JP2002151487A

JP2002151487A - 基板処理装置

Info

Publication number: JP2002151487A
Application number: JP2000346634A
Authority: JP
Inventors: Akira Yonemizu; 昭米水
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2000-11-14
Filing date: 2000-11-14
Publication date: 2002-05-24

Abstract

(57)【要約】【課題】基板の熱的処理の際に基板の温度を正確に推
定でき、基板に対して熱的な処理を精密に行うことがで
きる基板処理装置の提供。【解決手段】加熱処理ユニット（ＨＰ）における処理
室５１内には、ウエハＷを例えば２００〜８００℃の温
度で加熱処理するためのプレート５２が配置されてい
る。このプレート５２は、ウエハＷと同一の材料から構
成されている。例えば、ウエハＷがシリコンからなる場
合にはプレート５２もシリコンからなるようにされてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばシリコンウ
エハの加熱処理に使われる基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】シリコンウエハを使って半導体素子を製
造する工程では、様々な加熱熱処理が行われる。例え
ば、ウエハ上に層間絶縁膜を形成する工程の一つである
ゾル−ゲル方法では、ウエハ上に絶縁膜材料、例えばＴ
ＥＯＳ（テトラエトキシシラン）のコロイドを有機溶媒
に分散させた溶液を供給し、溶液が供給されたウエハを
ゲル化処理し、次いで溶媒の置換を行った後、溶媒の置
換されたウエハを加熱処理している。また、露光現像工
程においては、レジスト塗布後や現像前にウエハを加熱
処理している。

【０００３】これらの加熱処理工程においては、正確な
温度でかつウエハ面内での温度ばらつきを抑えた精密な
温度管理が要求される。例えば、層間絶縁膜を形成する
工程においては、加熱処理の際の温度管理が悪いと所望
とする誘電率や膜の硬度が得られず、また露光現像工程
においては、加熱処理の際の温度管理が悪いとウエハ上
に形成される配線の線幅が所望のものにならない、とい
う問題がある。

【０００４】従来の加熱処理工程においては、例えばＳ
ＵＳ製のプレート内にヒータ及び温度検出素子を埋め込
み、温度検出素子により検出されたプレート内の温度に
基づきウエハの加熱処理温度を推定し、それに応じてヒ
ータに供給される電力を制御することが行われていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
加熱処理工程における温度制御では、プレート自体の熱
履歴の問題に加えてプレートとウエハとの間での発生す
る熱反射の問題等を有することからウエハの加熱処理温
度を推定するためのパラメータが多く、現実問題として
かかる推定を経験値に頼らざるを得ない、という問題が
ある。

【０００６】特に、最近ではウエハの大径化が進む傾向
にあるため、ウエハ面内での温度ばらつきが問題となる
ことが多く、より正確にウエハの加熱処理温度を推定す
ることが要求されている。また、加熱処理の温度として
も一定ではなく正確な温度で適応的に変動していくこと
も要求されることもあることから上記の温度推定は非常
に重要になってきている。

【０００７】本発明は、かかる事情に基づきなされたも
ので、基板の熱的処理の際に基板の温度を正確に推定で
き、基板に対して熱的な処理を精密に行うことができる
基板処理装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】かかる課題を解決する
ため、本発明の基板処理装置は、基板と同じ材料からな
り、基板に対して熱的な処理を施すためのプレートと、
前記プレートを温調するための第１の温調手段とを具備
することを特徴とする。

【０００９】本発明では、基板とプレートが同じ材料か
らなるため、基板とプレートとの間のさまざまな熱的影
響、例えば反射率、輻射率、放射率、熱電率等の影響を
極力抑えることができる。従って、本発明によれば、基
板の熱的処理の際に基板の温度を正確に推定でき、基板
に対して熱的な処理を精密に行うことができる。

【００１０】本発明の更なる特徴と利点は、添付した図
面及び発明の実施の形態の説明を参酌することによりよ
り一層明らかになる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。

