KR200482870Y1

KR200482870Y1 - 열처리 장치

Info

Publication number: KR200482870Y1
Application number: KR2020130007670U
Authority: KR
Inventors: 고우이치 미즈나가; 가즈히코 오오시마
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2012-09-20
Filing date: 2013-09-12
Publication date: 2017-03-09
Also published as: TWM482837U; JP3180048U; KR20140001829U

Abstract

본 고안은, 웨이퍼를 균일하게 냉각시키고, 또한, 기판 처리 장치 전체의 스루풋 저하를 경감하는 온도 조정 플레이트를 구비하는 열처리 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
배치된 기판을 유지하면서 이 기판을 정해진 온도로 열처리하는 온도 조정 플레이트를 구비하는 열처리 장치에 있어서, 온도 조정 플레이트(71)는, 냉각 기체 유로(75)와, 온도 조정 플레이트의 둘레 가장자리부에 형성된 복수의 노치부(71a)와, 상기 복수의 노치부(71a)에는 냉각 기체를 토출하는 냉각 기체 토출구(75b)를 구비한다.

Description

열처리 장치{THERMAL PROCESSING APPARATUS}

본 고안은, 반도체 제조 및 FPD(플랫 패널 디스플레이) 제조 장치 등의 웨이퍼에 레지스트 도포 처리나 현상 처리 등의 액처리를 행하고, 그 처리한 웨이퍼에 대하여 실시되는 열처리에 사용되는 열처리 장치에 관한 것이다.

예컨대 반도체 디바이스의 제조에서의 포토레지스트 처리 공정에서는, 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 칭함) 등의 기판의 표면에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하고, 이어서 이 레지스트막 위에 정해진 패턴을 노광한 후, 이 웨이퍼에 현상액을 도포하여 현상 처리하는 것이 행해진다. 이러한 일련의 처리를 행할 때에, 종래부터 레지스트 도포 현상 처리 장치 및 노광 장치가 사용되고 있다.

이 레지스트 도포 현상 처리 장치는 도포 현상 처리에 필요한 일련의 처리를 개별적으로 행하는 처리 유닛을 구비하고 있다. 도포 처리 유닛은 레지스트액을 도포하고, 현상 처리 유닛은 노광후의 웨이퍼를 현상하는 현상 처리를 행한다. 각 처리 유닛 사이의 웨이퍼의 반송, 및 각 처리 유닛에 대한 웨이퍼의 반입 반출에는, 웨이퍼를 유지한 상태로 각 처리 유닛에 대하여 반송 가능하게 구성되어 있는 기판 반송 장치가 설치되어 있다. 이 중에는 웨이퍼에 열처리를 행하는 열처리 유닛인 예컨대, 레지스트액 도포후의 웨이퍼를 가열하여 레지스트막을 경화하는 경우나, 다른 열처리 유닛은 노광후의 웨이퍼를 정해진 온도로 가열하기 위한 현상 처리 전후의 열처리 유닛을 구비하고 있다.

이들 열처리 유닛에는, 기판 반송 장치로부터 열처리 유닛에 웨이퍼를 전달할 때 열처리 유닛 내에 설치되는 냉각 플레이트에 전달한 후에, 이 냉각 플레이트가 열처리부에 웨이퍼를 유지한 채로 이동하여, 열처리부의 플레이트에 웨이퍼를 전달하여 열처리가 행해진다. 즉, 이 냉각 플레이트는 열처리부와의 사이에서 진퇴 이동 가능하게 구성되어 있는 것이 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).

최근, 반도체 제조 장치의 생산성을 향상시키는 개량이 행해지고 있는 가운데, 리소그래피 공정에서의 노광 장치의 스루풋도 매시 300장에 달하여, 레지스트 도포 현상 장치도 이 스루풋에 대응시키는 요구가 나오고 있다. 그 중에서, 이 요구에 대하여 레지스트 도포 현상 장치에서는 각종 처리 유닛의 프로세스 시간을 제외한 동작 시간의 단축을 고려할 필요가 요구되고 있다.

열처리 장치도 그 대상 중 하나이며, 특허문헌 1에 기재된 것은, 웨이퍼를 유지한 기판 반송 장치가 전용 전달 기구 등을 통하지 않고, 또한, 기판 반송 장치에 설치된 기판 지지부에 간섭하지 않고 직접 냉각 플레이트에 웨이퍼를 배치할 수 있도록, 냉각 플레이트의 둘레 가장자리에 예컨대 4개소의 노치부를 형성하고 있다.

일본 특허 공개 제2006-313863호 공보(도 2, 도 4, 도 6)

그러나, 상기 특허문헌 1에 기재된 열처리 유닛의 구성에서는, 열판에서 가열 처리된 웨이퍼를 냉각시키기 위해서 이 웨이퍼를 냉각 플레이트 상에 유지했을 때, 노치부 상부에 위치하는 웨이퍼의 영역은 다른 영역에 비교하여 온도가 강하하기 어렵고, 그 결과, 웨이퍼 온도의 면내 균일성이 악화되어, 웨이퍼 상에 형성되는 패턴의 선폭이나 형상 등에 악영향을 미치거나, 기판 처리 장치 전체의 스루풋 저하를 초래한다.

본 고안은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 기판을 균일하게 냉각시키고, 또한, 기판 처리 장치 전체의 스루풋 저하를 경감하는 온도 조정 플레이트를 구비하는 열처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 고안은, 배치된 기판을 유지하면서 이 기판을 정해진 온도로 열처리하는 온도 조정 플레이트를 구비하는 열처리 장치로서, 상기 온도 조정 플레이트는, 냉각 기체를 유통시키기 위한 냉각 기체 유로와, 온도 조정 플레이트의 둘레 가장자리부에 형성된 복수의 노치부와, 이 복수의 노치부에 형성되고, 상기 냉각 기체 유로로부터 냉각 기체를 토출하는 냉각 기체 토출구를 구비하는 것을 특징으로 한다.

본 고안은, 상기 열처리 장치에 있어서, 상기 냉각 기체 유로는 일부가 상기 노치부 근방에 형성되는 것을 특징으로 한다.

