TW202137293A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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TW202137293A
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松永浩一
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種基板處理裝置及基板處理方法，可調節基板面內的氟樹脂膜之形成範圍。基板處理裝置，具備：疏水化處理部，施行藉由疏水化處理用之疏水化氣體的蒸鍍，而於基板的正面形成疏水化膜之疏水化處理；紫外線照射部，藉由對基板的背面中之去除區域照射紫外線，而將在疏水化處理中形成於去除區域的疏水化膜去除；以及樹脂膜形成部，於去除疏水化膜後之去除區域，形成氟樹脂膜。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種基板處理裝置及基板處理方法。
於專利文獻1揭露一種基板處理裝置，具備將降低摩擦膜形成在基板的背面之膜形成部，該降低摩擦膜，降低基板的背面與於曝光處理時保持基板的背面之保持面的摩擦。作為藉由膜形成部形成之降低摩擦膜的具體例，可列舉氟樹脂膜。 [習知技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開第2019-121683號公報
[本發明所欲解決的問題]
本發明提供一種基板處理裝置及基板處理方法，可調節基板面內的氟樹脂膜之形成範圍。 [解決問題之技術手段]
本發明的一態樣之基板處理裝置，具備：疏水化處理部，施行藉由疏水化處理用之疏水化氣體的蒸鍍，而於基板的正面形成疏水化膜之疏水化處理；紫外線照射部（去除部），藉由對基板的背面中之去除區域照射紫外線，而將在疏水化處理中形成於去除區域的疏水化膜去除；以及樹脂膜形成部，於已去除疏水化膜之去除區域，形成氟樹脂膜。 [本發明之效果]
依本發明，提供了一種基板處理裝置及基板處理方法，其可調節基板面內的氟樹脂膜之形成範圍。
以下，針對各種例示性實施形態予以說明。
一例示性實施形態之基板處理裝置，具備：疏水化處理部，施行藉由疏水化處理用之疏水化氣體的蒸鍍，而於基板的正面形成疏水化膜之疏水化處理；紫外線照射部，藉由對基板的背面中之去除區域照射紫外線，而將在疏水化處理中形成於去除區域的疏水化膜去除；以及樹脂膜形成部，於去除疏水化膜後之去除區域，形成氟樹脂膜。
此基板處理裝置，於未形成疏水化膜之區域、與已去除疏水化膜之區域，形成氟樹脂膜。另一方面，於形成有疏水化膜之區域，未形成氟樹脂膜。亦即，藉由紫外線的照射將疏水化膜去除之區域，對應於氟樹脂膜之形成範圍。因而，藉由以紫外線的照射調節疏水化膜之去除區域，而可調節基板面內的氟樹脂膜之形成範圍。
基板處理裝置，亦可更具備塗布膜形成部，其藉由將處理液供給至形成氟樹脂膜後之基板的正面，而於正面形成塗布膜。此一情況，可在保持形成於背面的氟樹脂膜之狀態下，於基板的正面形成塗布膜。
基板處理裝置，亦可更具備顯影處理部，其對於對塗布膜施行曝光處理後之基板，施行顯影處理。去除區域，亦可設定於背面中之邊緣部以外的區域。此一情況，於背面之邊緣部以外的區域形成氟樹脂膜，故在曝光處理中可降低基板的保持部與背面之間的摩擦。
紫外線照射部，亦可具備：紫外線照明部，可對包含去除區域的區域照射紫外線；以及遮光構件，配置於紫外線照明部與背面之間，遮蔽紫外線的往背面中之去除區域以外的區域之照射。此一情況，可藉由遮光構件的形狀調節疏水化膜之去除區域，故氟樹脂膜之形成範圍的調節簡單。
遮光構件亦可包含保持臂，該保持臂以覆蓋背面之去除區域以外的區域之狀態保持基板。此一情況，可藉由保持臂施行基板的搬運與紫外線的遮光，故可追求裝置的簡化。
遮光構件亦可包含遮蓋構件，該遮蓋構件配置於保持基板的保持部與紫外線照明部之間。此一情況，藉由遮蓋構件的形狀調節氟樹脂膜之形成範圍即可，故可簡化保持部。
疏水化處理部，其亦可藉由將疏水化氣體供給至用於施行疏水化處理之處理空間內，而對正面施行疏水化氣體的蒸鍍。樹脂膜形成部，其亦可藉由將氟樹脂膜形成用的處理氣體供給至該處理空間內，而對背面施行處理氣體的蒸鍍。此一情況，可在疏水化處理與氟樹脂膜的形成中共用形成處理空間之單元，故可追求裝置的簡化。
一例示性實施形態之基板處理方法，包含如下步驟：施行藉由疏水化處理用之疏水化氣體的蒸鍍，而於基板的正面形成疏水化膜之疏水化處理；藉由對基板的背面中之去除區域照射紫外線，而將在疏水化處理中形成於去除區域的疏水化膜去除；以及於去除疏水化膜後之去除區域，形成氟樹脂膜。此基板處理方法，與上述基板處理裝置同樣地，可調節氟樹脂膜之形成範圍。
以下，參考圖式，針對一實施形態予以說明。於說明中，對同一要素或具有同一功能之要素給予同一符號，將重複的說明省略。
[基板處理系統] 圖1所示之基板處理系統1，係對工件W，施行感光性被覆膜的形成、該感光性被覆膜的曝光、及該感光性被覆膜的顯影之系統。作為處理對象之工件W，例如為基板，抑或藉由施行既定處理而形成有膜或電路等之狀態的基板。工件W所包含之基板，作為一例，為含有矽之晶圓。工件W（基板），亦可形成為圓形。
作為處理對象之工件W，可為玻璃基板、遮罩基板、FPD（Flat Panel Display，平板顯示器）等，亦可為對此等基板等施行既定處理而可獲得的中間體。另，於工件W的邊緣存在斜角（倒角）之情況，本說明書中之工件W的「正面」，亦包含從工件W的正面側觀察時之斜角部分。同樣地，工件W的「背面」，亦包含從工件W的背面側觀察時之斜角部分；工件W的「端面」，亦包含從工件W的端面側觀察時之斜角部分。感光性被覆膜，例如為光阻膜。
