JP5517475B2 - 熱処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウェハーや液晶表示装置用ガラス基板等（以下、単に「基板」と称する）に対してフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置に関する。

従来より、イオン注入後の半導体ウェハーのイオン活性化工程においては、ハロゲンランプを使用したランプアニール装置が一般的に使用されていた。このようなランプアニール装置においては、半導体ウェハーを、例えば、１０００℃ないし１１００℃程度の温度に加熱（アニール）することにより、半導体ウェハーのイオン活性化を実行している。そして、このような熱処理装置においては、ハロゲンランプより照射される光のエネルギーを利用することにより、毎秒数百度程度の速度で基板を昇温する構成となっている。

一方、近年、半導体デバイスの高集積化が進展し、ゲート長が短くなるにつれて接合深さも浅くすることが望まれている。しかしながら、毎秒数百度程度の速度で半導体ウェハーを昇温する上記ランプアニール装置を使用して半導体ウェハーのイオン活性化を実行した場合においても、半導体ウェハーに打ち込まれたボロンやリン等のイオンが熱によって深く拡散するという現象が生ずることが判明した。このような現象が発生した場合においては、接合深さが要求よりも深くなり過ぎ、良好なデバイス形成に支障が生じることが懸念される。

このため、キセノンフラッシュランプ（以下、単に「フラッシュランプ」とするときにはキセノンフラッシュランプを意味する）を使用して半導体ウェハーの表面にフラッシュ光を照射することにより、イオンが注入された半導体ウェハーの表面のみを極めて短時間（数ミリセカンド以下）に昇温させる技術が提案されている（例えば、特許文献１，２）。キセノンフラッシュランプの放射分光分布は紫外域から近赤外域であり、従来のハロゲンランプよりも波長が短く、シリコンの半導体ウェハーの基礎吸収帯とほぼ一致している。よって、キセノンフラッシュランプから半導体ウェハーにフラッシュ光を照射したときには、透過光が少なく半導体ウェハーを急速に昇温することが可能である。また、数ミリセカンド以下の極めて短時間のフラッシュ光照射であれば、半導体ウェハーの表面近傍のみを選択的に昇温できることも判明している。このため、キセノンフラッシュランプによる極短時間の昇温であれば、イオンを深く拡散させることなく、イオン活性化のみを実行することができるのである。

特開２００４−５５８２１号公報 特開２００４−８８０５２号公報

半導体ウェハーの表面のみを数ミリセカンドの極めて短時間に１０００℃以上にまで昇温すると、表面と裏面との温度差が大きくなって、表面のみが急激に熱膨張することに起因した強い応力が作用して半導体ウェハーの割れ(shattering)が発生する。これを防止するため、例えば特許文献１，２に開示される装置においては、ホットプレートで半導体ウェハーを保持してフラッシュ光を照射する前に約５００℃程度にまで予備加熱している。予備加熱によってフラッシュ光照射時のウェハー表裏面の温度差を小さくすれば、割れの発生を抑制することができる。

しかしながら、半導体ウェハーを保持するホットプレートは自身が５００℃程度の予備加熱温度にまで昇温しており、その状態でフラッシュ光を受けることによってプレート表面はさらに高温となる。このため、ホットプレートはステンレスまたはインコネル（登録商標）等の耐熱性に優れた金属の円板に予備加熱用のヒータを内蔵して構成されている。

また、通常、フラッシュ加熱時には、半導体ウェハーを保持するホットプレートの周辺は窒素ガス雰囲気とされているが、微量ながら酸素も残留しており、金属製のホットプレートの表面がフラッシュ光照射を受けたときに僅かに酸化（或いは窒化）する。このため、フラッシュ加熱を繰り返すうちにホットプレートの表面の酸化が徐々に進行して変色する。このような変色は、半導体ウェハーによって覆われていないホットプレートの周縁部において特に顕著である。

高度な清浄度が要求される半導体ウェハーの処理において、それを保持するホットプレートの表面に変色が生じることは好ましくない。たとえ実際の清浄度としては問題なくとも、プレート表面が変色すると外観判断で不良品とされてホットプレートが交換対象となることもある。

また、フラッシュランプを使用した熱処理装置には、フラッシュランプの劣化を検出するためのカロリーメータが設けられている。カロリーメータとは、粒子のエネルギーを計測する粒子検出器であり、フラッシュランプから照射されたフラッシュ光をプローブで受光してそのエネルギーを計測することができる。カロリーメータのプローブは、なるべく半導体ウェハーの受けるエネルギーを正確に計測できるように、ホットプレートの直近に配置されることが多い。そして、カロリーメータのプローブには、フラッシュランプからの直接光だけでなく、熱処理装置のチャンバー内部での反射光も入射する。このため、チャンバー内部に設置しているホットプレートの表面が変色すると反射光量が変化して正確な測定が出来なくなるという問題が発生する。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、フラッシュ光照射時における保持プレートの変色を防止することができる熱処理装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に対してフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置において、基板を水平姿勢に保持する金属製の保持プレートと、前記保持プレートの上方に設けられ、前記保持プレートに保持された基板にフラッシュ光を照射するフラッシュ光源と、を備え、フラッシュ光が照射されたときに前記保持プレートの表面に生じる変色を防止する変色防止膜が前記保持プレートの表面に形成され、前記変色防止膜は、前記金属製の保持プレートの表面に形成された酸化膜の不動態皮膜に紫外線または電子ビームを照射して改質して形成されることを特徴とする。

また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る熱処理装置において、前記不動態皮膜はクロムの酸化膜であることを特徴とする。

