JPH0766162A - 紫外線照射式改質装置 - Google Patents

紫外線照射式改質装置

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JPH0766162A
JPH0766162A JP21604493A JP21604493A JPH0766162A JP H0766162 A JPH0766162 A JP H0766162A JP 21604493 A JP21604493 A JP 21604493A JP 21604493 A JP21604493 A JP 21604493A JP H0766162 A JPH0766162 A JP H0766162A
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JP
Japan
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work
mounting table
hot plate
temperature
processing chamber
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JP21604493A
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Inventor
Kazuhiro Miyagawa
和弘 宮川
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Toshiba Lighting and Technology Corp
Original Assignee
Toshiba Lighting and Technology Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】ワークを載せる載置テーブルの温度を制御する
ことができ、ワークの温度制御が可能となり、処理品質
が安定する紫外線照射式改質装置を提供する。 【構成】処理室2に載置テーブル10を上下移動可能に
収容し、この載置テーブル10に載せたワーク20に低
圧水銀灯5から紫外線を照射するとともに、この処理室
に酸素およびオゾンの少なくともいずれかを供給する紫
外線照射式改質装置において、上記載置テーブル10
は、ワークが載置されるホットプレート11と、このホ
ットプレートに取り付けられ強制水冷されることにより
上記ホットプレートの温度上昇を抑制するクールプレー
ト12とで構成した。 【作用】ワークを載せる載置テーブルがホットプレート
とクールプレートとで構成されているので、クールプレ
ートによってホットプレートの温度上昇を抑制すること
ができ、よって処理中のワークの温度を容易に制御する
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の光ア
ッシング処理などのように、紫外線を照射することによ
り物質表面の洗浄、分解などの改質処理を行う紫外線照
射式改質装置に関する。
【0002】
【従来の技術】高出力低圧水銀灯から照射される水銀共
鳴線の185nmおよび245nmの短波長紫外線は、それ
単独で、またはオゾンや酸素原子と組み合わせて使用す
ることにより、ガラス、シリコン、金属、樹脂などの基
材表面に付着する有機化合物を分解し、これらの除去、
あるいはこれらを含む物質の性質を変える作用を奏する
ことは知られている。
【0003】すなわち、185nmおよび245nmの短波
長紫外線を照射すると、強力な酸化作用を奏するオゾン
3 と励起酸素原子を連続して発生させることができ、
このオゾンと酸素原子が、基材表面の有機化合物に作用
し、揮発性のCO2 、H2 Oなどに変化させることか
ら、有機化合物の化学的結合を切断し、酸化分解および
気化作用を生じさせるものである。
【0004】このような性質を利用して、紫外線照射式
改質技術は種々の分野で使用されており、代表例として
は半導体集積回路のフォトレジストの除去(アッシン
グ)分野への適用が挙げられる。
【0005】半導体集積回路のフォトレジストのアッシ
ング(灰化)処理は、露光、現像によりパターンの形成
されたレジスト膜を介して下地の絶縁膜、半導体膜、金
属膜をエッチングした後、マスクとして用いたレジスト
膜をウエハ表面から除去するために行われるもので、上
記紫外線照射式改質方法を採用することにより、工程の
大幅な簡略化、設備の清浄化、品質の安定化が実現され
るようになった。
