KR102637164B1 - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 Download PDF

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타카야 키카이
유조 오이시
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판의 표면에 형성된 유기 피막에 대한 애싱 처리의 균일성 향상에 유효한 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치(1)는, 유기 피막을 표면(Wa)에 가지는 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키는 회전 유지부(30)와, 웨이퍼(W)의 표면에 유기 피막의 애싱용의 광을 조사하는 광 조사부(40)와, 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이를 통과하도록 산소 함유 가스의 기류를 형성하는 기류 형성부(50)와, 기류 형성부(50)가 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이에 상기 기류를 형성하고 있는 상태에서 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 상기 광을 조사하도록 광 조사부(40)를 제어하는 조사 제어부(114)와, 기류 형성부(50)가 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이에 상기 기류를 형성하고 있고, 광 조사부(40)가 웨이퍼(W)의 표면에 상기 광을 조사하고 있는 상태에서 웨이퍼(W)를 회전시키도록 회전 유지부(30)를 제어하는 회전 제어부(115)를 구비한다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND RECORDING MEDIUM}
본 개시는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.
특허 문헌 1에는, 피처리막이 형성된 기판을 기체의 유속이 10 cm/초 이하인 산소 함유 분위기의 처리실 내에 배치하고, 당해 기판에 자외선을 조사하여 피처리막의 일부를 제거하는 기판 처리 방법이 개시되어 있다.
일본특허공개공보 2016-027617호
본 개시는 기판의 표면에 형성된 유기 피막에 대한 애싱 처리의 균일성 향상에 유효한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 개시의 일측면에 따른 기판 처리 장치는, 유기 피막을 표면에 가지는 기판을 유지하여 회전시키는 회전 유지부와, 회전 유지부에 의해 유지된 기판의 표면에 유기 피막의 애싱용의 광을 조사하는 광 조사부와, 회전 유지부에 의해 유지된 기판과 광 조사부와의 사이를 통과하도록, 산소 함유 가스의 기류를 형성하는 기류 형성부와, 기류 형성부가 기판과 광 조사부와의 사이에 산소 함유 가스의 기류를 형성하고 있는 상태에서, 상기 기판의 표면에 애싱용의 광을 조사하도록 광 조사부를 제어하는 조사 제어부와, 기류 형성부가 기판과 광 조사부와의 사이에 산소 함유 가스의 기류를 형성하고 있고, 광 조사부가 상기 기판의 표면에 애싱용의 광을 조사하고 있는 상태에서, 상기 기판을 회전시키도록 회전 유지부를 제어하는 회전 제어부를 구비한다.
이 기판 처리 장치에 의하면, 기류 형성부가 기판과 광 조사부와의 사이에 산소 함유 가스의 기류를 형성하고 있는 상태에서, 상기 기판의 표면에 애싱용의 광이 조사된다. 이 때문에, 애싱용의 광의 조사 중에, 기판과 광 조사부와의 사이에 계속적으로 산소가 공급되므로, 원하는 레벨까지 용이하게 애싱을 진행시킬 수 있다. 또한, 기류 형성부가 기판과 광 조사부와의 사이에 산소 함유 가스의 기류를 형성하고 있고, 광 조사부가 상기 기판의 표면에 애싱용의 광을 조사하고 있는 상태에서, 상기 기판이 회전한다. 이 때문에, 기류에 기인하는 애싱의 불균일이 억제된다. 따라서, 애싱의 균일성 향상에 유효하다.
기판 처리 장치는, 기판의 이면에 대향하도록 회전 유지부에 마련되고, 상기 기판과 함께 회전하는 열판과, 기판의 직경 방향으로 배열되는 영역 간에 있어서의 애싱의 진행의 차이를 삭감하는 조건에서, 온도 분포를 조절하도록 열판을 제어하는 가열 제어부를 더 구비하고 있어도 된다. 기류 형성부가 기판과 광 조사부와의 사이에 산소 함유 가스의 기류를 형성하고 있고, 광 조사부가 상기 기판의 표면에 애싱용의 광을 조사하고 있는 상태에서, 상기 기판을 회전시키는 구성에 의하면, 특히, 기판의 둘레 방향에 있어서의 애싱의 균일성 향상에 유효하다. 이에 더불어, 기판의 직경 방향으로 배열되는 영역마다 온도 분포를 조절하는 구성에 의해, 기판의 직경 방향에 있어서의 애싱의 균일성도 향상시킬 수 있다.
조사 제어부는, 기판의 직경 방향으로 배열되는 영역 간에 있어서의 애싱의 진행의 차이를 삭감하는 조건에서, 애싱용의 광의 조사량을 조절하도록 광 조사부를 제어해도 된다. 이 경우, 기판의 직경 방향으로 배열되는 영역마다 애싱용의 광의 조사량을 조절하는 구성에 의해, 기판의 직경 방향에 있어서의 애싱의 균일성을 향상시킬 수 있다.
기판 처리 장치는, 회전 유지부에 유지된 기판과, 광 조사부 간의 거리를 변경하는 거리 변경부와, 기판과 광 조사부와의 사이에 산소 함유 가스의 기류가 형성되어 있는 상태에 있어서, 상기 기판과 광 조사부와의 거리가 서로 상이한 복수 조건 하에서 애싱용의 광이 조사되도록, 상기 기판과 광 조사부 간의 거리를 변경하도록 거리 변경부를 제어하는 거리 변경 제어부를 더 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 기판과 광 조사부 간의 거리를 변경함으로써, 기류 방향에 있어서의 산소 농도의 분포를 변경하여, 기류 방향에 있어서의 애싱의 균일성을 향상시킬 수 있다.
기판 처리 장치는, 산소 함유 가스에 산소를 첨가하는 산소 첨가부와, 기류 형성부가 기판과 광 조사부와의 사이에 산소 함유 가스의 기류를 형성하고 있고, 광 조사부가 상기 기판의 표면에 광을 조사하고 있는 상태에서, 기판과 광 조사부와의 사이에 진입하기 전의 산소 함유 가스에 산소를 첨가하도록 산소 첨가부를 제어하는 첨가 제어부를 더 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 산소의 첨가에 의해, 기류의 하류측에 있어서의 산소의 부족을 억제하여, 기류 방향에 있어서의 애싱의 균일성을 향상시킬 수 있다. 이 때문에, 예를 들면 중앙부의 애싱의 진행이 외주부의 애싱의 진행보다 작아지는 조건에 있어서, 그 차이를 산소의 첨가에 의해 저감할 수 있다.
산소 첨가부는, 산소의 첨가용의 가스를 공급하는 공급구를 가지고, 공급구는 기판과 광 조사부 사이의 중앙을 향해 개구되어 있어도 된다. 이 경우, 산소의 첨가용의 가스가 공급될 시의 유속에 의해, 기류의 하류측으로의 산소의 첨가가 보다 촉진된다.
광 조사부는, 기류 형성부가 기판과 광 조사부와의 사이에 산소 함유 가스의 기류를 형성하고 있는 상태에서, 상기 기판과 광 조사부와의 사이에 진입하기 전의 산소 함유 가스에도 애싱용의 광을 조사하도록 구성되어 있어도 된다. 이 경우, 기판과 광 조사부와의 사이에 산소 함유 가스가 진입하기 전에 산소를 활성화하여, 산소 함유 가스의 진입 직후에 있어서의 활성 산소의 부족을 억제함으로써, 기류 방향에 있어서의 애싱의 균일성을 향상시킬 수 있다.
회전 제어부는, 기판에의 애싱용의 광의 조사 개시 시부터의 시간의 경과에 따라, 기판의 회전 속도를 저하시키도록 회전 유지부를 제어해도 된다. 동일 조건 하에 있어서의 애싱의 진행 속도(이하, 단순히 '애싱의 진행 속도'라고 함)는 시간의 경과에 수반하여 저하되는 경향이 있다. 기판의 회전 중에 애싱의 진행 속도가 변화하면, 기판의 회전에 의한 균일성 향상의 작용이 축소된다. 이에 대하여, 기판에의 애싱용의 광의 조사 개시 시부터의 시간의 경과에 따라 기판의 회전 속도를 저하시킴으로써, 애싱의 진행 속도 저하의 영향을 억제하여, 상기 균일성 향상의 작용의 축소를 억제할 수 있다.
조사 제어부는, 기판에의 애싱용의 광의 조사 개시 시부터의 시간의 경과에 따라, 애싱용의 광의 조사량을 늘리도록 광 조사부를 제어해도 된다. 이 경우, 기판에의 애싱용의 광의 조사 개시 시부터의 시간의 경과에 따라 애싱용의 광의 조사량을 늘림으로써, 애싱의 진행 속도 저하의 영향을 억제하여, 상기 균일성 향상의 작용의 축소를 억제할 수 있다.