【００１２】図１〜図３は本発明の一実施形態に係るＳ
ＯＤシステムの全体構成を示す図であって、図１は平面
図、図２は正面図および図３は背面図である。

【００１３】このＳＯＤシステム１は、基板としての半
導体ウエハ（以下、ウエハと呼ぶ。）Ｗをウエハカセッ
トＣＲで複数枚たとえば２５枚単位で外部からシステム
に搬入しまたはシステムから搬出したり、ウエハカセッ
トＣＲに対してウエハＷを搬入・搬出したりするための
カセットブロック１０と、ＳＯＤ塗布工程の中で１枚ず
つウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニッ
トを所定位置に多段配置してなる第１の処理ブロック１
１と、同じくウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種
処理ユニットであって、第１の処理ブロック１１の加熱
系の処理ユニットにおける処理温度よりも高い温度によ
る処理ユニットを所定位置に多段配置してなる第２の処
理ブロック１２とを一体に接続した構成を有している。

【００１４】カセットブロック１０では、図１に示すよ
うに、カセット載置台２０上の突起２０ａの位置に複数
個たとえば４個までのウエハカセットＣＲがそれぞれの
ウエハ出入口を第１の処理ブロック１１側に向けてＸ方
向一列に載置され、カセット配列方向（Ｘ方向）および
ウエハカセットＣＲ内に収納されたウエハのウエハ配列
方向（Ｚ垂直方向）に移動可能なウエハ搬送体２１が各
ウエハカセットＣＲに選択的にアクセスするようになっ
ている。さらに、このウエハ搬送体２１は、θ方向に回
転可能に構成されており、後述するように第１の処理ブ
ロック１１側の第４の組Ｇ４の多段ユニット部に属する
受け渡し・冷却プレート（ＴＣＰ）にもアクセスできる
ようになっている。

【００１５】第１の処理ブロック１１では、図１に示す
ように、中心部に垂直搬送型の第１の主搬送体２２が設
けられ、その周りに全ての処理ユニットが１組または複
数の組に亙って多段に配置されている。この例では、５
組Ｇ１,Ｇ２,Ｇ３,Ｇ４,Ｇ５の多段配置構成であり、第
１および第２の組Ｇ1,Ｇ2 の多段ユニットはシステム正
面（図１において手前）側に並置され、第４の組Ｇ４の
多段ユニットはカセットブロック１０に隣接して配置さ
れ、第３の組Ｇ３の多段ユニットは第２の処理ブロック
１２に隣接して配置されている。

【００１６】図２に示すように、第１の組Ｇ1、また第
２の組G２では、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャ
ックに載せて絶縁膜材料を供給し、ウエハを回転させる
ことによりウエハ上に均一な絶縁膜を塗布するＳＯＤ塗
布処理ユニット（ＳＣＴ）と、カップＣＰ内でウエハＷ
をスピンチャックに載せてＨＭＤＳ及びヘプタン等のエ
クスチェンジ用薬液を供給し、ウエハ上に塗布された絶
縁膜中の溶媒を乾燥工程前に他の溶媒に置き換える処理
を行うソルベントエクスチェンジ処理ユニット（ＤＳ
Ｅ）とが下から順に２段に重ねられている。

【００１７】第２の組Ｇ2 では、ＳＯＤ塗布処理ユニッ
ト（ＳＣＴ）が上段に配置されている。なお、必要に応
じて第２の組Ｇ2 の下段にＳＯＤ塗布処理ユニット（Ｓ
ＣＴ）やソルベントエクスチェンジ処理ユニット（ＤＳ
Ｅ）等を配置することも可能である。

【００１８】図３に示すように、第３の組Ｇ3 では、受
け渡し・冷却プレート（ＴＣＰ）と、２つの冷却処理ユ
ニット（ＣＰＬ）と、トランジションユニット（ＴＲ
Ｓ）と、エージング処理ユニット（ＤＡＣ）と、２つの
低温加熱処理ユニット（ＬＨＰ）とが下から順に多段に
配置されている。