【0006】ところで、この種の紫外線照射式アッシン
グ技術において工程能率を左右する最も重要な要因はア
ッシング速度である。アッシング速度は、紫外線照射強
度、オゾン濃度およびガス温度に加えて、基材(ワー
ク)の露出表面積ならびにワークの温度などの条件に影
響される。
【0007】このため、従来は、紫外線照射光源として
の高出力低圧水銀灯の出力を調整する手段や、処理室の
オゾン濃度およびガス温度を制御する手段に加えて、処
理室に収容されたワークの温度を高くするための加熱手
段を備えている。
【0008】ワークを加熱する手段は、ワークが載置さ
れる載置テーブルをヒータを備えたホットプレートによ
り構成し、このホットプレートからなる載置テーブルに
ワークを載せることにより、ヒータからの熱を受けてワ
ークの温度を上昇させ、したがってワークの表面温度を
高くして表面の有機化合物の化学的結合の切断、酸化分
解および気化作用を促し、もってアッシング速度を早め
る作用をなす。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
載置テーブルは、単にヒータを備えたホットプレートに
よって構成されていたため、アッシング処理中にヒータ
への通電を続けるとホットプレートの温度が上昇し、ワ
ークの温度が過度に上昇することになる。ワークの温度
が所定温度に達したらヒータを停止してワークの温度を
一定に維持するような手段を採用しているが、ヒータを
停止しても、ワークには処理室の高温ガスから熱が伝え
られ、また高出力低圧水銀灯から紫外線とともに放射さ
れる赤外線がワークに照射されているのでワークの温度
が上昇する傾向にある。
【0010】すなわち、従来の載置テーブルによるとワ
ークの温度管理が困難であり、処理したワークの品質が
ばらつく不具合がある。本発明はこのような事情にもと
づきなされたもので、その目的とするのは、ワークを載
せる載置テーブルの温度を制御することができ、ワーク
の温度制御が可能となり、処理品質が安定する紫外線照
射式改質装置を提供しようとするものである。
【0011】
【課題を解決するために手段】請求項1の発明は、ワー
クを収容する処理室と、この処理室に収容されたワーク
に紫外線を照射する低圧水銀灯と、上記処理室内でワー
クを支持し、上下移動可能な載置テーブルと、上記処理
室に酸素およびオゾンの少なくともいずれかを供給する
手段と、を具備し、上記載置テーブルは、上記ワークが
載置されるホットプレートと、このホットプレートに取
り付けられ強制水冷されることにより上記ホットプレー
トの温度上昇を抑制するクールプレートと、からなるこ
とを特徴とする。
【0012】請求項2の発明は、上下移動可能な載置テ
ーブルは、旋回可能であることを特徴とする。請求項3
の発明は、載置テーブルを動かすための駆動手段を、処
理室の外部に設置したことを特徴とする。
【0013】
【作用】請求項1の構成によると、ワークを載せる載置
テーブルが上下移動するからワークとランプの位置を調
整することができ、ワークの種類の応じて紫外線強度を
選択できるとともに、このワークを載せる載置テーブル
がホットプレートとクールプレートとで構成されている
ので、クールプレートによってホットプレートの温度上
昇を抑制することができ、よって処理中のワークの温度
を容易に制御することができる。
【0014】請求項2の構成によると、処理中に載置テ
ーブルを旋回させると、ワークが旋回し、このワークの
処理表面に紫外線を均等に照射することができる。請求
項3の構成によると、駆動装置を処理室の外部に設置し
たから、処理室の容量を小さくすることができ、処理室
の酸素濃度やオゾン濃度を所定レベルまで上げるのに酸
素やオゾンの供給量を節約することができる。
【0015】
【実施例】以下本発明について、図面に示す一実施例に
もとづき説明する。図1は、半導体集積回路のフォトレ
ジストを除去する紫外線照射式アッシング装置を示す断
面図であり、図2はその載置テーブルの平面図を示す。
【0016】図1において、符号1はハウジングであ
り、内部に処理室2を形成してある。処理室2の上面に
は開閉蓋3が設けられており、この開閉蓋3には紫外線
導入窓4が形成されている。この紫外線導入窓4は紫外
線を透過する例えば石英ガラスにより形成されている。
この紫外線導入窓4の外には、高出力低圧水銀灯5が配
置されている。この高出力低圧水銀灯5は、公知の構成
をなした例えばU字形のランプであり、内部に封入した
水銀が放電により電離および励起されることによって水