회전 제어부는, 기류 형성부가 기판과 광 조사부와의 사이에 산소 함유 가스의 기류를 형성하고 있고, 광 조사부가 상기 기판의 표면에 애싱용의 광을 조사하고 있는 상태에서, 상기 기판을 2 회전 이상 회전시키도록 회전 유지부를 제어해도 된다. 이 경우, 기판이 1 회전하는 동안에 있어서의 애싱의 진행 속도의 저하가 작아진다. 이에 의해, 상기 균일성 향상의 작용의 축소를 억제할 수 있다.
본 개시의 다른 측면에 따른 기판 처리 방법은, 유기 피막을 표면에 가지는 기판과, 애싱용의 광을 조사하는 광 조사부와의 사이를 통과하도록, 산소 함유 가스의 기류를 형성하는 것과, 기판과 광 조사부와의 사이에 산소 함유 가스의 기류가 형성되어 있는 상태에서, 상기 광 조사부로부터 상기 기판의 표면에 애싱용의 광을 조사하는 것과, 기류 형성부가 기판과 광 조사부와의 사이에 산소 함유 가스의 기류가 형성되어 있고, 광 조사부가 상기 기판의 표면에 애싱용의 광을 조사하고 있는 상태에서, 상기 기판을 회전시키는 것을 포함한다.
기판 처리 방법은, 기판과 광 조사부와의 사이에 산소 함유 가스의 기류가 형성되어 있는 상태에 있어서, 상기 기판과 광 조사부와의 거리가 서로 상이한 복수 조건 하에서 애싱용의 광이 조사되도록, 상기 기판과 광 조사부 간의 거리를 변경하는 것을 더 포함해도 된다.
본 개시의 또 다른 측면에 따른 기억 매체는, 상기 기판 처리 방법을 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기억한, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체이다.
본 개시에 따르면, 기판의 표면에 형성된 유기 피막에 대한 애싱 처리의 균일성 향상에 유효한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 기판 처리 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1 중의 II-II선을 따르는 단면도이다.
도 3은 애싱 유닛의 구성을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 열판의 모식적 평면도이다.
도 5는 조사부의 모식적 사시도이다.
도 6은 제어부의 하드웨어 구성을 나타내는 블록도이다.
도 7은 애싱 유닛에 의한 처리 순서를 나타내는 순서도이다.
도 8은 웨이퍼의 반입 시에 있어서의 애싱 유닛의 상태를 나타내는 모식도이다.
도 9는 애싱 처리 순서를 나타내는 순서도이다.
도 10은 애싱용의 광의 조사 시에 있어서의 애싱 유닛의 상태를 나타내는 모식도이다.
도 11은 애싱 처리 순서의 변형예를 나타내는 순서도이다.
도 12는 애싱 처리 순서의 다른 변형예를 나타내는 순서도이다.
도 13은 애싱 처리 순서의 또 다른 변형예를 나타내는 순서도이다.
도 14는 애싱 처리 순서의 또 다른 변형예를 나타내는 순서도이다.
도 15는 웨이퍼와 광 조사부 간의 거리를 변경할 시에 있어서의 애싱 유닛의 상태를 나타내는 모식도이다.
이하, 도면을 참조하여, 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 설명에서 동일 요소 또는 동일 기능을 가지는 요소에는 동일한 부호를 부여하여 중복되는 설명을 생략한다.
<기판 처리 장치>
본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 기판에 대하여, 보호막(유기 피막)의 형성과, 에칭에 의한 보호막 표면의 평활화를 행하는 장치이다. 처리 대상의 기판은, 예를 들면 반도체의 웨이퍼(W)이다. 보호막은 예를 들면 스핀 온 카본(SOC) 등의 소위 하드 마스크이다. 도 1 및 2에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는 서로 인접하는 캐리어 블록(2) 및 처리 블록(3)과, 제어부(100)를 구비한다.
캐리어 블록(2)은, 기판 처리 장치(1) 내로의 웨이퍼(W)의 반입 및 기판 처리 장치(1) 내로부터의 웨이퍼(W)의 반출을 행한다. 예를 들면 캐리어 블록(2)은, 웨이퍼(W)용의 복수의 캐리어(11)를 지지 가능하며, 전달 암(A1)을 내장하고 있다. 캐리어(11)는 예를 들면 원형의 복수 매의 웨이퍼(W)를 수용한다. 전달 암(A1)은 캐리어(11)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(3)에 전달하고, 처리 블록(3)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(11) 내로 되돌린다.
처리 블록(3)은 복수의 액처리 유닛(U1)과, 복수의 애싱 유닛(U2)과, 이들 유닛으로 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 암(A2)을 가진다. 액처리 유닛(U1)은 하드 마스크 형성용의 처리액을 웨이퍼(W)의 표면에 공급하여 피막을 형성하는 처리(이하, '도포 처리'라고 함)를 행한다. 애싱 유닛(U2)은 상기 피막을 하드 마스크화하기 위한 열처리와, 에칭에 의해 하드 마스크의 표면을 평활화하는 처리(이하, '에칭 처리'라고 함)를 행한다. 처리 블록(3) 내에 있어서의 캐리어 블록(2)측에는 선반부(U10)가 마련되어 있다. 선반부(U10)는 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀로 구획되어 있다.
제어부(100)는 웨이퍼(W)에 대한 도포 처리, 열처리 및 에칭 처리를 실행하도록 캐리어 블록(2) 및 처리 블록(3)을 제어한다. 예를 들면 제어부(100)는, 먼저 캐리어(11) 내의 웨이퍼(W)를 선반부(U10)로 반송하도록 전달 암(A1)을 제어한다. 이어서, 제어부(100)는 선반부(U10)의 웨이퍼(W)를 액처리 유닛(U1)으로 반송하도록 반송 암(A2)을 제어하고, 당해 웨이퍼(W)에 도포 처리를 실시하도록 액처리 유닛(U1)을 제어한다. 이어서, 제어부(100)는 웨이퍼(W)를 액처리 유닛(U1)으로부터 애싱 유닛(U2)으로 반송하도록 반송 암(A2)을 제어하고, 당해 웨이퍼(W)에 열처리 및 에칭 처리를 실시하도록 애싱 유닛(U2)을 제어한다. 이어서, 제어부(100)는 웨이퍼(W)를 애싱 유닛(U2)으로부터 선반부(U10)로 반송하도록 반송 암(A2)을 제어하고, 당해 웨이퍼(W)를 선반부(U10)로부터 캐리어(11) 내로 되돌리도록 전달 암(A1)을 제어한다. 이상으로 1 매의 웨이퍼(W)에 대한 도포 처리, 열처리 및 에칭 처리가 완료된다.
<애싱 유닛>
이어서, 애싱 유닛(U2)에 대하여 상세하게 설명한다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 애싱 유닛(U2)은 상기 보호막을 표면(Wa)에 가지는 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키는 회전 유지부(30)와, 회전 유지부(30)에 의해 유지된 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 보호막의 애싱용의 광을 조사하는 광 조사부(40)와, 회전 유지부(30)에 의해 유지된 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이를 통과하도록 산소 함유 가스의 기류를 형성하는 기류 형성부(50)를 가진다. 보다 구체적인 예로서, 애싱 유닛(U2)은 케이스(20)와, 회전 유지부(30)와, 광 조사부(40)와, 기류 형성부(50)와, 지지부(60)와, 거리 변경부(70)와, 산소 첨가부(80)를 가진다.
케이스(20)는 애싱 유닛(U2)의 각 구성 요소를 수용한다. 케이스(20)는 격벽(23)과, 출입구(25)와, 셔터(26)를 포함한다. 격벽(23)은 케이스(20)의 내부를 상측의 제 1 공간(21) 및 하측의 제 2 공간(22)으로 구획한다. 제 1 공간(21)은 후술하는 광원(41)을 수용하고, 제 2 공간(22)은 후술하는 기류 형성부(50), 지지부(60), 거리 변경부(70) 및 산소 첨가부(80)를 수용한다. 출입구(25)는 제 2 공간(22)의 측벽에 마련되어 있고, 제 2 공간(22) 내로의 웨이퍼(W)의 반입 및 제 2 공간(22) 내로부터의 웨이퍼(W)의 반출에 이용된다. 셔터(26)는 예를 들면 전동 모터 또는 에어 실린더 등을 동력원으로서, 출입구(25)의 상태를 개방 상태 또는 폐쇄 상태로 전환한다. 개방 상태는 출입구(25)를 통한 웨이퍼(W)의 반입·반출이 가능한 상태이며, 폐쇄 상태는 출입구(25)를 통한 웨이퍼(W)의 반입·반출이 불가가 되는 상태이다. 셔터(26)는 폐쇄 상태에 있어서도, 출입구(25)를 통한 통기를 가능하게 한다. 즉 셔터(26)는, 통기용의 개구를 남긴 상태로 출입구(25)를 닫는다.