また、請求項３の発明は、基板に対してフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置において、基板を水平姿勢に保持する金属製の保持プレートと、前記保持プレートの上方に設けられ、前記保持プレートに保持された基板にフラッシュ光を照射するフラッシュ光源と、を備え、フラッシュ光が照射されたときに前記保持プレートの表面に生じる変色を防止する変色防止膜が前記保持プレートの表面に形成され、前記変色防止膜は、前記保持プレートの金属と同種の金属のポーラス体にて形成されることを特徴とする。

また、請求項４の発明は、請求項３の発明に係る熱処理装置において、前記保持プレートはインコネル（登録商標）にて形成されることを特徴とする。

また、請求項５の発明は、請求項１から請求項４のいずれかの発明に係る熱処理装置において、前記変色防止膜は、前記保持プレートの上面全面に形成されることを特徴とする。

また、請求項６の発明は、請求項１から請求項４のいずれかの発明に係る熱処理装置において、前記保持プレートの平面サイズは基板の平面サイズよりも大きく、前記変色防止膜は、前記保持プレートの上面のうち前記保持プレートに保持された基板によって覆われる領域よりも外側の環状領域に形成されることを特徴とする。

また、請求項７の発明は、請求項１から請求項４のいずれかの発明に係る熱処理装置において、前記変色防止膜は、前記保持プレートの上面全面および側面に形成されることを特徴とする。

また、請求項８の発明は、請求項１から請求項７のいずれかの発明に係る熱処理装置において、前記保持プレートは、前記フラッシュ光源からフラッシュ光を照射する前に基板を予備加熱するヒータを備えることを特徴とする。

本発明によれば、基板を保持する金属製の保持プレートの表面に変色防止膜を形成しているため、フラッシュ光照射時における保持プレートの変色を防止することができる。

本発明に係る熱処理装置の構成を示す縦断面図である。 図１の熱処理装置のガス路を示す断面図である。 保持部の構成を示す断面図である。 ホットプレートを示す平面図である。 図１の熱処理装置の構成を示す縦断面図である。 第２実施形態の変色防止膜を示す図である。 第３実施形態の変色防止膜を示す図である。 サセプタとしても機能する変色防止膜を形成したホットプレートの断面図である。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

＜１．第１実施形態＞
まず、本発明に係る熱処理装置の全体構成について概説する。図１は、本発明に係る熱処理装置１の構成を示す縦断面図である。熱処理装置１は基板として円板形状の半導体ウェハーＷにフラッシュ光を照射してその半導体ウェハーＷを加熱するフラッシュランプアニール（ＦＬＡ）装置である。熱処理装置１は、半導体ウェハーＷを収容する略円筒形状のチャンバー６と、複数のフラッシュランプＦＬを内蔵するランプハウス５と、を備える。また、熱処理装置１は、チャンバー６およびランプハウス５に設けられた各動作機構を制御して半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱処理を実行させる制御部３を備える。

チャンバー６は、ランプハウス５の下方に設けられており、略円筒状の内壁を有するチャンバー側部６３、および、チャンバー側部６３の下部を覆うチャンバー底部６２によって構成される。また、チャンバー側部６３およびチャンバー底部６２によって囲まれる空間が熱処理空間６５として規定される。熱処理空間６５の上方は上部開口６０とされており、上部開口６０にはチャンバー窓６１が装着されて閉塞されている。

チャンバー６の天井部を構成するチャンバー窓６１は、石英により形成された円板形状部材であり、ランプハウス５から出射されたフラッシュ光を熱処理空間６５に透過する石英窓として機能する。チャンバー６の本体を構成するチャンバー底部６２およびチャンバー側部６３は、例えば、ステンレススチール等の強度と耐熱性に優れた金属材料にて形成されており、チャンバー側部６３の内側面の上部のリング６３１は、フラッシュ光照射による劣化に対してステンレススチールより優れた耐久性を有するアルミニウム（Ａｌ）合金等で形成されている。

また、熱処理空間６５の気密性を維持するために、チャンバー窓６１とチャンバー側部６３とはＯリングによってシールされている。すなわち、チャンバー窓６１の下面周縁部とチャンバー側部６３との間にＯリングを挟み込むとともに、クランプリング９０をチャンバー窓６１の上面周縁部に当接させ、そのクランプリング９０をチャンバー側部６３にネジ止めすることによって、チャンバー窓６１をＯリングに押し付けている。

チャンバー底部６２には、保持部７を貫通して半導体ウェハーＷをその下面（ランプハウス５からの光が照射される側とは反対側の面）から支持するための複数（本実施の形態では３本）の支持ピン７０が立設されている。支持ピン７０は、例えば石英により形成されており、チャンバー６の外部から固定されているため、容易に取り替えることができる。

チャンバー側部６３は、半導体ウェハーＷの搬入および搬出を行うための搬送開口部６６を有し、搬送開口部６６は、軸６６２を中心に回動するゲートバルブ１８５により開閉可能とされる。チャンバー側部６３における搬送開口部６６とは反対側の部位には熱処理空間６５に処理ガス（例えば、窒素（Ｎ₂）ガスやヘリウム（Ｈｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性ガス、あるいは、酸素（０₂）ガス等）を導入する導入路８１が形成され、その一端は弁８２を介して図示省略の給気機構に接続され、他端はチャンバー側部６３の内部に形成されるガス導入バッファ８３に接続される。また、搬送開口部６６には熱処理空間６５内の気体を排出する排出路８６が形成され、弁８７を介して図示省略の排気機構に接続される。