銀共鳴線であるところの185nmおよび245nmの短波
長紫外線を発し、この短波長紫外線は上記紫外線導入窓
4を透過して処理室2内を照射する。
【0017】上記処理室2の一側壁には、図示しないオ
ゾン発生装置で生成されたオゾンO3 が供給されるオゾ
ン供給口6が開口されており、このオゾン供給口6より
処理室2内にオゾンO3 が供給されるようになってい
る。このため、処理中に処理室2内は所定濃度のオゾン
3 雰囲気に保たれる。
【0018】処理室2の他側壁には処理室2の使用ずみ
オゾンおよび光分解により蒸発した有機物(CO)やH
2 Oを排除するための排出口7が開口されている。そし
て処理室2の内部には載置テーブル10が設置されてい
る。載置テーブル10は上面側のホットプレート11
と、下面側のクールプレート12を一体的に積層して構
成したものである。ホットプレート11は、内部に電気
ヒータ13を備え、この電気ヒータ13は両端が通電端
子14a、14bに接続されており、これら通電端子1
4a、14bはクールプレート12を貫通して下向きに
伸びており、下端が図示しない電源に接続されている。
したがって、電源から上記通電端子14a、14bに電
流を流すと電気ヒータ13が発熱し、よってホットプレ
ート11が加熱される。
【0019】上記ホットプレート11の上面には複数の
同心形バキュームチャック溝15…が形成されている。
これら同心形のバキュームチャック溝15…は、それぞ
れエアー通路16a、16bに接続されており、これら
エアー通路16a、16bはクールプレート12を貫通
してクールプレート12の下面に開口しており、ここか
ら図示しない真空ポンプに接続されている。ホットプレ
ート11の上面にワーク、例えば半導体集積回路のガラ
ス基板20を載置して上記真空ポンプを稼働すると、同
心形のバキュームチャック溝15…が負圧になり、この
上面を塞ぐように載せられた上記ワーク20がホットプ
レート11の上面に吸引され、よってバキュームチャッ
クされるようになっている。
【0020】このようなホットプレート11の下面に重
ねて接触されたクールプレート12には、ウオータジャ
ケット17が形成されている。ウオータジャケット17
はクールプレート12の下面に、図2に示すように、載
置テーブル10をほぼ1周するような円環状の溝を設
け、この下面開口を閉塞板18により液密に封止したも
のであり、このようなウオータジャケット17の両端に
は給水口19aおよび排水口19bが形成されている。
これら給水口19aは図示しない冷却ポンプに接続され
ており、排水口19bは排水タンクに接続されている。
冷却ポンプを運転して給水口19aから水を送り込む
と、この水はウオータジャケット17内を流れて排水口
19bから排出される。このウオータジャケット17を
流れる水によりクールプレート12は強制水冷され、よ
って温度上昇が抑止される。
【0021】クールプレート12の上面とホットプレー
ト11の下面は面接触しているのでこれらクールプレー
ト12とホットプレート11は相互に熱交換し、よって
ホットプレート11の熱はクールプレート12に伝わっ
て冷却される。すなわち、ホットプレート11の過度な
温度上昇をクールプレート12により抑制する。
【0022】なお、クールプレート12の冷却性能は、
ウオータジャケット17を流す水量を制御することによ
り可変調節できるようになっている。そして、ホットプ
レート11の上面には温度センサ9が取り付けられてお
り、この温度センサ9により検出した温度が所定の温度
を越えた場合に上記ウオータジャケット17に水を流
し、そして水量を制御してホットプレート11の上面の
温度を制御するようになっている。
【0023】上記のような構成の載置テーブル10はそ
の下面、つまりクールプレート12の下面に中空シャフ
ト21を連結してあり、この中空シャフト21はハウジ
ング1の底壁を摺動自在に貫通してハウジング1の下方
に導出されている。中空シャフト21の下端はスラスト
軸受22を介して昇降ブロック23に当接している。昇
降ブロック23は雄ねじを形成した支持台24の該雄ね
じにねじ係合しており、したがって昇降ブロック23を
回転させると支持台24の雄ねじに案内されて昇降ブロ
ック23は上下に移動する。この昇降ブロック23の上
下の移動はスラスト軸受22を介して中空シャフト21
に伝えられ、よって中空シャフト21が上下移動するの
で載置テーブル10も上下に移動する。このことから、
載置テーブル10に載せられているワーク20が上下移
動し、これは光源としての低圧水銀灯5に対して接離変