基板處理系統1，具備塗布/顯影裝置2、及曝光裝置3。曝光裝置3，係將形成於工件W（基板）的光阻膜（感光性被覆膜）曝光之裝置。具體而言，曝光裝置3，藉由液浸曝光等方法，對光阻膜的曝光對象部分照射能量線。塗布/顯影裝置2，於曝光裝置3所進行的曝光處理前，施行在工件W的正面塗布光阻液（藥液）而形成光阻膜之處理，於曝光處理後施行光阻膜的顯影處理。
（基板處理裝置） 以下，作為基板處理裝置的一例，說明塗布/顯影裝置2的構成。如圖1及圖2所示，塗布/顯影裝置2，具備載具區塊4、處理區塊5、介面區塊6、及控制裝置100。
載具區塊4，施行工件W之往塗布/顯影裝置2內的導入、及工件W之從塗布/顯影裝置2內的導出。例如，載具區塊4，可支持工件W用的複數個載具C，內建有包含傳遞臂之搬運裝置A1。載具C，例如收納圓形之複數片工件W。搬運裝置A1，將工件W從載具C取出而往處理區塊5遞送，從處理區塊5接收工件W而返回至載具C內。處理區塊5，具備處理模組11、12、13、14。
處理模組11，內建：液體處理單元U1、熱處理單元U2、及將工件W搬運至此等單元之搬運裝置A3。處理模組11，藉由液體處理單元U1及熱處理單元U2，於工件W的正面上形成下層膜。液體處理單元U1，將下層膜形成用之處理液塗布於工件W上。熱處理單元U2，施行伴隨下層膜的形成之各種熱處理。處理模組11，更具備膜形成單元U3。膜形成單元U3，對形成有下層膜之工件W的正面施行疏水化處理，於該工件W的背面形成包含氟樹脂之膜。針對膜形成單元U3的細節，將於之後詳述。
處理模組12，內建：液體處理單元U1、熱處理單元U2、及將工件W搬運至此等單元之搬運裝置A3。處理模組12，藉由液體處理單元U1及熱處理單元U2，於下層膜上形成光阻膜。液體處理單元U1（塗布膜形成部），藉由將光阻膜形成用之處理液（光阻液）供給至施行疏水化處理後之工件W的正面，而於工件W的正面形成光阻膜（塗布膜）。熱處理單元U2，施行伴隨光阻膜的形成之各種熱處理。
處理模組13，內建：液體處理單元U1、熱處理單元U2、及將工件W搬運至此等單元之搬運裝置A3。處理模組13，藉由液體處理單元U1及熱處理單元U2，於光阻膜上形成上層膜。液體處理單元U1，將上層膜形成用之液體塗布於光阻膜上。熱處理單元U2，施行伴隨上層膜的形成之各種熱處理。
處理模組14，內建：液體處理單元U1、熱處理單元U2、及將工件W搬運至此等單元之搬運裝置A3。處理模組14，藉由液體處理單元U1及熱處理單元U2，施行已施行曝光處理之光阻膜的顯影處理、及伴隨顯影處理的熱處理。液體處理單元U1（顯影處理部），於曝光完畢之工件W的正面上塗布顯影液後，將其以清洗液洗去，藉以施行光阻膜的顯影處理。熱處理單元U2，施行伴隨顯影處理之各種熱處理。作為熱處理的具體例，可列舉：顯影處理前的加熱處理（PEB：Post Exposure Bake）、顯影處理後的加熱處理（PB：Post Bake）等。
於處理區塊5內之載具區塊4側，設置棚架單元U10。棚架單元U10，分隔為在上下方向並排的複數個小單元。於棚架單元U10附近，設至包含升降臂之搬運裝置A7。搬運裝置A7，使工件W在棚架單元U10的小單元彼此之間升降。
於處理區塊5內之介面區塊6側，設置棚架單元U11。棚架單元U11，分隔為在上下方向並排的複數個小單元。
介面區塊6，在與曝光裝置3之間施行工件W的傳遞。例如，介面區塊6，與曝光裝置3連接，內建有包含傳遞臂之搬運裝置A8。搬運裝置A8，將配置於棚架單元U11之工件W往曝光裝置3遞送。搬運裝置A8，從曝光裝置3接收工件W而返回至棚架單元U11。
（膜形成單元） 而後，參考圖3、圖4（a）、及圖4（b），詳細地說明膜形成單元U3的一例。膜形成單元U3，依序施行：對於工件W之正面Wa的疏水化處理、紫外線的往工件W之背面Wb的照射、及含氟樹脂之膜（下稱「氟樹脂膜Ff」）的對工件W之背面Wb的形成。膜形成單元U3，如圖3所示，具備蒸鍍處理部20及紫外線照射部60。蒸鍍處理部20之一部分與紫外線照射部60，亦可收納於一個筐體（未圖示）內。
於圖3例示之膜形成單元U3，在使蒸鍍處理部20施行對於工件W之正面Wa的疏水化處理後，使紫外線照射部60施行紫外線之往工件W的照射。而後，蒸鍍處理部20，於紫外線照射後之工件W的背面Wb形成氟樹脂膜Ff。藉由施行疏水化處理，於工件W的正面Wa形成經疏水化的膜（下稱「疏水化膜Fh」）。以下，將疏水化膜Fh與氟樹脂膜Ff統稱作「處理膜」，將包含疏水化處理與氟樹脂膜之形成處理的處理稱作「處理膜的形成處理」。以下，依對於工件W的處理之順序，針對蒸鍍處理部20的各要素與紫外線照射部60的各要素予以說明。蒸鍍處理部20，例如具備熱板22、腔室24、升降部28、疏水化處理部40、及氟樹脂膜形成部50。
熱板22，將工件W加熱。熱板22，例如形成為略圓板狀，於支持台（未圖示）水平地設置。熱板22，具有載置面22a。藉由將作為處理對象之工件W載置於載置面22a，而使熱板22支持工件W。熱板22，將載置於載置面22a之工件W加熱。熱板22，亦可包含由電阻發熱體構成之加熱器。加熱器，例如，設置於熱板22的內部或與載置面22a為相反側的底面。
腔室24，包圍熱板22的載置面22a。腔室24，例如具備頂板24a及側壁24b。頂板24a，形成為具有與熱板22同程度之直徑的圓板狀。頂板24a，配置為與載置面22a在上下方向中相對向。側壁24b，形成為從頂板24a之外緣往下方延伸。
腔室24，可沿著上下方向移動。腔室24，例如在下降位置與上升位置之間移動；於該下降位置，形成用於施行處理膜的形成處理之空間（下稱「處理空間V」），於上升位置使處理空間V開放。使腔室24位於下降位置時，亦可使側壁24b之下端接觸熱板22。蒸鍍處理部20，更具備使腔室24升降之腔室驅動部26。腔室驅動部26，例如為藉由氣壓缸或電動馬達等動力源使腔室24升降之升降致動器。