図２は、チャンバー６をガス導入バッファ８３の位置にて水平面で切断した断面図である。図２に示すように、ガス導入バッファ８３は、図１に示す搬送開口部６６の反対側においてチャンバー側部６３の内周の約１／３に亘って形成されており、導入路８１を介してガス導入バッファ８３に導かれた処理ガスは、複数のガス供給孔８４から熱処理空間６５内へと供給される。

また、熱処理装置１は、チャンバー６の内部において半導体ウェハーＷを水平姿勢にて保持しつつフラッシュ光照射前にその保持する半導体ウェハーＷの予備加熱を行う略円板状の保持部７と、保持部７をチャンバー６の底面であるチャンバー底部６２に対して昇降させる保持部昇降機構４と、を備える。図１に示す保持部昇降機構４は、略円筒状のシャフト４１、移動板４２、ガイド部材４３（本実施の形態ではシャフト４１の周りに３本配置される）、固定板４４、ボールネジ４５、ナット４６およびモータ４０を有する。チャンバー６の下部であるチャンバー底部６２には保持部７よりも小さい直径を有する略円形の下部開口６４が形成されており、ステンレススチール製のシャフト４１は、下部開口６４を挿通して、保持部７（厳密には保持部７のホットプレート７１）の下面に接続されて保持部７を支持する。

移動板４２にはボールネジ４５と螺合するナット４６が固定されている。また、移動板４２は、チャンバー底部６２に固定されて下方へと伸びるガイド部材４３により摺動自在に案内されて上下方向に移動可能とされる。また、移動板４２は、シャフト４１を介して保持部７に連結される。

モータ４０は、ガイド部材４３の下端部に取り付けられる固定板４４に設置され、タイミングベルト４０１を介してボールネジ４５に接続される。保持部昇降機構４により保持部７が昇降する際には、駆動部であるモータ４０が制御部３の制御によりボールネジ４５を回転し、ナット４６が固定された移動板４２がガイド部材４３に沿って鉛直方向に移動する。この結果、移動板４２に固定されたシャフト４１が鉛直方向に沿って移動し、シャフト４１に接続された保持部７が図１に示す半導体ウェハーＷの受渡位置と図５に示す半導体ウェハーＷの処理位置との間で滑らかに昇降する。

移動板４２の上面には略半円筒状（円筒を長手方向に沿って半分に切断した形状）のメカストッパ４５１がボールネジ４５に沿うように立設されており、仮に何らかの異常により移動板４２が所定の上昇限界を超えて上昇しようとしても、メカストッパ４５１の上端がボールネジ４５の端部に設けられた端板４５２に突き当たることによって移動板４２の異常上昇が防止される。これにより、保持部７がチャンバー窓６１の下方の所定位置以上に上昇することはなく、保持部７とチャンバー窓６１との衝突が防止される。

また、保持部昇降機構４は、チャンバー６の内部のメンテナンスを行う際に保持部７を手動にて昇降させる手動昇降部４９を有する。手動昇降部４９はハンドル４９１および回転軸４９２を有し、ハンドル４９１を介して回転軸４９２を回転することより、タイミングベルト４９５を介して回転軸４９２に接続されるボールネジ４５を回転して保持部７の昇降を行うことができる。

チャンバー底部６２の下側には、シャフト４１の周囲を囲み下方へと伸びる伸縮自在のベローズ４７が設けられ、その上端はチャンバー底部６２の下面に接続される。一方、ベローズ４７の下端はベローズ下端板４７１に取り付けられている。べローズ下端板４７１は、鍔状部材４１１によってシャフト４１にネジ止めされて取り付けられている。保持部昇降機構４により保持部７がチャンバー底部６２に対して上昇する際にはベローズ４７が収縮され、下降する際にはべローズ４７が伸張される。そして、保持部７が昇降する際にも、ベローズ４７が伸縮することによって熱処理空間６５内の気密状態が維持される。

図３は、保持部７の構成を示す断面図である。保持部７は、フラッシュ光照射前に半導体ウェハーＷを水平姿勢に保持して予備加熱（いわゆるアシスト加熱）する金属製のホットプレート（保持プレート）７１および半導体ウェハーＷを直接保持する石英のサセプタ７２を有する。また、第１実施形態のホットプレート７１の上面には変色防止膜７８が形成されている。保持部７の下面には、既述のように保持部７を昇降するシャフト４１が接続される。

ホットプレート７１の本体部は、ステンレススチール製の上部プレート７３および下部プレート７４にて構成された円板形状の部材である。ホットプレート７１の直径は半導体ウェハーＷの直径よりも大きい（本実施の形態では半導体ウェハーＷの径がφ３００ｍｍであり、ホットプレート７１の径はφ３４０ｍｍである）。すなわち、ホットプレート７１は半導体ウェハーＷの平面サイズよりも大きな平面サイズを有する。上部プレート７３と下部プレート７４との間には、ホットプレート７１を加熱するニクロム線等の抵抗加熱線７６が配設され、導電性のニッケル（Ｎｉ）ロウが充填されて封止されている。また、上部プレート７３および下部プレート７４の端部はロウ付けにより接着されている。なお、上部プレート７３および下部プレート７４は、耐熱性に特に優れたインコネル（登録商標）等のニッケル基合金によって形成するようにしても良い。

図４は、ホットプレート７１を示す平面図である。図４に示すように、ホットプレート７１は、保持される半導体ウェハーＷと対向する領域の中央部に同心円状に配置される円板状のゾーン７１１および円環状のゾーン７１２、並びに、ゾーン７１２の周囲の略円環状の領域を周方向に４等分割した４つのゾーン７１３〜７１６を備え、各ゾーン間には若干の間隙が形成されている。また、ホットプレート７１には、支持ピン７０が挿通される３つの貫通孔７７が、ゾーン７１１とゾーン７１２との隙間の周上に１２０°毎に設けられる。なお、図４では、説明の便宜上、変色防止膜７８の図示は省略している。