位するので、低圧水銀灯5から受ける紫外線強度を変更
することができる。
【0024】上記昇降ブロック23は外周面に平歯車2
5が形成されており、この平歯車25は昇降用歯車26
に噛み合っている。この昇降用歯車26は昇降用モータ
27によって回転駆動される。したがって、昇降用モー
タ27の回転により昇降ブロック23が回転されるとこ
の昇降ブロック23は上下に移動し、載置テーブル10
を上下に移動する。
【0025】上記中空シャフト21の途中には他の平歯
車28が取り付けられており、この平歯車28は旋回用
歯車29に噛み合っている。旋回用歯車29は旋回用モ
ータ30によって回転駆動される。したがって、旋回用
モータ30を回転させると、旋回用歯車29および平歯
車28を通じて中空シャフト21が旋回される。このた
め、載置テーブル10が処理室2内で旋回する。このこ
とから、載置テーブル10に載せられたワーク20が旋
回され、全面に亘り紫外線を浴びることができる。
【0026】また、載置テーブル10の中央上面には凹
部31が形成されており、この中央凹部31には受け渡
し台32が突没自在に収容されるようになっている。受
け渡し台32は昇降シャフト33に取り付けられてお
り、この昇降シャフト33は載置テーブル10および中
空シャフト21の中心部を遊貫して支持台24の下方ま
で導かれている。そして、中空シャフト21の下端は、
例えばシリンダ34などの昇降駆動装置に連結されてお
り、このシリンダ34の伸長作用によってピストンロッ
ド36の先端が昇降シャフト33の下端に当接し、これ
により昇降シャフト33が押し上げられて受け渡し台3
2が載置テーブル10の中央上面から突出する。
【0027】受け渡し台32が載置テーブル10から突
出している場合に、外部からこの受け渡し台32にワー
ク20が載せられるようになっており、この状態で受け
渡し台32が下降して凹部31に嵌まり込むと、ワーク
20は載置テーブル10の上面に移し変えられる。
【0028】また、アッシング処理が終わった場合に、
上記シリンダ34の伸長作用により、受け渡し台32を
凹部31から上昇させると、受け渡し台32がワーク2
0を押し上げてこの受け渡し台32の上面に載せ、これ
を上昇させて外部への取り出し位置まで運ぶようになっ
ている。
【0029】なお、載置テーブル10の上下移動および
旋回運動の時には受け渡し台32も載置テーブル10と
一体的な動きをなすようになっており、シリンダ34の
ピストンロッド35の短縮量を大きくして昇降シャフト
33をピストンロッド35から離してその拘束から開放
するようになっている。
【0030】また、図示しないが、ヒータ13の通電端
子14a、14bと図示しない電源とを結ぶ配線、バキ
ュームチャック溝15…のエアー通路16a、16bと
図示しない真空ポンプとを結ぶホース、ウオータジャケ
ット17の給水口19aおよび排水口19bと冷却ポン
プおよび排水タンクを結ぶ配管は、中空シャフト21の
内部を導通されている。
【0031】このような構成によるアッシング装置の作
用を説明する。載置テーブル10はワーク20の種類が
変われば、処理中のワーク20と紫外線照射源としての
低圧水銀灯5との距離を調節するために上下位置が選択
される。つまり、ワーク20の種類の応じて載置テーブ
ル10の高さを変える。これは昇降用モータ27を回転
させて昇降ブロック23を回転され、これにより昇降ブ
ロック23を上下に移動し、中空シャフト21を上下移
動することにより載置テーブル10の位置を調節する。
【0032】このような調節後、ヒータ13に通電して
ホットプレート11の温度を高める。この場合も、ホッ
トプレート11の温度はワーク20の種類により異なら
せることができ、ホットプレート11の上面に設けた温
度センサ9によりホットプレート11の温度を検出し、
この温度が所定の温度になるようにヒータ13に通電
し、またウオータジャケット17に水を流し、その水量
を制御することによりホットプレート11の過剰な温度
上昇を抑止し、これによりワーク20の温度を制御する
ことができるようになる。
【0033】このようなホットプレート11の上にいき
なりワーク20を載置するとワーク20が急激に加熱さ
れて熱歪みが生じて破損するなどの心配があり、これを
防止するため、まずワーク20を受け渡し台32に載せ
る。すなわち、ホットプレート11の温度が所定の温度
に達すると、シリンダ34を作動させてピストンロッド
36を伸長させ、昇降シャフト33を押し上げて受け渡
し台32を載置テーブル10の中央上面から上昇させ