升降部28，在熱板22之上方中使工件W升降。升降部28，例如具備複數根支承銷32、及銷驅動部34。支承銷32，係從下方支持工件W的銷。複數根支承銷32，形成為往上下方向延伸，以往上下方向貫通熱板22的狀態設置。複數根支承銷32，亦可於圓周方向等間隔地配置。
複數根支承銷32，可沿著上下方向移動。複數根支承銷32，例如在載置位置與分離位置之間移動；於載置位置，將工件W載置於熱板22之載置面22a，於分離位置，使工件W往較載置面22a更上方離開。銷驅動部34，藉由使複數根支承銷32升降，而使工件W沿著上下方向移動。銷驅動部34，例如，係藉由氣壓缸或電動馬達等動力源使複數根支承銷32升降之升降致動器。
疏水化處理部40，施行疏水化處理：藉由疏水化處理用之氣體（下稱「疏水化氣體」）的蒸鍍，而於工件W的正面Wa形成疏水化膜。藉由對工件W的正面Wa施行疏水化處理（藉由形成疏水化膜Fh），而確保於疏水化處理後形成在正面Wa的光阻膜與正面Wa之密接性。疏水化氣體，若包含可將正面Wa疏水化之化合物則無限定，例如亦可為包含HMDS（六甲基二矽氮烷：(CH3 )3 SiNHSi(CH3)3 ）之氣體。疏水化處理部40，在使腔室24下降而形成處理空間V之狀態下，將疏水化氣體供給至該處理空間V。
疏水化處理部40，例如包含氣體供給源42、氣體供給路44、及開閉閥46。氣體供給源42，為疏水化氣體之供給源。氣體供給源42，亦可為包含HMDS的氣體（下稱「HMDS氣體」）之供給源。氣體供給源42，亦可使包含HMDS之原料液氣化而生成HMDS氣體，藉由氮氣將HMDS氣體向處理空間V送出。氣體供給路44，與氣體供給源42及形成在腔室24內之處理空間V連接。氣體供給路44的處理空間V側之端部，例如往上下方向貫通腔室24的頂板24a，將形成於該端部的供給口44a向處理空間V開口。
開閉閥46，設置於氣體供給路44，將氣體供給路44的流路開啟關閉。開閉閥46呈開啟狀態時，從氣體供給源42將疏水化氣體供給至處理空間V；開閉閥46呈關閉狀態時，並未從氣體供給源42將疏水化氣體供給至處理空間V。另，蒸鍍處理部20，亦可更具備用於將處理空間V內的氣體（例如疏水化氣體）排出之排氣部。作為一例，於處理空間V內存在HMDS氣體的氣體環境下，藉由以熱板22將工件W加熱，而於正面Wa使矽烷基結合。藉此，於工件W的正面Wa形成疏水化膜Fh（矽烷化膜）。
施行HMDS氣體等之疏水化氣體的蒸鍍所進行之疏水化處理時，將工件W載置於載置面22a，但在工件W的背面Wb與載置面22a之間可能產生微小的間隙。因此，疏水化氣體迴繞至背面Wb，在背面Wb之邊緣部及較邊緣部更為內側之區域亦形成疏水化膜Fh。膜形成單元U3，藉由紫外線照射部60，將形成於背面Wb的疏水化膜Fh之一部分去除。
紫外線照射部60，藉由對工件W的背面Wb中之既定區域（下稱「去除區域Sr」）照射紫外線，而將在疏水化處理中形成於背面Wb之去除區域Sr的疏水化膜Fh去除。紫外線照射部60，其構成方式為不將背面Wb中之形成於去除區域Sr以外的區域（下稱「非去除區域Sn」）之疏水化膜Fh去除。例如，紫外線照射部60，未對非去除區域Sn照射紫外線。如圖4（a）所示，可將非去除區域Sn設定於背面Wb之邊緣部的全周，將去除區域Sr設定於非去除區域Sn的內側。非去除區域Sn，亦可設定為將背面Wb之斜角部分全部覆蓋。例如，亦可於工件W的全周中，使非去除區域Sn的半徑方向之寬度，較斜角部分之寬度更大。
如圖3所示，紫外線照射部60，於水平方向中與蒸鍍處理部20（熱板22及腔室24）並排配置。紫外線照射部60，例如具備保持臂62、臂驅動部64、及紫外線燈66（紫外線照明部）。保持臂62，保持工件W。保持臂62，例如保持工件W的背面Wb。保持臂62，設置為可在收納紫外線照射部60、熱板22、腔室24、及升降部28的筐體內移動。例如，使保持臂62，可沿著往水平方向延伸之導軌（未圖示）而移動。
保持臂62，在和熱板22重疊的傳遞位置，與從該傳遞位置往水平方向分離的待機位置之間移動。在使腔室24與熱板22分離而將處理空間V開放的狀態下，於傳遞位置中在保持臂62與支承銷32之間施行工件W的傳遞。臂驅動部64，藉由使保持臂62沿著水平方向移動，而使工件W在待機位置與傳遞位置之間移動。臂驅動部64，例如為藉由電動馬達等動力源，使保持臂62於水平方向來回移動之水平致動器。另，在圖3，例示使保持臂62未於待機位置之狀態。
保持臂62，亦可保持工件W的邊緣部。如圖4（b）所示，保持臂62，亦可形成為從上下方向觀察呈圓環狀（環狀）。於圖4（b）例示之保持臂62，包含往水平方向延伸的支持部72、及往上方延伸的限制部74（亦參考圖3）。支持部72，形成為圓環狀，支持背面Wb之邊緣部的全周。限制部74，例如，設置於圓環狀的支持部72之外緣（側面）的全周或一部分，限制工件W的水平方向之移動。
在使保持臂62保持工件W之狀態下，支持部72，覆蓋工件W的背面Wb之邊緣部。具體而言，從由背面Wb朝向正面Wa之方向觀察，支持部72覆蓋背面Wb之非去除區域Sn。亦即，支持部72之寬度（徑方向之長度），與非去除區域Sn之寬度（工件W的半徑方向之長度）略相同。換而言之，支持部72之從厚度方向觀察的形狀，對應於非去除區域Sn；支持部72之形成於中央部的開口的形狀（輪廓），對應於去除區域Sr。
紫外線燈66，係為了將疏水化膜Fh去除之可射出紫外線的光源。紫外線燈66，若可將疏水化膜Fh去除，則亦可射出具有任意波長之紫外線。如圖3所示，紫外線燈66，亦可配置於保持臂62的待機位置與蒸鍍處理部20（熱板22上方的傳遞位置）之間。紫外線燈66，例如，較保持臂62沿著水平方向移動之移動線位於更下方，朝向上方射出紫外線。