６つのゾーン７１１〜７１６のそれぞれには、相互に独立した抵抗加熱線７６が周回するように配設されてヒータが個別に形成されており、各ゾーンに内蔵されたヒータにより各ゾーンが個別に加熱される。保持部７に保持された半導体ウェハーＷは、６つのゾーン７１１〜７１６に内蔵されたヒータにより加熱される。また、ゾーン７１１〜７１６のそれぞれには、熱電対を用いて各ゾーンの温度を計測するセンサ７１０が設けられている。各センサ７１０は略円筒状のシャフト４１の内部を通り制御部３に接続される。

ホットプレート７１が加熱される際には、センサ７１０により計測される６つのゾーン７１１〜７１６のそれぞれの温度が予め設定された所定の温度になるように、各ゾーンに配設された抵抗加熱線７６への電力供給量が制御部３により制御される。制御部３による各ゾーンの温度制御はＰＩＤ(Proportional,Integral,Derivative)制御により行われる。ホットプレート７１では、半導体ウェハーＷの熱処理（複数の半導体ウェハーＷを連続的に処理する場合は、全ての半導体ウェハーＷの熱処理）が終了するまでゾーン７１１〜７１６のそれぞれの温度が継続的に計測され、各ゾーンに配設された抵抗加熱線７６への電力供給量が個別に制御されて、すなわち、各ゾーンに内蔵されたヒータの温度が個別に制御されて各ゾーンの温度が設定温度に維持される。

６つのゾーン７１１〜７１６にそれぞれ配設される抵抗加熱線７６は、シャフト４１の内部を通る電力線を介して電力供給源（図示省略）に接続されている。電力供給源から各ゾーンに至る経路途中において、電力供給源からの電力線は、マグネシア（マグネシウム酸化物）等の絶縁体を充填したステンレスチューブの内部に互いに電気的に絶縁状態となるように配置される。

ホットプレート７１の上面には変色防止膜７８が形成されている。第１実施形態の変色防止膜７８はアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）の膜である。ステンレススチール製のホットプレート７１の上面全面にアルミナ膜をコーティングすることによって変色防止膜７８を形成している。アルミナ膜のコーティング方法としては、ＰＶＤ法（Physical Vapor Deposition）、ＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition）、溶射（Thermal spraying）、ゾルゲル法、または、その他の塗布法（例えば、スピンコーティング法、スプレー法、ディップコーティング方など）を用いることができる。いずれの手法を用いたとしても、ステンレススチール製のホットプレート７１の上面全面に密着してアルミナの変色防止膜７８が形成され、その膜厚は１ｍｍ以下である。

アルミナの変色防止膜７８は白色である。フラッシュランプＦＬから出射されるフラッシュ光の分光分布において大きな強度を有するのは可視光域である。このため、アルミナの変色防止膜７８はフラッシュランプＦＬからのフラッシュ光を透過させることなく遮光することができる。また、変色防止膜７８の形成手法として上記いずれの手法を用いたとしても、緻密なアルミナ膜がホットプレート７１の上面全面に密着して形成されることとなるため、ホットプレート７１周辺の雰囲気とホットプレート７１の上面との接触は変色防止膜７８によって防がれることとなる。すなわち、アルミナの変色防止膜７８は、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光を遮光する遮光膜としての機能および周辺雰囲気とホットプレート７１の表面との接触を防止する雰囲気遮断膜としての機能を兼ね備える。さらに、アルミナは化学的に非常に安定なセラミックスであり、耐熱性にも優れている。

変色防止膜７８が形成されたホットプレート７１の上面にサセプタ７２が載置される。サセプタ７２は石英により形成された円板形状の部材である。サセプタ７２の径はホットプレート７１の径と等しい。サセプタ７２の上面には周縁をテーパ面とした凹部（ウェハーポケット）７９が形設されており、半導体ウェハーＷはその凹部７９内（凹部７９の底面）に載置される。また、サセプタ７２の上面であって凹部７９の外側には半導体ウェハーＷの位置ずれを防止するピン７５が立設されている。

以上のように、第１実施形態の保持部７は、上面全面にアルミナの変色防止膜７８を形成したホットプレート７１の上に石英のサセプタ７２を載置して構成されている。サセプタ７２の下面は変色防止膜７８と面接触にて接している。すなわち、変色防止膜７８はサセプタ７２とホットプレート７１との間に挟み込まれることとなる。

図１に戻り、チャンバー６の内部にはカロリーメータのプローブ１１０が設けられている。プローブ１１０の先端（上端）は図５に示す半導体ウェハーＷの処理位置とほぼ同じ高さとなる。カロリーメータは、入射した粒子のエネルギーを計測する計測器である。フラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光はプローブ１１０によって受光され、そのエネルギーがカロリーメータによって計測される。

次に、ランプハウス５は、チャンバー６内の保持部７の上方に設けられている。ランプハウス５は、筐体５１の内側に、複数本（本実施形態では３０本）のキセノンフラッシュランプＦＬからなるフラッシュ光源と、その光源の上方を覆うように設けられたリフレクタ５２と、を備えて構成される。また、ランプハウス５の筐体５１の底部にはランプ光放射窓５３が装着されている。ランプハウス５の床部を構成するランプ光放射窓５３は、石英により形成された板状部材である。ランプハウス５がチャンバー６の上方に設置されることにより、ランプ光放射窓５３がチャンバー窓６１と相対向することとなる。ランプハウス５は、チャンバー６内にて保持部７に保持される半導体ウェハーＷにランプ光放射窓５３およびチャンバー窓６１を介してフラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射することにより半導体ウェハーＷを加熱する。