る。
【0034】この状態で、例えば開閉蓋3を開けるなど
の手段で外部からこの受け渡し台32にワーク20を載
せる。そして開閉蓋3を閉じて暫く待機する。この待機
は、処理室2の温度上昇を待ち、ワーク20ができるだ
けホットプレート11の温度に近くなるように、予備加
熱(温度上昇)するためである。
【0035】所定の待機時間を経過してワーク20の温
度が上昇すると、シリンダ34を作動させてピストンロ
ッド36を短縮させ、昇降シャフト33を下降させて受
け渡し台32を載置テーブル10の中央凹部31に没入
させる。すると、受け渡し台32に載せられていたワー
ク20は載置テーブル10の上面に乗り移される。この
とき、真空ポンプを稼働して載置テーブル10の上面に
形成されているバキュームチャック溝15…を負圧にす
ると、この上面を塞ぐように載せられた上記ワーク20
がホットプレート11の上面に吸引され、よってバキュ
ームチャックされる。
【0036】したがって、ワーク20は載置テーブル1
0の上面に固定され、しかも載置テーブル10からの熱
を受けて処理に適する所定の温度まで加熱される。この
ような準備が終えると、ハウジング1の側壁に開口した
オゾン供給口6から、図示しないオゾン発生装置で生成
されたオゾンO3 を導入し、処理室2内のオゾンO3
度を一定にし、かつ紫外線照射源としての低圧水銀放電
灯5を点灯させて紫外線を放射する。この紫外線は透過
窓4より処理室2に導入され、ワーク20を照射する。
【0037】また、同時に、旋回用モータ30を稼働さ
せて旋回用歯車29および平歯車28を通じて中空シャ
フト21を旋回させると、載置テーブル10が処理室2
内で旋回する。このため、載置テーブル10に載せられ
ているワーク20も旋回され、よって低圧水銀放電灯5
から照射される紫外線を全体に亘り万偏なく浴びること
ができる。
【0038】このようにしてアッシング処理が行われ、
低圧水銀放電灯5から発せられる185nmおよび245
nmの短波長紫外線により処理室2内に強力な酸化作用を
奏するオゾンO3 と励起酸素原子を連続して発生させる
ことができ、このオゾンと酸素原子が、ワーク20の表
面の有機化合物に作用し、揮発性のCO2 、H2 Oなど
に変化させるようになり、よってフォトレジストの化学
的結合を切断し、酸化分解および気化作用を生じさせ
て、レジスト膜の除去がなされる。
【0039】そして、アッシング処理が終わると、バキ
ュームチャックを止め、シリンダ34を伸長させて、昇
降シャフト33を押し上げ、受け渡し台32を載置テー
ブル10の中央凹部31から上昇させる。すると、この
受け渡し台32がワーク20を押し上げて載置テーブル
10から受け取り、この受け渡し台32の上面に載せ、
て上昇させ、外部への取り出し位置まで運ぶ。これによ
りワーク20を取りだし、次のワーク20を処理する。
【0040】このようなアッシング装置においては、載
置テーブル10を上下移動可能にしたからワーク20の
種類に応じて載置テーブル10の高さを変えることによ
り紫外線を受ける強さを選択することができ、多種品種
のワークに対して適用可能になる。
【0041】そして、載置テーブル10はホットプレー
ト11によりワーク20を加熱するようになっているか
ら、処理中のワークの温度を高く保つことができ、アッ
シング速度を早くすることができる。ヒータ13はホッ
トプレート11の外部に設置することも考えられるが、
ヒータ13をホットプレート11内に設けると構造が簡
単になり、ワークの加熱効率もよくなる。
【0042】このようなホットプレート11にクールプ
レート12を重ね、このクールプレート12に形成した
ウオータジャケット17により強制水冷することによっ
てホットプレート11の温度上昇を抑制するようにした
から、処理中のワーク20が過度の温度上昇するのを防
止することができる。ちなみに、ヒータ13への通電を
停止していても、アッシング処理中には低圧水銀放電灯
5から放出される赤外線を受けて処理室2内のガス温度
が上昇し、ワーク20の温度が過剰上昇する傾向にある
が、上記クールプレート12により温度制御することか
ら、ワーク20を最適な温度に保ち、精度のよいアッシ
ング処理が可能になる。
【0043】また、処理中にワーク20の温度は各ワー
クの種類によって異なるが、温度センサ9によりホット
プレート11の温度を検出し、ウオータジャケット17
に流す水量を制御することによってホットプレート11
の温度を可変制御することができ、よってワークの種類