紫外線燈66，可至少對工件W的背面Wb中之去除區域Sr照射紫外線。紫外線燈66，亦可對沿著與保持臂62之移動線交叉的水平線而延伸之線狀的照射區域，照射紫外線。紫外線燈66所進行之紫外線的照射範圍之寬度（長軸之長度），可與工件W的直徑為相同程度，或較工件W的直徑更大。紫外線燈66，在藉由臂驅動部64使工件W移動的期間，朝向通過該紫外線燈66的上方之工件W的背面Wb射出紫外線。在線狀的照射範圍為工件W的直徑以上之情況，紫外線燈66，可對工件W的背面Wb之全域照射紫外線。
如同上述，使保持臂62，以保持臂62的支持部72覆蓋背面Wb中之非去除區域Sn的狀態保持工件W，故朝向背面Wb之全域射出的紫外線之一部分，受到保持臂62遮蔽而未到達非去除區域Sn。另，保持臂62（支持部72）的底面，亦可由將來自紫外線燈66的紫外線反射或吸收之材料形成。如同上述，於圖3及圖4（b）例示之保持臂62，作為遮光構件而作用，其配置於紫外線燈66與背面Wb之間，遮蔽紫外線的往背面Wb中之非去除區域Sn的照射。另，於背面Wb設定之非去除區域Sn（去除區域Sr）的大小，由保持臂62之支持部72界定。亦即，在背面Wb中之由支持部72覆蓋的區域，紫外線並未到達，疏水化膜Fh並未去除，故該區域成為非去除區域Sn。
回到蒸鍍處理部20的說明，氟樹脂膜形成部50，於去除疏水化膜Fh後之去除區域Sr，形成氟樹脂膜Ff。氟樹脂膜形成部50，其亦可藉由將氟樹脂膜形成用的氣體（下稱「處理氣體」）供給至處理空間V，而對背面Wb施行處理氣體的蒸鍍。處理氣體，若可形成氟樹脂膜Ff則無限定，例如，作為化合物，為包含PTFE（聚四氟乙烯：Poly Tetra Fluoro Ethylene）之氣體。
氟樹脂膜形成部50，例如包含氣體供給源52、氣體供給路54、及開閉閥56。氣體供給源52，為氟樹脂膜形成用的處理氣體之供給源。氣體供給路54，亦可為包含PTFE的氣體（下稱「PTFE氣體」）之供給源。氣體供給路54，亦可使包含PTFE之原料液氣化而生成PTFE氣體，藉由氮氣將PTFE氣體向處理空間V送出。氣體供給路54，與氣體供給源52及形成在腔室24內之處理空間V連接。氣體供給路54的處理空間V側之端部，例如往上下方向貫通熱板22，將形成於該端部的供給口54a向處理空間V開口。
開閉閥56，設置於氣體供給路54，將氣體供給路54的流路開啟關閉。開閉閥56呈開啟狀態時，從氣體供給源52將處理氣體供給至處理空間V；開閉閥56呈關閉狀態時，並未從氣體供給源52將處理氣體供給至處理空間V。作為一例，在藉由複數根支承銷32，將工件W配置於背面Wb與熱板22分離的分離位置之狀態下，將PTFE氣體供給至處理空間V內，藉以於背面Wb蒸鍍PTFE氣體（形成氟樹脂膜Ff）。此時，在背面Wb中之未形成疏水化膜Fh的區域（去除區域Sr）蒸鍍PTFE氣體，與其相對，在形成有疏水化膜Fh的區域（非去除區域Sn）並未蒸鍍PTFE氣體。其結果，於非去除區域Sn並未形成氟樹脂膜Ff，於去除區域Sr形成氟樹脂膜Ff。
形成於背面Wb（去除區域Sr）的氟樹脂膜Ff，在膜形成單元U3的處理之後的步驟中，具有降低保持背面Wb的構件與背面Wb之間的摩擦之功能，或保護背面Wb之功能。例如，於塗布/顯影裝置2中形成光阻膜後施行曝光處理之曝光裝置3，為了施行光阻膜的曝光處理，而將該工件W從支持工件W的中心部之升降銷往平台載置。而後，工件W，在吸附於平台之狀態下保持，於平台中以使工件W的位置固定之狀態，施行照射（能量線的照射）。
然而，支持於升降銷之工件W，因其自身重量，外周部較中心部更往下方彎，故工件W以從工件W的外周部朝向中心部之順序，對平台表面接觸。此一結果，由於工件W的外周部先吸附於平台，故有工件W的中心部在受到應力（stress）之狀態下吸附的情況。此外，在往曝光裝置3搬運之工件W不平坦、產生扭曲的情況，亦可能以在工件W受到應力之狀態下吸附於平台的狀態保持。若如此地在工件W受到應力之狀態下吸附於平台，則有工件W變形，對從期望的區域偏離之區域施行照射的情況。
相對於此，藉由於工件W的背面Wb形成氟樹脂膜Ff，而以氟樹脂膜Ff降低背面Wb與曝光裝置3的平台之間的摩擦。此一結果，在將工件W載置於曝光裝置3的平台時，因摩擦之降低而將工件W以滑動的方式載置於平台上，降低上述應力。此一結果，可抑制曝光裝置3之平台中的目標位置與工件W的載置位置之偏離。
（控制裝置） 而後，參考圖5，針對控制裝置100予以說明。控制裝置100，控制塗布/顯影裝置2的各要素。控制裝置100，實行如下步驟：藉由疏水化處理部40，將疏水化處理用之疏水化氣體於正面Wa蒸鍍，於工件W的正面Wa形成疏水化膜Fh。此外，控制裝置100，實行如下步驟：藉由紫外線照射部60，對去除區域Sr照射紫外線，將在疏水化處理中形成於去除區域Sr的疏水化膜Fh去除；以及藉由氟樹脂膜形成部50，於去除疏水化膜Fh後之去除區域Sr，形成氟樹脂膜Ff。
控制裝置100，由一或複數台控制用電腦構成。例如，控制裝置100，具備圖5所示之電路110。電路110，具備：一或複數個處理器112、記憶體114、儲存器116、輸出入埠118、及計時器122。儲存器116，例如具備硬碟等可由電腦讀取之記錄媒體。記錄媒體，儲存用於使控制裝置100實行後述基板處理方法的程式。記錄媒體，亦可為非揮發性半導體記憶體、磁碟及光碟等可取出的媒體。記憶體114，暫時儲存從儲存器116之記錄媒體裝載的程式及處理器112所進行的運算結果。
