づく位置から2番目の熱処理ユニットU2の位置までY軸方向に沿って移動し、出入用可動部50Aによりアーム21がX軸方向に沿って移動している。移動ステージ31(アーム21,22)は、移動ストロークMS1だけ移動している。移動ストロークMS1は基準ストロークMS0よりも小さいので、リセット処理部117は、移動用可動部30の動作はリセット距離を満たさないと判定する。すなわち、搬送装置A3の停止状態の継続時間がリセットされずに、搬送装置A3の停止状態は継続していると判断される。
図9の(b)に示す一例では、移動用可動部30によりアーム21,22が棚ユニットU10に最も近づく位置から5番目の熱処理ユニットU2の位置までY軸方向に沿って移動し、出入用可動部50Aによりアーム21がX軸方向に沿って移動している。移動ステージ31(アーム21,22)は、移動ストロークMS2だけ移動している。移動ストロークMS2は基準ストロークMS0よりも大きいので、リセット処理部117は、移動用可動部30の動作はリセット距離を満たすと判定する。この場合、リセット処理部117は、搬送装置A3の停止状態の継続時間をリセットしてもよい。
リセット処理部117は、各可動部の動作がリセット条件を満たしたことと、各可動部の動作がリセット条件を満たした時刻の時間差とに基づいて、搬送装置A3の搬送動作(通常搬送動作)がリセット条件を満たすかどうかを確認してもよい。リセット処理部117は、移動用可動部30、回転用可動部40、及び出入用可動部50A,50Bのうちの少なくとも二つの可動部の両方の動作が所定時間以内の時間差でリセット条件を満たすのに応じて、搬送装置A3の停止状態の継続時間をリセットしてもよい。例えば、リセット処理部117は、移動用可動部30の動作がリセット距離を越えた時刻と、出入用可動部50A,50Bの動作がリセット距離を越えた時刻との時間差が、所定時間より小さい場合にリセット条件を満たすと判定してもよい。
条件設定部119は、少なくとも高精度搬送における搬送装置A3の動作ストロークに基づいてリセット条件を設定する。ここでの動作ストロークは、可動部の動作ストロークの平均値であってもよく、可動部の動作ストロークの最大値であってもよい。例えば、条件設定部119は、可動部の動作ストロークの平均値又は最大値に対して所定値を加算又は減算することで得られる値をリセット条件(例えばリセット距離)に設定してもよい。例えば、条件設定部119は、可動部の動作ストロークが長くなるほど、値が大きくなるようにリセット条件(例えばリセット距離)を設定する。条件設定部119により設定されたリセット条件は、リセット条件保持部118に保持される。
制御装置100は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば制御装置100は、図10に示す回路120を有する。回路120は、一つ又は複数のプロセッサ121と、メモリ122と、ストレージ123と、入出力ポート124と、タイマー125とを有する。ストレージ123は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述の基板処理手順を搬送装置A3に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ122は、ストレージ123の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ121による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ121は、メモリ122と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート124は、プロセッサ121からの指令に従って、搬送装置A3、塗布ユニットU1、及び熱処理ユニットU2との間で電気信号の入出力を行う。タイマー125は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間(例えば停止状態の継続時間)を計測する。
