JP2009010239A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009010239A JP2009010239A JP2007171354A JP2007171354A JP2009010239A JP 2009010239 A JP2009010239 A JP 2009010239A JP 2007171354 A JP2007171354 A JP 2007171354A JP 2007171354 A JP2007171354 A JP 2007171354A JP 2009010239 A JP2009010239 A JP 2009010239A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hot plate
- substrate
- wafer
- processing
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 109
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 8
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 94
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 36
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 18
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 7
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 4
- 238000001227 electron beam curing Methods 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 4
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
- H01L21/67225—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1016—Apparatus with means for treating single-crystal [e.g., heat treating]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
【課題】基板の被処理面に形成された処理膜にＵＶ光（紫外線）を照射し、該処理膜を硬化させる基板処理装置において、コスト増大を抑制し、安定した基板の温度制御を行なうことのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを所定温度に加熱するホットプレート５７と、ホットプレート５７上に設けられ、基板Ｗを支持する支持ピン５８と、支持ピン５８に支持された基板Ｗの被処理面に対しＵＶ光を照射するＵＶ光照射手段５２とを備え、支持ピン５８は、少なくとも所定の熱伝導率を有することにより、基板Ｗの熱をホットプレート５７に伝導し、ホットプレート５７は、支持ピン５８を介して伝導される熱を吸収する所定の熱容量を有する。
【選択図】図３
【解決手段】基板Ｗを所定温度に加熱するホットプレート５７と、ホットプレート５７上に設けられ、基板Ｗを支持する支持ピン５８と、支持ピン５８に支持された基板Ｗの被処理面に対しＵＶ光を照射するＵＶ光照射手段５２とを備え、支持ピン５８は、少なくとも所定の熱伝導率を有することにより、基板Ｗの熱をホットプレート５７に伝導し、ホットプレート５７は、支持ピン５８を介して伝導される熱を吸収する所定の熱容量を有する。
【選択図】図３
Description
本発明は、半導体ウエハ等の基板に形成された処理膜にキュア処理を施し硬化させる基板処理装置に関する。
半導体デバイスの製造工程においては、例えば半導体ウエハ（以下、ウエハという）上に層間絶縁膜を形成する手法の一つに、ウエハ上に塗布膜をスピンコートし、化学的処理または加熱処理等を施して層間絶縁膜を形成するというＳＯＤ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）法がある。
この手法は、先ずウエハ表面に絶縁膜の形成材料を溶媒に分散させた塗布液を塗布し、その塗布液の溶媒を乾燥させた後、塗布膜（処理膜）を加熱して化学反応を起こさせるためのベーク処理を行い、次いで塗布膜を加熱して硬化させるためのキュア処理を行うことで、所望の絶縁膜を得るものである。
ところで、このような絶縁膜形成処理において、塗布膜を硬化させるキュア処理装置のうち、電子線によってキュア処理を行うＥＢキュア装置がある（特許文献１参照）。
このＥＢキュア装置においては、所定の真空雰囲気となされた処理室内にウエハが載置され、電子線発生装置によりウエハの被処理面に電子線を照射し、キュア処理が行われる。このように、ウエハ上に形成された塗布膜（処理膜）にＥＢキュア処理を行うことにより、絶縁膜を硬化させることができる。
特開２００４−１８６６８２号公報
このＥＢキュア装置においては、所定の真空雰囲気となされた処理室内にウエハが載置され、電子線発生装置によりウエハの被処理面に電子線を照射し、キュア処理が行われる。このように、ウエハ上に形成された塗布膜（処理膜）にＥＢキュア処理を行うことにより、絶縁膜を硬化させることができる。
ところで、前記ＥＢキュア処理にあっては、低い比誘電率（ｋ値）の絶縁膜（以下Ｌｏｗ−ｋ膜という）を硬化させる場合に、照射される電子ビームが膜に対してダメージを与え易いという欠点があった。
そこで、ＥＢキュアに換えて、ＵＶ光（紫外線）を塗布膜に照射し、Ｌｏｗ−ｋ膜にダメージを与えることなく膜硬化を行なうＵＶキュア処理が好んで用いられている。
しかしながら、このＵＶキュア処理にあっては、処理速度を速めるためＵＶ光照度を高める必要があり、これに伴い被照射物の温度が必要以上に上昇するという別の課題があった。
また、この被照射物の温度上昇を制御するためには、冷却機能を追加する必要が生じ、装置の複雑化、及びコスト増大といった課題があった。
そこで、ＥＢキュアに換えて、ＵＶ光（紫外線）を塗布膜に照射し、Ｌｏｗ−ｋ膜にダメージを与えることなく膜硬化を行なうＵＶキュア処理が好んで用いられている。
しかしながら、このＵＶキュア処理にあっては、処理速度を速めるためＵＶ光照度を高める必要があり、これに伴い被照射物の温度が必要以上に上昇するという別の課題があった。
また、この被照射物の温度上昇を制御するためには、冷却機能を追加する必要が生じ、装置の複雑化、及びコスト増大といった課題があった。
本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、基板の被処理面に形成された処理膜にＵＶ光（紫外線）を照射し、該処理膜を硬化させる基板処理装置において、コスト増大を抑制し、安定した基板の温度制御を行なうことのできる基板処理装置を提供することを目的とする。
前記した課題を解決するため、本発明に係る基板処理装置は、基板の被処理面に形成された処理膜にＵＶ光（紫外線）を照射し、該処理膜を硬化させる基板処理装置において、前記基板を所定温度に加熱するホットプレートと、前記ホットプレート上に設けられ、前記基板を支持する支持ピンと、前記支持ピンに支持された前記基板の被処理面に対しＵＶ光を照射するＵＶ光照射手段とを備え、前記支持ピンは、少なくとも所定の熱伝導率を有することにより、前記基板の熱を前記ホットプレートに伝導し、前記ホットプレートは、前記支持ピンを介して伝導される熱を吸収する所定の熱容量を有することに特徴を有する。
このように構成することによって、ＵＶ光の照射により必要以上に基板温度が上昇しようとしても、基板の熱を、支持ピンを介してホットプレートに効率的に伝導させることができ、基板温度が過度に上昇しないよう制御することができる。