회전 유지부(30)는 유지부(31)와, 회전 구동부(32)를 가진다. 유지부(31)는 표면(Wa)을 위로 하여 수평으로 배치된 웨이퍼(W)를 하방으로부터 유지한다. 유지부(31)는 열판(33)을 포함한다. 열판(33)은 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 대향하도록 마련되어 있다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 열판(33)은 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 배열되는 복수의 가열 영역을 포함한다. 예를 들면 열판(33)은, 웨이퍼(W)의 중심으로부터 외주측을 향해 동심원 형상으로 배열되는 복수(도시에서는 네 개)의 가열 영역(33a, 33b, 33c, 33d)을 포함한다. 가열 영역(33a, 33b, 33c, 33d)은 개별로 히터를 내장하고 있다. 이에 의해, 가열 영역(33a, 33b, 33c, 33d)마다 온도 분포를 조절하는 것이 가능하게 되어 있다.
회전 구동부(32)는 유지부(31)가 유지하는 웨이퍼(W) 및 열판(33)을 모두 회전시킨다. 예를 들면 회전 구동부(32)는, 전동 모터 등을 동력원으로 하고, 웨이퍼(W) 및 열판(33)의 중심을 통과하는 연직인 축선 둘레로 유지부(31)를 회전시킨다.
도 3으로 돌아와, 광 조사부(40)는 광원(41)과 창부(42)를 가진다. 광원(41)은 상술한 제 1 공간(21) 내에 수용되고, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 유기 피막의 애싱용의 광을 조사한다. 애싱용의 광은, 예를 들면 파장 10 ~ 300 nm의 자외선이다. 광원(41)은 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 있어서, 적어도 둘레 방향으로 조도 불균일이 생기도록 배치되어 있다. 예를 들면 광 조사부(40)는, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)에 대향하는 면을 따른 적어도 1 개의 직관형의 광원(41)을 가진다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 광 조사부(40)는 수평면을 따라 서로 평행하게 배열되는 복수 라인의 광원(41)을 가져도 된다. 도시에 있어서, 광 조사부(40)는 4 개의 광원(41)을 가지고 있지만 이에 한정되지 않는다. 예를 들면 광 조사부(40)는, 보다 많은 광원(41)을 가져도 된다. 창부(42)는 격벽(23)에 있어서 유지부(31)에 대응하는 위치에 마련되어 있고, 광원(41)으로부터의 광을 제 2 공간(22)측에 투과시킨다.
도 3으로 돌아와, 기류 형성부(50)는 회전 유지부(30)에 의해 유지된 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이를 통과하도록 산소 함유 가스(예를 들면 공기)의 기류를 형성한다. 예를 들면 기류 형성부(50)는, 제 2 공간(22) 내에 있어서, 창부(42)와 웨이퍼(W)와의 사이를 횡단하도록 기류를 형성한다. 구체적으로, 기류 형성부(50)는 개구(51)와 배기구(52)를 가진다. 개구(51)는 상기 셔터(26)를 닫은 상태에서 출입구(25)에 남겨지는 개구이다. 배기구(52)는 제 2 공간(22)의 측벽에 있어서, 출입구(25)의 반대측에 마련되어 있다. 기류 형성부(50)는 복수의 배기구(52)를 가져도 된다. 예를 들면 기류 형성부(50)는, 출입구(25)의 반대측에 있어서 상하로 배열되는 2 개의 배기구(52)를 가진다. 각 배기구(52)는 배기용의 덕트(53)에 접속되어 있으며, 제 2 공간(22) 내로부터 제 2 공간(22) 밖으로 배기를 유도한다. 이에 의해, 제 2 공간(22) 내에는 출입구(25)측으로부터 제 2 공간(22)의 내측을 향하는 기류가 형성된다. 이 기류의 일부가, 창부(42)와 웨이퍼(W)와의 사이를 통과하여, 애싱에 의한 승화물과 함께 배기구(52)로부터 배출된다.
여기서, 상기 광 조사부(40)는 기류 형성부(50)가 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이에 산소 함유 가스의 기류를 형성하고 있는 상태에서, 당해 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이에 진입하기 전의 산소 함유 가스에도 광을 조사하도록 구성되어 있다. 예를 들면, 창부(42)의 주연 중, 적어도 개구(51)측의 부분은, 웨이퍼(W)의 외주보다 밖으로 돌출되어 있다. 이에 의해, 개구(51)로부터 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이를 향하는 산소 함유 가스에 광원(41)으로부터의 광이 조사된다. 또한 도 3에 나타내는 바와 같이, 창부(42)의 주연은 사방에 걸쳐 웨이퍼(W)의 외주보다 밖으로 돌출되어 있어도 된다.
지지부(60)는 제 2 공간(22) 내에서 유지부(31)의 하방에 마련되어 있다. 지지부(60)는 상방으로 돌출되는 복수의 지지 핀(61)을 포함한다. 지지 핀(61)의 선단부는 유지부(31)를 통과하여 열판(33) 상에 출몰하고, 제 2 공간(22) 내로의 웨이퍼(W)의 반입·반출에 있어 웨이퍼(W)를 지지한다.
거리 변경부(70)는 회전 유지부(30)에 유지된 웨이퍼(W)와 광 조사부(40) 간의 거리를 변경한다. 예를 들면 거리 변경부(70)는, 전동 모터 또는 에어 실린더 등을 동력원으로서 회전 유지부(30)를 승강시킨다. 거리 변경부(70)가 회전 유지부(30)를 상승시키면 웨이퍼(W)와 광 조사부(40) 간의 거리가 작아지고, 거리 변경부(70)가 회전 유지부(30)를 하강시키면 웨이퍼(W)와 광 조사부(40) 간의 거리가 커진다. 또한 거리 변경부(70)는, 지지부(60)의 지지 핀(61)의 선단부를 열판(33) 상에 출몰시키는 기구로서도 기능한다. 구체적으로, 거리 변경부(70)가 회전 유지부(30)를 하강시키면, 지지 핀(61)이 유지부(31)를 관통하여, 지지 핀(61)의 선단부가 열판(33) 상에 돌출한다.
산소 첨가부(80)는 개구(51)로부터 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이를 향하는 산소 함유 가스에 산소를 첨가한다. 예를 들면 산소 첨가부(80)는, 개구(51)와, 웨이퍼(W)의 외주와의 사이에 개구되는 노즐(81)과, 노즐(81)로 산소를 공급하는 산소 공급원(82)과, 산소 공급원(82)으로부터 노즐(81)로의 유로를 개폐하는 밸브(83)를 포함한다. 노즐(81)의 개구(공급구)는 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이의 중앙을 향해 개구되어 있어도 된다. 또한 산소 공급원(82)은, 적어도 상기 산소 함유 가스보다 산소 농도가 높은 가스를 산소의 첨가용의 가스로서 노즐(81)로 공급하도록 구성되어 있는 것이 바람직하다.
이와 같이 구성된 애싱 유닛(U2)은 상술한 제어부(100)에 의해 제어된다. 제어부(100)는 기류 형성부(50)가 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이에 산소 함유 가스의 기류를 형성하고 있는 상태에서, 당해 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 애싱용의 광을 조사하도록 광 조사부(40)를 제어하는 것과, 기류 형성부(50)가 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이에 산소 함유 가스의 기류를 형성하고 있고 광 조사부(40)가 당해 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 애싱용의 광을 조사하고 있는 상태(이하, '기류가 있는 조사 상태'라고 함)에서, 당해 웨이퍼(W)를 회전시키도록 회전 유지부(30)를 제어하는 것을 실행하도록 구성되어 있다.
제어부(100)는 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 배열되는 영역 간에 있어서의 애싱의 진행의 차이를 삭감하는 조건에서 온도 분포를 조절하도록 열판(33)을 제어하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있어도 되고, 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 배열되는 영역 간에 있어서의 애싱의 진행의 차이를 삭감하는 조건에서 애싱용의 광의 조사량을 조절하도록 광 조사부(40)를 제어하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있어도 된다. 제어부(100)는 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이에 산소 함유 가스의 기류가 형성되어 있는 상태에 있어서, 당해 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 거리가 서로 상이한 복수 조건 하에서 애싱용의 광이 조사되도록, 웨이퍼(W)와 광 조사부(40) 간의 거리를 변경하도록 거리 변경부(70)를 제어하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있어도 된다.
제어부(100)는 기류가 있는 조사 상태에서, 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이에 진입하기 전의 산소 함유 가스에 산소를 첨가하도록 산소 첨가부(80)를 제어하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있어도 된다. 제어부(100)는 웨이퍼(W)로의 애싱용의 광의 조사 개시 시부터의 시간의 경과에 따라, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 저하시키도록 회전 유지부(30)를 제어하도록 구성되어 있어도 되고, 웨이퍼(W)로의 애싱용의 광의 조사 개시 시부터의 시간의 경과에 따라, 애싱용의 광의 조사량을 늘리도록 광 조사부(40)를 제어하도록 구성되어 있어도 된다. 제어부(100)는 기류가 있는 조사 상태에서, 당해 웨이퍼(W)를 2 회전 이상 회전시키도록 회전 유지부(30)를 제어하도록 구성되어 있어도 된다.