なお、制御装置100のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えば制御装置100の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したASIC(Application Specific Integrated Circuit)により構成されていてもよい。
〔基板処理方法〕
以下、基板処理方法の一例として、搬送装置A3において実行される搬送処理手順を説明する。この搬送処理手順は、少なくとも一つの処理対象のウェハWを搬送する通常搬送と、通常搬送に比較して高い位置決め精度でウェハWを搬送する高精度搬送とを搬送装置A3に行わせることを含む。この搬送処理手順は、必要に応じて通常搬送及び高精度搬送とは別のウォームアップ動作を搬送装置A3に行わせることを更に含む。この搬送処理手順は、搬送装置A3の停止状態の継続時間が予め設定された基準時間を越えている場合に、高精度搬送の開始時の接近に応じてウォームアップ動作が必要と判定することを更に含む。
図11に示すように、制御装置100は、まずステップS01を実行する。ステップS01では、動作状態監視部115が、搬送装置A3の停止状態の継続時間をカウントすることを開始する。例えば塗布・現像装置2の電源が入れられ、ウェハWの処理が開始する際に、動作状態監視部115は継続時間のカウントを開始する。以降、動作状態監視部115による継続時間のカウントが継続される。
次に、制御装置100はステップS02を実行する。ステップS02では、要否判定部116が、搬送装置A3の停止状態の継続時間が基準時間を越えているか否かを確認する。
ステップS02において搬送装置A3の停止状態の継続時間が基準時間を越えていると判断された場合、制御装置100はステップS03を実行する。ステップS03では、要否判定部116が、高精度搬送の開始時の接近レベルが接近条件を満たしているか否かを確認する。
ステップS03において高精度搬送の開始時の接近レベルが接近条件を満たしていると判断された場合、制御装置100はステップS04を実行する。ステップS04では、ウォームアップ制御部113が、搬送装置A3にウォームアップ動作を実行させる。次に制御装置100はステップS05を実行する。ステップS05では、動作状態監視部115が、ウォームアップ動作の完了を検知して搬送装置A3の停止状態の継続時間をリセットする。
次に制御装置100はステップS06を実行する。ステップS06では、通常搬送動作又は高精度搬送動作が行われる。ステップS02において搬送装置A3の停止状態の継続時間が基準時間を越えていないと判断された場合、制御装置100は、ステップS04等を実行せずにステップS06を実行する。ステップS03において高精度搬送の開始時の接近レベルが接近条件を満たしていないと判断された場合、制御装置100は、ステップS04等を実行せずにステップS06を実行する。
次に制御装置100はステップS07を実行する。ステップS07では、リセット処理部117が、ステップS06において行われた搬送装置A3の搬送動作がリセット条件を満たすか否かを確認する。ステップS07については後に詳述する。
搬送装置A3の搬送動作がリセット条件を満たしていると判断された場合、制御装置100はステップS08を実行する。ステップS08では、リセット処理部117が搬送装置A3の停止状態の継続時間をリセットする。すなわち、この場合には、搬送装置A3の停止状態の継続が終了したと判断される。一方、ステップS07において、搬送装置A3の搬送動作がリセット条件を満たしていないと判断された場合、搬送装置A3の停止状態の継続時間のリセットは行われない。すなわち、この場合には、搬送装置A3の停止状態は継続していると判断される。
そして、制御装置100は、ステップS02〜S08を繰り返し実行して搬送処理を行う。例えば、制御装置100は、塗布・現像装置2において予め定められた枚数のウェハWの処理が終了するまで上記搬送処理を繰り返す。例えば、このような搬送処理は、塗布・現像装置2のメンテナンス等以外のウェハWの生産中に実行される。
続いてステップS07の一例を説明する。図12に示すように制御装置100は、まずステップS71を実行する。ステップS71では、リセット処理部117が、ステップS06において行われた移動用可動部30のY軸方向における動作がリセット条件(例えばリセット距離)を満たすか否かを確認する。ステップS71において、移動用可動部30の動作がリセット条件を満たしていないと判断された場合、リセット処理部117は、搬送装置A3の搬送動作がリセット条件を満たしていないと判定しステップS07を終了する。
