JP5437863B2 - 熱処理装置 - Google Patents
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Description
まず、本発明に係る熱処理装置の全体構成について概説する。図1は、本発明に係る熱処理装置1の構成を示す縦断面図である。熱処理装置1は基板として略円形の半導体ウェハーWにフラッシュ光(閃光)を照射してその半導体ウェハーWを加熱するランプアニール装置である。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。図11は、第2実施形態の熱処理装置のチャンバー要部を示す図である。第2実施形態においては、チャンバー6の内壁面の一部にラバーヒータ220を貼設している。また、第2実施形態においては、チャンバー6の側内壁面を覆う石英部材120は設けていない。残余の構成については、第2実施形態の熱処理装置は第1実施形態と同様である。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。図12は、第3実施形態の熱処理装置の構成を示す断面図である。第3実施形態においては、処理ガスをガス供給源88からチャンバー6へと導くガス導入路81にガス加熱部320を介挿している。また、第3実施形態においては、チャンバー6の内壁面を覆う石英部材120およびラバーヒータ220は設けていない。残余の構成については、第3実施形態の熱処理装置は第1実施形態と同様である。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記第1実施形態においては、少なくとも処理位置の保持部7よりも上方におけるチャンバー6の内壁面を覆うように石英部材120を設けていたが、チャンバー6の内壁面の全体を覆うように石英部材120を設けるようにしても良い。
3 制御部
4 保持部昇降機構
5 ランプハウス
6 チャンバー
7 保持部
11 シリコン基板
12 薄膜
60 上部開口
61 チャンバー窓
63 チャンバー側部
65 熱処理空間
71 ホットプレート
72 サセプタ
81 ガス導入路
82,87,473 ガスバルブ
85,475 流量調整弁
88 ガス供給源
89 ガス吐出口
120 石英部材
220 ラバーヒータ
320 ガス加熱部
472 ガス排気口
474 排気ポンプ
631 リング
FL フラッシュランプ
W 半導体ウェハー
Claims (2)
- 不純物が注入された基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
不純物が注入された後に炭素または炭素化合物の薄膜が表面に形成された基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて前記基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された前記基板にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、
前記フラッシュランプからフラッシュ光が照射されたときに、前記薄膜から飛散した炭素または炭素化合物が前記チャンバーの内壁面に付着するのを防止する付着防止手段と、
を備え、
前記付着防止手段は、
前記チャンバーの内部に酸素ガスを供給する酸素供給手段と、
前記チャンバーの内壁面を100℃以上に加熱する壁面加熱手段と、
を含むことを特徴とする熱処理装置。 - 不純物が注入された基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
不純物が注入された後に炭素または炭素化合物の薄膜が表面に形成された基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて前記基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された前記基板にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、
前記フラッシュランプからフラッシュ光が照射されたときに、前記薄膜から飛散した炭素または炭素化合物が前記チャンバーの内壁面に付着するのを防止する付着防止手段と、
を備え、
前記付着防止手段は、
前記チャンバーの内部に100℃以上に加熱した酸化性ガスを供給する酸化性ガス供給手段を含むことを特徴とする熱処理装置。
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