複数のフラッシュランプＦＬは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように平面状に配列されている。よって、フラッシュランプＦＬの配列によって形成される平面も水平面である。

キセノンフラッシュランプＦＬは、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設された棒状のガラス管（放電管）と、該ガラス管の外周面上に付設されたトリガー電極とを備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、コンデンサーに電荷が蓄積されていたとしても通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気が両端電極間の放電によってガラス管内に瞬時に流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。このようなキセノンフラッシュランプＦＬにおいては、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが０．１ミリセカンドないし１０ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。

また、リフレクタ５２は、複数のフラッシュランプＦＬの上方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ５２の基本的な機能は、複数のフラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を保持部７の側に反射するというものである。リフレクタ５２はアルミニウム合金板にて形成されており、その表面（フラッシュランプＦＬに臨む側の面）はブラスト処理により粗面化加工が施されて梨地模様を呈する。このような粗面化加工を施しているのは、リフレクタ５２の表面が完全な鏡面であると、複数のフラッシュランプＦＬからの反射光の強度に規則パターンが生じて半導体ウェハーＷの表面温度分布の均一性が低下するためである。

また、制御部３は、熱処理装置１に設けられた上記の種々の動作機構を制御する。制御部３のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部３は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクを備えている。

上記の構成以外にも熱処理装置１は、半導体ウェハーＷの熱処理時にフラッシュランプＦＬおよびホットプレート７１から発生する熱エネルギーによるチャンバー６およびランプハウス５の過剰な温度上昇を防止するため、様々な冷却用の構造を備えている。例えば、チャンバー６のチャンバー側部６３およびチャンバー底部６２には水冷管（図示省略）が設けられている。また、ランプハウス５は、内部に気体流を形成して排熱するための気体供給管５５および排気管５６が設けられて空冷構造とされている（図１参照）。また、チャンバー窓６１とランプ光放射窓５３との間隙にも空気が供給され、ランプハウス５およびチャンバー窓６１を冷却する。

次に、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの処理手順について説明する。ここで処理対象となる半導体ウェハーＷはイオン注入法により不純物（イオン）が添加された半導体基板であり、添加された不純物の活性化が熱処理装置１による光照射加熱処理（アニール）により実行される。以下に説明する熱処理装置１の処理手順は、制御部３が熱処理装置１の各動作機構を制御することにより進行する。

まず、保持部７が図５に示す処理位置から図１に示す受渡位置に下降する。「処理位置」とは、フラッシュランプＦＬから半導体ウェハーＷに光照射が行われるときの保持部７の位置であり、図５に示す保持部７のチャンバー６内における位置である。また、「受渡位置」とは、チャンバー６に半導体ウェハーＷの搬出入が行われるときの保持部７の位置であり、図１に示す保持部７のチャンバー６内における位置である。熱処理装置１における保持部７の基準位置は処理位置であり、処理前にあっては保持部７は処理位置に位置しており、これが処理開始に際して受渡位置に下降するのである。図１に示すように、保持部７が受渡位置にまで下降するとチャンバー底部６２に近接し、支持ピン７０の先端が保持部７を貫通して保持部７の上方に突出する。

次に、保持部７が受渡位置に下降したときに、弁８２および弁８７が開かれてチャンバー６の熱処理空間６５内に常温の窒素ガスが導入される。続いて、ゲートバルブ１８５が開いて搬送開口部６６が開放され、装置外部の搬送ロボットにより搬送開口部６６を介して半導体ウェハーＷがチャンバー６内に搬入され、複数の支持ピン７０上に載置される。

半導体ウェハーＷの搬入時におけるチャンバー６への窒素ガスのパージ量は約４０リットル／分とされ、供給された窒素ガスはチャンバー６内においてガス導入バッファ８３から図２中に示す矢印ＡＲ４の方向へと流れ、図１に示す排出路８６および弁８７を介してユーティリティ排気により排気される。また、チャンバー６に供給された窒素ガスの一部は、べローズ４７の内側に設けられる排出口（図示省略）からも排出される。なお、以下で説明する各ステップにおいて、チャンバー６には常に窒素ガスが供給および排気され続けており、窒素ガスの供給量は半導体ウェハーＷの処理工程に合わせて様々に変更される。

半導体ウェハーＷがチャンバー６内に搬入されると、ゲートバルブ１８５により搬送開口部６６が閉鎖される。そして、保持部昇降機構４により保持部７が受渡位置からチャンバー窓６１に近接した処理位置にまで上昇する。保持部７が受渡位置から上昇する過程において、半導体ウェハーＷは支持ピン７０から保持部７のサセプタ７２へと渡され、サセプタ７２の凹部７９に水平姿勢に載置・保持される。保持部７が処理位置にまで上昇するとサセプタ７２に保持された半導体ウェハーＷも処理位置に保持されることとなる。

ホットプレート７１の６つのゾーン７１１〜７１６のそれぞれは、各ゾーンの内部（上部プレート７３と下部プレート７４との間）に個別に内蔵されたヒータ（抵抗加熱線７６）により所定の温度まで加熱されている。保持部７が処理位置まで上昇して半導体ウェハーＷが保持部７と接触することにより、その半導体ウェハーＷはホットプレート７１に内蔵されたヒータによって予備加熱されて温度が次第に上昇する。

この処理位置にて約６０秒間の予備加熱が行われ、半導体ウェハーＷの温度が予め設定された予備加熱温度Ｔ１まで上昇する。予備加熱温度Ｔ１は、半導体ウェハーＷに添加された不純物が熱により拡散する恐れのない、２００℃ないし８００℃程度、好ましくは３５０℃ないし５５０℃程度とされる。