ステップS71において、移動用可動部30の動作がリセット条件を満たしていると判断された場合、制御装置100はステップS72を実行する。ステップS72では、リセット処理部117が、ステップS06において行われた出入用可動部50AのX軸方向における動作がリセット条件(例えばリセット距離)を満たすか否かを確認する。ステップS72において、出入用可動部50Aの動作がリセット条件を満たしていないと判断された場合、リセット処理部117は、搬送装置A3の搬送動作がリセット条件を満たしていないと判定し、ステップS07を終了する。
ステップS72において、出入用可動部50Aの動作がリセット条件を満たしている判断された場合、制御装置100はステップS73を実行する。ステップS73では、リセット処理部117が、ステップS06において行われた出入用可動部50BのX軸方向における動作がリセット条件(例えばリセット距離)を満たすか否かを確認する。ステップS73において、出入用可動部50Bの動作がリセット条件を満たしていないと判断された場合、リセット処理部117は、搬送装置A3の搬送動作がリセット条件を満たしていないと判定し、ステップS07を終了する。
ステップS73において、出入用可動部50Bの動作がリセット条件を満たしていると判断された場合、制御装置100はステップS74を実行する。ステップS74では、リセット処理部117が、移動用可動部30の動作がリセット条件を満たした時刻と、出入用可動部50Bの動作がリセット条件を満たした時刻との時間差(以下、「クリア時間差」という。)が予め設定された所定時間よりも小さいか否かを確認する。クリア時間差が所定時間以上であると判断された場合、リセット処理部117は、搬送装置A3の搬送動作がリセット条件を満たしていないと判定しステップS07を終了する。
ステップS74において、クリア時間差が所定時間よりも小さいと判断された場合、リセット処理部117は、搬送装置A3の搬送動作がリセット条件を満たしていると判定しステップS07を終了する。
制御装置100は、搬送処理とは別に、リセット条件の設定処理を実行する。図13に示すように、制御装置100は、ステップS11,S12,S13を実行する。例えば制御装置100は、動作指令保持部111に保持されている動作指令に基づく最初の搬送動作の前に、ステップS11,S12,S13を実行する。ステップS11では、条件設定部119が動作指令保持部111から動作指令に関するデータを取得する。次に、ステップS12では、条件設定部119が動作指令データから移動用可動部30の基準ストロークを導出する。例えば、条件設定部119は、動作指令データから移動用可動部30のストロークの平均値を基準ストロークとして導出してもよく、移動用可動部30のストロークの最大値を基準ストロークとして導出してもよい。そして、ステップS13では、条件設定部119が導出した基準ストロークをリセット条件(リセット距離)として設定する。条件設定部119により設定されたリセット条件は、リセット条件保持部118により保持される。
〔本実施形態の効果〕
本実施形態に係る塗布・現像装置2は、少なくとも一つの処理対象のウェハWを搬送する搬送装置A3と、ウェハWを搬送する通常搬送と、通常搬送に比較して高い位置決め精度で基板を搬送する高精度搬送とを搬送装置A3に行わせる搬送制御部112と、必要に応じて通常搬送及び高精度搬送とは別のウォームアップ動作を搬送装置A3に行わせるウォームアップ制御部113と、搬送装置A3の停止状態の継続時間が予め設定された基準時間を越えている場合に、高精度搬送の開始時の接近に応じてウォームアップ動作が必要と判定する要否判定部116と、を備える。
この塗布・現像装置2によれば、搬送装置A3の停止状態が継続し、高精度搬送の開始時が接近した場合に、通常搬送及び高精度搬送とは別のウォームアップ動作が行われる。このため、搬送装置A3の停止状態が継続していてもウォームアップ動作により搬送装置A3を安定化させることができる。また、高精度搬送の開始時が接近した場合にウォームアップ動作が行われるので、ウォームアップ動作による安定化作用が高精度搬送において持続されやすい。したがって、塗布・現像装置2は、塗布ユニットU1の処理位置へのウェハWの位置決め精度を向上させるのに有効である。