が変わってもそれに応じた最適な温度に制御することが
できる。
【0044】さらに、本実施例の載置テーブル10は、
旋回用モータ30により旋回されるので、この載置テー
ブル10に載せられているワーク20も旋回し、ワーク
20の全表面に紫外線を万偏なく浴びせることができ、
かつ均等に照射することができる。このためアッシング
のむらがなくなり、品質が向上するとともに、作業効率
が高くなる。
【0045】そしてまた、本実施例の場合、載置テーブ
ル20を上下移動および旋回させるモータ27および3
0、受け渡し台32を昇降させるシリンダ34などの駆
動装置を処理室2の外部に設けたので、処理室2には必
要最小限の載置テーブル20だけを収容すればよく、よ
って処理室2の容積を小さくすることができる。このた
め処理室2に供給する酸素やオゾンの量が少なくてす
み、酸素濃度やオゾン濃度を所定レベルまで上げるのに
短時間で可能となり、酸素やオゾンの供給量を節約する
ことができるとともに、作業能率を高めることができ
る。
【0046】なお、本発明は上記実施例に制約されるも
のではない。すなわち、上記実施例の場合、半導体集積
回路のフォトレジストのアッシング装置に適用した例を
説明したが、本発明はアッシング装置に限らず、要する
に185nmおよび245nmの短波長紫外線を照射してオ
ゾンO3 および励起酸素原子を発生させ、このオゾンと
酸素原子により基材表面の有機化合物を酸化分解や気化
させるような改質処理には適用可能である。
【0047】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ワ
ークを載せる載置テーブルをホットプレートとクールプ
レートとで構成し、クールプレートによってホットプレ
ートの温度上昇を抑制するようにしたから、処理中のワ
ークの温度を容易に制御することができるとともに、ワ
ークの種類の応じてワークの温度を変えることもでき、
処理速度を高くするとともに、安定した処理を可能に
し、品質が安定する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示し、半導体集積回路のフ
ォトレジストのアッシング装置の断面図。
【図2】同実施例の載置テーブルの平面図。
【符号の説明】
1…ハウジング 2…処理室 4
…紫外線導入窓 5…高出力低圧水銀灯 6…オゾン供給口 7
…排出口 9…温度センサ 10…載置テーブル 11…ホットプレート 1
2…クールプレート 13…電気ヒータ 15…バキュームチャック溝 17…ウオータジャケット 20…ワーク 21…中空シャフト 23…昇降ブロック 24…支持台 2
7…昇降用モータ 30…旋回用モータ 31…中央凹部 32…受け渡し台 33…昇降シャフト 34…シリンダ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ワークを収容する処理室と、 この処理室に収容されたワークに紫外線を照射する低圧
    水銀灯と、 上記処理室内でワークを支持し、上下移動可能な載置テ
    ーブルと、 上記処理室に酸素およびオゾンの少なくともいずれかを
    供給する手段と、 を具備し、 上記載置テーブルは、 上記ワークが載置されるホットプレートと、 このホットプレートに取り付けられて強制水冷されるこ
    とにより上記ホットプレートの温度上昇を抑制するクー
    ルプレートと、 からなることを特徴とする紫外線照射式改質装置。
  2. 【請求項2】 上下移動可能な載置テーブルを、旋回可
    能にしたことを特徴とする請求項1に記載の紫外線照射
    式改質装置。
  3. 【請求項3】 上記載置テーブルを動かすための駆動手
    段を、処理室の外部に設置したことを特徴とする請求項
    1または請求項2に記載の紫外線照射式改質装置。
JP21604493A 1993-08-31 1993-08-31 紫外線照射式改質装置 Pending JPH0766162A (ja)

Priority Applications (1)

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JP21604493A JPH0766162A (ja) 1993-08-31 1993-08-31 紫外線照射式改質装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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