본 고안은, 상기 열처리 장치에 있어서, 상기 온도 조정 플레이트는 스테인레스, 알루미늄, 티탄, 구리, 카본 또는 니켈로 형성되는 것을 특징으로 한다.

본 고안은, 상기 열처리 장치에 있어서, 상기 노치부는 상기 온도 조정 플레이트에 배치되는 기판에 대하여 수평이거나 기판 이면을 향해서 냉각 기체가 토출되도록 형성되는 것을 특징으로 한다.

본 고안은, 상기 열처리 장치에 있어서, 상기 기판을 유지하면서 이 기판을 가열하는 가열 플레이트와, 상기 온도 조정 플레이트에 배치된 기판을 상기 가열 플레이트에 대하여 반입 및 반출하는 구동 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.

본 고안은, 상기 열처리 장치에 있어서, 상기 냉각 기체 토출구는 드라이 에어, N₂ 또는 He를 토출하는 것을 특징으로 한다.

본 고안은, 상기 열처리 장치에 있어서, 상기 기판의 온도를 검지하는 검지부와, 이 검지부가 검지한 기판의 온도에 따라서, 토출된 냉각 기체의 토출 정지 타이밍을 제어하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 한다.

본 고안에 의하면, 유지한 기판을 정해진 온도로 열처리하는 온도 조절 플레이트는, 냉각 기체 유로를 유통하는 냉각 기체에 의해서 기판을 냉각시키고, 온도 조절 플레이트의 둘레 가장자리부에 형성된 복수의 노치부에 형성된 냉각 기체 토출구로부터 토출하는 냉각 기체에 의해서 냉각되기 때문에, 기판을 균일하게 냉각시키고, 또한, 기판 처리 장치 전체의 스루풋 저하를 경감할 수 있다.

도 1은 본 고안에 따른 열처리 장치를 적용한 레지스트 도포·현상 처리 장치의 일례를 나타내는 개략 평면도이다.
도 2는 상기 레지스트 도포·현상 처리 장치의 개략 사시도이다.
도 3은 상기 레지스트 도포·현상 처리 장치의 개략도로서, 처리부의 단위 블록만을 평면 상태로 겹쳐서 나타내는 개략 구성도이다.
도 4는 본 고안에서의 처리 블록의 단위 블록(DEV층)을 나타내는 개략 사시도이다.
도 5는 본 고안에서의 기판 수납부를 나타내는 개략 측면도이다.
도 6은 본 고안에서의 처리 블록의 단위 블록(COT층)을 나타내는 개략 평면도이다.
도 7은 본 고안에서의 처리 블록의 처리 유닛의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 8은 본 고안에서의 온도 조정 플레이트를 적용한 열처리 유닛의 일례를 나타내는 개략 종단면도이다.
도 9는 본 고안에서의 온도 조정 플레이트를 적용한 열처리 유닛의 일례를 나타내는 개략 평면도이다.
도 10은 본 고안에 따른 온도 조정 플레이트를 적용한 열처리 유닛의 일례를 나타내는 확대 단면도이다.
도 11a는 본 고안에 따른 온도 조정 플레이트에 웨이퍼를 전달하는 메인 아암(A1)의 평면도이다.
도 11b는 상기 메인 아암과 웨이퍼를 나타내는 사시도이다.
도 12는 열처리 유닛을 구성하는 가열 플레이트 및 천판의 주변의 구조를 나타낸 종단면도이다.
도 13a는 본 고안에서의 온도 조정 플레이트의 일부를 단면으로 나타낸 평면도이다.
도 13b는 본 고안에서의 온도 조정 플레이트의 둘레 가장자리부를 나타내는 확대 단면도이다.
도 14는 본 고안에서의 온도 조정 플레이트의 다른 실시예의 둘레 가장자리부를 나타내는 확대 단면도이다.
도 15a는 본 고안에서의 온도 조정 플레이트를 적용한 열처리 유닛의 다른 일례를 나타내는 개략 평면도이다.
도 15b는 본 고안에서의 온도 조정 플레이트를 적용한 열처리 유닛의 다른 일례를 나타내는 개략 단면도이다.

이하에, 본 고안에 따른 열처리 장치의 실시형태에 관해서 도면을 참조하여 설명한다. 여기서는, 본 고안에 따른 열처리 장치를 레지스트 도포·현상 처리 장치에 적용한 경우에 관해 설명한다.

상기 레지스트 도포·현상 처리 장치는, 웨이퍼(W)가 예컨대 13장 밀폐 수용된 캐리어(20)를 반입 반출하기 위한 캐리어 블록(S1)과, 복수개 예컨대 5개의 단위 블록(B1∼B5)을 세로로 배열하여 구성된 처리 블록(S2)과, 인터페이스 블록(S3)과, 제2 처리 블록인 노광 장치(S4)를 구비하고 있다.

상기 캐리어 블록(S1)에는, 복수개(예컨대 4개)의 캐리어(20)를 배치할 수 있는 배치대(21)와, 이 배치대(21)에서 볼 때 전방의 벽면에 설치되는 개폐부(22)와, 개폐부(22)를 통해 캐리어(20)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내기 위한 트랜스퍼 아암(C)이 설치되어 있다. 이 트랜스퍼 아암(C)은, 후술하는 선반 유닛(U5)에 설치된 전달 스테이지(TRS1, TRS2)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하도록, 수평의 X, Y 방향 및 수직의 Z 방향으로 이동 가능하게, 그리고 수직축 둘레에 회전 가능하게 구성되어 있다.

캐리어 블록(S1)의 안쪽에는 케이스(24)로 주위가 둘러싸인 처리 블록(S2)이 접속되어 있다. 처리 블록(S2)은, 이 예에서는, 하방측으로부터, 하단측의 2단이 현상 처리를 행하기 위한 제1 및 제2 단위 블록(DEV층)(B1, B2), 레지스트막의 하층측에 형성되는 반사 방지막(이하, 「제1 반사 방지막」이라고 칭함)의 형성 처리를 행하기 위한 제1 반사 방지막 형성용 단위 블록인 제3 단위 블록(BCT층)(B3), 레지스트액의 도포 처리를 행하기 위한 도포막 형성용 단위 블록인 제4 단위 블록(COT층)(B4), 레지스트막의 상층측에 형성되는 반사 방지막(이하, 「제2 반사 방지막」이라고 칭함)의 형성 처리를 행하기 위한 제2 반사 방지막 형성용 단위 블록인 단위 블록(TCT층)(B5)으로서 할당되어 있다. 여기서 상기 DEV층(B1, B2)이 현상 처리용 단위 블록에, BCT층(B3), COT층(B4), TCT층(B5)이 도포막 형성용 단위 블록에 해당한다.