處理器112，與記憶體114協同而實行上述程式。輸出入埠118，遵循來自處理器112的指令，在與熱板22（加熱器）、腔室驅動部26、銷驅動部34、開閉閥46與56、臂驅動部64、及紫外線燈66等之間施行電訊號的輸出入。計時器122，例如藉由計算一定周期之基準脈波而量測經過時間。另，控制裝置100的硬體構成，亦可由專用之邏輯電路或將其整合之ASIC（Application Specific Integrated Circuit，特殊應用積體電路）構成。
[塗布顯影處理] 而後，參考圖6，作為基板處理方法的一例，針對在塗布/顯影裝置2中施行的塗布顯影處理予以說明。控制裝置100，例如控制塗布/顯影裝置2俾以下述程序實行塗布顯影處理。首先，控制裝置100，控制搬運裝置A1俾將載具C內之工件W搬運至棚架單元U10，控制搬運裝置A7俾將該工件W配置於處理模組11用的小單元。
接著，控制裝置100，控制搬運裝置A3俾將棚架單元U10之工件W搬運至處理模組11內之液體處理單元U1及熱處理單元U2。此外，控制裝置100，控制液體處理單元U1及熱處理單元U2，俾於此工件W的正面Wa上形成下層膜（步驟S01）。其後，控制裝置100，控制搬運裝置A3俾將形成下層膜後之工件W往膜形成單元U3搬運。
接著，控制裝置100，實行包含如下步驟之處理膜的形成處理：對工件W的正面Wa施行疏水化處理、及於工件W的背面Wb形成氟樹脂膜（步驟S02）。針對步驟S02的細節，將於之後詳述。其後，控制裝置100，控制搬運裝置A3俾使施行處理膜的形成處理後之工件W返回棚架單元U10，控制搬運裝置A7俾將該工件W配置於處理模組12用的小單元。
接著，控制裝置100，控制搬運裝置A3俾將棚架單元U10之工件W搬運至處理模組12內之液體處理單元U1及熱處理單元U2。此外，控制裝置100，控制液體處理單元U1及熱處理單元U2，俾對此工件W的正面Wa形成光阻膜（步驟S03）。其後，控制裝置100，控制搬運裝置A3俾使工件W返回棚架單元U10，控制搬運裝置A7俾將該工件W配置於處理模組13用的小單元。
接著，控制裝置100，控制搬運裝置A3俾將棚架單元U10之工件W搬運至處理模組13內之各單元。此外，控制裝置100，控制液體處理單元U1及熱處理單元U2，俾於此工件W的光阻膜上形成上層膜（步驟S04）。其後，控制裝置100，控制搬運裝置A3俾將工件W搬運至棚架單元U11。
接著，控制裝置100，控制搬運裝置A8俾將棚架單元U11之工件W往曝光裝置3送出。其後，控制裝置100，控制搬運裝置A8俾從曝光裝置3承接施行過曝光處理之工件W，將其配置於棚架單元U11中之處理模組14用的小單元。
接著，控制裝置100，控制搬運裝置A3俾將棚架單元U11之工件W搬運至處理模組14內之各單元，控制液體處理單元U1及熱處理單元U2俾對該工件W的光阻膜施行顯影處理（步驟S05）。其後，控制裝置100，控制搬運裝置A3俾使工件W返回棚架單元U10，控制搬運裝置A7及搬運裝置A1俾使該工件W返回載具C內。藉由上述方式，使塗布顯影處理完成。
（處理膜的形成處理） 而後，參考圖7～圖10（c），針對步驟S02之處理膜的形成處理予以說明。圖7係顯示處理膜的形成處理之一例的流程圖。於處理膜的形成處理中，控制裝置100，亦可控制熱板22俾將熱板22之溫度維持為既定的值。
控制裝置100，首先，在由腔室24形成處理空間V而將作為處理對象之工件W載置於熱板22的狀態下，控制膜形成單元U3，俾於工件W的正面Wa形成疏水化膜Fh（步驟S11）。在步驟S11，例如，藉由使控制裝置100，如圖8（a）所示地將疏水化處理部40之開閉閥46從關閉狀態切換為開啟狀態，而將疏水化氣體從氣體供給源42供給至處理空間V。而後，控制裝置100，待機直至經過預先設定之既定時間。經過既定時間後，控制裝置100，將開閉閥46從開啟狀態切換為關閉狀態。藉此，於處理空間V中，使工件W的正面Wa暴露於疏水化氣體，且藉由熱板22將工件W加熱。此一結果，對於作為處理對象之工件W，施行藉由蒸鍍而至少於正面Wa形成疏水化膜Fh的疏水化處理。
藉由實行步驟S11，如圖8（b）所示，於工件W的正面Wa之全域形成疏水化膜Fh。此外，施行疏水化處理時，由於疏水化氣體亦迴繞至背面Wb，故如圖8（c）所示，於背面Wb之邊緣部分（更詳而言之，非去除區域Sn之全域及去除區域Sr之邊緣部）亦形成疏水化膜Fh。另，在圖8（c），以邊界線BL（虛線）顯示非去除區域Sn與去除區域Sr的邊界。在圖8（c），工件W之半徑方向中的疏水化膜Fh之寬度為一定，但亦可使疏水化膜Fh之寬度依工件W之圓周方向的位置而異地形成疏水化膜Fh。
接著，控制裝置100，控制各種驅動部，俾從處理空間V內，將工件W搬出至位於處理空間V外的待機位置（步驟S12）。例如，控制裝置100，藉由腔室驅動部26使腔室24上升，將處理空間V開放。而後，控制裝置100，控制各種驅動部，俾藉由臂驅動部64使保持臂62移動至熱板22之上方的傳遞位置，將工件W從複數根支承銷32往保持臂62傳遞。其後，控制裝置100，藉由臂驅動部64，使保持臂62於水平方向移動至與熱板22分離的待機位置。藉此，將工件W從處理空間V搬出。另，控制裝置100，亦可於待機位置中，藉由使保持臂62保持工件W的狀態持續，而施行工件W的溫度調節處理（冷卻處理）。控制裝置100，亦可在將處理空間V開放前，藉由排氣部將處理空間V內之疏水化氣體排出。
接著，控制裝置100，將工件W從待機位置搬入至處理空間V內，並控制膜形成單元U3俾對背面Wb照射紫外線（步驟S13）。例如，控制裝置100，如圖9（a）所示，使紫外線燈66開始紫外線的射出，藉由臂驅動部64使保持臂62從待機位置移動至熱板22之上方的傳遞位置。而後，在使保持臂62移動至傳遞位置後（工件W全體通過紫外線燈66之上方的紫外線照射範圍後），控制裝置100，使紫外線燈66停止紫外線的射出。如同上述，使保持臂62，以覆蓋背面Wb之非去除區域Sn的狀態保持工件W，故如圖9（b）及圖9（c）所示，對去除區域Sr照射紫外線，將形成於該去除區域Sr的疏水化膜Fh去除。