要否判定部116は、上記継続時間が予め設定された基準時間を越えている場合に、高精度搬送の開始時の接近レベルが予め設定された接近条件を満たすのに応じてウォームアップ動作が必要と判定し、高精度搬送の開始時の接近レベルが接近条件を満たすまではウォームアップ動作が不要と判定する。この場合、接近レベルが接近条件を満たすまではウォームアップ動作が行われないので、不必要なウォームアップ動作が抑制される。したがって、位置決め精度の向上と単位時間あたりのウェハWの処理量の向上との両立を図ることができる。
塗布・現像装置2は、搬送装置A3の動作がリセット条件を満たすのに応じて上記継続時間をリセットするリセット処理部117を更に備える。リセット条件を満たすような搬送装置A3の動作によってウォームアップ動作と同等の安定化作用が得られる。このため、塗布・現像装置2では、不必要なウォームアップ動作が抑制され、位置決め精度の向上と単位時間あたりのウェハWの処理量の向上との両立を図ることができる。
搬送装置A3は回転用可動部40と出入用可動部50A,50Bとを有する。リセット処理部117は、回転用可動部40と出入用可動部50A,50Bの両方の動作が所定時間以内の時間差でリセット条件(例えばリセット距離)を満たすのに応じて、上記継続時間をリセットする。この場合、リセット処理部117による安易な継続時間のリセットを避けることができ、位置決め精度の向上と単位時間あたりのウェハWの処理量の向上との両立をより確実に図ることができる。
塗布・現像装置2は、少なくとも高精度搬送における搬送装置A3の動作ストロークに基づいてリセット条件を設定する条件設定部119を更に備える。この場合、リセット処理部117による安易な継続時間のリセットを避けることができ、位置決め精度の向上と単位時間あたりのウェハWの処理量の向上との両立をより確実に図ることができる。
塗布・現像装置2は、ウェハWに処理を行う塗布ユニットU1及び熱処理ユニットU2を更に備える。搬送装置A3は、ウェハWを保持するアーム21,22と、塗布ユニットU1及び熱処理ユニットU2外を通る第一ライン33に沿ってアーム21,22を移動させる移動用可動部30と、第二ライン52に沿ってアーム21,22を移動させる出入用可動部50A,50Bと、第一ライン33に対する第二ライン52の角度を変更する回転用可動部40とを有する。ウォームアップ制御部113は、ウォームアップ動作を実行させる際に、アーム21,22を塗布ユニットU1及び熱処理ユニットU2に進入させないように移動用可動部30、回転用可動部40及び出入用可動部50A,50Bを動作させる。この場合、塗布・現像装置2において、塗布ユニットU1及び熱処理ユニットU2外の空間(搬送室TR)をウォームアップ動作に有効活用することができる。このため、より効果的にウォームアップ動作を行うことができる。
ウォームアップ制御部113は、ウォームアップ動作を実行させる際に、回転用可動部40により第二ライン52を第一ライン33に沿わせた状態で、出入用可動部50A,50B(リニアアクチュエータ51)を動作させる。この場合、塗布ユニットU1,熱処理ユニットU2外の搬送室TRにおいて、出入用可動部50A,50Bに対するウォームアップ動作をより確実に行うことができる。
以上、実施形態について説明したが、本開示は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。例えば、処理対象の基板は半導体ウェハに限られず、例えばガラス基板、マスク基板、FPD(Flat Panel Display)などであってもよい。
2…塗布・現像装置(基板処理装置)、21,22…アーム、30…移動用可動部(第一可動部)、33…第一ライン、40…回転用可動部(第三可動部)、50A,50B…出入用可動部(第二可動部)、52…第二ライン、100…制御装置、112…搬送制御部、113…ウォームアップ制御部、116…要否判定部、117…リセット処理部、A3…搬送装置、U1…塗布ユニット(処理モジュール)、U2…熱処理ユニット(処理モジュール)、W…ウェハ(基板)。