다음으로, 제1∼제5 단위 블록(B)(B1∼B5)의 구성에 관해 설명한다. 이들 각 단위 블록(B1∼B5)은, 전면측에 배치되고, 웨이퍼(W)에 대하여 약액을 도포하기 위한 액처리 유닛과, 배면측에 배치되고, 상기 액처리 유닛에서 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 각종 열처리 유닛 등의 처리 유닛과, 전면측에 배치되는 상기 액처리 유닛과 배면측에 배치되는 열처리 유닛 등의 처리 유닛의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 전용 기판 반송 수단인 메인 아암(A1, A3∼A5)을 구비하고 있다.

이들 단위 블록(B1∼B5)은, 이 예에서는, 각 단위 블록(B1∼B5)의 사이에서, 상기 액처리 유닛과, 열처리 유닛 등의 처리 유닛과, 반송 수단의 배치 레이아웃이 동일하게 형성되어 있다. 여기서, 배치 레이아웃이 동일하다는 것은, 각 처리 유닛에서의 웨이퍼(W)를 배치하는 중심, 즉 액처리 유닛에서의 웨이퍼(W)의 유지 수단인 스핀척의 중심이나, 열처리 유닛에서의 가열 플레이트나 냉각 플레이트의 중심이 동일하다는 의미이다.

상기 DEV층(B1, B2)은 동일하게 구성되어 있고, 이 경우 공통으로 구성되어 있다. 이 DEV층(B1, B2)은, 도 1에 나타낸 바와 같이, DEV층(B1, B2)의 거의 중앙에는, DEV층(B1, B2)의 길이 방향(도면의 Y 방향)으로, 캐리어 블록(S1)과 인터페이스 블록(S3)을 접속하기 위한 웨이퍼(W)의 반송 영역(R1)[메인 아암(A1)의 수평 이동 영역]이 형성되어 있다.

캐리어 블록(S1)측에서 본 이 반송 영역(R1)의 양측에는, 앞쪽[캐리어 블록(S1)측]으로부터 안쪽을 향했을 때 우측에, 상기 액처리 유닛으로서, 현상 처리를 행하기 위한 복수개의 현상 처리부를 구비한 현상 유닛(31)이 예컨대 2단 설치되어 있다. 각 단위 블록(B1∼B5)에 있어서, 앞쪽으로부터 안쪽을 향했을 때 좌측에, 순서대로 열처리계의 유닛을 다단화한 예컨대 4개의 선반 유닛(U1, U2, U3, U4)이 설치되어 있고, 이 도면에서는 현상 유닛(31)에서 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 각종 유닛을 복수단, 예컨대 3단씩 적층한 구성으로 되어 있다. 이와 같은 식으로, 반송 영역(R1)에 의해 현상 유닛(31)과 선반 유닛(U1∼U4)이 구획되어 있고, 반송 영역(R1)에 청정 에어를 분출시켜 배기함으로써, 이 영역 내의 파티클의 부유를 억제하도록 되어 있다.

전술한 전처리 및 후처리를 행하기 위한 각종 유닛 중에는, 예컨대 도 4에 나타낸 바와 같이, 노광후의 웨이퍼(W)를 가열·냉각 처리하는 포스트 익스포져 베이킹 유닛 등으로 불리고 있는 열처리 유닛(PEB1)이나, 현상 처리후의 웨이퍼(W)의 수분을 날리기 위해서 가열 처리하는 포스트 베이킹 유닛 등으로 불리고 있는 열처리 유닛(POST1) 등이 포함되어 있다. 이들 열처리 유닛(PEB1, POST1) 등의 각 처리 유닛은, 각각 처리 용기(51) 내에 수용되어 있고, 선반 유닛(U1∼U4)은 처리 용기(51)가 3단씩 적층되어 구성되고, 각 처리 용기(51)의 반송 영역(R1)을 향하는 면에는 웨이퍼 반출 반입구(52)가 형성되어 있다. 또한, 열처리 유닛(PEB1)에 관한 상세한 구성은 후술한다.

상기 반송 영역(R1)에는 상기 메인 아암(A1)이 설치되어 있다. 이 메인 아암(A1)은 상기 DEV층(B1) 내의 모든 모듈[웨이퍼(W)가 배치되는 장소], 예컨대 선반 유닛(U1∼U4)의 각 처리 유닛, 현상 유닛(31), 선반 유닛(U5)의 각 부와의 사이에서 웨이퍼를 전달하도록 구성되어 있고, 이를 위해 수평의 X, Y 방향 및 수직의 Z 방향으로 이동 가능, 수직축 둘레에 회전 가능하게 구성되어 있다.

또, 상기 도포막 형성용 단위 블록(B3∼B5)은 모두 동일하게 구성되어 있고, 전술한 현상 처리용 단위 블록(B1, B2)과 동일하게 구성되어 있다. 구체적으로는, COT층(B4)을 예로 하여 도 3, 도 6 및 도 7을 참조하여 설명하면, 액처리 유닛으로서, 웨이퍼(W)에 대하여 레지스트액의 도포 처리를 행하기 위한 도포 유닛(32)이 설치되고, COT층(B4)의 선반 유닛(U1∼U4)에는, 레지스트액 도포후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 열처리 유닛(CLHP4)이나, 레지스트액과 웨이퍼(W)의 밀착성을 향상시키기 위한 소수화 처리 유닛(ADH)을 구비하고 있고, DEV층(B1, B2)과 동일하게 구성되어 있다. 즉, 도포 유닛(32)과 열처리 유닛(CLHP4) 및 소수화 처리 유닛(ADH)을 메인 아암(A4)의 반송 영역(R4)[메인 아암(A4)의 수평 이동 영역]에 의해서 구획하도록 구성되어 있다. 그리고, 이 COT층(B4)에서는, 메인 아암(A4)에 의해, 선반 유닛(U5)의 냉각 플레이트(CPL3, CPL4)와, 도포 유닛(32)과, 선반 유닛(U1∼U4)의 각 처리 유닛에 대하여 웨이퍼(W)가 전달되도록 되어 있다. 또한, 상기 소수화 처리 유닛(ADH)은 HMDS 분위기 내에서 가스 처리를 행하는 것이지만, 도포막 형성용 단위 블록(B3∼B5) 중 어느 것에나 설치될 수 있다.