また、この効果は、支持ピンの熱伝導率と、ホットプレートの熱容量を調整することによって得られるため、複雑な冷却機構を追加する必要がなく、コスト増大を抑制することができる。
また、この効果は、支持ピンの熱伝導率と、ホットプレートの熱容量を調整することによって得られるため、複雑な冷却機構を追加する必要がなく、コスト増大を抑制することができる。
また、前記支持ピンの材料、高さ寸法及び／または設置数により前記基板から前記ホットプレートへの熱移動量が調整されることが望ましい。また、前記支持ピンは、前記ホットプレート上において、前記ＵＶ光照射手段によるＵＶ光の照度が高いエリアにより多く配置されることが好ましい。
このようにすることにより、基板からホットプレートへの熱移動量を、支持ピンを介して調整することができる。
このようにすることにより、基板からホットプレートへの熱移動量を、支持ピンを介して調整することができる。
また、前記ホットプレートは、当該ホットプレートの容積の調整により、前記支持ピンを介して伝導される熱を吸収する熱容量を有することが好ましい。また、前記ホットプレートは、当該ホットプレートを形成する材料により、前記支持ピンを介して伝導される熱を吸収する熱容量を有することが好ましい。また、前記ホットプレートを冷却することにより、当該ホットプレートにおけるＵＶ光の照射による昇温を抑制することが好ましい。
このようにすることにより、ホットプレートにおいて所望の熱容量を得ることができる。
このようにすることにより、ホットプレートにおいて所望の熱容量を得ることができる。
本発明によれば、基板の被処理面に形成された処理膜にＵＶ光（紫外線）を照射し、該処理膜を硬化させる基板処理装置において、コスト増大を抑制し、安定した基板の温度制御を行なうことのできる基板処理装置を得ることができる。
以下、本発明にかかる実施の形態につき、図に基づいて説明する。図１は、本発明に係る基板処理装置が適用可能なＵＶキュアブロックを具備するＳＯＤシステムの概略構成を示す平面図、図２はその側面図である。
このＳＯＤシステム１００Ａは、ウエハＷに所定の処理を行う処理ブロック８、９と、所定枚数のウエハＷが収納されたキャリアＣ１〜Ｃ３が搬入出され、キャリアＣ１〜Ｃ３と処理ブロック８との間でウエハＷを搬送するキャリアブロック７とを備えている。
このＳＯＤシステム１００Ａは、ウエハＷに所定の処理を行う処理ブロック８、９と、所定枚数のウエハＷが収納されたキャリアＣ１〜Ｃ３が搬入出され、キャリアＣ１〜Ｃ３と処理ブロック８との間でウエハＷを搬送するキャリアブロック７とを備えている。
キャリアブロック７は、例えば３個のキャリアＣ１〜Ｃ３をＹ方向に並べて載置することができるキャリア載置部１１と、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣ１〜Ｃ３と処理ブロック８との間でウエハＷを搬送する受け渡し手段１２とを備え、受け渡し手段１２は筐体１０１内に配置されている。
キャリアＣ１〜Ｃ３はそれぞれ、例えば２５枚のウエハＷを略水平姿勢で鉛直方向（Ｚ方向）に一定間隔で収容することができる。筐体１０１のキャリア載置部１１側の壁には、シャッタ１３ａにより開閉自在なウエハ搬送口１０１ａが設けられている。
受け渡し手段１２は、キャリアＣ１〜Ｃ３からウエハＷを取り出して処理ブロック８へ受け渡し、逆に処理ブロック８からウエハＷを取り出してキャリアＣ１〜Ｃ３に収容することができるように、Ｘ方向およびＹ方向に進退自在な搬送ピック１２ａを備え、この搬送ピック１２ａはさらにＸＹ面（水平面）内で回転自在であり、Ｚ方向に昇降自在であり、ガイドレール１２ｂに沿ってＹ方向に移動自在である。
受け渡し手段１２は、キャリアＣ１〜Ｃ３からウエハＷを取り出して処理ブロック８へ受け渡し、逆に処理ブロック８からウエハＷを取り出してキャリアＣ１〜Ｃ３に収容することができるように、Ｘ方向およびＹ方向に進退自在な搬送ピック１２ａを備え、この搬送ピック１２ａはさらにＸＹ面（水平面）内で回転自在であり、Ｚ方向に昇降自在であり、ガイドレール１２ｂに沿ってＹ方向に移動自在である。
処理ブロック８は、ウエハＷに絶縁膜を形成するための所定の処理を行う処理タワーＴ１、Ｔ２と、キャリアブロック７との間でウエハＷの搬送を行うための受渡ユニット（ＴＲＳ）１６と、受渡ユニット（ＴＲＳ）１６の上段に設けられ、ウエハＷの表面に紫外線照射処理を施すＵＶ照射ユニット（ＤＶＴ）１７と、処理ブロック８内でウエハＷを搬送する基板搬送手段１５とを具備し、これらは筐体１０２内に配置されている。
筐体１０２のキャリアブロック７側の壁の受渡ユニット（ＴＲＳ）１６が配置されている部分には、シャッタ１３ｂにより開閉自在なウエハ搬送口１０２ａが形成されている。
また、筐体１０１の上部には、ファンフィルタユニット（ＦＦＵ）１４が設けられており、筐体１０１内に清浄な空気がダウンフローされるようになっている。これによりウエハＷへのパーティクルの付着が抑制される。
また、筐体１０１の上部には、ファンフィルタユニット（ＦＦＵ）１４が設けられており、筐体１０１内に清浄な空気がダウンフローされるようになっている。これによりウエハＷへのパーティクルの付着が抑制される。
処理ブロック９は、ウエハＷに絶縁膜を形成するための所定の処理を行う処理タワーＴ３と、処理タワーＴ１〜Ｔ３のいずれかで絶縁膜が形成されたウエハＷにＵＶキュア処理を施す本発明に係る基板処理装置としてのＵＶキュアブロック（ＵＶ）２０が図２に示すように２段に積層された処理タワーＴ４と、処理ブロック８を介しキャリアブロック７との間でウエハＷの搬送を行うための受渡ユニット（ＴＲＳ）２１と、受渡ユニット（ＴＲＳ）２１の上段に設けられ、ウエハＷの表面に紫外線照射処理を施すＵＶ照射ユニット（ＤＶＴ）２２と、処理ブロック９内でウエハＷを搬送する基板搬送手段２３とを具備し、これらは筐体１０３内に配置されている。
筐体１０３の処理ブロック８側の壁の受渡ユニット（ＴＲＳ）２１が配置されている部分には、ウエハ搬送口１０３ａが形成されている。
また、筐体１０３の上部には、図示しないファンフィルタユニット（ＦＦＵ）が設けられており、筐体１０３内に清浄な空気がダウンフローされるようになっている。
また、処理タワーＴ１〜Ｔ３は夫々、ＳＯＤ法でウエハＷに絶縁膜を形成するための一連の処理を行う複数の処理ユニットが上下方向に多段に積層して配列された構成を有している。
また、筐体１０３の上部には、図示しないファンフィルタユニット（ＦＦＵ）が設けられており、筐体１０３内に清浄な空気がダウンフローされるようになっている。
また、処理タワーＴ１〜Ｔ３は夫々、ＳＯＤ法でウエハＷに絶縁膜を形成するための一連の処理を行う複数の処理ユニットが上下方向に多段に積層して配列された構成を有している。
ここで、処理タワーＴ１〜Ｔ３で行われる一連の処理とは、薬液およびその排液を取り扱い、またウエハＷに形成された塗布膜から蒸発または揮発する成分を有する排ガスを取り扱う処理であると定める。つまり、処理タワーＴ１〜Ｔ３は、絶縁膜の形成材料を含む薬液の塗布前にウエハを所定温度に温調する温調ユニット（ＣＰＬ）３０と、ウエハ表面に薬液を塗布して塗布膜を形成する処理を行う塗布ユニット（ＳＣＴ）３１と、ウエハ表面に形成された塗布膜に含まれる溶剤を熱により蒸発させて塗布膜を乾燥させる低温加熱ユニット（ＬＨＰ）３２と、ウエハＷを加熱して塗布膜の化学反応を進行させる処理を行うベークユニット（ＤＬＢ）３３とを備え、さらに必ずしも必要ではないが、絶縁膜の膜厚を測定する膜厚測定ユニット３４を備えている。
ＳＯＤシステム１００Ａでは、このように処理タワーＴ１〜Ｔ３に一連の処理を行う複数の処理ユニットを集中配置しているために、処理ブロック８、９のフットプリントが最小限に抑えられている。これによりＳＯＤシステム１００Ａが設置されるクリーンルームや、処理ブロック８、９の上部に設けられるファンフィルタユニット（ＦＦＵ）を小型化することができ、コスト面での負担も軽くなる。