使保持臂62移動至傳遞位置後，控制裝置100，控制各種驅動部俾將工件W從保持臂62傳遞至複數根支承銷32。而後，控制裝置100，藉由腔室驅動部26使腔室24下降。藉此，將照射紫外線後之工件W再度搬入處理空間V。
接著，控制裝置100，控制膜形成單元U3，俾於工件W的背面Wb形成氟樹脂膜Ff（步驟S14）。例如，控制裝置100，如圖10（a）所示，藉由銷驅動部34，使複數根支承銷32在與熱板22分離的位置支持工件W的狀態持續。而後，控制裝置100，藉由將氟樹脂膜形成部50的開閉閥56從關閉狀態切換為開啟狀態，而將氟樹脂膜形成用的處理氣體從氣體供給源52供給至處理空間V。
其後，控制裝置100，待機直至經過預先設定之既定時間。經過既定時間後，控制裝置100，將開閉閥56從開啟狀態切換為關閉狀態。藉此，於處理空間V中，將工件W的背面Wb暴露於處理氣體。此一結果，如圖10（b）及圖10（c）所示，藉由蒸鍍而在去除區域Sr形成氟樹脂膜Ff。另，膜形成單元U3（蒸鍍處理部20），亦可更具備為了於複數根支承銷32支持工件W之處形成氟樹脂膜Ff的其他支持部。藉由上述方式，使處理膜的形成處理結束。
[實施形態的效果] 以上例示之塗布/顯影裝置2，具備：疏水化處理部40，施行藉由疏水化處理用之疏水化氣體的蒸鍍，而於工件W的正面Wa形成疏水化膜Fh之疏水化處理；紫外線照射部60，藉由對工件W的背面Wb中之去除區域Sr照射紫外線，而將在疏水化處理中形成於去除區域Sr的疏水化膜Fh去除；以及氟樹脂膜形成部50，於去除疏水化膜Fh後之去除區域Sr，形成氟樹脂膜Ff。
以上例示之塗布顯影處理，包含如下步驟：施行藉由疏水化處理用之疏水化氣體的蒸鍍，而於工件W的正面Wa形成疏水化膜Fh之疏水化處理；藉由對工件W的背面Wb中之去除區域Sr照射紫外線，而將在疏水化處理中形成於去除區域Sr的疏水化膜Fh去除；以及於去除疏水化膜Fh後之去除區域Sr，形成疏水化膜Fh。
上述塗布/顯影裝置2及塗布顯影處理，於未形成疏水化膜Fh之區域、與已去除疏水化膜Fh之區域，形成氟樹脂膜Ff。另一方面，於形成有疏水化膜Fh之區域（留下疏水化膜Fh而未將其去除之區域），並未形成氟樹脂膜Ff。亦即，藉由紫外線的照射將疏水化膜Fh去除之區域（未留下疏水化膜Fh之區域），對應於氟樹脂膜Ff之形成範圍。因而，藉由以紫外線的照射調節疏水化膜Fh之去除區域Sr，而可調節背面Wb中的疏水化膜Fh之形成範圍。
以上例示之塗布/顯影裝置2，更具備液體處理單元U1，其藉由將處理液供給至形成氟樹脂膜Ff後之工件W的正面Wa，而於正面Wa形成光阻膜。此一情況，可在保持形成於背面Wb的氟樹脂膜Ff之狀態下，於工件W的正面Wa形成光阻膜。
以上例示之塗布/顯影裝置2，更具備液體處理單元U1，其對於對光阻膜施行曝光處理後之工件W，施行顯影處理。去除區域Sr，可設定於背面Wb中之邊緣部以外的區域。此一情況，於背面Wb之邊緣部以外的區域（去除區域Sr）形成氟樹脂膜Ff，故在曝光處理中降低工件W的保持部（例如平台）與背面Wb之間的摩擦。藉此，可在曝光處理中抑制曝光位置之相對於目標位置的偏離。
如同上述，在曝光處理中藉由氟樹脂膜Ff可降低摩擦。然則，若於背面Wb中之斜角部分形成氟樹脂膜，則有對曝光處理的處理結果造成不良影響之情況。因此，過去，在光阻膜的形成前，依序施行以下至少五個步驟。首先，於形成下層膜後之工件W的正面Wa，藉由HMDS氣體等施行疏水化處理，為了將在疏水化處理中形成於背面Wb的疏水化膜Fh去除，施行紫外線之往背面Wb全域的照射（去除處理）。而後，施行對斜角部分之遮罩處理（保護膜的形成處理）俾使PTFE等氟樹脂的膜不形成於斜角部分，施行氟樹脂膜之形成處理。其後，施行藉由稀釋劑等將形成於斜角部分的保護膜去除之處理。
相對於此，上述塗布/顯影裝置2，藉由在光阻膜的形成前，依序施行疏水化處理、紫外線的照射（去除處理）、及氟樹脂膜的形成處理，而能夠以不在斜角部分形成氟樹脂膜之方式，於背面Wb形成氟樹脂膜Ff。亦即，相較於習知製程，可追求製程縮短。
上述例子中，紫外線照射部60，具備：紫外線燈66，可對包含去除區域Sr之區域（例如，背面Wb之全域）照射紫外線；以及遮光構件，配置於紫外線燈66與背面Wb之間，遮蔽紫外線的往背面Wb中之去除區域Sr以外的非去除區域Sn之照射。此一情況，可藉由遮光構件的形狀調整疏水化膜Fh之去除區域Sr，故氟樹脂膜Ff之形成範圍的調節簡單。
上述例子中，紫外線照射部60之遮光構件，包含以覆蓋背面Wb之去除區域Sr以外的非去除區域Sn之狀態保持工件W的保持臂62。此一情況，可藉由保持臂62施行工件W的搬運與紫外線的遮光，故可追求塗布/顯影裝置2（膜形成單元U3）的簡化。
上述例子中，疏水化處理部40，藉由將疏水化氣體供給至用於施行疏水化處理之處理空間V內，而對正面Wa施行疏水化氣體的蒸鍍。氟樹脂膜形成部50，藉由將氟樹脂膜形成用的處理氣體供給至該處理空間V內，而對背面Wb施行該處理氣體的蒸鍍。此一情況，在疏水化處理與氟樹脂膜的形成，可共用形成處理空間V之單元，故可追求塗布/顯影裝置2（膜形成單元U3）的簡化。另，如同圖3所例示，藉由使紫外線照射部60從下方照射紫外線，使氟樹脂膜形成部50從處理空間V的下方供給處理氣體，而能夠以不使工件W反轉之方式施行處理膜的形成處理。亦即，圖3例示之膜形成單元U3的構成，相較於習知製程，可進一步縮短製程。