또, BCT층(B3)은, 액처리 유닛으로서, 웨이퍼(W)에 대하여 제1 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제1 반사 방지막 형성 유닛(33)이 설치되고, 선반 유닛(U1∼U4)에는, 반사 방지막 형성 처리후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 열처리 유닛(CLHP3)을 구비하고 있고, COT층(B4)과 동일하게 구성되어 있다. 즉, 제1 반사 방지막 형성 유닛(33)과 열처리 유닛(CLHP3)을 메인 아암(A3)의 반송 영역(R3)[메인 아암(A3)의 수평 이동 영역]에 의해 구획하도록 구성되어 있다. 그리고, 이 제3 단위 블록(B3)에서는, 메인 아암(A3)에 의해, 선반 유닛(U5)의 전달 스테이지(TRS1)와, 제1 반사 방지막 형성 유닛(33)과, 선반 유닛(U1∼U4)의 각 처리 유닛에 대하여 웨이퍼(W)가 전달되도록 되어 있다.

또, TCT층(B5)은, 액처리 유닛으로서, 웨이퍼(W)에 대하여 제2 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제2 반사 방지막 형성 유닛(34)이 설치되고, 선반 유닛(U1∼U4)에는, 반사 방지막 형성 처리후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 가열 유닛(CLHP5)이나, 둘레 가장자리 노광 장치(WEE)를 구비하고 있는 것 외에는 COT층(B4)과 동일하게 구성되어 있다. 즉, 제2 반사 방지막 형성 유닛(34)과 열처리 유닛(CLHP5) 및 둘레 가장자리 노광 장치(WEE)를 메인 아암(A5)의 반송 영역(R5)[메인 아암(A5)의 수평 이동 영역]에 의해서 구획하도록 구성되어 있다. 그리고, 이 TCT층(B5)에서는, 메인 아암(A5)에 의해, 선반 유닛(U5)의 냉각 플레이트(CPL5, CPL6)와, 제2 반사 방지막 형성 유닛(34)과, 선반 유닛(U1∼U4)의 각 처리 유닛에 대하여 웨이퍼(W)가 전달되도록 되어 있다.

또, 처리 블록(S2)에는, 선반 유닛(U5)에 설치되고 전달 스테이지(TRS2)와 인터페이스 블록(S3)측의 선반 유닛(U6)에 설치된 전달 스테이지(TRS5)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 기판 반송 수단인 셔틀 아암(A)이 수평의 Y 방향으로 이동 가능하게 그리고 수직의 Z 방향으로 승강 가능하게 배치되어 있다.

또한, 셔틀 아암(A)의 반송 영역과 상기 메인 아암(A1, A3∼A5)의 반송 영역(R1, R3∼R5)은 각각 구획되어 있다.

또, 처리 블록(S2)과 캐리어 블록(S1) 사이의 영역은 웨이퍼(W)의 전달 영역(R2)으로 되어 있고, 이 영역(R2)에는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 트랜스퍼 아암(C)과 메인 아암(A1, A3∼A5), 셔틀 아암(A)이 액세스할 수 있는 위치에 기판 수납부인 선반 유닛(U5)이 설치되고, 이 선반 유닛(U5)에 대하여 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 기판 전달 수단을 이루는 전달 아암(D)을 구비하고 있다. 이 경우, 선반 유닛(U5)은 메인 아암(A1, A3∼A5), 셔틀 아암(A)의 진퇴 방향(Y 방향)으로 제1 개구부(11)를 형성하고, 전달 아암(D)의 진퇴 방향(X 방향)으로 제2 개구부(12)를 형성하고 있다.

또, 상기 선반 유닛(U5)은, 도 3, 도 5 및 도 6에 나타낸 바와 같이 각 단위 블록(B1∼B5)의 메인 아암(A1, A3∼A5) 및 셔틀 아암(A)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하도록, 예컨대 2개의 전달 스테이지(TRS1, TRS2)를 구비하고 있고, 또, 단위 블록(B1∼B5)에 대응하기 위해 복수개로 구획된 수납 블록(10a∼10d)을 구비하고, 각 수납 블록(10a∼10d)에, 복수의 배치 선반(13), 및 레지스트 도포전에 웨이퍼(W)를 정해진 온도로 조정하거나, 반사 방지막 형성 처리전에 웨이퍼(W)를 정해진 온도로 조정하거나, 노광 처리후에 가열 처리된 웨이퍼(W)를 정해진 온도로 조정하기 위한 냉각 플레이트(14)(CPL1∼CPL8)를 구비하고 있다.

이 경우, 제1 수납 블록(10a)은 제1 및 제2 단위 블록(B1, B2)(DEV층)에 대응하고, 제2 수납 블록(10b)은 제3 단위 블록(B3)(BCT층)에 대응하며, 제3 수납 블록(10c)은 제4 단위 블록(B4)(COT층)에 대응하고, 제4 수납 블록(10d)은 제5 단위 블록(B5)(TCT층)에 대응한다.

제1 수납 블록(10a)에 배치되는 냉각 플레이트(14A)(CPL7, CPL8)는 프레임(16)에 가설된 유지판(17) 상에 지지 기둥(도시하지 않음)을 통해 가로로 설치되어 있고, 이 냉각 플레이트(14A)(CPL7, CPL8)는 메인 아암(A1) 또는 전달 아암(D)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달 기능을 갖고 있다.