また、処理タワーＴ１〜Ｔ３は、膜厚測定ユニット３４の上側が、温調ユニット（ＣＰＬ）３０と低温加熱ユニット（ＬＨＰ）３２とベークユニット（ＤＬＢ）３３が下から上にこの順序で積層され、ウエハＷに対して所定の熱処理を施す熱処理エリアとなっており、その下側がウエハＷに塗布膜を形成する塗布ユニット（ＳＣＴ）３１からなる塗布処理エリアとなっている。
このように処理タワーＴ１〜Ｔ３は、膜厚測定ユニット３４が熱処理エリアから塗布処理エリアへの熱拡散を抑制する構造を有しているために、塗布ユニット（ＳＣＴ）３１では、温度変化による塗布膜の膜質のばらつきが抑えられ、安定した膜質の塗布膜を形成することができる。なお、ベークユニット（ＤＬＢ）３３の上側は、例えばモータや電気系統等の用力系の装置を収納するスペースや、排気管などを収納する排気エリアとして利用されている。
このように処理タワーＴ１〜Ｔ３は、膜厚測定ユニット３４が熱処理エリアから塗布処理エリアへの熱拡散を抑制する構造を有しているために、塗布ユニット（ＳＣＴ）３１では、温度変化による塗布膜の膜質のばらつきが抑えられ、安定した膜質の塗布膜を形成することができる。なお、ベークユニット（ＤＬＢ）３３の上側は、例えばモータや電気系統等の用力系の装置を収納するスペースや、排気管などを収納する排気エリアとして利用されている。
このように構成されたＳＯＤシステム１００Ａにおいては、最初に、例えば２５枚のウエハＷが収納されたキャリアＣ１〜Ｃ３が、外部から自動搬送ロボット（または作業者等）によりキャリアブロック７のキャリア載置部１１に搬入される。例えば、受け渡し手段１２はキャリアＣ１からウエハＷを取り出して処理ブロック８の受渡ユニット（ＴＲＳ）１６に搬送する。基板搬送手段１５はこのウエハＷを受渡ユニット（ＴＲＳ）１６から取り出し、例えば処理タワーＴ１に設けられた温調ユニット（ＣＰＬ）３０に搬入し、そこでウエハＷは所定温度（例えば２３℃）に調整される。温調されたウエハＷは、そこから基板搬送手段１５によって塗布ユニット（ＳＣＴ）３１に搬送され、そこでウエハＷに薬液が塗布され、塗布膜（処理膜）が形成される。
ここで、キャリアＣ１から搬出された１枚目のウエハＷは、塗布ユニット（ＳＣＴ）３１において塗布膜が形成された後に、基板搬送手段１５によって膜厚測定ユニット３４に搬送され、そこで塗布膜の膜厚測定が行われる。測定された膜厚データは膜厚測定ユニット３４のユニット制御装置（図示せず）からタワー制御装置（図示せず）に出力される。タワー制御装置（図示せず）は、この膜厚データが予め設定された規格範囲以内であれば、塗布ユニット（ＳＣＴ）３１の制御パラメータを変更することなく、引き続き、処理タワーＴ１における所定の処理を行う。
一方、膜厚データが規格範囲以外であっても補正可能範囲以内であれば、塗布ユニット（ＳＣＴ）３１における所定の処理パラメータ（例えばスピンチャックの回転数）はタワー制御装置（図示せず）によって補正され、その補正値が塗布ユニット（ＳＣＴ）３１のユニット制御装置（図示せず）に出力される。以降、塗布ユニット（ＳＣＴ）３１においては補正後の処理パラメータにしたがって塗布膜を形成する処理が行われる。これに対して、膜厚データが規格範囲以外であって補正可能範囲以外である場合には、タワー制御装置（図示せず）は、ブザー音の鳴動、警報ランプの点灯、操作画面へのアラーム表示等によりＳＯＤシステム１００Ａのオペレータに警告を発する。
塗布膜が形成されたウエハＷは、基板搬送手段１５により低温加熱ユニット（ＬＨＰ）３２に搬送され、ここで約１００℃〜１３０℃に加熱されることにより、塗布膜の乾燥が行われる。次いで、ウエハＷは基板搬送手段１５によりベークユニット（ＤＬＢ）３３に搬送されて、そこで、例えば約２００℃〜３００℃で、所定のベーク処理が行われ、絶縁膜が形成される。例えばベーク処理温度は、商品名「ＬＫＤ」という薬液の場合は２００℃であり、商品名「シルク」という薬液の場合は約３００℃であり、商品名「ＡｌＣａｐ」という薬液の場合は約２４０℃であり、商品名「ＤＵＯ」という薬液の場合は約２００℃である。
ここで、キャリアＣ１から搬出された１枚目のウエハＷは、ベークユニット（ＤＬＢ）３３にてベーク処理が行われた後、基板搬送手段１５によって膜厚測定ユニット３４に搬送され、ここでベーク処理によって形成された絶縁膜の膜厚が測定される。測定された膜厚データはタワー制御装置（図示せず）に送られ、タワー制御装置（図示せず）は、この膜厚データが予め設定された規格範囲以内であれば、２枚目以降のウエハＷについて、引き続き、処理タワーＴ１における処理を行う。一方、この膜厚データが規格範囲以外であって補正可能範囲以内であれば、例えばベークユニット（ＤＬＢ）３３における加熱温度や加熱時間、Ｎ2の濃度等の処理パラメータが補正され、２枚目以降のウエハＷについては、この補正後の処理パラメータにしたがってベークユニット（ＤＬＢ）３３における処理が行われる。これに対して、この膜厚データが規格範囲以外であって補正可能範囲以外であれば、所定のアラームが表示されて処理タワーＴ１における処理が停止される。
ベーク処理が行われたウエハＷは、逐次、基板搬送手段１５によって処理ブロック９の受渡ユニット（ＴＲＳ）２１に引き渡され、さらに基板搬送手段２３によって、処理タワーＴ４に２段に積層されたＵＶキュアブロック（ＵＶ）２０のいずれかに搬送され、そこで所定のキュア処理が施される。尚、このＵＶキュアブロック（ＵＶ）２０の構成については、本発明の特徴に係るため詳細に後述する。
ＵＶキュアブロック（ＵＶ）２０でのキュア処理が終了すると、ウエハＷは基板搬送手段２３により受渡ユニット（ＴＲＳ）２１に搬送され、さらに処理ブロック８の基板搬送手段１５により受渡ユニット（ＴＲＳ）１６に搬送され、受け渡し手段１２によってキャリアＣ１内に戻される。
ＵＶキュアブロック（ＵＶ）２０でのキュア処理が終了すると、ウエハＷは基板搬送手段２３により受渡ユニット（ＴＲＳ）２１に搬送され、さらに処理ブロック８の基板搬送手段１５により受渡ユニット（ＴＲＳ）１６に搬送され、受け渡し手段１２によってキャリアＣ１内に戻される。
続いて、本発明に係る基板処理装置としてのＵＶキュアブロック（ＵＶ）２０について図３に基づき説明する。図３は、ＵＶキュアブロック（ＵＶ）２０の概略構成を示す断面図である。
図３に示すように、このＵＶキュアブロック（ＵＶ）２０は、被処理基板である半導体ウエハＷを収容するチャンバ５３等からなるキュア処理ユニット５１と、キュア処理ユニット５１内に載置されたウエハＷに対しＵＶ光（紫外線）照射を行なうＵＶ照射ユニット５２とで構成される。
図３に示すように、このＵＶキュアブロック（ＵＶ）２０は、被処理基板である半導体ウエハＷを収容するチャンバ５３等からなるキュア処理ユニット５１と、キュア処理ユニット５１内に載置されたウエハＷに対しＵＶ光（紫外線）照射を行なうＵＶ照射ユニット５２とで構成される。
キュア処理ユニット５１は、前記チャンバ５３と、このチャンバ５３の天井部に設けられチャンバ上方からのＵＶ光をチャンバ内部へ透過させる受光窓５４とを備える。この受光窓５４は、例えば石英ガラスにより形成されている。
また、チャンバ内において、ウエハＷを支持するための基礎部となるベースプレート５５と、ベースプレート５５の上方に複数の支柱５６を介して設けられ、ウエハＷを加熱するホットプレート５７と、ホットプレート５７に設けられ、ウエハＷを支持する複数のプロキシミティピン５８（支持ピン）とを備えている。
また、チャンバ内において、ウエハＷを支持するための基礎部となるベースプレート５５と、ベースプレート５５の上方に複数の支柱５６を介して設けられ、ウエハＷを加熱するホットプレート５７と、ホットプレート５７に設けられ、ウエハＷを支持する複数のプロキシミティピン５８（支持ピン）とを備えている。
前記ホットプレート５７に設けられるプロキシミティピン５８は、ウエハＷの熱をホットプレート５７に効率的に伝導し、ウエハＷの過度の加熱を抑制するよう機能する。そのように機能させるために、ホットプレート５７上に設けられた複数のプロキシミティピン５８による熱伝導率は少なくとも所定値（例えば１００Ｗ／（ｍ・ｋ））以上と、高い状態になされている。