約６０秒間の予備加熱時間が経過した後、保持部７が処理位置に位置したまま制御部３の制御によりランプハウス５のフラッシュランプＦＬから半導体ウェハーＷへ向けてフラッシュ光が照射される。このとき、フラッシュランプＦＬから放射されるフラッシュ光の一部は直接にチャンバー６内の保持部７へと向かい、他の一部は一旦リフレクタ５２により反射されてからチャンバー６内へと向かい、これらのフラッシュ光の照射により半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱が行われる。フラッシュ加熱は、フラッシュランプＦＬからの閃光照射により行われるため、半導体ウェハーＷの表面温度を短時間で上昇することができる。

すなわち、ランプハウス５のフラッシュランプＦＬから照射されるフラッシュ光は、予め蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が０．１ミリ秒ないし１０ミリ秒程度の極めて短く強い閃光である。そして、フラッシュランプＦＬからの閃光照射によりフラッシュ加熱される半導体ウェハーＷの表面温度は、瞬間的に１０００℃ないし１１００℃程度の処理温度Ｔ２まで上昇し、半導体ウェハーＷに添加された不純物が活性化された後、表面温度が急速に下降する。このように、熱処理装置１では、半導体ウェハーＷの表面温度を極めて短時間で昇降することができるため、半導体ウェハーＷに添加された不純物の熱による拡散を抑制しつつ不純物の活性化を行うことができる。なお、添加不純物の活性化に必要な時間はその熱拡散に必要な時間に比較して極めて短いため、０．１ミリセカンドないし１０ミリセカンド程度の拡散が生じない短時間であっても活性化は完了する。

また、フラッシュ加熱の前に保持部７により半導体ウェハーＷを予備加熱しておくことにより、フラッシュランプＦＬからの閃光照射によって半導体ウェハーＷの表面温度を処理温度Ｔ２まで速やかに上昇させることができる。

フラッシュ加熱が終了し、処理位置における約１０秒間の待機の後、保持部７が保持部昇降機構４により再び図１に示す受渡位置まで下降し、半導体ウェハーＷが保持部７から支持ピン７０へと渡される。続いて、ゲートバルブ１８５により閉鎖されていた搬送開口部６６が開放され、支持ピン７０上に載置された半導体ウェハーＷは装置外部の搬送ロボットにより搬出され、熱処理装置１における半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱処理が完了する。

既述のように、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの熱処理時には窒素ガスがチャンバー６に継続的に供給されており、その供給量は、保持部７が処理位置に位置するときには約３０リットル／分とされ、保持部７が処理位置以外の位置に位置するときには約４０リットル／分とされる。

本実施形態の熱処理装置１は、ホットプレート７１の上面全面にアルミナの変色防止膜７８を形成している。アルミナの変色防止膜７８は、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光を遮光するとともに、周辺雰囲気とホットプレート７１の表面との接触を防止する。よって、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射時に、ホットプレート７１の上面にフラッシュ光が到達することはなく、また、ホットプレート７１の上面が周辺雰囲気と接触することもないため、ホットプレート７１の上面の酸化（或いは窒化）に起因した変色を防止することができる。

ホットプレート７１の変色を防止することが出来れば、高い清浄度を維持することができ、変色箇所からのパーティクル発生や金属汚染を抑制することができる。また、外観の劣化による交換を防ぐこともできるため、ホットプレート７１の製品寿命を延ばすことができる。また、ホットプレート７１の変色を防止することが出来れば、カロリーメータのプローブ１１０に入射するホットプレート７１からの反射光量が変化することもないため、フラッシュ光のエネルギーを正確に計測することができる。

また、アルミナは耐熱性に優れたセラミックスであり、変色防止膜７８自体がホットプレート７１からの熱およびフラッシュ光によってダメージを受けるおそれはない。さらに、アルミナの変色防止膜７８によってフラッシュランプＦＬからのフラッシュ光が遮光されるため、ホットプレート７１に要求される耐熱性の水準を低くすることができる。その結果、ホットプレート７１本体部の材質として、高価なインコネル（登録商標）ではなくとも比較的安価なステンレススチールで十分に要求水準を満たすことができる。

＜２．第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態の熱処理装置の全体構成および半導体ウェハーＷの処理手順は第１実施形態と同じである。第２実施形態が第１実施形態と相違するのはホットプレート７１の表面における変色防止膜７８の形成領域である。

図６は、第２実施形態の変色防止膜７８を示す図である。図６（ａ）はホットプレート７１の平面図であり、図６（ｂ）はホットプレート７１の断面図である。第２実施形態の変色防止膜７８もアルミナの膜である。アルミナ膜をホットプレート７１の上面周縁部に円環状にコーティングすることによって変色防止膜７８を形成している。より具体的には、ホットプレート７１の上面のうちホットプレート７１に保持される半導体ウェハーＷによって覆われる領域よりも外側の環状領域にアルミナの変色防止膜７８が形成されている。アルミナ膜のコーティング方法としては、第１実施形態と同様に、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、溶射、ゾルゲル法、または、その他の塗布法を用いることができる。いずれの手法を用いたとしても、ホットプレート７１の上面周縁部に密着してアルミナの変色防止膜７８が形成される。変色防止膜７８が形成された領域においては、第１実施形態と同様に、フラッシュ光が遮光されるとともに、周辺雰囲気との接触が防止される。