이하에, 상기 열처리 유닛(PEB1)의 구성에 관해서 도 8 및 도 9를 이용하여 설명한다. 상기 열처리 유닛(PEB1)은 처리 용기인 케이스(60)를 구비하고 있고, 케이스(60)의 측벽에는 웨이퍼(W)의 반송구(61)가 개구되어 있다. 또, 케이스(60) 내에는 케이스(60) 내부를 상방 영역[웨이퍼(W)의 이동 영역]과 하방 영역(바닥 영역)으로 구획하는 바닥판(62)이 설치되어 있다. 또, 반송구(61)로 향하는 측을 앞쪽으로 하면, 바닥판(62)에는 앞쪽으로부터 안쪽(도면의 X 방향)을 향해서 후술하는 온도 조정 기구(70)가 이동하기 위한 개구부(62b)가 형성되어 있고, 또 바닥판(62)의 안쪽에는 후술하는 제1 중간 배기 덕트(63A)를 통해 바닥판(62)의 상방 영역을 배기하기 위한 예컨대 복수의 작은 구멍으로 이루어진 배기구(62a)가 천공되어 있다.

여기서, 열처리 유닛(PEB1) 내에 설치되어 있는 가열 기구(80)에 관해 설명한다. 도 8에 나타낸 바와 같이 바닥판(62)에 있어서 상기 온도 조정 기구(70)의 안쪽에는 예컨대 원형의 구멍이 형성되고, 이 구멍에는 편평한 원통형의 단열체인 가열 플레이트 서포트 부재(81)가 매립되어 있지만, 이 예에서는 상기 구멍의 둘레벽과 이 가열 플레이트 서포트 부재(81)의 측벽의 사이에는 상방 영역을 배기하기 위한 2 ㎜ 정도의 간극이 형성되어 있다. 도 12에 나타낸 바와 같이, 가열 플레이트 서포트 부재(81)의 바닥벽 부분의 내부 및 측벽 부분의 내부에는 진공 영역인 진공층(82)이 형성된 진공 단열 구조로 되어 있지만, 예컨대 중앙부에는 원형상으로 진공층(82)이 형성되어 있고, 그 주위에는 예컨대 후술하는 가스 공급관(83), 가스 배출 구멍(84) 및 후술하는 구멍(85a)을 피하도록 동심원형으로 진공층(82)이 형성된 구조로 되어 있다.

도면 중 부호 86은 가열 플레이트 서포트 부재(81)를 케이스(60)의 바닥면으로 지지하는 지지 기둥이며, 도면 중 부호 87은 가열 플레이트 서포트 부재(81)의 내측 둘레에 설치된 링형의 지지 부재이다. 지지 부재(87)는 예컨대 내열 수지나 세라믹에 의해 구성되는 단열 링(87a)을 통해 원판형의 가열 플레이트(88)를 지지하고 있다. 가열 플레이트(88)는 웨이퍼(W)의 표면 전체를 커버하는 크기를 갖고 있고, 또 가열 플레이트 서포트 부재(81) 내에 들어가도록 배치되어 있다. 이와 같이 가열 플레이트(88) 및 가열 플레이트 서포트 부재(81)를 구성하는 이유는 가열 플레이트(88)의 방열을 억제하여, 가열 플레이트(88)를 가열하기 위한 소비 전력을 억제하기 위해서이다.

도 12에 나타낸 바와 같이, 전력 공급부(90)가 가열 플레이트(88)의 예컨대 하면에 설치된 도시하지 않은 복수의 히터에 접속되어 있고, 또, 제어부(91)가 가열 플레이트(88)의 예컨대 하면에 복수개 설치된 도시하지 않은 감온 센서에 접속되어 있다. 이들 전력 공급부(90) 및 제어부(91)는 서로 전기적으로 접속되어 있고, 가열 플레이트(88)의 온도를 이 감온 센서가 검지하여, 온도 데이터로서 제어부(91)에 출력한다. 제어부(91)는 이 온도 데이터에 기초하여 전력 공급부(90)를 통해 가열 플레이트(88)의 발열량을 제어한다.

도 12 중 부호 88a는 가열 플레이트(88) 상에 형성된 웨이퍼(W)의 이면을 지지하는 돌기부이며, 이 예에서는 가열 플레이트(88)의 둘레 방향을 따라서 4개의 돌기부(88a)가 형성되어 있다. 도 12 중 부호 85a, 85b는 가열 플레이트 서포트 부재(81), 가열 플레이트(88)의 각각의 중앙부에 둘레 방향으로 천공된 구멍이며, 이들 구멍(85a, 85b)을 통해 가열 플레이트 서포트 부재(81)의 하방에 설치된 승강 기구(89)에 접속되어 있는 지지핀(89a)이 수직 방향으로 승강하여, 가열 플레이트(88) 상에 출몰할 수 있도록 되어 있다. 또한 도 12 중 부호 85c는 지지핀(89a)이 수직으로 출몰하기 위한 통형 가이드이다.

그런데, 단열 링(87a), 가열 플레이트(88) 및 가열 플레이트 서포트 부재(81)에 의해 둘러싸인 영역을 가스 유통부(8A)라 하면, 가열 플레이트 서포트 부재(81)에는 예컨대 복수 개소에 복수의 가스 공급관(83)의 일단이 관통하여 상기 가스 유통부(8A)에 개구되어 있다. 가스 공급관(83)의 타단은 가열 플레이트(88)의 냉각용 기체인 퍼지용 가스, 예컨대 N₂ 가스 등의 불활성 가스가 저장되어 있는 가스 공급원(92a)에 접속되어 있다. 또, 가스 유통부(8A)에 연통하는 가스 배출 구멍(84)이 예컨대 가열 플레이트 서포트 부재(81)의 복수 개소에 천공되어 있고, 가스 공급관(83)을 통해 가스 공급원(92a)으로부터 가스 유통부(8A)에 퍼지용 가스가 공급되면, 이 퍼지용 가스는 도시하지 않은 복수의 히터 및 이 히터에 의해 가온된 가열 플레이트(88)의 열을 탈취하여, 가스 배출 구멍(84)을 통해 가스 유통부(8A)의 외부로 유통하도록 되어 있다. 이 퍼지용 가스의 유통은 가열 플레이트(88)의 온도를 낮추기 위해서 행해진다.