前記熱伝導率を実現するために、プロキシミティピン５８を形成する材料は、硬度、耐熱性等に優れ、高い熱伝導率を有する材質が好ましく、例えば炭化ケイ素（ＳｉＣ）が挙げられる。
前記熱伝導率を実現するために、プロキシミティピン５８を形成する材料は、硬度、耐熱性等に優れ、高い熱伝導率を有する材質が好ましく、例えば炭化ケイ素（ＳｉＣ）が挙げられる。
さらに、ウエハＷからホットプレート５７への熱移動量を多くするために、プロキシミティピン５８の材質だけでなく、プロキシミティピン５８の配置数を多数とし調整することが望ましい。
例えば図４の平面図に示すように、ホットプレート５７の上面において、例えば、ウエハ中心からの半径が４０ｍｍの円周上に３つのピン５８が均等配置され、ウエハ中心からの半径が１６０ｍｍの円周上に４つのピン５８が配置され、ウエハ中心からの半径が２８５ｍｍの円周上に８個のピン５８が配置される。
このように多数のプロキシミティピン５８を配置する場合、ホットプレート５７上において、ＵＶ光の照度が高いエリアにより多くのピン配置を行い、これらのピン５８上にウエハＷを支持することによって、ウエハＷの熱をピン５８からホットプレート５７に効率的に逃がし、ウエハＷの過度の加熱を抑制することができる。
尚、さらにプロキシミティピン５８の高さ寸法を調整することによって、ウエハＷからホットプレート５７への熱移動量を調整するようにしてもよい。
例えば図４の平面図に示すように、ホットプレート５７の上面において、例えば、ウエハ中心からの半径が４０ｍｍの円周上に３つのピン５８が均等配置され、ウエハ中心からの半径が１６０ｍｍの円周上に４つのピン５８が配置され、ウエハ中心からの半径が２８５ｍｍの円周上に８個のピン５８が配置される。
このように多数のプロキシミティピン５８を配置する場合、ホットプレート５７上において、ＵＶ光の照度が高いエリアにより多くのピン配置を行い、これらのピン５８上にウエハＷを支持することによって、ウエハＷの熱をピン５８からホットプレート５７に効率的に逃がし、ウエハＷの過度の加熱を抑制することができる。
尚、さらにプロキシミティピン５８の高さ寸法を調整することによって、ウエハＷからホットプレート５７への熱移動量を調整するようにしてもよい。
また、前記ホットプレート５７は、その内部にヒータ６２が埋設されている。このヒータ６２にはヒータ駆動部６３により電流が供給され、抵抗加熱によりヒータ全体が発熱し、ホットプレート５７を所定の温度に維持するよう構成されている。
このホットプレート５７は、ウエハＷを支持するプロキシミティピン５８から伝導されるウエハＷからの熱を吸収可能な所定の熱容量（例えば１３００Ｊ／Ｋ）を有する。
この必要とされる熱容量を有するために、その形成材料としては、例えば炭化ケイ素（ＳｉＣ）或いは窒化アルミニウム等が好ましく、さらに、熱容量を増加させるために、その容積を形成時に調整することが望ましい。
このホットプレート５７は、ウエハＷを支持するプロキシミティピン５８から伝導されるウエハＷからの熱を吸収可能な所定の熱容量（例えば１３００Ｊ／Ｋ）を有する。
この必要とされる熱容量を有するために、その形成材料としては、例えば炭化ケイ素（ＳｉＣ）或いは窒化アルミニウム等が好ましく、さらに、熱容量を増加させるために、その容積を形成時に調整することが望ましい。
また、ホットプレート５７の熱容量を向上させるために、前記ベースプレート５５は、冷却手段として機能する。即ち、前記ベースプレート５５の内部には、冷却水の流水路５５ａが形成されている。そして、流水路５５ａには冷却水供給装置６１によりキュア処理中において冷却水が供給され、ベースプレート５５全体が所定の温度に冷却されるよう構成されている。
また、ベースプレート５５とホットプレート５７とを繋ぐ支柱５６は、放熱効果を向上するために露出する表面積が広く形成され、その材質は例えばアルミニウムとなされている。
また、ベースプレート５５とホットプレート５７とを繋ぐ支柱５６は、放熱効果を向上するために露出する表面積が広く形成され、その材質は例えばアルミニウムとなされている。
また、キュア処理ユニット５１は、前記ベースプレート５５及びホットプレート５７を貫通して昇降動作することにより、ウエハＷの搬入出の際にウエハＷを下方から支持し昇降させる昇降ピン５９と、昇降ピン５９を昇降させる駆動部である昇降機構６０とを備えている。
一方、キュア処理ユニット５１の上方に配置されるＵＶ照射ユニット５２（ＵＶ光照射手段）は、ＵＶ光（紫外線）を照射するためのＵＶランプ７１と、このＵＶランプ７１に電圧を印加する電源部７２とを備えている。
ＵＶランプ７１は筐体７３に収容されており、この筐体７３の底部にはＵＶランプ７１から放出されるＵＶ光をキュア処理ユニット５１へ透過させて照射するために、照射窓７４が設けられている。この照射窓７４は、例えば石英ガラスにより形成されている。このようにＵＶランプ７１から放出されるＵＶ光が、照射窓７４を介してキュア処理ユニット５１に向けて放射され、さらにキュア処理ユニット５１では、前記したように受光窓５４を透過したＵＶ光がウエハＷに照射される。これにより、処理速度向上のためにＵＶ光の照度が高くなされても、ＵＶランプ７１の発熱に起因する過度の加熱を抑制することができる。
ＵＶランプ７１は筐体７３に収容されており、この筐体７３の底部にはＵＶランプ７１から放出されるＵＶ光をキュア処理ユニット５１へ透過させて照射するために、照射窓７４が設けられている。この照射窓７４は、例えば石英ガラスにより形成されている。このようにＵＶランプ７１から放出されるＵＶ光が、照射窓７４を介してキュア処理ユニット５１に向けて放射され、さらにキュア処理ユニット５１では、前記したように受光窓５４を透過したＵＶ光がウエハＷに照射される。これにより、処理速度向上のためにＵＶ光の照度が高くなされても、ＵＶランプ７１の発熱に起因する過度の加熱を抑制することができる。
このように構成されたＵＶキュアブロック（ＵＶ）２０においては、先ず、ヒータ駆動部６３の電流供給によりヒータ６２が発熱し、ホットプレート５７が所定温度（例えば３００℃）に加熱される（図５のステップＳ１）。
次いで、昇降機構６０により昇降ピン５９がホットプレート５７の上方に突出するよう上昇移動し、図示しない搬入出口からウエハＷが搬入され、昇降ピン５９上にウエハＷが載置される。そして、昇降機構６０により昇降ピン５９が下降移動を開始し、昇降ピン５９の先端位置がプロキシミティピン５８よりも下方に移動することによって、ウエハＷはプロキシミティピン５８により支持される（図５のステップＳ２）。
この状態でウエハＷはホットプレート５７により加熱され、ウエハ温度が所定温度に安定するまでウエハＷは保持される（図５のステップＳ３）。
次いで、昇降機構６０により昇降ピン５９がホットプレート５７の上方に突出するよう上昇移動し、図示しない搬入出口からウエハＷが搬入され、昇降ピン５９上にウエハＷが載置される。そして、昇降機構６０により昇降ピン５９が下降移動を開始し、昇降ピン５９の先端位置がプロキシミティピン５８よりも下方に移動することによって、ウエハＷはプロキシミティピン５８により支持される（図５のステップＳ２）。
この状態でウエハＷはホットプレート５７により加熱され、ウエハ温度が所定温度に安定するまでウエハＷは保持される（図５のステップＳ３）。
ウエハ温度が所定温度に安定すると、電源部７２からＵＶランプ７１に電圧が印加され、ＵＶランプ７１はＵＶ光（紫外線）を放射する。これによりキュア処理ユニット５１の受光窓５４からウエハＷの表面（被処理面）にＵＶ光が照射され、この状態が所定時間維持される（図５のステップＳ４）。
また、このＵＶ光照射により、ウエハＷの温度がさらに上昇しようとするが、ウエハＷの熱は、多数配置されたプロキシミティピン５８に伝導し、ウエハＷは所定温度に維持される。また、プロキシミティピン５８に伝導した熱は、ホットプレート５７に吸収される。
そして、所定時間のＵＶ照射の後、照射停止され、これによりキュア処理が終了し、ウエハＷはチャンバ５３外に搬出される（図５のステップＳ５）。