예를 들면 제어부(100)는, 애싱 유닛(U2)을 제어하기 위한 기능 상의 구성(이하, '기능 모듈'이라고 함)으로서, 가열 제어부(111)와, 반입·반출 제어부(112)와, 거리 변경 제어부(113)와, 조사 제어부(114)와, 회전 제어부(115)와, 첨가 제어부(116)와, 레시피 기억부(117)를 가진다.
가열 제어부(111)는 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 배열되는 영역 간에 있어서의 애싱의 진행의 차이를 삭감하는 조건에서 온도 분포를 조절하도록 열판(33)을 제어한다. 예를 들면 가열 제어부(111)는, 온도 분포가 균일한 경우에 애싱의 진행 속도가 높아지는 영역에 대응하는 가열 영역의 온도를 낮게 하고, 온도 분포가 균일한 경우에 애싱의 진행 속도가 낮아지는 영역에 대응하는 가열 영역의 온도를 높게 하도록 열판(33)을 제어한다. 반입·반출 제어부(112)는 제 2 공간(22) 내로의 웨이퍼(W)의 반입 및 반출을 행하도록 셔터(26), 거리 변경부(70) 및 반송 암(A2)을 제어한다.
거리 변경 제어부(113)는, 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이에 산소 함유 가스의 기류가 형성되어 있는 상태에 있어서, 당해 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 거리가 서로 상이한 복수 조건 하에서 애싱용의 광이 조사되도록, 웨이퍼(W)와 광 조사부(40) 간의 거리를 변경하도록 거리 변경부(70)를 제어한다. 기류 형성부(50)와 광 조사부(40) 간의 거리가 커지면, 기류의 하류측에 산소가 도달하기 쉬워진다. 이 때문에, 기류 형성부(50)와 광 조사부(40) 간의 거리가 커지면, 기류의 하류측에 있어서의 애싱의 진행이 빨라지는 경향이 있다. 거리 변경 제어부(113)는 웨이퍼(W)의 외주부(외주의 근방 부분)와 비교하여 중앙부(중심을 포함하는 부분)에 있어서의 애싱의 진행이 커지는 제 1 거리와 웨이퍼(W)의 외주부와 비교하여 중앙부에 있어서의 애싱의 진행이 작아지는 제 2 거리를 포함하는 범위에서, 기류 형성부(50)와 광 조사부(40) 간의 거리를 변경한다.
조사 제어부(114)는 기류 형성부(50)가 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이에 산소 함유 가스의 기류를 형성하고 있는 상태에서, 당해 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 애싱용의 광을 조사하도록 광 조사부(40)를 제어한다. 조사 제어부(114)는 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 배열되는 영역 간에 있어서의 애싱의 진행의 차이를 삭감하는 조건에서 애싱용의 광의 조사량을 조절하도록 광 조사부(40)를 제어해도 된다. 예를 들면 조사 제어부(114)는, 조사량이 균일한 경우에 애싱의 진행 속도가 높아지는 영역에의 조사량을 줄이고, 조사량이 균일한 경우에 애싱의 진행 속도가 낮아지는 영역에의 조사량을 많게 하도록 광 조사부(40)를 제어한다. 조사 제어부(114)는 웨이퍼(W)에의 애싱용의 광의 조사 개시 시부터의 시간의 경과에 따라, 애싱용의 광의 조사량을 늘리도록 상기 광 조사부를 제어한다.
회전 제어부(115)는 기류가 있는 조사 상태에서, 당해 웨이퍼(W)를 회전시키도록 회전 유지부(30)를 제어한다. 회전 제어부(115)는 웨이퍼(W)에의 애싱용의 광의 조사 개시 시부터의 시간의 경과에 따라, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 저하시키도록 회전 유지부(30)를 제어해도 된다. 회전 제어부(115)는 기류가 있는 조사 상태에서, 당해 웨이퍼(W)를 2 회전 이상 회전시키도록 회전 유지부(30)를 제어해도 된다.
첨가 제어부(116)는 기류가 있는 조사 상태에서, 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이에 진입하기 전의 산소 함유 가스에 산소를 첨가하도록 산소 첨가부(80)를 제어한다.
레시피 기억부(117)는 미리 설정된 제어용 파라미터를 기억한다. 당해 제어용 파라미터는, 가열 제어부(111)의 제어용으로 미리 설정된 열판(33)의 제어 목표값(예를 들면, 각 가열 영역의 온도 목표값 등), 거리 변경 제어부(113)의 제어용으로 미리 설정된 거리 변경부(70)의 제어 목표값(예를 들면, 유지부(31)의 높이 목표값 등), 조사 제어부(114)의 제어용으로 미리 설정된 광 조사부(40)의 제어 목표값(예를 들면, 각 광원(41)의 광량 목표값 등), 회전 제어부(115)의 제어용으로 미리 설정된 회전 유지부(30)의 제어 목표값(예를 들면, 유지부(31)의 회전 속도 목표값, 회전 횟수 등) 등을 포함한다.
제어부(100)는 하나 또는 복수의 제어용 컴퓨터에 의해 구성된다. 예를 들면 제어부(100)는, 도 6에 나타내는 회로(120)를 가진다. 회로(120)는 하나 또는 복수의 프로세서(121)와, 메모리(122)와, 스토리지(123)와, 입출력 포트(124)를 가진다. 스토리지(123)는, 예를 들면 하드 디스크 등, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체를 가진다. 기억 매체는 후술하는 기판 처리 순서를 애싱 유닛(U2)에 실행시키기 위한 프로그램을 기억하고 있다. 기억 매체는 불휘발성의 반도체 메모리, 자기 디스크 및 광디스크 등의 취출 가능한 매체여도 된다. 메모리(122)는 스토리지(123)의 기억 매체로부터 로드한 프로그램 및 프로세서(121)에 의한 연산 결과를 일시적으로 기억한다. 프로세서(121)는 메모리(122)와 협동하여 상기 프로그램을 실행함으로써, 상술한 각 기능 모듈을 구성한다. 입출력 포트(124)는 프로세서(121)로부터의 지령에 따라, 열판(33), 셔터(26), 반송 암(A2), 회전 유지부(30), 광 조사부(40), 거리 변경부(70), 산소 첨가부(80)와의 사이에서 신호의 입출력을 행한다. 또한 제어부(100)의 하드웨어 구성은, 반드시 프로그램에 의해 각 기능 모듈을 구성하는 것에 한정되지 않는다. 예를 들면 제어부(100)의 각 기능 모듈은 전용의 논리 회로 또는 이를 집적한 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)에 의해 구성되어 있어도 된다.
<기판 처리 방법>
이어서, 기판 처리 방법의 일례로서, 애싱 유닛(U2)이 실행하는 기판 처리 순서를 설명한다. 이 기판 처리 순서는 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이를 통과하도록 산소 함유 가스의 기류를 형성하는 것과, 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이에 산소 함유 가스의 기류가 형성되어 있는 상태에서 당해 광 조사부(40)로부터 당해 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 애싱용의 광을 조사하는 것과, 기류가 있는 조사 상태에서 당해 웨이퍼(W)를 회전시키는 것을 포함한다. 이하, 도 7 ~ 15를 참조하여, 기판 처리 순서를 구체적으로 예시한다. 또한 도 7 ~ 15의 순서는, 기류 형성부(50)에 의한 기류의 형성이 계속된 상태(즉, 배기구(52)로부터의 배기가 계속된 상태)로 실행되는 것으로 한다.
도 7에 나타내는 바와 같이, 제어부(100)는, 먼저 단계(S01, S02)를 실행한다. 단계(S01)에서는, 가열 제어부(111)가, 레시피 기억부(117)에 기억된 열처리용의 온도 목표값에 따라, 각 가열 영역의 온도 조절을 개시하도록 열판(33)을 제어한다. 단계(S02)에서는, 반입·반출 제어부(112)가 웨이퍼(W)를 제 2 공간(22) 내로 반입하기 위한 제어를 실행한다.
예를 들면, 반입·반출 제어부(112)는 출입구(25)의 상태를 폐쇄 상태에서 개방 상태로 전환하도록 셔터(26)를 제어하고, 지지 핀(61)의 선단부가 열판(33) 상에 돌출되는 위치(이하, '반입·반출용의 위치'라고 함)까지 유지부(31)를 하강시키도록 거리 변경부(70)를 제어한다. 그 후, 반입·반출 제어부(112)는 출입구(25)를 통과하여 웨이퍼(W)를 제 2 공간(22) 내로 반입하고, 표면(Wa)을 위로 하여 지지 핀(61) 상에 수평하게 배치하도록 반송 암(A2)을 제어한다(도 8의 (a) 참조). 이 후, 반입·반출 제어부(112)는 출입구(25)의 상태를 개방 상태에서 폐쇄 상태로 전환하도록 셔터(26)를 제어하고, 지지 핀(61)의 선단이 열판(33)보다 아래에 위치할 때까지 유지부(31)를 상승시키도록 거리 변경부(70)를 제어한다(도 8의 (b) 참조). 이에 의해, 웨이퍼(W)가 열판(33) 상에 배치되고, 열판(33)에 의한 웨이퍼(W)의 가열이 개시된다.