가열 플레이트 서포트 부재(81)의 상측 단부에는 예컨대 4개의 지지 기둥(93)이 간격을 두고 설치되고, 지지 기둥(93)의 상부에는 예컨대 원형상으로 형성된 정류판인 천판(94)의 둘레 가장자리부가 접속되어 있다. 천판(94)은 웨이퍼(W)의 피가열 처리 영역(반도체 디바이스 등의 유효 영역)을 커버하는 크기, 이 예에서는 상기 가열 플레이트(88)를 커버하는 크기를 갖고 있고, 가열 플레이트(88)와 대향하도록 설치되어 있다. 천판(94)의 중앙 하부에는 흡인 배기구(94a)가 하방으로 향할수록 직경이 확장되도록 개구되어 있고, 이 흡인 배기구(94a)는 천판(94)의 상부에 접속된 기류 형성용 배기로인 배기 덕트(94b)와 연통하고, 배기 덕트(94b)의 하류측 단부는 후술하는 제2 중간 배기 덕트(63B)에 접속되어 있다. 후술하는 바와 같이 흡인 배기구(94a)를 통해 천판(94)의 주위의 배기가 행해지면, 가열 플레이트(88)에 배치된 웨이퍼(W)의 외측 둘레로부터 중앙을 향하는 기류를 형성할 수 있도록 천판(94)이 구성되어 있다.

또, 천판(94)의 내부에는 상기 흡인 배기구(94a)의 주위로부터 천판(94)의 단부로 갈수록 넓어지는 진공층(95)이 형성되고, 천판(94)은 진공 단열 구조로 되어 있으며, 천판(94)의 하면은 웨이퍼(W)의 가열시에 가열 플레이트(88)의 열복사를 받음으로써 그 온도가 웨이퍼(W)의 가열 온도에 가까운 온도에 따르도록 되어 있다. 천판(94)이 이와 같이 구성됨으로써, 후술하는 가열시에 웨이퍼(W)의 상면을 통과하는 기류가 냉각되어 난류가 되는 것이 억제된다. 또한 「웨이퍼(W)의 가열 온도」란, 웨이퍼(W)의 가열 처리시의 웨이퍼의 온도이다. 가열 플레이트(88)와 천판(94)의 간격은 예컨대 12∼13 mm로 하는 것이 바람직하다. 상기 간격이 이 범위보다 작으면 후술하는 온도 조정 플레이트(71)가 이동할 때에 천판(94) 또는 가열 플레이트(88)에 간섭할 우려가 있고, 이 범위보다 크면 웨이퍼(W)의 가열시에 천판(94)의 하면이 충분히 가열되지 않을 우려가 있다.

가열 플레이트(88)의 더 안쪽의 바닥판(62)의 하방 영역에는, 예컨대 도면에서의 Y 방향을 따라서 케이스(60)의 측벽을 관통하도록 제1 중간 배기 덕트(63A)가 설치되어 있다. 이 제1 중간 배기 덕트(63A)의 내부에는 이 제1 중간 배기 덕트(63A)의 신장 방향을 따라서 배기 공간이 형성되어 있고, 또 바닥판(62)의 하방 영역에 면하도록 흡인구(63a)가 형성되어 있다. 또한 도 9에 나타낸 바와 같이 예컨대 제1 중간 배기 덕트(63A)와 배기 덕트(94b)가 접속된 제2 중간 배기 덕트(63B)는 제1 중간 배기 덕트(63A)와 평행하게 배치되어 있고, 또, 그 단부는 공장 배기로에 접속되므로, 예컨대 공장 배기용의 용력에 의해 케이스(60) 내의 배기가 행해지도록 되어 있다.

다음으로, 상기 온도 조정 기구(70)의 개략에 관해서 도 10을 이용하여 설명하면, 온도 조정 기구(70)는 가열 플레이트(88)와 상기 열처리 유닛(PEB1)의 밖의 반송 기구·메인 아암(A1)의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 역할 및 웨이퍼(W)의 온도를 조정하는 역할을 갖고 있고, 연결 브래킷(72) 및 온도 조정 플레이트(71)에 의해 구성되어 있다. 연결 브래킷(72)은 예컨대 열전도성이 좋은 구리나 알루미늄으로 구성되고, 연결 브래킷(72)이 상기 개구부(62b) 안을 이동하도록 설치되어 있고, 예컨대 그 하측 단부에는 레일 브래킷(73a)이 접속되어 있다. 연결 브래킷(72)은 이 레일 브래킷(73a)을 통해 도면의 X 방향으로 신장된 가이드 레일(73b)을 따라서 이동할 수 있도록 구성되어 있다. 또, 연결 브래킷(72)의 측부는 바닥판(62)의 하방 영역에 설치된 예컨대 볼나사 기구 혹은 에어 실린더 등을 포함하는 구동 기구(73c)에 접속되어 있고, 이 구동 기구(73c)에 의해서 온도 조정 기구(70)는 상기 가이드 레일(73b)을 따라서 X축 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다.

다음으로, 온도 조정 플레이트(71)에 웨이퍼(W)를 전달하는 반송 기구에 관해 설명한다. 이 메인 아암(A1)은, 예컨대 도 11a에 나타낸 바와 같은 수평한 말굽형상의 포크(A1a)와, 포크(A1a)를 지지하는 베이스(A1b)를 갖고 있다. 포크(A1a)의 내측 둘레의 크기는 온도 조정 플레이트(71)의 직경보다 약간 크게 형성되어 있고, 이 내측 둘레에서의 하부에는 내측으로 향하는 4개의 돌기(A1c)가 형성되고, 도 11b에 나타낸 바와 같이 이들 돌기(A1c) 상에 웨이퍼(W)가 유지된다. 포크(A1a)는 예컨대 도시하지 않은 모터에 의해 베이스(A1b)를 통해 승강 가능하고 또한 진퇴 가능하게 구성되고, 온도 조정 기구(70)에 웨이퍼(W)를 전달할 때에는 웨이퍼(W)를 유지한 포크(A1a)가 상기 반송구(61)를 통해 케이스(60) 내에 진입한다. 여기서 온도 조정 플레이트(71) 둘레 가장자리의 노치부(71a)는, 각각 포크(A1a)의 돌기(A1c)와 대응하는 위치에 형성되어 있기 때문에, 포크가 도 11a에 나타낸 바와 같이 온도 조정 플레이트(71)에 대하여 상방으로부터 덮어 씌워지도록 하강함으로써, 포크(A1a)가 온도 조정 플레이트(71)의 하방측을 통과하여, 포크(A1a) 상의 웨이퍼(W)가 온도 조정 플레이트(71)에 전달된다. 웨이퍼(W)를 전달한 포크(A1a)는 전방의 노치부(71a)가 연결 브래킷(72)을 빠져 나가도록 앞쪽으로 후퇴하여 케이스(60) 안으로부터 퇴거한다.