また、このＵＶ光照射により、ウエハＷの温度がさらに上昇しようとするが、ウエハＷの熱は、多数配置されたプロキシミティピン５８に伝導し、ウエハＷは所定温度に維持される。また、プロキシミティピン５８に伝導した熱は、ホットプレート５７に吸収される。
そして、所定時間のＵＶ照射の後、照射停止され、これによりキュア処理が終了し、ウエハＷはチャンバ５３外に搬出される（図５のステップＳ５）。
以上のように、本発明に係る基板処理方法の実施の形態によれば、前記ウエハＷの熱を効率的にホットプレート５７に伝導するよう、半導体ウエハＷを支持するプロキシミティピン５８の熱伝導率が少なくとも所定値（例えば１００Ｗ／（ｍ・ｋ））以上の高い状態で設けられる。さらに、ホットプレート５７は、その熱容量がプロキシミティピン５８を介して伝導される熱を吸収する所定の熱容量を有するように構成される。
このように構成することによって、ＵＶ光の照射により必要以上にウエハ温度が上昇しようとしても、ウエハＷの熱を、プロキシミティピン５８を介してホットプレート５７に効率的に伝導させることができ、ウエハ温度が過度に上昇しないよう制御することができる。
また、この効果は、プロキシミティピン５８の熱伝導率と、ホットプレート５７の熱容量を調整することによって得られるため、複雑な冷却機構を追加する必要がなく、コスト増大を抑制することができる。
このように構成することによって、ＵＶ光の照射により必要以上にウエハ温度が上昇しようとしても、ウエハＷの熱を、プロキシミティピン５８を介してホットプレート５７に効率的に伝導させることができ、ウエハ温度が過度に上昇しないよう制御することができる。
また、この効果は、プロキシミティピン５８の熱伝導率と、ホットプレート５７の熱容量を調整することによって得られるため、複雑な冷却機構を追加する必要がなく、コスト増大を抑制することができる。
尚、前記実施の形態においては、本発明に係る基板処理装置としてのＵＶキュアブロック（ＵＶ）２０を図１、図２に示すＳＯＤシステム１００Ａのレイアウトに配置する構成としたが、それに限定されるものではない。
例えば、図６の平面図、図７の側面図に示すＳＯＤシステム１００Ｂのレイアウト中に前記実施の形態において説明したＵＶキュアブロック（ＵＶ）２０を配置してもよい。
その場合、例えば、図６、図７に示すように、ＳＯＤシステム１００Ｂは、ウエハカセットＣＲに対するウエハＷの搬入・搬出等を行なうカセットブロック８０と、ＳＯＤ塗布工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多数配置してなる第１の処理ブロック８１と、同じくウエハＷに対し所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多数配置してなる第２の処理ブロック８２とを一体に接続した構成を有している。
その場合、例えば、図６、図７に示すように、ＳＯＤシステム１００Ｂは、ウエハカセットＣＲに対するウエハＷの搬入・搬出等を行なうカセットブロック８０と、ＳＯＤ塗布工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多数配置してなる第１の処理ブロック８１と、同じくウエハＷに対し所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多数配置してなる第２の処理ブロック８２とを一体に接続した構成を有している。
カセットブロック８０においては、ウエハ搬送体８３によりウエハカセットＣＲと第１の処理ブロックとの間でウエハＷの受け渡しが行なわれる。
第１の処理ブロック８１においては、中心部に垂直搬送型の主搬送体８４が設けられ、その周りに全ての処理ユニットが多段に配置されている。この例では、５組Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５の多段配置構成である。このうち、ユニット群Ｇ１、Ｇ２には例えばＳＯＤ塗布処理ユニット（ＳＣＴ）等が配置される。また、ユニット群Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５には、例えば加熱処理或いは冷却処理を行う熱処理ユニット等が配置される。
第１の処理ブロック８１においては、中心部に垂直搬送型の主搬送体８４が設けられ、その周りに全ての処理ユニットが多段に配置されている。この例では、５組Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５の多段配置構成である。このうち、ユニット群Ｇ１、Ｇ２には例えばＳＯＤ塗布処理ユニット（ＳＣＴ）等が配置される。また、ユニット群Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５には、例えば加熱処理或いは冷却処理を行う熱処理ユニット等が配置される。
また、第２の処理ブロック８２においては、主搬送体８５の両側に、処理ユニットが多段に配置される。この例では、２組Ｇ６、Ｇ７の多段配置構成である。
図７の側面図に示すように、この例ではユニット群Ｇ６に本発明に係る基板処理装置としてのＵＶキュアブロック（ＵＶ）２０を多段配置（図では２段）することができる。或いは、ユニット群Ｇ７にＵＶキュアブロック（ＵＶ）２０を多段配置してもよい。
図７の側面図に示すように、この例ではユニット群Ｇ６に本発明に係る基板処理装置としてのＵＶキュアブロック（ＵＶ）２０を多段配置（図では２段）することができる。或いは、ユニット群Ｇ７にＵＶキュアブロック（ＵＶ）２０を多段配置してもよい。
本発明は、半導体ウエハ等の基板に形成された処理膜にキュア処理を施し硬化させる基板処理装置に適用でき、半導体製造業界、電子デバイス製造業界等において好適に用いることができる。
２０ ＵＶキュアブロック
５１ キュア処理ユニット（基板処理装置）
５２ ＵＶ照射ユニット（ＵＶ光照射手段）
５３ チャンバ
５４ 受光窓
５５ ベースプレート（冷却手段）
５６ 支柱
５７ ホットプレート
５８ プロキシミティピン（支持ピン）
６１ 冷却水供給装置
６２ ヒータ
６３ ヒータ駆動部
７１ ＵＶランプ
７２ 電源部
７３ 筐体
７４ 照射窓
Ｗ 半導体ウエハ（基板）
５１ キュア処理ユニット（基板処理装置）
５２ ＵＶ照射ユニット（ＵＶ光照射手段）
５３ チャンバ
５４ 受光窓
５５ ベースプレート（冷却手段）
５６ 支柱
５７ ホットプレート
５８ プロキシミティピン（支持ピン）
６１ 冷却水供給装置
６２ ヒータ
６３ ヒータ駆動部
７１ ＵＶランプ
７２ 電源部
７３ 筐体
７４ 照射窓
Ｗ 半導体ウエハ（基板）
Claims (6)
- 基板の被処理面に形成された処理膜にＵＶ光（紫外線）を照射し、該処理膜を硬化させる基板処理装置において、
前記基板を所定温度に加熱するホットプレートと、前記ホットプレート上に設けられ、前記基板を支持する支持ピンと、前記支持ピンに支持された前記基板の被処理面に対しＵＶ光を照射するＵＶ光照射手段とを備え、
前記支持ピンは、少なくとも所定の熱伝導率を有することにより、前記基板の熱を前記ホットプレートに伝導し、
前記ホットプレートは、前記支持ピンを介して伝導される熱を吸収する所定の熱容量を有することを特徴とする基板処理装置。 - 前記支持ピンの材料、高さ寸法及び／または設置数により前記基板から前記ホットプレートへの熱移動量が調整されることを特徴とする請求項１に記載された基板処理装置。
- 前記支持ピンは、前記ホットプレート上において、前記ＵＶ光照射手段によるＵＶ光の照度が高いエリアにより多く配置されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載された基板処理装置。
- 前記ホットプレートは、当該ホットプレートの容積の調整により、前記支持ピンを介して伝導される熱を吸収する熱容量を有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載されている基板処理装置。