Claims (9)

  1. 少なくとも一つの処理対象の基板を搬送する搬送装置と、
    前記基板を搬送する通常搬送と、前記通常搬送に比較して高い位置決め精度で基板を搬送する高精度搬送とを前記搬送装置に行わせる搬送制御部と、
    必要に応じて前記通常搬送及び前記高精度搬送とは別のウォームアップ動作を前記搬送装置に行わせるウォームアップ制御部と、
    前記搬送装置の停止状態の継続時間が予め設定された基準時間を越えている場合に、前記高精度搬送の開始時の接近に応じて前記ウォームアップ動作が必要と判定する要否判定部と、を備える基板処理装置。
  2. 前記要否判定部は、前記継続時間が前記基準時間を越えている場合に、前記高精度搬送の開始時の接近レベルが予め設定された接近条件を満たすのに応じて前記ウォームアップ動作が必要と判定し、前記高精度搬送の開始時の前記接近レベルが前記接近条件を満たすまでは前記ウォームアップ動作が不要と判定する、請求項1記載の基板処理装置。
  3. 前記搬送装置の動作がリセット条件を満たすのに応じて前記継続時間をリセットするリセット処理部を更に備える、請求項1又は2記載の基板処理装置。
  4. 前記搬送装置は少なくとも二つの可動部を有し、
    前記リセット処理部は、二つの前記可動部の両方の動作が所定時間以内の時間差で前記リセット条件を満たすのに応じて、前記継続時間をリセットする、請求項3記載の基板処理装置。
  5. 少なくとも前記高精度搬送における前記搬送装置の動作ストロークに基づいて前記リセット条件を設定する条件設定部を更に備える、請求項3又は4記載の基板処理装置。
  6. 前記基板に処理を行う少なくとも一つの処理モジュールを更に備え、
    前記搬送装置は、前記基板を保持するアームと、前記処理モジュール外を通る第一ラインに沿って前記アームを移動させる第一可動部と、第二ラインに沿って前記アームを移動させる第二可動部と、前記第一ラインに対する前記第二ラインの角度を変更する第三可動部とを有し、
    前記ウォームアップ制御部は、前記ウォームアップ動作を実行させる際に、前記アームを前記処理モジュールに進入させないように前記第一可動部、前記第二可動部及び前記第三可動部を動作させる、請求項1〜3のいずれか一項記載の基板処理装置。
  7. 前記ウォームアップ制御部は、前記ウォームアップ動作を実行させる際に、前記第三可動部により前記第二ラインを前記第一ラインに沿わせた状態で、前記第二可動部を動作させる、請求項6記載の基板処理装置。
  8. 少なくとも一つの処理対象の基板を搬送する通常搬送と、前記通常搬送に比較して高い位置決め精度で前記基板を搬送する高精度搬送とを搬送装置に行わせることと、
    必要に応じて前記通常搬送及び前記高精度搬送とは別のウォームアップ動作を前記搬送装置に行わせることと、
    前記搬送装置の停止状態の継続時間が予め設定された基準時間を越えている場合に、前記高精度搬送の開始時の接近に応じて前記ウォームアップ動作が必要と判定することと、を含む基板処理方法。
  9. 請求項8記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
JP2018190293A 2018-10-05 2018-10-05 基板処理装置、及び基板処理方法、及び記憶媒体 Active JP7133424B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018190293A JP7133424B2 (ja) 2018-10-05 2018-10-05 基板処理装置、及び基板処理方法、及び記憶媒体
CN201910931531.5A CN111009486A (zh) 2018-10-05 2019-09-29 基片处理装置、基片处理方法和存储介质
KR1020190121668A KR20200039576A (ko) 2018-10-05 2019-10-01 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
US16/592,976 US11257701B2 (en) 2018-10-05 2019-10-04 Substrate processing apparatus, substrate processing method and recording medium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018190293A JP7133424B2 (ja) 2018-10-05 2018-10-05 基板処理装置、及び基板処理方法、及び記憶媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020061420A true JP2020061420A (ja) 2020-04-16
JP7133424B2 JP7133424B2 (ja) 2022-09-08