여기서 온도 조정 플레이트(71)의 상세한 구성에 관해서, 도 13a, 도 13b를 이용하여 설명한다. 도 13b에 나타낸 바와 같이 온도 조정 플레이트(71)는, 상부 플레이트(71b) 및 하부 플레이트(71c)로 구성되어 있고, 상부 플레이트(71b)와 하부 플레이트(71c)는 예컨대 접착재, 납 또는 나사 등으로 접합되어 있다. 또, 도 13a에 나타낸 바와 같이 둘레 가장자리부에는 노치부(71a)가 형성되고, 내부에는 냉각수를 유통시키기 위한 냉각수 유로(74) 및 냉각 기체를 유통시키기 위한 냉각 기체 유로(75)가 형성되어 있다. 냉각수 유로(74)의 일단은 냉각수 공급구(74a)를 통해 도시하지 않은 냉각수 공급원에 접속되어 있고, 타단은 냉각수 배출 구멍(74b)을 통해 도시하지 않은 냉각수 배출관에 접속되어 있다. 냉각 기체 유로(75)는 도시하지 않은 냉각 기체 공급원으로부터 냉각 기체 공급구(75a)를 통해 냉각 기체가 공급된다. 또, 냉각 기체 유로(75) 안에 흐르는 냉각 기체가 온도 조정 플레이트(71) 밖으로 토출되도록 온도 조정 플레이트(71) 측부이자 노치부(71a)에 대응하는 개소에는 냉각 기체 토출구(75b)가 형성되어 있다(도 13b 참조). 이 냉각 기체 토출구(75b)의 각도는 도 13b에 나타낸 바와 같이 냉각 효과를 고려하여, 온도 조정 플레이트(71) 상에 배치되는 웨이퍼(W)에 대하여 수평이거나 웨이퍼 이면을 향해서 냉각 기체가 토출되도록 형성되는 것이 바람직하다. 또, 상부 플레이트(71b)와 하부 플레이트(71c)는 예컨대 스테인레스, 알루미늄, 티탄, 구리, 카본 또는 니켈로 형성되고, 열에 의한 변형을 고려하여 동일한 소재로 구성되는 것이 바람직하다. 또한, 도 13a 중 부호 71d는 지지핀(89a)이 통과하기 위한 가이드 홈이다.

또한, 냉각 기체 유로(75)는 일부가 노치부(71a) 근방을 통과하도록만 형성되어 있으면 되고, 노치부(71a)를 제외한 온도 조정 플레이트(71)의 둘레 가장자리부를 따르도록 형성할 필요는 없다. 또, 온도 조정 플레이트(71)는 도 14에 나타낸 바와 같이 둘레 가장자리부 측면에 홈(76a)이 형성된 1장의 판형 부재(76)로 구성해도 좋다. 이 경우, 홈(76a)에 예컨대 수지제의 튜브(77)를 매립하고, 튜브(77)에 있어서, 노치부(71a)에 위치하는 개소에 형성된 냉각 기체 토출구(75b)로부터 냉각 기체를 공급하는 구성으로 해도 좋다. 또, 냉각 기체 유로(75)를 형성하는 대신, 도 15에 나타낸 바와 같이, 받침판(61)에 냉각 기체를 토출하는 기체 토출 노즐(75c)을 노치부(71a)에 위치하는 개소에 각각 설치하고, 온도 조정 플레이트(71)가 홈(home) 위치(도 8의 좌측 단부 위치)로 후퇴했을 때, 기체 토출 노즐(75c)로부터 냉각 기체를 웨이퍼(W)의 이면을 향해서 공급하는 구성이어도 좋다. 이에 따라 온도 조정 플레이트 내부에 냉각 기체 유로(75)를 형성할 필요가 없기 때문에 구조가 간단해진다.

다음으로, 열처리 유닛(PEB1)의 작용에 관해 설명한다. 이미 설명한 메인 아암(A1)에 의해, 표면에 레지스트액이 도포된 웨이퍼(W)가 반송구(61)를 통해 케이스(60) 내에 반입되고, 이미 설명한 바와 같이 웨이퍼(W)는 온도 조정 플레이트(71)에 전달되면 메인 아암(A1)은 케이스(60) 안으로부터 퇴거한다. 한편, 온도 조정 기구(70)가 가열 플레이트(88)를 향해서 이동할 때까지 가열 플레이트(88)의 표면은 도시하지 않은 복수의 히터에 의해 미리 설정된 온도, 예컨대 130℃로 가열되어 있고, 가열 플레이트(88)의 열복사에 의해 천판(94)의 하면이 가열되어 있다.

웨이퍼(W)를 유지한 온도 조정 플레이트(71)가 가열 플레이트(88) 위로 이동하면, 지지핀(89a)이 상승하여, 온도 조정 플레이트(71)에 배치된 웨이퍼(W)의 이면을 지지한다. 그리고 온도 조정 플레이트(71)가 홈(home) 위치로 후퇴하고 지지핀(89a)이 하강하여, 가열 플레이트(88)의 돌기부(88a) 상에 웨이퍼(W)가 전달되어 가열된다.