이어서, 제어부(100)는 단계(S03, S04, S05)를 실행한다. 단계(S03)에서는, 가열 제어부(111)가 레시피 기억부(117)에 기억된 정해진 시간의 경과를 대기한다. 정해진 시간은 상기 유기 피막의 하드 마스크화를 충분히 진행시키는 관점에서 미리 설정되어 있다. 단계(S04)는 웨이퍼(W)의 표면(Wa)의 유기 피막에 애싱용의 광을 조사하는 애싱 처리를 포함한다. 애싱 처리의 구체적 순서에 대해서는 후술한다. 이어서, 제어부(100)는 단계(S05)를 실행한다. 단계(S05)에서는, 처리 대상의 모든 웨이퍼(W)의 처리가 완료되었는지 여부를 반입·반출 제어부(112)가 확인한다.
단계(S05)에 있어서, 모든 웨이퍼(W)의 처리가 완료되지 않았다고 판정한 경우, 제어부(100)는 단계(S06)를 실행한다. 단계(S06)에서는, 반입·반출 제어부(112)가 웨이퍼(W)를 제 2 공간(22) 내로부터 반출하고, 다음의 웨이퍼(W)를 제 2 공간(22) 내로 반입하기 위한 제어를 실행한다. 예를 들면, 반입·반출 제어부(112)는 출입구(25)의 상태를 폐쇄 상태에서 개방 상태로 전환하도록 셔터(26)를 제어하고, 상기 반입·반출용의 위치까지 유지부(31)를 하강시키도록 거리 변경부(70)를 제어한다. 이 후, 반입·반출 제어부(112)는 출입구(25)를 통과하여 웨이퍼(W)를 제 2 공간(22) 내로부터 반출하고, 출입구(25)를 통과하여 다음의 웨이퍼(W)를 제 2 공간(22) 내로 반입하고, 표면(Wa)을 위로 하여 지지 핀(61) 상에 수평으로 배치하도록 반송 암(A2)을 제어한다. 이 후, 반입·반출 제어부(112)는, 출입구(25)의 상태를 개방 상태에서 폐쇄 상태로 전환하도록 셔터(26)를 제어하고, 지지 핀(61)의 선단이 열판(33)보다 아래에 위치할 때까지 유지부(31)를 상승시키도록 거리 변경부(70)를 제어한다(도 8의 (b) 참조). 단계(S06)의 다음에, 제어부(100)는 처리를 단계(S03)로 되돌린다. 이후, 모든 웨이퍼(W)의 처리가 완료될 때까지, 열처리 및 애싱 처리가 반복된다.
단계(S05)에 있어서, 모든 웨이퍼(W)의 처리가 완료되었다고 판정된 경우, 제어부(100)는 단계(S07, S08)를 실행한다. 단계(S07)에서는, 반입·반출 제어부(112)가 웨이퍼(W)를 제 2 공간(22) 내로부터 반출하기 위한 제어를 실행한다. 예를 들면, 반입·반출 제어부(112)는 출입구(25)의 상태를 폐쇄 상태에서 개방 상태로 전환하도록 셔터(26)를 제어하고, 상기 반입·반출용의 위치까지 유지부(31)를 하강시키도록 거리 변경부(70)를 제어한다. 이 후, 반입·반출 제어부(112)는 출입구(25)를 통과하여 웨이퍼(W)를 제 2 공간(22) 내로부터 반출하도록 반송 암(A2)을 제어한다. 이 후, 반입·반출 제어부(112)는 출입구(25)의 상태를 개방 상태에서 폐쇄 상태로 전환하도록 셔터(26)를 제어한다. 단계(S08)에서는, 가열 제어부(111)가, 가열을 정지하도록 열판(33)을 제어한다. 이상으로, 제어부(100)에 의한 애싱 유닛(U2)의 제어 순서가 완료된다.
(애싱 처리 순서)
이어서, 상기 단계(S04)의 애싱 처리의 구체적 순서를 예시한다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 제어부(100)는 먼저 단계(S11, S12, S13)를 실행한다. 단계(S11)에서는, 가열 제어부(111)가, 레시피 기억부(117)에 기억된 애싱 처리용의 온도 목표값에 따라, 각 가열 영역의 온도를 변경하도록 열판(33)을 제어한다. 애싱 처리용의 온도 목표값은, 온도 분포가 균일한 경우에 애싱의 진행 속도가 높아지는 영역에 대응하는 가열 영역의 온도를 낮게 하고, 온도 분포가 균일한 경우에 애싱의 진행 속도가 낮아지는 영역에 대응하는 가열 영역의 온도를 높게 하도록 미리 설정되어 있다. 단계(S12)에서는, 회전 제어부(115)가 회전 구동부(32)에 의한 유지부(31)의 회전 구동을 개시하도록 회전 유지부(30)를 제어한다. 이에 의해, 웨이퍼(W) 및 열판(33)의 회전이 개시된다. 단계(S13)에서는, 조사 제어부(114)가 광원(41)을 점등시키도록 광 조사부(40)를 제어한다.
이어서, 제어부(100)는 단계(S14)를 실행한다. 단계(S14)에서는, 회전 제어부(115)가 광원(41)의 점등 개시 후에 웨이퍼(W)가 1 회전했는지(웨이퍼(W)의 회전 각도가 360˚에 달했는지) 여부를 확인한다. 단계(S14)에 있어서, 웨이퍼(W)는 아직도 1 회전하지 않았다고 판정한 경우, 제어부(100)는 단계(S15)를 실행한다. 단계(S15)에서는, 회전 제어부(115)가 레시피 기억부(117)에 기억된 감속 피치로 유지부(31)의 회전 속도를 저하시키도록 회전 유지부(30)를 제어한다.
여기서, 동일 조건 하에 있어서의 애싱의 진행 속도(이하, 단순히 '애싱의 진행 속도'라고 함)는 시간의 경과에 수반하여 저하되는 경향이 있다. 웨이퍼(W)의 회전 중에 애싱의 진행 속도가 저하되면, 웨이퍼(W)의 회전에 의한 균일성 향상의 작용이 축소된다. 이에 대하여, 웨이퍼(W)에의 애싱용의 광의 조사 개시 시부터의 시간의 경과에 따라 웨이퍼(W)의 회전 속도를 저하시킴으로써, 애싱의 진행 속도 저하의 영향을 억제하여, 상기 균일성 향상의 작용의 축소를 억제할 수 있다. 상기 감속 피치는 애싱의 진행 속도 저하의 영향을 억제할 수 있도록 미리 설정되어 있다.
단계(S15)의 다음에, 제어부(100)는 처리를 단계(S14)로 되돌린다. 이후, 웨이퍼(W)가 1 회전할 때까지, 회전 제어부(115)는 상기 기류가 있는 조사 상태에서 회전 속도를 서서히 저하시키면서 회전 구동부(32)에 의한 웨이퍼(W)의 회전을 계속하도록 회전 유지부(30)를 제어한다(도 10 참조).
단계(S14)에 있어서, 웨이퍼(W)는 1 회전했다고 판정한 경우, 제어부(100)는 단계(S16, S17, S18, S19)를 실행한다. 단계(S16)에서는, 조사 제어부(114)가, 광원(41)을 소등시키도록 광 조사부(40)를 제어한다. 단계(S17)에서는, 회전 제어부(115)가 회전 구동부(32)에 의한 유지부(31)의 회전 구동을 정지하도록 회전 유지부(30)를 제어한다. 단계(S18)에서는, 회전 제어부(115)가 단계(S12)의 실행 전의 위치까지 유지부(31)를 역회전시키도록 회전 유지부(30)를 제어한다. 단계(S19)에서는, 가열 제어부(111)가 각 가열 영역의 온도를 상기 열처리용의 온도로 되돌리도록 열판(33)을 제어한다. 이상으로 애싱 처리가 완료된다.
또한 단계(S15)에서는, 유지부(31)의 회전 속도의 저하 대신에, 조사 제어부(114)가 레시피 기억부(117)에 기억된 증가 피치로 애싱용의 광의 조사량을 늘리도록 광 조사부(40)를 제어해도 된다. 이 증가 피치는, 상술한 애싱의 진행 속도 저하의 영향을 억제할 수 있도록 미리 설정되어 있다. 또한 단계(S15)에서는, 레시피 기억부(117)에 기억된 감속 피치로 유지부(31)의 회전 속도를 저하시키는 것과, 레시피 기억부(117)에 기억된 증가 피치로 애싱용의 광의 조사량을 늘림으로써의 양방이 실행되어도 된다. 또한, 회전 제어부(115)는 단계(S15)를 실행하지 않고, 실질적으로 일정한 회전 속도로 회전 구동부(32)에 의한 웨이퍼(W)의 회전을 계속하도록 회전 유지부(30)를 제어해도 된다. 이하, 애싱 처리 순서의 다른 변형예를 더 나타낸다.