Family

ID=70052621

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018190293A Active JP7133424B2 (ja) 2018-10-05 2018-10-05 基板処理装置、及び基板処理方法、及び記憶媒体

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11257701B2 (ja)
JP (1) JP7133424B2 (ja)
KR (1) KR20200039576A (ja)
CN (1) CN111009486A (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7253955B2 (ja) * 2019-03-28 2023-04-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR102240925B1 (ko) * 2019-07-17 2021-04-15 세메스 주식회사 기판 처리 설비 및 기판 반송 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006285301A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Yaskawa Electric Corp ロボット制御装置およびロボットの位置決め精度補正方法
JP2008235836A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置、基板搬送モジュール、基板搬送方法及び記憶媒体
JP2008543578A (ja) * 2005-06-08 2008-12-04 ブルックス オートメーション インコーポレイテッド 拡張可能な動作制御システム
JP2009125905A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Nakamura Tome Precision Ind Co Ltd 基板加工機の運転制御方法
JP2011192867A (ja) * 2010-03-16 2011-09-29 Hitachi High-Technologies Corp プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のステージ温度制御方法、及び表示用パネル基板の製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4641071A (en) * 1985-09-25 1987-02-03 Canon Kabushiki Kaisha System for controlling drive of a wafer stage
JP4453666B2 (ja) * 2001-12-25 2010-04-21 東京エレクトロン株式会社 ガス導入部及び処理装置
KR101015778B1 (ko) * 2003-06-03 2011-02-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리장치 및 기판 수수 위치의 조정 방법
JP5577730B2 (ja) 2010-02-15 2014-08-27 Nskテクノロジー株式会社 近接露光装置及び近接露光方法
JP5734388B2 (ja) * 2013-10-22 2015-06-17 ファナック株式会社 暖機運転を自動的に開始する制御装置
JP6654374B2 (ja) * 2015-08-17 2020-02-26 株式会社Screenホールディングス 熱処理方法および熱処理装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006285301A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Yaskawa Electric Corp ロボット制御装置およびロボットの位置決め精度補正方法
JP2008543578A (ja) * 2005-06-08 2008-12-04 ブルックス オートメーション インコーポレイテッド 拡張可能な動作制御システム
JP2008235836A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置、基板搬送モジュール、基板搬送方法及び記憶媒体
JP2009125905A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Nakamura Tome Precision Ind Co Ltd 基板加工機の運転制御方法
JP2011192867A (ja) * 2010-03-16 2011-09-29 Hitachi High-Technologies Corp プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のステージ温度制御方法、及び表示用パネル基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11257701B2 (en) 2022-02-22
US20200111693A1 (en) 2020-04-09
JP7133424B2 (ja) 2022-09-08
CN111009486A (zh) 2020-04-14
KR20200039576A (ko) 2020-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4439464B2 (ja) 基板搬送方法及び基板搬送装置
KR101021396B1 (ko) 기판 열처리장치
KR101070520B1 (ko) 기판 처리 방법 및 장치
JP5344734B2 (ja) 基板処理装置
US7364376B2 (en) Substrate processing apparatus
JPH07297258A (ja) 板状体の搬送装置
JP5296022B2 (ja) 熱処理方法及びその熱処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体並びに熱処理装置
KR101614969B1 (ko) 열처리 방법 및 그 열처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체 및 열처리 장치
JP2018182263A (ja) 基板加熱装置
US7229240B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2020061420A (ja) 基板処理装置、及び基板処理方法、及び記憶媒体
TWI794408B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體
JP2000306973A (ja) 処理システム
JP2010056318A (ja) 基板処理ユニットおよび基板処理装置
JP4665037B2 (ja) 基板処理システム
KR101399223B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2018050051A (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体
JPH08274143A (ja) 搬送装置及び搬送方法
KR102046872B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102175074B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
JP4826544B2 (ja) 加熱処理装置、加熱処理方法及び記憶媒体
KR20150078629A (ko) 기판처리장치
KR20200026563A (ko) 기판 반송 로봇 및 기판 처리 설비
JP2013168676A (ja) 基板処理装置
JPH04278561A (ja) 処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210715

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220725

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220802

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220829

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7133424

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150