通常、フラッシュ加熱が行われるときには、ホットプレート７１に半導体ウェハーＷが保持されている。フラッシュ光は半導体ウェハーＷを透過しないため、フラッシュ加熱時にも半導体ウェハーＷによって覆われる領域にフラッシュ光が到達することはない。従って、ホットプレート７１の上面のうちホットプレート７１に保持される半導体ウェハーＷによって覆われる領域よりも外側の環状領域にアルミナの変色防止膜７８を形成していれば、ホットプレート７１の上面全面についてフラッシュランプＦＬからのフラッシュ光を遮光することができる。その結果、ホットプレート７１の上面全面の変色を防止することができ、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。もっとも、第２実施形態のように円環状に変色防止膜７８を形成するよりも第１実施形態のようにホットプレート７１の上面全面に変色防止膜７８を形成する方がコーティング作業は簡易なものとなる。

＜３．第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。第３実施形態の熱処理装置の全体構成および半導体ウェハーＷの処理手順は第１実施形態と同じである。第３実施形態が第１実施形態と相違するのはホットプレート７１の表面における変色防止膜７８の形成領域である。

図７は、第３実施形態の変色防止膜７８を示す図であり、ホットプレート７１の断面図である。第３実施形態の変色防止膜７８もアルミナの膜である。ホットプレート７１の上面全面および側面にアルミナ膜をコーティングすることによって変色防止膜７８を形成している。アルミナ膜のコーティング方法としては、第１実施形態と同様に、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、溶射、ゾルゲル法、または、その他の塗布法を用いることができる。いずれの手法を用いたとしても、ホットプレート７１の上面全面および側面に密着してアルミナの変色防止膜７８が形成される。変色防止膜７８が形成されたホットプレート７１の上面全面および側面においては、第１実施形態と同様に、フラッシュ光が遮光されるとともに、周辺雰囲気との接触が防止される。

第３実施形態のようにすれば、ホットプレート７１の上面だけでなく側面の変色をも防止することができる。このため、より高い精度にて第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

＜４．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記各実施形態においては、変色防止膜７８をアルミナの膜としていたが、これに代えて変色防止膜７８を耐熱性に優れた他のセラミックスにて形成するようにしても良い。例えば、変色防止膜７８をジルコニア（ＺｒＯ₂）の膜としても良い。ジルコニア膜のコーティング方法としては、アルミナ膜と同様の手法を用いることができる。ジルコニアの変色防止膜７８も白色であってフラッシュ光を遮光することができる。また、ジルコニアの変色防止膜７８もホットプレート７１の表面に密着して形成される。すなわち、ジルコニアの変色防止膜７８も、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光を遮光する遮光膜としての機能および周辺雰囲気とホットプレート７１の表面との接触を防止する雰囲気遮断膜としての機能を兼ね備える。その結果、ホットプレート７１の表面にジルコニアの変色防止膜７８を形成した場合にも、アルミナの変色防止膜７８と同様の効果を得ることができる。

また、耐熱性に優れたセラミックスとして石英にて変色防止膜７８を形成するようにしても良い。石英膜のコーティング方法としては、上記と同様に種々の手法を用いることができる。石英の変色防止膜７８もホットプレート７１の表面に密着して形成されるため、周辺雰囲気とホットプレート７１の表面との接触を防止することができる。但し、石英はフラッシュ光に対して透明であるため、フラッシュ光を遮光することはできない。フラッシュ光を遮光することができなくとも、周辺雰囲気とホットプレート７１の表面との接触を防止することができれば、酸化（或いは窒化）によるホットプレート７１表面の変色を防止することはできる。その結果、ホットプレート７１の表面に石英の変色防止膜７８を形成した場合にも、上記各実施形態と同様の効果を得ることができる。

また、半導体ウェハーＷの処理装置に好適な清浄度の高い素材として石英は広く用いられており、石英にて変色防止膜７８を形成するようにすればホットプレート７１の清浄度に対する信頼性を高めることができる。さらに、石英にて変色防止膜７８を形成した場合には、変色防止膜７８にサセプタ７２を兼用させることもできる。図８は、サセプタとしても機能する変色防止膜７８を形成したホットプレート７１の断面図である。この場合、石英の変色防止膜７８の膜厚は２ｍｍ〜３ｍｍである。そして、コーティングによって形成した石英の変色防止膜７８の上面に半導体ウェハーＷを収容する凹部７９が形成される。この凹部７９は上記各実施形態のサセプタ７２に形成されるのと同様のものである。石英の変色防止膜７８の上面に凹部７９を形成すれば、変色防止膜７８によって半導体ウェハーＷを直接保持することができる。すなわち、変色防止膜７８にサセプタ７２を兼用させることができる。

また、変色防止膜７８を炭化珪素（ＳｉＣ）にて形成するようにしても良い。炭化珪素も石英と同じく清浄度の高い素材として広く用いられており、炭化珪素にて変色防止膜７８を形成するようにすればホットプレート７１の清浄度に対する信頼性を高めることができる。

また、変色防止膜７８をセラミックスに代えて耐熱性に優れた金属、例えばインコネル（登録商標）などのニッケル基合金にて形成するようにしても良い。ステンレススチール製のホットプレート７１の表面にインコネル（登録商標）をコーティングすることによってインコネル（登録商標）の変色防止膜７８を形成する。インコネル（登録商標）のコーティング方法としては、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、溶射、吹き付け、または、その他の塗布法を用いることができる。インコネル（登録商標）の変色防止膜７８もフラッシュ光を遮光することができる。また、インコネル（登録商標）の変色防止膜７８もホットプレート７１の表面に密着して形成されるため、周辺雰囲気とホットプレート７１の表面との接触を防止することができる。もっとも、インコネル（登録商標）自体もフラッシュ光の照射によって変色するのであるが、その程度はステンレススチールに比較すると軽く、変色の進行を遅くすることができる。