(제 1 변형예)
도 11의 단계(S31 ~ S37)는, 도 9의 애싱 순서에서 온도 조절에 따른 단계(S11, S19)를 생략하고, 대신에 광량 분포를 조절하여 광원(41)을 점등시키도록 한 순서를 나타내고 있다. 단계(S31 ~ S37)는 단계(S12 ~ S18)에 각각 대응하고 있다.
광원(41)의 점등에 따른 단계(S32)에서는, 조사 제어부(114)가 레시피 기억부(117)에 기억된 애싱 처리용의 광량 분포로 각 광원(41)을 점등시키도록 광 조사부(40)를 제어한다. 애싱 처리용의 광량 분포는 조사량이 균일한 경우에 애싱의 진행 속도가 높아지는 영역에의 조사량을 줄이고, 조사량이 균일한 경우에 애싱의 진행 속도가 낮아지는 영역에의 조사량을 많게 하도록 설정되어 있다. 단계(S31) 및 단계(S33 ~ S37)는 단계(S12) 및 단계(S14 ~ S18)와 동일하다. 또한, 온도 조절에 따른 단계(S11, S19)와 조사량 조절에 따른 단계(S32)를 조합하여 실행해도 된다.
(제 2 변형예)
도 12의 단계(S41 ~ S49)는, 도 9의 애싱 순서에서 온도 조절에 따른 단계(S11, S19)를 생략하고, 대신에 산소 첨가부(80)에 의한 산소의 첨가에 따른 단계(S41, S48)를 추가한 순서를 나타내고 있다. 단계(S42~S47) 및 단계(S49)는 단계(S12 ~ S18)와 동일하다. 산소의 첨가 개시에 따른 단계(S41)에서는, 첨가 제어부(116)가 밸브(83)를 열도록 산소 첨가부(80)를 제어한다. 이에 의해, 산소 함유 가스에의 산소의 첨가가 개시된다. 산소의 첨가 정지에 따른 단계(S48)에서는, 첨가 제어부(116)가 밸브(83)를 닫도록 산소 첨가부(80)를 제어한다. 이에 의해, 산소 함유 가스에의 산소의 첨가가 정지된다.
도 12는 웨이퍼(W)의 회전 개시에 따른 단계(S42)의 전에 산소의 첨가 개시에 따른 단계(S41)를 실행하고, 웨이퍼(W)의 회전 정지에 따른 단계(S47)와 웨이퍼(W)의 역회전에 따른 단계(S49)와의 사이에서 단계(S48)를 실행하는 경우를 예시하고 있지만, 이에 한정되지 않는다. 산소의 첨가 개시에 따른 단계(S41)는 적어도 광원(41)의 점등에 따른 단계(S43) 이전에 실행되면 되고, 산소의 첨가 정지에 따른 단계(S48)는 적어도 광원(41)의 소등에 따른 단계(S46) 이후에 실행되면 된다. 또한, 온도 조절에 따른 단계(S11, S19)와 제 1 변형예의 조사량 조절에 따른 단계(S32)와, 제 2 변형예의 산소의 첨가에 따른 단계(S41, S48)를 조합하여 실행해도 된다.
(제 3 변형예)
도 13의 단계(S51 ~ S59)는, 광원(41)의 점등 중에 있어서 웨이퍼(W)를 2 회전 이상 회전시키도록 도 9의 단계(S11 ~ S19)를 개변한 순서를 나타내고 있다. 도 13에 나타내는 바와 같이, 제어부(100)는 먼저 단계(S11, S12, S13)와 동일한 단계(S51, S52, S53)를 실행한다. 단계(S51)에서는, 가열 제어부(111)가, 레시피 기억부(117)에 기억된 애싱 처리용의 온도 목표값에 따라, 각 가열 영역의 온도를 변경하도록 열판(33)을 제어한다. 단계(S52)에서는, 회전 제어부(115)가 회전 구동부(32)에 의한 유지부(31)의 회전 구동을 개시하도록 회전 유지부(30)를 제어한다. 단계(S53)에서는, 조사 제어부(114)가 광원(41)을 점등시키도록 광 조사부(40)를 제어한다.
이어서, 제어부(100)는 단계(S54)를 실행한다. 단계(S54)에서는, 광원(41)의 점등 개시 후에 웨이퍼(W)가 1 회전하는 것을 회전 제어부(115)가 대기한다. 이어서, 제어부(100)는 단계(S16, S17)와 동일한 단계(S55, S56)를 실행한다. 단계(S55)에서는, 조사 제어부(114)가 광원(41)을 소등시키도록 광 조사부(40)를 제어한다. 단계(S56)에서는, 회전 제어부(115)가 회전 구동부(32)에 의한 유지부(31)의 회전 구동을 정지하도록 회전 유지부(30)를 제어한다.
이어서, 제어부(100)는 단계(S57)를 실행한다. 단계(S57)에서는, 웨이퍼(W)의 회전 횟수가 레시피 기억부(117)에 기억된 설정 횟수에 달했는지 여부를 회전 제어부(115)가 확인한다. 설정 횟수는 2 회 이상의 값으로 미리 설정되어 있다. 단계(S57)에 있어서, 웨이퍼(W)의 회전 횟수는 상기 설정 횟수에 달하지 않았다고 판정한 경우, 제어부(100)는 단계(S58)를 실행한다. 단계(S58)에서는, 회전 제어부(115)가 회전 방향을 역전시켜 회전 구동부(32)에 의한 유지부(31)의 회전 구동을 개시하도록 회전 유지부(30)를 제어한다. 단계(S58)의 다음에, 제어부(100)는 처리를 단계(S53)로 되돌린다. 이후, 웨이퍼(W)의 회전 횟수가 상기 설정 횟수에 달할 때까지, 광원(41)의 점등 중에 있어서 웨이퍼(W)를 1 회전시키는 것이 반복된다.
단계(S57)에 있어서, 웨이퍼(W)의 회전 횟수가 상기 설정 횟수에 달했다고 판정한 경우, 제어부(100)는 단계(S19)와 동일한 단계(S59)를 실행한다. 단계(S59)에서는, 가열 제어부(111)가 각 가열 영역의 온도를 상기 열처리용의 온도로 되돌리도록 열판(33)을 제어한다. 이상으로 애싱 처리가 완료된다.
또한, 단계(S51 ~ 59)에서 예시한 개변과 마찬가지로, 제 1 변형예에 따른 순서에 있어서 웨이퍼(W)의 회전 횟수를 2 회전 이상으로 해도 되고, 제 2 변형예에 따른 순서에 있어서 웨이퍼(W)의 회전 횟수를 2 회전 이상으로 해도 된다. 또한, 온도 조절에 따른 단계(S11, S19)와, 제 1 변형예의 조사량 조절에 따른 단계(S32)와, 제 2 변형예의 산소의 첨가에 따른 단계(S41, S48)를 조합한 순서에 있어서 웨이퍼(W)의 회전 횟수를 2 회전 이상으로 해도 된다. 또한 회전 제어부(115)는 1 회전마다 회전 구동부(32)에 의한 유지부(31)의 회전 속도를 작게 하도록 회전 유지부(30)를 제어해도 된다. 또한 조사 제어부(114)는 1 회전마다 애싱용의 광의 조사량을 늘리도록 광 조사부(40)를 제어해도 된다.
(제 4 변형예)
도 14의 단계(S61 ~ S68)는 도 13의 애싱 순서에서 온도 조절에 따른 단계(S51, S59)를 생략하고, 대신에 웨이퍼(W)와 광 조사부(40) 간의 거리를 1 회전마다 변경하는 단계(S67)를 추가한 순서를 나타내고 있다. 단계(S61) ~ 단계(S66) 및 단계(S68)는 도 13의 단계(S52 ~ S58)와 동일하다. 제어부(100)는 웨이퍼(W)의 회전 정지에 따른 단계(S65)와 웨이퍼(W)의 역회전 개시에 따른 단계(S68)와의 사이에서 단계(S67)를 실행한다. 단계(S67)에서는, 거리 변경 제어부(113)가, 레시피 기억부(117)에 기억된 제어 목표값에 따라, 웨이퍼(W)와 광 조사부(40) 간의 거리를 변경하도록 거리 변경부(70)를 제어한다(도 15의 (a) 및 (b) 참조). 당해 제어 목표값은 상기 제 1 거리 및 제 2 거리를 포함하는 범위에서 웨이퍼(W)와 광 조사부(40) 간의 거리를 변경시키도록 미리 설정되어 있다. 또한, 거리 변경에 따른 단계(S67)는 제 3 변형예에서 예시한 어떤 순서에도 조합 가능하다.