[變形例] 以上，針對本發明之實施形態詳細地予以說明，但亦可在本發明之要旨的範圍內，對上述實施形態加上各種變形。如圖11（a）所示，膜形成單元U3，亦可取代紫外線照射部60，具備紫外線照射部60A。紫外線照射部60A，在具備保持臂62A以取代保持臂62的點、具備紫外線燈66A以取代紫外線燈66的點、及更具備遮蓋構件82A的點中，與紫外線照射部60不同。保持臂62A，在以包夾工件W的邊緣部分（例如斜角部分）之方式保持的點，與保持臂62不同。保持臂62A，在包夾工件W的邊緣部分之狀態下，使位於背面Wb之下方的部分覆蓋非去除區域Sn。此外，保持臂62A，如圖11（b）所示，以除去全周中之一部分（例如1/4～1/6程度）以外的狀態形成為環狀，而非形成為與工件W的邊緣對應的全周。
遮蓋構件82A，形成為覆蓋全周中之未設置保持臂62A的部分。遮蓋構件82A，亦可為形成為沿著工件W的邊緣之一部分的形狀（圓弧狀）之板構件。遮蓋構件82A，亦可固定於既定位置。紫外線照射部60A，在使保持臂62A位於待機位置時，藉由保持臂62A與遮蓋構件82A覆蓋非去除區域Sn。亦即，保持臂62A與遮蓋構件82A，構成遮蔽前往非去除區域Sn之紫外線的遮光構件。紫外線燈66A，其亦可在工件W位於待機位置之狀態下，可對背面Wb之全域照射紫外線。此一情況，控制裝置100，亦可控制膜形成單元U3，俾分別實行紫外線的照射、及工件W之往處理空間V的搬入。
如圖12（a）所示，膜形成單元U3，亦可具備紫外線照射部60B以取代紫外線照射部60。紫外線照射部60B，在更具備與保持臂62不同的支持工件W之保持部92B的點、更具備遮蓋構件82B的點、及更具備燈驅動部94B的點中，與紫外線照射部60不同。保持部92B，亦可固定於既定位置，在該位置中支持工件W。遮蓋構件82B，亦可設置於紫外線燈66與保持部92B（支持於保持部92B的工件W）之間。遮蓋構件82B，如圖12（b）所示，亦可為以覆蓋工件W的邊緣部分之方式形成為圓環狀的板構件。亦即，遮蓋構件82B之從厚度方向觀察的形狀，亦可對應於非去除區域Sn。遮蓋構件82B，構成遮蔽前往非去除區域Sn之紫外線的遮光構件。
紫外線燈66，其亦可可沿著水平方向移動。燈驅動部94B，例如為藉由電動馬達等動力源，使紫外線燈66往水平方向移動之水平致動器。此一情況，控制裝置100，亦可藉由以燈驅動部94B使紫外線燈66對工件W移動，而以紫外線燈66對背面Wb（去除區域Sr）照射紫外線。另，亦可取代保持部92B，而在使保持臂62於待機位置中支持工件W的狀態下，使紫外線燈66移動並對背面Wb照射紫外線，或亦可藉由紫外線燈66A對背面Wb之全域照射紫外線。亦可在未覆蓋非去除區域Sn之至少一部分的狀態下，於保持工件W的保持臂（保持部）與紫外線燈66之間，配置遮蓋構件82B。於紫外線照射部60A中，亦可取代紫外線燈66A，藉由使紫外線燈66移動，而朝向背面Wb之全域照射紫外線。
在圖12（a）所示的變形例之塗布/顯影裝置2，使遮光構件，由保持工件W的保持部92B、及配置於該保持部92B與紫外線燈66之間的遮蓋構件82B之不同的構件構成。此一情況，藉由遮蓋構件82B的形狀，調節氟樹脂膜Ff之形成範圍即可，故可使保持工件W的構件（例如，保持部92B或保持臂62）簡化。
另，亦可將用於不使氟樹脂膜Ff形成之非去除區域Sn，亦設定於工件W的背面Wb之邊緣部以外。例如，亦可取代遮蓋構件82B，將圖12（c）所示之遮蓋構件82C，配置於工件W與紫外線燈66之間。遮蓋構件82C，形成為圓環狀。遮蓋構件82C，在對應於工件W的半徑之方向中，具有外緣至工件W之半徑的1/4～2/3程度之寬度。遮蓋構件82C，覆蓋工件W的背面Wb之外周部（除了中心部以外之部分），亦可於該外周部的一部中未覆蓋背面Wb。
遮蓋構件82C，除了因形成為圓環狀而構成之中央部的孔96a以外，具備於外周部貫通厚度方向的複數個孔96b。複數個孔96b，如圖12（c）所示，可沿著圓周方向形成為線狀。亦或，複數個孔96b，亦可沿著半徑方向形成為線狀，或可於外周部中形成為點狀。此一情況，在工件W的背面Wb中之對應於孔96a及複數個孔96b的區域，形成氟樹脂膜Ff；在對應於遮蓋構件82C的外周部中之複數個孔96b以外之部分的區域，留下疏水化膜Fh。此一結果，藉由背面Wb之中央部分的氟樹脂膜Ff、及點綴於工件W之外周部的氟樹脂膜Ff，可降低工件W與其他構件之間的摩擦。此外，藉由在工件W的外周部留下疏水化膜Fh之一部分，可抑制搬運時之工件W的滑動。
以上例示之塗布/顯影裝置2，於一個單元內施行疏水化處理與氟樹脂膜Ff之形成處理。因此，可將此等處理連續而有效率地施行。然則，塗布/顯影裝置2，亦可單獨具備施行疏水化處理之疏水化單元（疏水化處理部）、及施行氟樹脂膜Ff的形成處理之樹脂膜形成單元（樹脂膜形成部）。亦即，疏水化處理、與氟樹脂膜Ff的形成處理，亦可在彼此不同之處理空間施行。此一情況，亦可將紫外線照射部60，設置於疏水化單元及樹脂膜形成單元之任一方，塗布/顯影裝置2亦可更具備具有紫外線照射部60之紫外線照射單元。
以上例示之塗布/顯影裝置2，藉由氟樹脂膜形成用之處理氣體的蒸鍍，於工件W的背面Wb形成氟樹脂膜Ff，但塗布/顯影裝置2，亦可藉由將氟樹脂膜形成用之處理液供給至背面Wb，而形成氟樹脂膜Ff。
以上例示之塗布/顯影裝置2的紫外線照射部60，藉由遮蔽來自紫外線燈66的紫外線，而不施行紫外線之往非去除區域Sn的照射，但紫外線照射部60，亦可具備縮小照射區域之紫外線燈。紫外線照射部60，亦可使上述紫外線燈移動俾僅對去除區域Sr照射紫外線，藉以將去除區域Sr的疏水化膜Fh去除。