インコネル（登録商標）製のホットプレート７１の表面にインコネル（登録商標）をコーティングして変色防止膜７８を形成するようにしても良い。このように同種の金属をコーティングする場合には、ポーラス体の金属膜を形成して変色防止膜７８とする。具体的には、金属の粉末と有機化合物とを混合してホットプレート７１の表面にコーティングし、それを加熱して有機化合物を除くことによってポーラス体の金属膜を形成する。ポーラス体の変色防止膜７８であれば、断熱性を高めることができる。

また、ホットプレート７１の表面に紫外線或いは電子ビームを照射することによって表面改質を行うようにしても良い。ステンレススチール製のホットプレート７１の表面にはクロム（Ｃｒ）の酸化膜が不動態皮膜として自然に形成されるが、紫外線或いは電子ビームを照射することによってこの不動態皮膜の厚さを厚くして変色防止膜７８として機能させることができる。改質によって厚みを増した不動態皮膜は、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光を遮光する遮光膜としての機能および周辺雰囲気とホットプレート７１の表面との接触を防止する雰囲気遮断膜としての機能を兼ね備える。すなわち、上記各実施形態の変色防止膜７８と同等の機能を有する。その結果、ホットプレート７１の表面に紫外線または電子ビームを照射して改質処理を行った場合にも、上記各実施形態と同様の効果を得ることができる。

集約すると、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光を遮光することができる遮光材料にて形成した遮光膜、または、周辺雰囲気とホットプレート７１の表面との接触を防止する雰囲気遮断膜の少なくともいずれかの機能を有する膜をホットプレート７１の表面に形成すれば良い。そのような膜であれば、フラッシュランプＦＬからフラッシュ光が照射されたときに、ホットプレート７１の表面に生じる変色を防止する変色防止膜７８としての作用効果を奏することができる。

また、上記実施形態においては、ホットプレート７１に予備加熱用のヒータとして抵抗加熱線７６を内蔵するようにしていたが、ハロゲンランプなどの他の予備加熱手段を設けている場合、或いは予備加熱が不要の場合には抵抗加熱線７６は必須ではない。このような場合、ホットプレート７１はフラッシュ加熱時に単に半導体ウェハーＷを水平姿勢にて保持する部材として機能する。

また、上記実施形態においては、ランプハウス５に３０本のフラッシュランプＦＬを備えるようにしていたが、これに限定されるものではなく、フラッシュランプＦＬの本数は任意の数とすることができる。また、フラッシュランプＦＬはキセノンフラッシュランプに限定されるものではなく、クリプトンフラッシュランプであっても良い。

また、本発明に係る熱処理装置によって処理対象となる基板は半導体ウェハーに限定されるものではなく、液晶表示装置などに用いるガラス基板であっても良い。

１ 熱処理装置
３ 制御部
４ 保持部昇降機構
５ ランプハウス
６ チャンバー
７ 保持部
６０ 上部開口
６１ チャンバー窓
６５ 熱処理空間
７１ ホットプレート
７２ サセプタ
７６ 抵抗加熱線
７８ 変色防止膜
７９ 凹部
１１０ プローブ
ＦＬ フラッシュランプ
Ｗ 半導体ウェハー

Claims (8)

1. 基板に対してフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
   基板を水平姿勢に保持する金属製の保持プレートと、
   前記保持プレートの上方に設けられ、前記保持プレートに保持された基板にフラッシュ光を照射するフラッシュ光源と、
   を備え、
   フラッシュ光が照射されたときに前記保持プレートの表面に生じる変色を防止する変色防止膜が前記保持プレートの表面に形成され、
   前記変色防止膜は、前記金属製の保持プレートの表面に形成された酸化膜の不動態皮膜に紫外線または電子ビームを照射して改質して形成されることを特徴とする熱処理装置。
2. 請求項１記載の熱処理装置において、
   前記不動態皮膜はクロムの酸化膜であることを特徴とする熱処理装置。
3. 基板に対してフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
   基板を水平姿勢に保持する金属製の保持プレートと、
   前記保持プレートの上方に設けられ、前記保持プレートに保持された基板にフラッシュ光を照射するフラッシュ光源と、
   を備え、
   フラッシュ光が照射されたときに前記保持プレートの表面に生じる変色を防止する変色防止膜が前記保持プレートの表面に形成され、
   前記変色防止膜は、前記保持プレートの金属と同種の金属のポーラス体にて形成されることを特徴とする熱処理装置。
4. 請求項３記載の熱処理装置において、
   前記保持プレートはインコネル（登録商標）にて形成されることを特徴とする熱処理装置。
5. 請求項１から請求項４のいずれかに記載の熱処理装置において、
   前記変色防止膜は、前記保持プレートの上面全面に形成されることを特徴とする熱処理装置。
6. 請求項１から請求項４のいずれかに記載の熱処理装置において、
   前記保持プレートの平面サイズは基板の平面サイズよりも大きく、
   前記変色防止膜は、前記保持プレートの上面のうち前記保持プレートに保持された基板によって覆われる領域よりも外側の環状領域に形成されることを特徴とする熱処理装置。
7. 請求項１から請求項４のいずれかに記載の熱処理装置において、
   前記変色防止膜は、前記保持プレートの上面全面および側面に形成されることを特徴とする熱処理装置。
8. 請求項１から請求項７のいずれかに記載の熱処理装置において、
   前記保持プレートは、前記フラッシュ光源からフラッシュ光を照射する前に基板を予備加熱するヒータを備えることを特徴とする熱処理装置。

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