【００１９】第４の組Ｇ４では、受け渡し・冷却プレ
ート（ＴＣＰ）と、３つの冷却処理ユニット（ＣＰＬ）
と、トランジションユニット（ＴＲＳ）と、エージング
処理ユニット（ＤＡＣ）と、低温加熱処理ユニット（Ｌ
ＨＰ）とが多段に配置されている。

【００２０】受け渡し・冷却プレート（ＴＣＰ）は下段
にウエハＷを冷却する冷却板、上段に受け渡し台を有す
る２段構造とされ、カセットブロック１０と第１の処理
ブロック１１との間でウエハＷの受け渡しを行う。トラ
ンジションユニット（ＴＲＳ）も同様にカセットブロッ
ク１０と第１の処理ブロック１１との間でウエハＷの受
け渡しを行う。エージング処理ユニット（ＤＡＣ）は密
閉化可能な処理室内にＮＨ_３＋Ｈ_２Ｏを導入してウエハ
Ｗをエージング処理し、ウエハＷ上の絶縁膜材料膜をウ
ェットゲル化する。冷却処理ユニット（ＣＰＬ）はウエ
ハＷが載置される冷却板を有し、ウエハＷを冷却処理す
る。

【００２１】またこのＳＯＤシステム１では、既述の如
く第１の主搬送体の背面側にも破線で示した第５の処理
ユニット群Ｇ5 の多段ユニットが配置できるようになっ
ているが、この第５の処理ユニット群Ｇ5 の多段ユニッ
トは、案内レール２５に沿って第１の主搬送体２２から
みて、側方へシフトできるように構成されている。従っ
て、この第５の処理ユニット群Ｇ5 の多段ユニットを図
示の如く設けた場合でも、前記案内レール２５に沿って
スライドすることにより、空間部が確保されるので、第
１の主搬送体２２に対して背後からメンテナンス作業が
容易に行えるようになっている。なお第５の処理ユニッ
ト群Ｇ5 の多段ユニッ卜は、そのように案内レール２５
に沿った直線状のスライドシフトに限らず、図１中の一
点鎖線の往復回動矢印で示したように、システム外方へ
と回動シフトさせるように構成しても、第１の主搬送体
２２に対するメンテナンス作業のスペース確保が容易で
ある。

【００２２】第２の処理ブロック１２では、既述のよう
に、ウエハWに高温で加熱処理を行うユニットが属する
第６の組Ｇ６がシステム正面側に配置され、同様にウエ
ハWに高温で加熱処理を行うユニットが属する第７の組
Ｇ７がシステ背面側に配置されている。第６の組Ｇ６と
第７の組Ｇ７との間には、第４の組Ｇ４、第６の組Ｇ６
及び第７の組Ｇ７にアクセスしてウエハＷの搬送を行う
第２の主搬送体２３が配設されており、この第２の主搬
送体２３は第１の主搬送体２２と同様の垂直搬送型によ
り構成されている。

【００２３】なお、このＳＯＤシステム１は例えばクリ
ーンルーム内に配置され、例えば第１の主搬送機構２２
上は大気圧に設定されたクリーンルームよりも高い気圧
の雰囲気に設定されており、これにより第１の主搬送体
２２上より発生したパーティクルをＳＯＤシステム１外
に排出し、その一方でクリーンルーム内のパーティクル
がＳＯＤシステム１内に進入するのを防止している。

【００２４】図２及び図３に示すように、第６の組Ｇ６
では、本発明に係る基板処理装置である加熱処理ユニッ
ト（ＨＰ）が２段、マイクロ波や電子線を照射して膜を
加熱・改質させるためのマイクロ波処理ユニット（Ｍ
Ｗ）、電子線処理ユニット（ＥＢ）がそれぞれ１段、下
から順に設けられている。一方の第７の組Ｇ７では、本
発明に係る基板処理装置である加熱処理ユニット（Ｈ
Ｐ）が３段、紫外線を照射して膜を加熱・改質させるた
めの紫外線処理ユニット（ＵＶ）が１段、下から順に設
けられている。