1:基板處理系統 2:塗布/顯影裝置 3:曝光裝置 4:載具區塊 5:處理區塊 6:介面區塊 11,12,13,14:處理模組 20:蒸鍍處理部 22:熱板 22a:載置面 24:腔室 24a:頂板 24b:側壁 26:腔室驅動部 28:升降部 32:支承銷 34:銷驅動部 40:疏水化處理部 42,52:氣體供給源 44,54:氣體供給路 44a:供給口 46:開閉閥 50:氟樹脂膜形成部 54a:供給口 56:開閉閥 60,60A,60B:紫外線照射部(去除部) 62,62A:保持臂 64:臂驅動部 66,66A:紫外線燈 72:支持部 74:限制部 82A,82B,82C:遮蓋構件 92B:保持部 94B:燈驅動部 96a,96b:孔 100:控制裝置 110:電路 112:處理器 114:記憶體 116:儲存器 118:輸出入埠 122:計時器 A1,A3,A7,A8:搬運裝置 BL:邊界線 C:載具 U1:液體處理單元 U2:熱處理單元 U3:膜形成單元 U10,U11:棚架單元 V:處理空間 W:工件 Wa:正面 Wb:背面 Sr:去除區域 Sn:非去除區域 Fh:疏水化膜 Ff:氟樹脂膜
圖1係顯示基板處理系統的一例之示意立體圖。 圖2係顯示塗布顯影裝置的一例之示意圖。 圖3係顯示處理膜形成單元的一例之示意圖。 圖4中，圖4（a）係顯示工件背面的一例之示意圖。圖4（b）係示意顯示保持臂的一例之俯視圖。 圖5係顯示控制裝置之硬體構成的一例之方塊圖。 圖6係顯示塗布顯影處理的一例之流程圖。 圖7係顯示處理膜形成處理的一例之流程圖。 圖8中，圖8（a）係顯示疏水化處理的樣子之示意圖；圖8（b）係顯示疏水化膜形成後之工件正面的一例之示意圖；圖8（c）係顯示疏水化膜形成後之工件背面的一例之示意圖。 圖9中，圖9（a）係顯示紫外線照射的樣子之示意圖；圖9（b）係顯示紫外線照射後之工件背面的一例之示意圖；圖9（c）係示意顯示紫外線照射後之工件的一例之側視圖。 圖10中，圖10（a）係顯示氟樹脂膜形成的樣子之示意圖；圖10（b）係顯示氟樹脂膜形成後之工件背面的一例之示意圖；圖10（c）係示意顯示氟樹脂膜形成後之工件的一例之側視圖。 圖11中，圖11（a）係示意顯示紫外線照射部的另一例之側視圖；圖11（b）係示意顯示保持臂的另一例之俯視圖。 圖12中，圖12（a）係示意顯示紫外線照射部的另一例之側視圖；圖12（b）係示意顯示遮蓋構件的一例之俯視圖；圖12（c）係示意顯示遮蓋構件的另一例之俯視圖。
20:蒸鍍處理部
22:熱板
22a:載置面
24:腔室
24a:頂板
24b:側壁
26:腔室驅動部
28:升降部
32:支承銷
34:銷驅動部
40:疏水化處理部
42,52:氣體供給源
44,54:氣體供給路
44a:供給口
46:開閉閥
50:氟樹脂膜形成部
54a:供給口
56:開閉閥
60:紫外線照射部(去除部)
62:保持臂
64:臂驅動部
66:紫外線燈
72:支持部
74:限制部
U3:膜形成單元
V:處理空間
W:工件
Wa:正面
Wb:背面

Claims (10)

  1. 一種基板處理裝置，包含： 疏水化處理部，施行藉由疏水化處理用之疏水化氣體的蒸鍍，而於基板形成疏水化膜之疏水化處理； 去除部，將形成於該基板的背面中之去除區域的該疏水化膜去除；以及 樹脂膜形成部，於去除該疏水化膜後之該去除區域形成氟樹脂膜。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中， 在該疏水化處理中，該疏水化膜形成於該基板的正面； 該去除部為紫外線照射部，將在該疏水化處理中形成於該去除區域的該疏水化膜，藉由以該紫外線照射部對該去除區域照射紫外線而去除。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中， 更包含塗布膜形成部，藉由將處理液供給至形成該氟樹脂膜後之該基板的該正面，而於該正面形成塗布膜。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中， 更包含顯影處理部，對於已對該塗布膜施行曝光處理後之該基板，施行顯影處理； 該去除區域，設定於該背面中之邊緣部以外的區域。
  5. 如請求項2至4中任一項之基板處理裝置，其中， 該紫外線照射部，包括： 紫外線照明部，可對包含該去除區域的區域照射該紫外線；以及 遮光構件，配置在該紫外線照明部與該背面之間，將該紫外線的往該背面中之該去除區域以外的區域之照射予以遮蔽。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中， 該遮光構件，包括保持臂，其以覆蓋該背面之該去除區域以外的區域之狀態保持該基板。
  7. 如請求項5之基板處理裝置，其中， 該遮光構件，包括遮蓋構件，其配置於保持該基板的保持部與該紫外線照明部之間。
  8. 如請求項1至7中任一項之基板處理裝置，其中， 該疏水化處理部，藉由將該疏水化氣體供給至用於施行該疏水化處理之處理空間內，而對該正面施行該疏水化氣體的蒸鍍； 該樹脂膜形成部，藉由將氟樹脂膜形成用的處理氣體供給至該處理空間內，而對該背面施行該處理氣體的蒸鍍。
  9. 一種基板處理方法，於基板的背面，形成降低該背面之與保持部的摩擦之降低摩擦膜，包含如下步驟： 施行藉由疏水化處理用之疏水化氣體的蒸鍍，而於基板形成疏水化膜之疏水化處理； 將形成於該基板的該疏水化膜中之部分區域去除；以及 於已去除該疏水化膜的該基板之該部分區域，形成該降低摩擦膜。
  10. 如請求項9之基板處理方法，其中， 該降低摩擦膜為氟樹脂膜； 該基板之該部分區域，為該基板的背面中之去除區域； 在該疏水化處理中，該疏水化膜形成於該基板的正面； 將在該疏水化處理中形成於該去除區域的該疏水化膜，藉由對該基板的背面中之該去除區域照射紫外線而去除。
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