또한 웨이퍼(W)의 가열시에는 이미 설명한 바와 같이 케이스(60) 안이 배기되었기 때문에 천판(94)과 가열 플레이트(88) 사이로 외기가 유입되고, 천판(94)과 가열 플레이트(88)에 의해 기류가 규제 정류됨으로써, 웨이퍼(W)의 외측 둘레로부터 중앙을 향하는 기류가 형성된다. 이 때문에 웨이퍼(W)에 도포된 레지스트액은 가열 플레이트(88)의 열에 의해 용제가 증발하고 레지스트 성분의 일부가 승화하여, 이들 용제 증기와 승화 성분이 흡인 배기구(94a)에 흡입된다. 또한 이미 설명한 바와 같이 바닥판(62)의 하방 영역이 상방 영역에 비해 부압 분위기가 됨으로써, 배기구(62a)를 통해 상방 영역으로부터 하방 영역으로 유입되는 기류가 형성되고, 웨이퍼(W)의 주위로부터 비산된 용제 증기와 승화 성분이 이 기류를 타고 하방 영역으로 유입되어, 제1 중간 배기 덕트(63A)의 흡인구(63a)에 흡입된다. 이런 식으로 레지스트액이 건조되어, 웨이퍼(W)에 레지스트막이 형성된다.

예컨대 미리 설정된 시간 동안 웨이퍼(W)가 가열된 후에, 지지핀(89a)이 상승하여 웨이퍼(W)를 지지한다. 온도 조정 플레이트(71)가 홈(home) 위치로부터 다시 가열 플레이트(88)로 이동하여, 웨이퍼(W)가 온도 조정 플레이트(71) 상에 전달된다. 웨이퍼(W)의 열은 온도 조정 플레이트(71)에 전달되고, 온도 조정 플레이트(71)는 축열되어 승온하지만, 이미 설명한 바와 같이 온도 조정 플레이트(71) 내에 형성된 냉각수 유로(74) 안에 흐르는 냉각수에 의해 온도 조정 플레이트(71)는 냉각된다. 여기서, 노치부(71a)의 상방에 위치하는 웨이퍼(W)는 온도 조정 플레이트(71)와 접촉하지 않기 때문에, 웨이퍼(W)의 다른 영역보다 강온 효과를 얻기 어렵다. 그 때문에, 예컨대 온도 조정 플레이트(71) 상에 웨이퍼(W)가 배치되는 동시에, 냉각 기체 토출구(75b)로부터 냉각 기체가 토출된다. 또한, 냉각 기체는 예컨대 N₂ 또는 He를 이용한다. 또, 이 냉각 기체의 온도는 예컨대 23℃∼30℃ 이하로 설정되어 있다. 그리고 메인 아암(A1)이 후술하는 바와 같이 반송 스케줄에 따라서 이 웨이퍼(W)를 취하러 오는데, 이 때까지 온도 조정 플레이트(71)에 의해 웨이퍼(W)를 대강 식힌다.

메인 아암(A1)은 온도 조정 플레이트(71) 상의 웨이퍼(W)를 하방으로부터 들어 올리듯 수취하여, 웨이퍼(W)를 케이스(60) 밖으로 반송한다. 그 후, 메인 아암(A1)에 의해 후속 웨이퍼(W)가 이 열처리 유닛(PEB1)에 반송되지만 이 후속 웨이퍼(W)에도 동일하게 가열 처리가 행해진다.

상기 실시형태에서는, 온도 조정 플레이트(71)를 열처리 유닛(PEB1)의 일부로서 구성한 경우에 관해 설명했지만, 이 온도 조정 플레이트(71)는 도 3에 나타내는 선반 유닛(U5 및 U6)에 구비되는 냉각 플레이트(CPL1∼CPL14)로서 이용해도 좋다.

또, 온도 조정 플레이트(71)에 도시하지 않은 감온 센서를 구비하고, 온도 조정 플레이트(71) 상에 배치된 웨이퍼(W)의 온도를 검지하여, 웨이퍼(W)가 정해진 온도에 도달하면 냉각 기체의 토출이 정지되도록 제어해도 좋다.

또, 이미 설명한 바와 같이 가열 플레이트(88)에 복수개 설치된 도시하지 않은 감온 센서에 의해 가열되어 있는 웨이퍼(W) 혹은 가열 플레이트(88)의 온도를 검지해서 취득한 온도 데이터에 기초하여, 냉각 기체의 토출 시간을 제어해도 좋다.

또한, 상기 실시형태에서는 본 고안에서의 온도 조정 플레이트(71)를 레지스트 도포·현상 처리 장치에 적용한 경우에 관해 설명했지만, 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 레지스트 도포·현상 처리 장치 이외의 기판 처리 장치에도 적용할 수 있다.

W : 웨이퍼(기판) PEB1 : 열처리 유닛
70 : 온도 조정 기구 71 : 온도 조정 플레이트
71a : 노치부 73c : 구동 기구
74 : 냉각수 유로 75 : 냉각 기체 유로
80 : 가열 기구 88 : 가열 플레이트

Claims

배치된 기판을 유지하면서 이 기판을 정해진 온도로 열처리하는 온도 조정 플레이트를 구비하는 열처리 장치에 있어서,
상기 온도 조정 플레이트는,
냉각 기체를 유통시키기 위한 냉각 기체 유로와,
온도 조정 플레이트의 둘레 가장자리부에 형성된 복수의 노치부와,
이 복수의 노치부에 형성되며, 상기 냉각 기체 유로로부터 냉각 기체를 토출하는 냉각 기체 토출구
를 구비하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
제1항에 있어서, 상기 냉각 기체 유로는 일부가 상기 노치부 근방에 형성되는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 온도 조정 플레이트는 스테인레스, 알루미늄, 티탄, 구리, 카본 또는 니켈로 형성되는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 노치부는, 상기 온도 조정 플레이트에 배치되는 기판에 대하여 수평이거나 기판 이면을 향해서 냉각 기체가 토출되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 기판을 유지하면서 이 기판을 가열하는 가열 플레이트와,
상기 온도 조정 플레이트에 배치된 기판을 상기 가열 플레이트에 대하여 반입 및 반출하는 구동 기구
를 구비하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 냉각 기체 토출구는 드라이 에어, N₂ 또는 He를 토출하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 기판의 온도를 검지하는 검지부와,
이 검지부가 검지한 기판의 온도에 따라서, 토출된 냉각 기체의 토출 정지 타이밍을 제어하는 제어부
를 구비하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.