<본 실시 형태의 효과>
이상에 설명한 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는 유기 피막을 표면(Wa)에 가지는 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키는 회전 유지부(30)와, 회전 유지부(30)에 의해 유지된 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 유기 피막의 애싱용의 광을 조사하는 광 조사부(40)와, 회전 유지부(30)에 의해 유지된 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이를 통과하도록 산소 함유 가스의 기류를 형성하는 기류 형성부(50)와, 기류 형성부(50)가 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이에 산소 함유 가스의 기류를 형성하고 있는 상태에서 당해 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 애싱용의 광을 조사하도록 광 조사부(40)를 제어하는 조사 제어부(114)와, 기류 형성부(50)가 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이에 산소 함유 가스의 기류를 형성하고 있고 광 조사부(40)가 당해 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 애싱용의 광을 조사하고 있는 상태에서 당해 웨이퍼(W)를 회전시키도록 회전 유지부(30)를 제어하는 회전 제어부(115)를 구비한다.
이 기판 처리 장치(1)에 의하면, 기류 형성부(50)가 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이에 산소 함유 가스의 기류를 형성하고 있는 상태에서, 당해 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 애싱용의 광이 조사된다. 이 때문에, 애싱용의 광의 조사 중에, 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이에 계속적으로 산소가 공급되므로, 원하는 레벨까지 용이하게 애싱을 진행시킬 수 있다. 또한, 기류 형성부(50)가 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이에 산소 함유 가스의 기류를 형성하고 있고 광 조사부(40)가 당해 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 애싱용의 광을 조사하고 있는 상태에서, 당해 웨이퍼(W)가 회전한다. 이 때문에, 기류에 기인하는 애싱의 불균일이 억제된다. 따라서, 애싱의 균일성 향상에 유효하다.
기판 처리 장치(1)는 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 대향하도록 회전 유지부(30)에 마련되고 당해 웨이퍼(W)와 함께 회전하는 열판(33)과, 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 배열되는 영역 간에 있어서의 애싱의 진행의 차이를 삭감하는 조건에서 온도 분포를 조절하도록 열판(33)을 제어하는 가열 제어부(111)를 더 구비하고 있어도 된다. 기류 형성부(50)가 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이에 산소 함유 가스의 기류를 형성하고 있고 광 조사부(40)가 당해 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 애싱용의 광을 조사하고 있는 상태에서, 당해 웨이퍼(W)를 회전시키는 구성에 의하면, 특히 웨이퍼(W)의 둘레 방향에 있어서의 애싱의 균일성 향상에 유효하다. 이에 더불어, 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 배열되는 영역마다 온도 분포를 조절하는 구성에 의해, 웨이퍼(W)의 직경 방향에 있어서의 애싱의 균일성도 향상시킬 수 있다.
조사 제어부(114)는, 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 배열되는 영역 간에 있어서의 애싱의 진행의 차이를 삭감하는 조건에서, 애싱용의 광의 조사량을 조절하도록 광 조사부(40)를 제어해도 된다. 이 경우, 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 배열되는 영역마다 애싱용의 광의 조사량을 조절하는 구성에 의해, 웨이퍼(W)의 직경 방향에 있어서의 애싱의 균일성을 향상시킬 수 있다.
기판 처리 장치(1)는 회전 유지부(30)에 유지된 웨이퍼(W)와, 광 조사부(40) 간의 거리를 변경하는 거리 변경부(70)와, 웨이퍼(W)와 광 조사부(40) 사이에 산소 함유 가스의 기류가 형성되어 있는 상태에 있어서 당해 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 거리가 서로 상이한 복수 조건 하에서 애싱용의 광이 조사되도록, 웨이퍼(W)와 광 조사부(40) 간의 거리를 변경하도록 거리 변경부(70)를 제어하는 거리 변경 제어부(113)를 더 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 웨이퍼(W)와 광 조사부(40) 간의 거리를 변경함으로써, 기류 방향에 있어서의 산소 농도의 분포를 변경하여, 기류 방향에 있어서의 애싱의 균일성을 향상시킬 수 있다.
기판 처리 장치(1)는, 산소 함유 가스에 산소를 첨가하는 산소 첨가부(80)와, 기류 형성부(50)가 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이에 산소 함유 가스의 기류를 형성하고 있고 광 조사부(40)가 당해 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 광을 조사하고 있는 상태에서 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이에 진입하기 전의 산소 함유 가스에 산소를 첨가하도록 산소 첨가부(80)를 제어하는 첨가 제어부(116)를 더 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 산소의 첨가에 의해, 기류의 하류측에 있어서의 산소의 부족을 억제하여, 기류 방향에 있어서의 애싱의 균일성을 향상시킬 수 있다. 이 때문에, 예를 들면 중앙부의 애싱의 진행이 외주부의 애싱의 진행보다 작아지는 조건에 있어서, 그 차이를 산소의 첨가에 의해 저감할 수 있다.
산소 첨가부(80)는 산소의 첨가용의 가스를 공급하는 공급구를 가지고, 공급구는 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이의 중앙을 향해 개구되어 있어도 된다. 이 경우, 산소의 첨가용의 가스가 공급될 시의 유속에 의해, 기류의 하류측으로의 산소의 첨가가 보다 촉진된다.
광 조사부(40)는, 기류 형성부(50)가 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이에 산소 함유 가스의 기류를 형성하고 있는 상태에서, 당해 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이에 진입하기 전의 산소 함유 가스에도 애싱용의 광을 조사하도록 구성되어 있어도 된다. 이 경우, 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이에 산소 함유 가스가 진입하기 전에 산소를 활성화하여, 산소 함유 가스의 진입 직후에 있어서의 활성 산소의 부족을 억제함으로써, 기류 방향에 있어서의 애싱의 균일성을 향상시킬 수 있다.
회전 제어부(115)는, 웨이퍼(W)에의 애싱용의 광의 조사 개시 시부터의 시간의 경과에 따라, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 저하시키도록 회전 유지부(30)를 제어해도 된다. 동일 조건 하에 있어서의 애싱의 진행 속도(이하, 단순히 '애싱의 진행 속도'라고 함)는 시간의 경과에 수반하여 저하되는 경향이 있다. 웨이퍼(W)의 회전 중에 애싱의 진행 속도가 저하되면, 웨이퍼(W)의 회전에 의한 균일성 향상의 작용이 축소된다. 이에 대하여, 웨이퍼(W)에의 애싱용의 광의 조사 개시 시부터의 시간의 경과에 따라 웨이퍼(W)의 회전 속도를 저하시킴으로써, 애싱의 진행 속도 저하의 영향을 억제하여, 상기 균일성 향상의 작용의 축소를 억제할 수 있다.
조사 제어부(114)는, 웨이퍼(W)에의 애싱용의 광의 조사 개시 시부터의 시간의 경과에 따라, 애싱용의 광의 조사량을 늘리도록 광 조사부(40)를 제어해도 된다. 이 경우, 웨이퍼(W)에의 애싱용의 광의 조사 개시 시부터의 시간의 경과에 따라 애싱용의 광의 조사량을 늘림으로써, 애싱의 진행 속도 저하의 영향을 억제하여, 상기 균일성 향상의 작용의 축소를 억제할 수 있다.
회전 제어부(115)는 기류 형성부(50)가 웨이퍼(W)와 광 조사부(40)와의 사이에 산소 함유 가스의 기류를 형성하고 있고 광 조사부(40)가 당해 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 애싱용의 광을 조사하고 있는 상태에서, 당해 웨이퍼(W)를 2 회전 이상 회전시키도록 회전 유지부(30)를 제어해도 된다. 이 경우, 웨이퍼(W)가 1 회전하는 동안에 있어서의 애싱의 진행 속도의 저하가 작아진다. 이에 의해, 상기 균일성 향상의 작용의 축소를 억제할 수 있다.
이상, 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 반드시 상술한 실시 형태에 한정되는 것이 아니며, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 각종 변경이 가능하다. 기판 처리 장치(1)에 있어서의 처리 대상의 기판은 반도체 웨이퍼에 한정되지 않고, 예를 들면 글라스 기판, 마스크 기판, FPD(Flat Panel Display) 등이어도 된다.