【００２５】図４は本発明に係る基板処理装置である加
熱処理ユニット（ＨＰ）の正面からみた断面図、図５は
その一部平面図である。

【００２６】加熱処理ユニット（ＨＰ）における処理室
５１内には、ウエハＷを例えば２００〜８００℃の温度
で加熱処理するためのプレート５２が配置されている。
このプレート５２は、ウエハＷと同一の材料から構成さ
れている。例えば、ウエハＷがシリコンからなる場合に
はプレート５２もシリコンからなるようにされている。
これにより、ウエハＷを加熱処理する際にウエハＷとプ
レート５２との間の熱的な反射を抑え、後述する加熱処
理の際にウエハＷの温度を正確に推定できる。なお、プ
レートの一部が例えばシリコンからなる場合も本発明に
包含されるものである。また、プレート５２の容積は、
ウエハＷの容積とほぼ等しいものとなっている。これに
より、温度制御のためにプレート５２に印加する熱容量
をより正確に算出できる。しかし、異なる容積に、例え
ばウエハＷの容積の整数倍としてもいいし、温度制御し
やすい他の容積としても勿論構わない。

【００２７】プレート５２は、例えば外周方向に向けて
３つの領域Ｒ１〜Ｒ３に区画化されており、区画化され
た各領域Ｒ１〜Ｒ３毎に温度管理が行われるようになっ
ている。即ち、各領域Ｒ１〜Ｒ３毎にそれぞれプレート
５２内にヒータＨ１〜Ｈ３が例えば同心円状に埋め込ま
れ、更に各領域Ｒ１〜Ｒ３毎にそれぞれプレート５２内
に温度検出素子Ｄ１〜Ｄ３が埋め込まれている。また、
プレート５２の裏面側には、プレート５２を冷却するた
めの冷却配管５３が配置されている。冷却配管５３に
は、例えば１５℃〜２３℃程度に冷却された液体、例え
ば純水が図示を省略した冷凍機との間で循環するように
なっている。このような冷却手段を持つことで、プレー
ト５２の降温を短時間で行うことができ、更に加熱の際
にヒータＨ１〜Ｈ３との組み合わせでより精度がよく迅
速に温度制御が実現できる。また、ヒータを複数、例え
ば３つとして領域的な管理を行うのに対して冷却配管５
３では領域的な管理をあえて行わないようにすること
で、正確な温度制御を実現しつつ構成を簡単化すること
ができる。しかし、冷却に関しても領域的な管理を行う
ようにしても勿論構わない。なお、加熱手段としてはヒ
ータばかりでく赤外線等を用いてもよく、冷却手段とし
てはペルチェ素子等を用いても勿論構わない。

【００２８】また、処理室５１の下部には、Ｎ_２５４か
ら処理室５１内にＮ_２ガスを導入するためのＮ_２導入口
５５が設けられている。Ｎ_２５４とＮ_２導入口５５との
間に配設された配管５６上には、Ｎ_２導入口５５導入量
を調節するためのバルブ５７が設けられている。なお、
配管５６上にＮ_２ガスを加熱や冷却するための手段を設
けて、Ｎ_２ガスの温度を適応的に制御しても構わない。

【００２９】更に、処理室５１の上部には、処理室５１
内を真空排気するための排気口５８が設けられている。
排気口５８には、配管５９を介して真空ポンプ６０が接
続されている。

【００３０】そして、制御部６１は、温度検出素子Ｄ１
〜Ｄ３による検出結果からウエハＷの加熱処理温度を推
定し、推定された温度に基づき、各領域Ｒ１〜Ｒ３が所
望の温度なるようにヒータＨ１〜Ｈ３に供給される電力
を領域Ｒ１〜Ｒ３毎に制御し、必要な場合には冷却配管
５３に供給される液体の温度や量も制御している。制御
部６１は、必要に応じてＮ_２ガスの導入量や室内の真空
度も制御している。