- 前記ホットプレートは、当該ホットプレートを形成する材料により、前記支持ピンを介して伝導される熱を吸収する熱容量を有することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載されている基板処理装置。
- 前記ホットプレートを冷却することにより当該ホットプレートの熱容量を向上させる冷却手段を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載された基板処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007171354A JP4438008B2 (ja) | 2007-06-29 | 2007-06-29 | 基板処理装置 |
| US12/155,474 US7867926B2 (en) | 2007-06-29 | 2008-06-04 | Substrate processing apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007171354A JP4438008B2 (ja) | 2007-06-29 | 2007-06-29 | 基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009010239A true JP2009010239A (ja) | 2009-01-15 |
| JP4438008B2 JP4438008B2 (ja) | 2010-03-24 |
Family
ID=40325019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007171354A Expired - Fee Related JP4438008B2 (ja) | 2007-06-29 | 2007-06-29 | 基板処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7867926B2 (ja) |
| JP (1) | JP4438008B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011187537A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Lintec Corp | シート貼付装置およびシート貼付方法 |
| JP2014033148A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Ulvac Japan Ltd | 光照射装置 |
| CN110211902A (zh) * | 2019-06-19 | 2019-09-06 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 承载装置及工艺腔室 |
Families Citing this family (99)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
| US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
| US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
| US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
| US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
| US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
| US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
| US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
| US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
| US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
| US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
| US9541836B2 (en) * | 2014-02-10 | 2017-01-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and apparatus for baking photoresist patterns |
| US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
| US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
| US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
| US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
| US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
| US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
| US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
| US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
| US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
| US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
| US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
| US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
| US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
| US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
| US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
| US10711348B2 (en) * | 2015-03-07 | 2020-07-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus to improve substrate temperature uniformity |
| US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| TWI703671B (zh) * | 2015-08-06 | 2020-09-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 螺接式晶圓夾具熱管理系統及用於晶圓處理系統的方法 |
| US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
| JP6518548B2 (ja) * | 2015-08-10 | 2019-05-22 | 東京応化工業株式会社 | 紫外線照射装置、レジストパターン形成装置、紫外線照射方法及びレジストパターン形成方法 |
| US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
| US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