1 : 기판 처리 장치
30 : 회전 유지부
33 : 열판
40 : 광 조사부
50 : 기류 형성부
70 : 거리 변경부
80 : 산소 첨가부
111 : 가열 제어부
113 : 거리 변경 제어부
114 : 조사 제어부
115 : 회전 제어부
116 : 첨가 제어부
W : 웨이퍼(기판)
Wa : 표면
Wb : 이면

Claims (13)

  1. 유기 피막을 표면에 가지는 기판을 유지하여 회전시키는 회전 유지부와,
    상기 회전 유지부에 의해 유지된 상기 기판의 표면에 상기 유기 피막의 애싱용의 광을 조사하는 광 조사부와,
    상기 회전 유지부에 의해 유지된 상기 기판과 상기 광 조사부와의 사이를 통과하도록 산소 함유 가스의 기류를 형성하는 기류 형성부와,
    상기 기류 형성부가 상기 기판과 상기 광 조사부와의 사이에 상기 산소 함유 가스의 기류를 형성하고 있는 상태에서, 상기 기판의 표면에 상기 애싱용의 광을 조사하도록 광 조사부를 제어하는 조사 제어부와,
    상기 기류 형성부가 상기 기판과 상기 광 조사부와의 사이에 상기 산소 함유 가스의 기류를 형성하고 있고 상기 광 조사부가 상기 기판의 표면에 상기 애싱용의 광을 조사하고 있는 상태에서, 상기 기판을 회전시키도록 상기 회전 유지부를 제어하는 회전 제어부를 구비하고,
    상기 회전 제어부는, 상기 기판으로의 상기 애싱용의 광의 조사 개시 시부터의 시간의 경과에 따라, 상기 기판의 회전 속도를 저하시키도록 상기 회전 유지부를 제어하는 기판 처리 장치.
  2. 유기 피막을 표면에 가지는 기판을 유지하여 회전시키는 회전 유지부와,
    상기 회전 유지부에 의해 유지된 상기 기판의 표면에 상기 유기 피막의 애싱용의 광을 조사하는 광 조사부와,
    상기 회전 유지부에 의해 유지된 상기 기판과 상기 광 조사부와의 사이를 통과하도록 산소 함유 가스의 기류를 형성하는 기류 형성부와,
    상기 기류 형성부가 상기 기판과 상기 광 조사부와의 사이에 상기 산소 함유 가스의 기류를 형성하고 있는 상태에서, 상기 기판의 표면에 상기 애싱용의 광을 조사하도록 광 조사부를 제어하는 조사 제어부와,
    상기 기류 형성부가 상기 기판과 상기 광 조사부와의 사이에 상기 산소 함유 가스의 기류를 형성하고 있고 상기 광 조사부가 상기 기판의 표면에 상기 애싱용의 광을 조사하고 있는 상태에서, 상기 기판을 회전시키도록 상기 회전 유지부를 제어하는 회전 제어부를 구비하고,
    상기 조사 제어부는, 상기 기판으로의 상기 애싱용의 광의 조사 개시 시부터의 시간의 경과에 따라, 상기 애싱용의 광의 조사량을 늘리도록 상기 광 조사부를 제어하는, 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 기판의 이면에 대향하도록 상기 회전 유지부에 마련되고, 상기 기판과 함께 회전하는 열판과,
    상기 기판의 직경 방향으로 배열되는 영역 간에 있어서의 애싱의 진행의 차이를 삭감하는 조건에서, 온도 분포를 조절하도록 상기 열판을 제어하는 가열 제어부를 더 구비하는, 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 조사 제어부는, 상기 기판의 직경 방향으로 배열되는 영역 간에 있어서의 애싱의 진행의 차이를 삭감하는 조건에서, 상기 애싱용의 광의 조사량을 조절하도록 상기 광 조사부를 제어하는, 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 회전 유지부에 유지된 상기 기판과 상기 광 조사부 간의 거리를 변경하는 거리 변경부와,
    상기 기판과 상기 광 조사부와의 사이에 상기 산소 함유 가스의 기류가 형성되어 있는 상태에 있어서, 상기 기판과 상기 광 조사부와의 거리가 서로 상이한 복수 조건 하에서 상기 애싱용의 광이 조사되도록, 상기 기판과 상기 광 조사부 간의 거리를 변경하도록 상기 거리 변경부를 제어하는 거리 변경 제어부를 더 구비하는, 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 광 조사부는, 상기 기류 형성부가 상기 기판과 상기 광 조사부와의 사이에 상기 산소 함유 가스의 기류를 형성하고 있는 상태에서, 상기 기판과 상기 광 조사부와의 사이에 진입하기 전의 상기 산소 함유 가스에도 상기 애싱용의 광을 조사하도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치.
  7. 유기 피막을 표면에 가지는 기판을 유지하여 회전시키는 회전 유지부와,
    상기 회전 유지부에 의해 유지된 상기 기판의 표면에 상기 유기 피막의 애싱용의 광을 조사하는 광 조사부와,
    상기 회전 유지부에 의해 유지된 상기 기판과 상기 광 조사부와의 사이를 통과하도록 산소 함유 가스의 기류를 형성하는 기류 형성부와,
    상기 회전 유지부에 유지된 상기 기판과 상기 광 조사부 간의 거리를 변경하는 거리 변경부와,
    상기 기류 형성부가 상기 기판과 상기 광 조사부와의 사이에 상기 산소 함유 가스의 기류를 형성하고 있는 상태에서, 상기 기판의 표면에 상기 애싱용의 광을 조사하도록 광 조사부를 제어하는 조사 제어부와,
    상기 기류 형성부가 상기 기판과 상기 광 조사부와의 사이에 상기 산소 함유 가스의 기류를 형성하고 있고 상기 광 조사부가 상기 기판의 표면에 상기 애싱용의 광을 조사하고 있는 상태에서, 상기 기판을 회전시키도록 상기 회전 유지부를 제어하는 회전 제어부와,
    상기 기판과 상기 광 조사부와의 사이에 상기 산소 함유 가스의 기류가 형성되어 있는 상태에 있어서, 상기 기판과 상기 광 조사부 간의 거리를 변경함으로써 상기 기류 방향에서의 산소 농도의 분포를 변경하도록 상기 거리 변경부를 제어하는 거리 변경 제어부를 구비하는, 기판 처리 장치.
  8. 유기 피막을 표면에 가지는 기판과 애싱용의 광을 조사하는 광 조사부와의 사이를 통과하도록, 산소 함유 가스의 기류를 형성하는 것과,
    상기 기판과 상기 광 조사부와의 사이에 상기 산소 함유 가스의 기류가 형성되어 있는 상태에서, 상기 광 조사부로부터 상기 기판의 표면에 상기 애싱용의 광을 조사하는 것과,
    상기 기판과 상기 광 조사부와의 사이에 상기 산소 함유 가스의 기류가 형성되어 있고 상기 광 조사부가 상기 기판의 표면에 상기 애싱용의 광을 조사하고 있는 상태에서, 상기 기판을 회전시키는 것을 포함하고,
    상기 기판을 회전시키는 것은, 상기 기판으로의 상기 애싱용의 광의 조사 개시 시부터의 시간의 경과에 따라, 상기 기판의 회전 속도를 저하시키도록 하는 것을 포함하는 기판 처리 방법.
  9. 유기 피막을 표면에 가지는 기판과 애싱용의 광을 조사하는 광 조사부와의 사이를 통과하도록, 산소 함유 가스의 기류를 형성하는 것과,
    상기 기판과 상기 광 조사부와의 사이에 상기 산소 함유 가스의 기류가 형성되어 있는 상태에서, 상기 광 조사부로부터 상기 기판의 표면에 상기 애싱용의 광을 조사하는 것과,
    상기 기판과 상기 광 조사부와의 사이에 상기 산소 함유 가스의 기류가 형성되어 있고 상기 광 조사부가 상기 기판의 표면에 상기 애싱용의 광을 조사하고 있는 상태에서, 상기 기판을 회전시키는 것을 포함하고,
    상기 애싱용의 광을 조사하는 것은, 상기 기판으로의 상기 애싱용의 광의 조사 개시 시부터의 시간의 경과에 따라, 상기 애싱용의 광의 조사량을 늘리는 것을 포함하는 기판 처리 방법.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 광 조사부와의 사이에 상기 산소 함유 가스의 기류가 형성되어 있는 상태에 있어서, 상기 기판과 상기 광 조사부와의 거리가 서로 상이한 복수 조건 하에서 상기 애싱용의 광이 조사되도록 상기 기판과 상기 광 조사부 간의 거리를 변경하는 것을 더 포함하는, 기판 처리 방법.
  11. 유기 피막을 표면에 가지는 기판과 애싱용의 광을 조사하는 광 조사부와의 사이를 통과하도록, 산소 함유 가스의 기류를 형성하는 것과,
    상기 기판과 상기 광 조사부와의 사이에 상기 산소 함유 가스의 기류가 형성되어 있는 상태에서, 상기 광 조사부로부터 상기 기판의 표면에 상기 애싱용의 광을 조사하는 것과,
    상기 기판과 상기 광 조사부와의 사이에 상기 산소 함유 가스의 기류가 형성되어 있고 상기 광 조사부가 상기 기판의 표면에 상기 애싱용의 광을 조사하고 있는 상태에서, 상기 기판을 회전시키는 것과,
    상기 기판과 상기 광 조사부와의 사이에 상기 산소 함유 가스의 기류가 형성되어 있는 상태에 있어서, 상기 기판과 상기 광 조사부 간의 거리를 변경함으로써 상기 기류 방향에서의 산소 농도의 분포를 변경하는 것을 포함하는 기판 처리 방법.
  12. 제 8 항 또는 제 9 항에 기재된 기판 처리 방법을 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기억한, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
  13. 삭제
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