【００３１】また、このプレート５２には同心円状に複
数、例えば３個の孔６２が上下に貫通しており、これら
の孔６２にはウエハＷを支持する支持ピン６３が昇降可
能に介挿されている。これら支持ピン６３はプレート５
２の裏面において連通部材６４に接続されて一体化され
ており、連通部材６４はその下方に配置された昇降シリ
ンダ６５によって昇降されるようになっている。そし
て、昇降シリンダ６５の昇降作動によって支持ピン６３
はプレート５２表面から突出したり、没したりするよう
になっている。

【００３２】また、処理室５１の正面には、第２の主搬
送体２３との間でウエハＷの受け渡しを行うための開口
部６６が設けられており、この開口部６６はシャッタ部
材６７により開閉自在とされている。シャッタ部材６７
が開口部６６を閉じることで処理室５１内の密閉状態と
され、効率よく真空引きができるようになっている。

【００３３】更に、処理室５１を構成する壁部６８、即
ちプレート５２を含む領域Ｒを囲繞するように（周囲を
取り囲むように）設けられ壁部６８には、該壁部６８に
より囲繞された領域Ｒを温調するための温調機構６９が
設けられている。この温調機構６９は、壁部６８に埋め
込まれたヒータ７０と冷却配管７１とにより構成され、
制御部６１の制御の元でヒータ７０に供給される電力、
及び冷却配管７１に供給される冷却水の温度や量が制御
されるようになっている。このような温調機構６９を有
することで処理室５１内の温度管理をより精密に行うこ
とができる。なお、壁部６８の上下間を例えば３つの領
域Ｒ４〜Ｒ６の領域に分割してそれぞれの領域を上記の
温調機構６９により別個に管理することにより、より精
密な温度管理に加えて処理室５１内の気流管理も行うこ
とができる。例えば、上方の領域の方が下方の領域より
も温度を高めることによって意図的に上昇気流を発生さ
せ、これによりウエハＷから発生する昇華物等をウエハ
Ｗに悪影響を与えることなく外部（例えば排気口５８を
介して）に確実に排出することができるようになる。本
実施形態では、処理室５１の外周の壁部を制御している
が、上下の壁部を制御しても勿論構わない。

【００３４】次に以上のように構成されたこのＳＯＤシ
ステム１の処理工程について、図６に示すフローを参照
しながら説明する。

【００３５】まずカセットブロック１０において、処理
前のウエハＷはウエハカセットＣＲからウエハ搬送体２
１を介して処理ブロック１１側の第３の組Ｇ３に属する
受け渡し・冷却プレート（ＴＣＰ）における受け渡し
台、又はトランジションユニット（ＴＲＳ）へ搬送され
る。

【００３６】受け渡し・冷却プレート（ＴＣＰ）におけ
る受け渡し台に搬送されたウエハＷは第１の主搬送体２
２を介して冷却処理ユニット（ＣＰＬ）へ搬送される。
そして冷却処理ユニット（ＣＰＬ）において、ウエハＷ
はＳＯＤ塗布処理ユニット（ＳＣＴ）における処理に適
合する温度まで冷却される（ステップ１）。

【００３７】冷却処理ユニット（ＣＰＬ）で冷却処理さ
れたウエハＷは第１の主搬送体２２を介してＳＯＤ塗布
処理ユニット（ＳＣＴ）へ搬送される。そしてＳＯＤ塗
布処理ユニット（ＳＣＴ）において、ウエハＷはＳＯＤ
塗布処理が行われる（ステップ２）。

【００３８】ＳＯＤ塗布処理ユニット（ＳＣＴ）でＳＯ
Ｄ塗布処理が行われたウエハＷは第１の主搬送体２２を
介してエージング処理ユニット（ＤＡＣ）へ搬送され、
エージング処理され、ウエハＷ上の絶縁膜材料がゲル化
される（ステップ３）。

【００３９】エージング処理ユニット（ＤＡＣ）でエー
ジング処理されたウエハＷは第１の主搬送体２２を介し
てソルベントエクスチェンジ処理ユニット（ＤＳＥ）へ
搬送される。そしてソルベントエクスチェンジ処理ユニ
ット（ＤＳＥ）において、ウエハＷはエクスチェンジ用
薬液が供給され、ウエハ上に塗布された絶縁膜中の溶媒
を他の溶媒に置き換える処理が行われる（ステップ
４）。

【００４０】ソルベントエクスチェンジ処理ユニット
（ＤＳＥ）で置換処理が行われたウエハＷは第１の主搬
送体２２を介して低温加熱処理ユニット（ＬＨＰ）へ搬
送される。そして低温加熱処理ユニット（ＬＨＰ）にお
いて、ウエハＷは低温加熱処理される（ステップ５）。

【００４１】低温加熱処理ユニット（ＬＨＰ）で低温加
熱処理されたウエハＷは第４の組Ｇ４に属する受け渡し
・冷却プレート（ＴＣＰ）における受け渡し台、又はト
ランジションユニット（ＴＲＳ）を介して、第２の主搬
送体２３を介して紫外線処理ユニット（ＵＶ）へ搬送さ
れる。そして、紫外線処理ユニット（ＵＶ）において、
ウエハＷは１７２ｎｍ前後の波長の紫外線による処理が
行われる（ステップ６）。この紫外線による処理では、
窒素ガスが噴出され紫外線処理ユニット（ＵＶ）内が窒
素ガス雰囲気とされ、その状態で紫外線照射ランプから
紫外線が、例えば１分間照射される。

【００４２】なお、ここで紫外線処理に代えて、又は紫
外線処理後に適宜第６の組Ｇ６に属する電子線処理ユニ
ット（ＥＢ）による電子線処理やマイクロ波処理ユニッ
ト（ＭＷ）によるマイクロ波処理を行うようにしてもよ
い。

【００４３】次に紫外線による処理が施されたウエハＷ
は第２の主搬送体２３を介して第４の組Ｇ４に属する冷
却処理ユニット（ＣＰＬ）へ搬送される。そして冷却処
理ユニット（ＣＰＬ）においてウエハＷは冷却される
（ステップ７）。

【００４４】冷却処理ユニット（ＣＰＬ）で冷却処理さ
れたウエハＷは第１の主搬送体２２を介して再びＳＯＤ
塗布処理ユニット（ＳＣＴ）へ搬送される。そしてＳＯ
Ｄ塗布処理ユニット（ＳＣＴ）において、ウエハＷは２
回目のＳＯＤ塗布処理が行われる（ステップ８）。その
際、ウエハＷ上に既に塗布されている絶縁膜材料の表面
は上記の紫外線による処理により低接触角となるように
改質されているので、その上に更に絶縁膜材料を塗布し
てもその表面に凹凸は生じない。

【００４５】ＳＯＤ塗布処理ユニット（ＳＣＴ）でＳＯ
Ｄ塗布処理が行われたウエハＷは第１の主搬送体２２を
介してエージング処理ユニット（ＤＡＣ）へ搬送され、
エージング処理され、ウエハＷ上の絶縁膜材料がゲル化
される（ステップ９）。

【００４６】エージング処理ユニット（ＤＡＣ）でエー
ジング処理されたウエハＷは第１の主搬送体２２を介し
てソルベントエクスチェンジ処理ユニット（ＤＳＥ）へ
搬送される。そしてソルベントエクスチェンジ処理ユニ
ット（ＤＳＥ）において、ウエハＷはエクスチェンジ用
薬液が供給され、ウエハ上に塗布された絶縁膜中の溶媒
を他の溶媒に置き換える処理が行われる（ステップ１
０）。

【００４７】ソルベントエクスチェンジ処理ユニット
（ＤＳＥ）で置換処理が行われたウエハＷは第１の主搬
送体２２を介して低温加熱処理ユニット（ＬＨＰ）へ搬
送される。そして低温加熱処理ユニット（ＬＨＰ）にお
いて、ウエハＷは低温加熱処理される（ステップ１
１）。

【００４８】低温加熱処理ユニット（ＬＨＰ）で低温加
熱処理されたウエハＷは第２の主搬送体２３を介して加
熱処理ユニット（ＨＰ）へ搬送され、所定の低酸素濃度
での高温加熱処理及び温調処理が行われることになる
（ステップ１２）。

【００４９】その後ウエハＷは受け渡し・冷却プレート
（ＴＣＰ）における冷却板へ搬送される。そして受け渡
し・冷却プレート（ＴＣＰ）における冷却板において、
ウエハＷは冷却処理される（ステップ１３）。

【００５０】受け渡し・冷却プレート（ＴＣＰ）におけ
る冷却板で冷却処理されたウエハＷはカセットブロック
１０においてウエハ搬送体２１を介してウエハカセット
ＣＲへ搬送される。

【００５１】なお、上述した実施形態では、低酸素高温
加熱処理ユニット（ＨＨＰ）に本発明を適用した例を説
明したが、低温加熱処理ユニット（ＬＨＰ）や冷却処理
ユニット（ＣＰＬ）に対しても本発明を適用できる。

【００５２】また、層間絶縁膜を形成する工程ばかりで
なく、他の工程、例えば露光現像工程における加熱処理
や冷却処理等におけるユニットに対しても本発明を適用
できる。

【００５３】更に、シリコンウエハばかりでなく、ガラ
ス基板等に対しても本発明を適用できる。

【００５４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板の熱的処理の際に基板の温度を正確に推定でき、基
板に対して熱的な処理を精密に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基板処理装置が適用されるＳＯＤシス
テムの全体構成を示す平面図である。

【図２】図１に示すＳＯＤシステムの正面図である。

【図３】図１に示すＳＯＤシステムの背面図である。

【図４】本発明に係る基板処理装置である加熱処理ユニ
ット（ＨＰ）の正面からみた断面図である。の一部平面
図である。

【図５】図４の一部平面図である。

【図６】本実施形態によるＳＯＤシステムの処理工程を
示すフロー図である。

【符号の説明】

５１処理室５２プレート５３５３冷却配管６１制御部６８壁部６９温調機構７０ヒータ７１冷却配管Ｄ１〜Ｄ３温度検出素子Ｈ１〜Ｈ３ヒータＨＰ加熱処理ユニットＲ壁部により囲繞された領域Ｒ１〜Ｒ３プレート上の領域Ｗウエハ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と同じ材料からなり、基板に対して
熱的な処理を施すためのプレートと、前記プレートを温調するための第１の温調手段とを具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】請求項１に記載の基板処理装置におい
て、前記基板及び前記プレートが、シリコンからなることを
特徴とする基板処理装置。
【請求項３】請求項１又は請求項２に記載の基板処理
装置において、前記プレートの容積が前記基板の容積とほぼ等しいこと
を特徴とする基板処理装置。
【請求項４】請求項１から請求項３に記載の基板処理
装置において、前記第１の温調手段が、前記プレートにおける複数の領
域を個別に温調することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】請求項４に記載の基板処理装置におい
て、前記第１の温調手段が、前記プレートを冷却する冷却系
と、前記プレートにおける複数の領域を個別に加熱する
加熱系とを具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】請求項４又は請求項５に記載の基板処理
装置において、前記プレートにおける各領域に設けられた温度検出部
と、前記各温度検出部による検出結果に基づき、前記各領域
が所望の温度なるように前記第１の温調手段を制御する
手段とを具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】請求項１から請求項６うちいずれか１項
に記載の基板処理装置において、前記プレートを含む領域を囲繞するように設けられ壁部
と、前記壁部に設けられ、前記壁部により囲繞された領域を
温調するための第２の温調手段とを更に具備することを
特徴とする基板処理装置。