| US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
| US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
| US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
| US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
| US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
| US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
| US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
| US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
| US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
| US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
| US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
| US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
| CN106607320B (zh) * | 2016-12-22 | 2019-10-01 | 武汉华星光电技术有限公司 | 适用于柔性基板的热真空干燥装置 |
| US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
| US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
| US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
| US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
| US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
| US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
| US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
| US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
| US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
| US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
| US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
| US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
| US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
| US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
| US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
| US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
| US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
| US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
| US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
| US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
| US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
| US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
| US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
| US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
| US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
| US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
| US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
| TWI716818B (zh) | 2018-02-28 | 2021-01-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
| US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
| JP7116558B2 (ja) * | 2018-03-02 | 2022-08-10 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置及び基板処理システム |
| US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
| US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
| US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
| US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
| US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
| US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
| US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
| US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
| US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
| US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
| US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
| US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
| US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
| US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
| US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
| US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
| US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
| US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
| US20210035851A1 (en) * | 2019-07-30 | 2021-02-04 | Applied Materials, Inc. | Low contact area substrate support for etching chamber |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6226037A (ja) | 1985-07-27 | 1987-02-04 | 株式会社日立ホームテック | 電気湯沸器 |
| JPH0766162A (ja) | 1993-08-31 | 1995-03-10 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 紫外線照射式改質装置 |
| KR0165484B1 (ko) | 1995-11-28 | 1999-02-01 | 김광호 | 탄탈륨산화막 증착 형성방법 및 그 장치 |
| JP4048189B2 (ja) | 1999-09-14 | 2008-02-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| JP4435542B2 (ja) | 2002-11-18 | 2010-03-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 絶縁膜形成装置 |
| JP4016823B2 (ja) * | 2002-12-06 | 2007-12-05 | 信越半導体株式会社 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
-
2007
- 2007-06-29 JP JP2007171354A patent/JP4438008B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-06-04 US US12/155,474 patent/US7867926B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011187537A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Lintec Corp | シート貼付装置およびシート貼付方法 |
| JP2014033148A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Ulvac Japan Ltd | 光照射装置 |
| CN110211902A (zh) * | 2019-06-19 | 2019-09-06 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 承载装置及工艺腔室 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4438008B2 (ja) | 2010-03-24 |
| US20090156019A1 (en) | 2009-06-18 |
| US7867926B2 (en) | 2011-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4438008B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| KR101959108B1 (ko) | 성막 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 성막 시스템 | |
| KR102503838B1 (ko) | 기판 가열 장치 | |
| KR200482870Y1 (ko) | 열처리 장치 | |
| JP2007054798A (ja) | 基板の処理方法及び基板の処理装置 | |
| JP5673523B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体 | |
| JP5186224B2 (ja) | 基板処置装置 | |
| JP4342974B2 (ja) | 硬化処理装置及びその方法、並びに塗布膜形成装置 | |
| JP2002093687A (ja) | 基板の熱処理方法及び基板の熱処理装置 | |
| KR20190012965A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
| JP2010272765A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2009076869A (ja) | 基板の処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
| KR102324405B1 (ko) | 기판처리장치 및 방법 | |
| CN1279589C (zh) | 基板的处理方法和基板的处理装置 | |
| JP2012174820A (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
| JP3726071B2 (ja) | 熱処理方法 | |
| JP5415881B2 (ja) | 疎水化処理装置、疎水化処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
| JP6211886B2 (ja) | 加熱処理方法及び加熱処理装置 | |
| JP2010129808A (ja) | 基板処理システムおよび基板処理方法 | |
| JP4048192B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3447974B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2009176862A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2002151487A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3808710B2 (ja) | 基板の処理装置 | |
| JP2004014753A (ja) | 熱処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090626 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091015 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091022 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091203 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091225 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091225 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130115 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4438008 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130115 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |