JP3525022B2 - 基板加熱装置 - Google Patents
基板加熱装置Info
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- JP3525022B2 JP3525022B2 JP35537996A JP35537996A JP3525022B2 JP 3525022 B2 JP3525022 B2 JP 3525022B2 JP 35537996 A JP35537996 A JP 35537996A JP 35537996 A JP35537996 A JP 35537996A JP 3525022 B2 JP3525022 B2 JP 3525022B2
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- heating
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハや
液晶用ガラス基板などの基板を加熱する基板加熱装置に
関する。
液晶用ガラス基板などの基板を加熱する基板加熱装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の基板加熱装置としては、基板加熱
用に昇温されるホットプレートを備え、このホットプレ
ートの上面にスペーサとしての複数のボールを配設し、
これらボールの上端に基板をホットプレートの上面から
浮かせた状態で支持するとともに、ホットプレート上方
にホットプレートカバーを配置し、半密閉空間を形成し
て基板を加熱する構成のものが知られている。この構成
によれば、基板裏面の汚染を防止した上で、基板を加熱
することができる。
用に昇温されるホットプレートを備え、このホットプレ
ートの上面にスペーサとしての複数のボールを配設し、
これらボールの上端に基板をホットプレートの上面から
浮かせた状態で支持するとともに、ホットプレート上方
にホットプレートカバーを配置し、半密閉空間を形成し
て基板を加熱する構成のものが知られている。この構成
によれば、基板裏面の汚染を防止した上で、基板を加熱
することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、基板を各基
板間において均一に加熱処理するためには、基板を加熱
するためのホットプレート自身の設定温度を所望の温度
に保つことが要求される他に、基板自身が加熱処理時に
置かれる周辺の雰囲気温度も一定に保つ必要がある。
板間において均一に加熱処理するためには、基板を加熱
するためのホットプレート自身の設定温度を所望の温度
に保つことが要求される他に、基板自身が加熱処理時に
置かれる周辺の雰囲気温度も一定に保つ必要がある。
【０００４】しかしながら、この従来の装置において
は、装置の立ち上げ時や、加熱温度をより高く設定した
りまた加熱温度をより低く設定したりする設定温度の変
更時において、ホットプレートの温度は比較的早く設定
温度まで追従させることができるが、基板が支持されて
置かれるべき周辺の雰囲気温度は、ホットプレートから
間接的に熱が伝えられるにすぎないため、温度の追従性
は非常に悪い。そのため、基板が置かれるべき周辺の雰
囲気温度が所望の定常状態の温度となるまでに多大な時
間を要し、装置の稼働効率が低下するといった問題が生
じることとなる。
は、装置の立ち上げ時や、加熱温度をより高く設定した
りまた加熱温度をより低く設定したりする設定温度の変
更時において、ホットプレートの温度は比較的早く設定
温度まで追従させることができるが、基板が支持されて
置かれるべき周辺の雰囲気温度は、ホットプレートから
間接的に熱が伝えられるにすぎないため、温度の追従性
は非常に悪い。そのため、基板が置かれるべき周辺の雰
囲気温度が所望の定常状態の温度となるまでに多大な時
間を要し、装置の稼働効率が低下するといった問題が生
じることとなる。
【０００５】以上のことからこの発明の基板加熱装置
は、装置の立ち上げ時や加熱温度の設定変更が生じたよ
うな場合でも、基板が加熱処理時に置かれる周辺の雰囲
気温度を素早く所望の定常状態の温度まで移行させるこ
とのできるようにすることを目的とする。
は、装置の立ち上げ時や加熱温度の設定変更が生じたよ
うな場合でも、基板が加熱処理時に置かれる周辺の雰囲
気温度を素早く所望の定常状態の温度まで移行させるこ
とのできるようにすることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】前
述した課題を解決するための手段として、以下に示す構
成をとった。
述した課題を解決するための手段として、以下に示す構
成をとった。
【０００７】この発明の基板加熱装置は、上面を昇温可
能なホットプレートにより基板を加熱する基板加熱装置
であって、前記基板をホットプレートの上方に、上面か
ら浮かせた状態で支持するスペーサと、前記ホットプレ
ートの少なくとも上方を覆う部材とを備え、前記部材
に、加熱と冷却の可能な温調手段を設けたことを特徴と
している。
能なホットプレートにより基板を加熱する基板加熱装置
であって、前記基板をホットプレートの上方に、上面か
ら浮かせた状態で支持するスペーサと、前記ホットプレ
ートの少なくとも上方を覆う部材とを備え、前記部材
に、加熱と冷却の可能な温調手段を設けたことを特徴と
している。
【０００８】この構成の発明によれば、ホットプレート
の少なくとも上方を覆う材料に、温調手段を設けている
ことから、ホットプレート上方の雰囲気の温度を、温調
手段によっても調整することにより、装置の立ち上げ時
や加熱温度の設定変更が生じたような場合でも、基板が
加熱処理時に置かれる周辺の雰囲気温度を素早く所望の
定常状態の温度まで移行させることができる。
の少なくとも上方を覆う材料に、温調手段を設けている
ことから、ホットプレート上方の雰囲気の温度を、温調
手段によっても調整することにより、装置の立ち上げ時
や加熱温度の設定変更が生じたような場合でも、基板が
加熱処理時に置かれる周辺の雰囲気温度を素早く所望の
定常状態の温度まで移行させることができる。
【０００９】前記発明の基板加熱装置において、温調手
段が設けられる部材が、ホットプレートの上方を覆うカ
バーである構成とすることができる。また、前記ホット
プレート、スペーサ、部材および温調手段を収容する筺
体を備え、前記筺体に、加熱と冷却の可能な第２の温調
手段を備えた構成とすることもできる。
段が設けられる部材が、ホットプレートの上方を覆うカ
バーである構成とすることができる。また、前記ホット
プレート、スペーサ、部材および温調手段を収容する筺
体を備え、前記筺体に、加熱と冷却の可能な第２の温調
手段を備えた構成とすることもできる。
【００１０】さらには、前記発明の基板加熱装置におい
て、前記温調手段がペルチェ素子を含む構成とすること
ができる。ペルチェ素子は温度の調整を素早くできるこ
とから、この構成によれば、基板が置かれるべき周辺の
雰囲気の温度をより一層素早く変更することができる。
また、ペルチェ素子を利用した構成であることから、構
造が簡単で小型化が可能となる。この発明の第２の基板
加熱装置は、上面を昇温可能なホットプレートにより基
板を加熱する基板加熱装置であって、前記ホットプレー
トの少なくとも上方を覆う部材と、前記部材に設けら
れ、加熱と冷却の可能な温調手段と、前記ホットプレー
トと温調手段とを制御する制御手段とを備え、前記制御
手段は、前記ホットプレートの目標とする加熱温度を第
１の設定温度と、該第１の設定温度よりも高温側の第２
の設定温度との間で変更可能であり、前記ホットプレー
トの目標とする加熱温度を前記第１の設定温度から第２
の設定温度に変更する場合には、前記ホットプレートの
温度を第１の設定温度から第２の設定温度に制御すると
共に前記温調手段を加熱させ、前記ホットプレートの目
標とする加熱温度を前記第２の設定温度から第１の設定
温度に変更する場合には、前記ホットプレートの温度を
第２の設定温度から第１の設定温度に制御すると共に前
記温調手段を冷却させる構成を特徴としている。
て、前記温調手段がペルチェ素子を含む構成とすること
ができる。ペルチェ素子は温度の調整を素早くできるこ
とから、この構成によれば、基板が置かれるべき周辺の
雰囲気の温度をより一層素早く変更することができる。
また、ペルチェ素子を利用した構成であることから、構
造が簡単で小型化が可能となる。この発明の第２の基板
加熱装置は、上面を昇温可能なホットプレートにより基
板を加熱する基板加熱装置であって、前記ホットプレー
トの少なくとも上方を覆う部材と、前記部材に設けら
れ、加熱と冷却の可能な温調手段と、前記ホットプレー
トと温調手段とを制御する制御手段とを備え、前記制御
手段は、前記ホットプレートの目標とする加熱温度を第
１の設定温度と、該第１の設定温度よりも高温側の第２
の設定温度との間で変更可能であり、前記ホットプレー
トの目標とする加熱温度を前記第１の設定温度から第２
の設定温度に変更する場合には、前記ホットプレートの
温度を第１の設定温度から第２の設定温度に制御すると
共に前記温調手段を加熱させ、前記ホットプレートの目
標とする加熱温度を前記第２の設定温度から第１の設定
温度に変更する場合には、前記ホットプレートの温度を
第２の設定温度から第１の設定温度に制御すると共に前
記温調手段を冷却させる構成を特徴としている。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を実施
例に基づき説明する。
例に基づき説明する。
【００１２】Ａ．全体の構成：図１は、この発明の第１
実施例に係わる基板加熱装置が配設された基板処理装置
の全体構成を示す斜視図である。
実施例に係わる基板加熱装置が配設された基板処理装置
の全体構成を示す斜視図である。
【００１３】図示するように、この基板処理装置は、半
導体ウエハ（以下、基板と呼ぶ）Ｗに対して、塗布処
理、現像処理、加熱処理および冷却処理を行なうための
装置であり、未処理基板や処理済み基板を保管するイン
デクサ部１と、基板Ｗに対して前記一連の処理を行なう
基板処理部２とを有している。
導体ウエハ（以下、基板と呼ぶ）Ｗに対して、塗布処
理、現像処理、加熱処理および冷却処理を行なうための
装置であり、未処理基板や処理済み基板を保管するイン
デクサ部１と、基板Ｗに対して前記一連の処理を行なう
基板処理部２とを有している。
【００１４】インデクサ部１は、基台３の水平な上面に
一列に配置される４個のカセットＣと、カセットＣの配
列方向に沿って移動可能な移載ロボット４とを有してい
る。カセットＣは、それぞれ基板Ｗを上下方向に多段で
収納できるようになっている。また、移載ロボット４
は、カセットＣに対して基板Ｗを出し入れし、基板処理
部２との間で基板Ｗの受け渡しを行なう。
一列に配置される４個のカセットＣと、カセットＣの配
列方向に沿って移動可能な移載ロボット４とを有してい
る。カセットＣは、それぞれ基板Ｗを上下方向に多段で
収納できるようになっている。また、移載ロボット４
は、カセットＣに対して基板Ｗを出し入れし、基板処理
部２との間で基板Ｗの受け渡しを行なう。
【００１５】基板処理部２は、カセットＣの配列方向に
対して直交する方向に配列されたスピンコータ１０およ
びそれぞれ現像処理を行なう２つのスピンデベロッパ１
１、１２と、スピンコータ１０および２つのスピンデベ
ロッパ１１、１２のそれぞれに対向するように配置され
たクーリングユニット１５およびホットユニット１６と
を有している。そして、スピンコータ１０およびスピン
デベロッパ１１、１２とクーリングユニット１５および
ホットユニット１６との間には、これらが配列された方
向に移動可能な搬送ロボット１７が設けられている。
対して直交する方向に配列されたスピンコータ１０およ
びそれぞれ現像処理を行なう２つのスピンデベロッパ１
１、１２と、スピンコータ１０および２つのスピンデベ
ロッパ１１、１２のそれぞれに対向するように配置され
たクーリングユニット１５およびホットユニット１６と
を有している。そして、スピンコータ１０およびスピン
デベロッパ１１、１２とクーリングユニット１５および
ホットユニット１６との間には、これらが配列された方
向に移動可能な搬送ロボット１７が設けられている。
【００１６】スピンコータ１０は、基板Ｗの表面にフォ
トレジスト液等を塗布処理するためのものであり、スピ
ンデベロッパ１１、１２は現像処理を行なうためのもの
である。また、クーリングユニット１５およびホットユ
ニット１６は互いに積層されており、それぞれ基板Ｗの
冷却、加熱を行なうためのものである。搬送ロボット１
７は、水平方向および上下方向に移動可能な移動台２０
と、基板Ｗを支持可能なアーム２１とを有している。ア
ーム２１は、移動台２０に対して進退可能に設けられる
とともに、その進退は、移動台２０が水平面内で旋回す
ることによりいずれの方向にも可能となっている。この
ような搬送ロボット１７により、スピンコータ１０およ
びスピンデベロッパ１１、１２とクーリングユニット１
５およびホットユニット１６との間で、またクーリング
ユニット１５とホットユニット１６との間で、さらにイ
ンデクサ部１の移載ロボット４との間で基板Ｗの受け渡
しが可能である。
トレジスト液等を塗布処理するためのものであり、スピ
ンデベロッパ１１、１２は現像処理を行なうためのもの
である。また、クーリングユニット１５およびホットユ
ニット１６は互いに積層されており、それぞれ基板Ｗの
冷却、加熱を行なうためのものである。搬送ロボット１
７は、水平方向および上下方向に移動可能な移動台２０
と、基板Ｗを支持可能なアーム２１とを有している。ア
ーム２１は、移動台２０に対して進退可能に設けられる
とともに、その進退は、移動台２０が水平面内で旋回す
ることによりいずれの方向にも可能となっている。この
ような搬送ロボット１７により、スピンコータ１０およ
びスピンデベロッパ１１、１２とクーリングユニット１
５およびホットユニット１６との間で、またクーリング
ユニット１５とホットユニット１６との間で、さらにイ
ンデクサ部１の移載ロボット４との間で基板Ｗの受け渡
しが可能である。
【００１７】このような基板処理装置では、インデクサ
部１にカセットＣが搬入されてくると、そのカセットＣ
内の基板Ｗが移載ロボット４によって基板処理部２の搬
送ロボット１７に引き渡される。搬送ロボット１７は、
予めプログラムされた搬送順序に従ってスピンコータ１
０、スピンデベロッパ１１、１２、クーリングユニット
１５およびホットユニット１６の間で基板Ｗを搬送す
る。各処理部で処理された基板Ｗは、搬送ロボット１７
によってインデクサ部１の移載ロボット４に引き渡さ
れ、カセットＣ内に収納される。
部１にカセットＣが搬入されてくると、そのカセットＣ
内の基板Ｗが移載ロボット４によって基板処理部２の搬
送ロボット１７に引き渡される。搬送ロボット１７は、
予めプログラムされた搬送順序に従ってスピンコータ１
０、スピンデベロッパ１１、１２、クーリングユニット
１５およびホットユニット１６の間で基板Ｗを搬送す
る。各処理部で処理された基板Ｗは、搬送ロボット１７
によってインデクサ部１の移載ロボット４に引き渡さ
れ、カセットＣ内に収納される。
【００１８】Ｂ．基板加熱装置の構成：次に、基板加熱
装置としてのホットユニット１６の構成を説明する。図
２は、ホットユニット１６の構成を示す説明図である。
装置としてのホットユニット１６の構成を説明する。図
２は、ホットユニット１６の構成を示す説明図である。
【００１９】図示するように、ホットユニット１６の外
側を構成する筐体３０の内部には、ヒータなどの加熱手
段を内部に有して基板Ｗを所望の温度で加熱するための
ホットプレート４０と、基板Ｗの熱処理時にホットプレ
ート４０上に降下して保温のための半密閉空間を形成す
るホットプレートカバー６０とが設けられている。
側を構成する筐体３０の内部には、ヒータなどの加熱手
段を内部に有して基板Ｗを所望の温度で加熱するための
ホットプレート４０と、基板Ｗの熱処理時にホットプレ
ート４０上に降下して保温のための半密閉空間を形成す
るホットプレートカバー６０とが設けられている。
【００２０】ホットプレート４０は、筐体３０外から搬
入された基板Ｗを３点支持によって受け取るリフタピン
４２と、このリフタピン４２から基板Ｗを受け取ってホ
ットプレート４０上に支持するプロキシミティギャップ
用ボール４４とを備える。各リフタピン４２は、図示を
省略するアクチュエータによって昇降自在となってお
り、アクチュエータを動作させることにより基板Ｗを水
平に保って昇降させることが可能になる。プロキシミテ
ィギャップ用ボール４４は、ホットプレート４０上に埋
め込まれており、このプロキシミティギャップ用ボール
４４の上端はホットプレート４０の表面から若干突出し
ている。リフタピン４２の下降に伴って下降してきた基
板Ｗをホットプレート４０上にホットプレート４０表面
と平行になるように浮かして支持する。したがって、基
板Ｗは、ホットプレート４０と直接接触することなくプ
ロキシミティギャップ用ボール４４上に支持され、裏面
の汚染が防止されるようになっている。
入された基板Ｗを３点支持によって受け取るリフタピン
４２と、このリフタピン４２から基板Ｗを受け取ってホ
ットプレート４０上に支持するプロキシミティギャップ
用ボール４４とを備える。各リフタピン４２は、図示を
省略するアクチュエータによって昇降自在となってお
り、アクチュエータを動作させることにより基板Ｗを水
平に保って昇降させることが可能になる。プロキシミテ
ィギャップ用ボール４４は、ホットプレート４０上に埋
め込まれており、このプロキシミティギャップ用ボール
４４の上端はホットプレート４０の表面から若干突出し
ている。リフタピン４２の下降に伴って下降してきた基
板Ｗをホットプレート４０上にホットプレート４０表面
と平行になるように浮かして支持する。したがって、基
板Ｗは、ホットプレート４０と直接接触することなくプ
ロキシミティギャップ用ボール４４上に支持され、裏面
の汚染が防止されるようになっている。
【００２１】ホットプレートカバー６０は、基板Ｗを上
方から覆う上板部６２と、この上板部６２の周縁から下
方に延びるスカート状の４枚の側板部６４とを備える。
このホットプレートカバー６０は、図示を省略する昇降
機構によって上下動可能となっており、基板Ｗの加熱処
理に際して降下して、ホットプレート４０上に半密閉空
間を形成する。すなわち、ホットプレートカバー６０
は、下方に開口部を有する箱状の形状を有しており、こ
の開口部がホットプレート４０によってわずかな隙間を
残してほぼ密閉される。
方から覆う上板部６２と、この上板部６２の周縁から下
方に延びるスカート状の４枚の側板部６４とを備える。
このホットプレートカバー６０は、図示を省略する昇降
機構によって上下動可能となっており、基板Ｗの加熱処
理に際して降下して、ホットプレート４０上に半密閉空
間を形成する。すなわち、ホットプレートカバー６０
は、下方に開口部を有する箱状の形状を有しており、こ
の開口部がホットプレート４０によってわずかな隙間を
残してほぼ密閉される。
【００２２】ホットプレートカバー６０の外側の面に
は、温度を調整可能な温調部６６が固着されている。温
調部６６は、ペルチェ効果を利用したペルチェ素子によ
って構成されるもので、ペルチェ素子に供給する電流の
方向を切り換えることにより、加熱も冷却も行なうこと
ができる。温調部６６は、図示しないコントローラによ
って制御された電流を受けることで温度が調整される。
なお、ホットプレートカバー６０は、アルミニウムもし
くはステンレス製である。
は、温度を調整可能な温調部６６が固着されている。温
調部６６は、ペルチェ効果を利用したペルチェ素子によ
って構成されるもので、ペルチェ素子に供給する電流の
方向を切り換えることにより、加熱も冷却も行なうこと
ができる。温調部６６は、図示しないコントローラによ
って制御された電流を受けることで温度が調整される。
なお、ホットプレートカバー６０は、アルミニウムもし
くはステンレス製である。
【００２３】次にホットユニット１６の動作について、
ホットプレート４０の加熱温度を従前の設定温度であっ
た９０℃から１１０℃に上昇させる場合を例にとり説明
する。まず、ホットプレート４０のヒータなどの加熱手
段の出力を上げ、ホットプレート４０自身の温度を９０
℃から１１０℃まで昇温させるとともに、温調部６６を
構成するベルチェ素子に正方向の所定の電流を供給し、
ホットプレートカバー６０を昇温させる。ホットプレー
トカバー６０が昇温するとホットプレート４０とホット
プレートカバー６０によって形成される半密閉空間内の
雰囲気温度を高めることができる。その結果、基板Ｗが
置かれるべき周辺の雰囲気温度を所望の定常状態の温度
に素早く移すことができる。
ホットプレート４０の加熱温度を従前の設定温度であっ
た９０℃から１１０℃に上昇させる場合を例にとり説明
する。まず、ホットプレート４０のヒータなどの加熱手
段の出力を上げ、ホットプレート４０自身の温度を９０
℃から１１０℃まで昇温させるとともに、温調部６６を
構成するベルチェ素子に正方向の所定の電流を供給し、
ホットプレートカバー６０を昇温させる。ホットプレー
トカバー６０が昇温するとホットプレート４０とホット
プレートカバー６０によって形成される半密閉空間内の
雰囲気温度を高めることができる。その結果、基板Ｗが
置かれるべき周辺の雰囲気温度を所望の定常状態の温度
に素早く移すことができる。
【００２４】ホットプレート４０自身の温度を１１０℃
に設定することが完了するとともに、基板Ｗが置かれる
べき周辺の雰囲気温度を所望の定常状態の温度に移すこ
とが完了すると、ホットプレート４０にて基板Ｗの加熱
処理が行なえる状態となる。そこで、搬送ロボット１７
により基板Ｗをホットユニット１６に搬入し、基板Ｗの
加熱処理を行なう。基板Ｗをホットユニット１６へ搬入
するにあたっては、予めホットプレートカバー６０およ
びリフトピン４２を上昇させておき、搬送ロボット１７
のアーム２１に支持された未処理基板をリフトピン４２
に載せる。そして、リフトピン４２を降下させてプロキ
シミティギャップ用ボール４４上に基板Ｗを載せ替え、
ホットプレート４０上に載置して所定時間基板Ｗの加熱
処理を行なう。加熱処理が終了すると、リフトピン４２
を上昇させて再び基板Ｗをリフトピン４２上に支持し、
搬送ロボット１７のアーム２１によりホットユニット１
６から基板Ｗの搬出を行なう。このようにして基板Ｗの
加熱処理が行なえるようになった以降は、順次基板がホ
ットユニット１６に搬入されて基板Ｗの加熱処理が行な
われていく。
に設定することが完了するとともに、基板Ｗが置かれる
べき周辺の雰囲気温度を所望の定常状態の温度に移すこ
とが完了すると、ホットプレート４０にて基板Ｗの加熱
処理が行なえる状態となる。そこで、搬送ロボット１７
により基板Ｗをホットユニット１６に搬入し、基板Ｗの
加熱処理を行なう。基板Ｗをホットユニット１６へ搬入
するにあたっては、予めホットプレートカバー６０およ
びリフトピン４２を上昇させておき、搬送ロボット１７
のアーム２１に支持された未処理基板をリフトピン４２
に載せる。そして、リフトピン４２を降下させてプロキ
シミティギャップ用ボール４４上に基板Ｗを載せ替え、
ホットプレート４０上に載置して所定時間基板Ｗの加熱
処理を行なう。加熱処理が終了すると、リフトピン４２
を上昇させて再び基板Ｗをリフトピン４２上に支持し、
搬送ロボット１７のアーム２１によりホットユニット１
６から基板Ｗの搬出を行なう。このようにして基板Ｗの
加熱処理が行なえるようになった以降は、順次基板がホ
ットユニット１６に搬入されて基板Ｗの加熱処理が行な
われていく。
【００２５】一方、ホットプレート４０における加熱の
設定温度を従前の設定温度から降下させる場合、従来
は、ホットプレート４０の温度を次の目標とする設定温
度に設定するだけで、基板Ｗの置かれるべき周辺の雰囲
気温度は自然冷却により降下させるようにしていたが、
この実施例では、温調部６６を構成するペルチェ素子に
負方向の所定の電流を供給し、ホットプレートカバー６
０を降温させる。ホットプレートカバー６０が降温する
とホットプレート４０とホットプレートカバー６０によ
って形成される半密閉空間内の雰囲気温度を低下させる
ことができる。その結果、基板Ｗが置かれるべき周辺の
雰囲気温度を所望の定常状態の温度に素早く移すことが
できる。したがって、低温側への温度変更時にも雰囲気
温度を素早く所望の定常状態の温度に移すことができ
る。
設定温度を従前の設定温度から降下させる場合、従来
は、ホットプレート４０の温度を次の目標とする設定温
度に設定するだけで、基板Ｗの置かれるべき周辺の雰囲
気温度は自然冷却により降下させるようにしていたが、
この実施例では、温調部６６を構成するペルチェ素子に
負方向の所定の電流を供給し、ホットプレートカバー６
０を降温させる。ホットプレートカバー６０が降温する
とホットプレート４０とホットプレートカバー６０によ
って形成される半密閉空間内の雰囲気温度を低下させる
ことができる。その結果、基板Ｗが置かれるべき周辺の
雰囲気温度を所望の定常状態の温度に素早く移すことが
できる。したがって、低温側への温度変更時にも雰囲気
温度を素早く所望の定常状態の温度に移すことができ
る。
【００２６】さらに、この実施例では、温調部６６をペ
ルチェ素子から構成していることから、ホットプレート
カバー６０の温度を素早く変更することができる。した
がって、基板Ｗが置かれるべき周辺の雰囲気温度の変更
をより一層素早く行なうことができる。また、ペルチェ
素子を利用した構成であることから、ホットプレートカ
バー６０の厚みをそれ程厚くすることもない。
ルチェ素子から構成していることから、ホットプレート
カバー６０の温度を素早く変更することができる。した
がって、基板Ｗが置かれるべき周辺の雰囲気温度の変更
をより一層素早く行なうことができる。また、ペルチェ
素子を利用した構成であることから、ホットプレートカ
バー６０の厚みをそれ程厚くすることもない。
【００２７】次に、この発明の第２実施例について説明
する。この発明の第２実施例は、第１実施例と比較し
て、ホットユニット１６の構成が相違し、ホットユニッ
ト１６を除く基板処理装置のその他の構成は同一であ
る。図３は、この第２実施例のホットユニット１１６の
構成を示す説明図である。
する。この発明の第２実施例は、第１実施例と比較し
て、ホットユニット１６の構成が相違し、ホットユニッ
ト１６を除く基板処理装置のその他の構成は同一であ
る。図３は、この第２実施例のホットユニット１１６の
構成を示す説明図である。
【００２８】図示するように、この第２実施例のホット
ユニット１１６は、第１実施例と同一のホットプレート
４０とホットプレートカバー６０とを備える。なお、図
中、第１実施例と同一の構成には第１実施例と同じ番号
をつけた。この第２実施例のホットユニット１１６と第
１実施例のホットユニット１６との相違する点は、ホッ
トユニット１６の外側を構成する筐体１３０にある。
ユニット１１６は、第１実施例と同一のホットプレート
４０とホットプレートカバー６０とを備える。なお、図
中、第１実施例と同一の構成には第１実施例と同じ番号
をつけた。この第２実施例のホットユニット１１６と第
１実施例のホットユニット１６との相違する点は、ホッ
トユニット１６の外側を構成する筐体１３０にある。
【００２９】この筐体１３０は、その外側の面に温度を
調整可能な第２の温調部１３２が固着されている。第２
の温調部１３２は、ホットプレートカバー６０に設けた
温調部（以下、第１の温調部と呼ぶ）６６と同様のもの
であり、ペルチェ素子によって構成され、ペルチェ素子
に供給する電流の方向を切り換えることにより、加熱も
冷却も行なうことができる。この第２の温調部１３２
も、図示しないコントローラによって制御された電流を
受けることで温度が調整される。
調整可能な第２の温調部１３２が固着されている。第２
の温調部１３２は、ホットプレートカバー６０に設けた
温調部（以下、第１の温調部と呼ぶ）６６と同様のもの
であり、ペルチェ素子によって構成され、ペルチェ素子
に供給する電流の方向を切り換えることにより、加熱も
冷却も行なうことができる。この第２の温調部１３２
も、図示しないコントローラによって制御された電流を
受けることで温度が調整される。
【００３０】上記構成によれば、ホットプレート４０の
加熱温度を所定の目標温度に設定して、ホットプレート
４０の加熱処理を行なうときに、第１の温調部６６を構
成するペルチェ素子に正方向の所定の電流を供給し、ホ
ットプレートカバー６０を昇温させるとともに、第２の
温調部１３２を構成するペルチェ素子に正方向の所定の
電流を供給し、筐体１３０を昇温させる。
加熱温度を所定の目標温度に設定して、ホットプレート
４０の加熱処理を行なうときに、第１の温調部６６を構
成するペルチェ素子に正方向の所定の電流を供給し、ホ
ットプレートカバー６０を昇温させるとともに、第２の
温調部１３２を構成するペルチェ素子に正方向の所定の
電流を供給し、筐体１３０を昇温させる。
【００３１】上記構成により、第１実施例と同様に、装
置の立ち上げ時や温度変更時に、基板が置かれるべき周
辺の雰囲気温度を素早く変更することができるといった
効果を奏する。
置の立ち上げ時や温度変更時に、基板が置かれるべき周
辺の雰囲気温度を素早く変更することができるといった
効果を奏する。
【００３２】なお、上記第２実施例では、温調手段とし
ての第１および第２の温調部６６、１３２を、ホットプ
レートカバー６０と筐体１３０との両方に設けていた
が、これに換えて、筐体１３０に第２の温調部１３２だ
けを設ける構成としてもよい。
ての第１および第２の温調部６６、１３２を、ホットプ
レートカバー６０と筐体１３０との両方に設けていた
が、これに換えて、筐体１３０に第２の温調部１３２だ
けを設ける構成としてもよい。
【００３３】さらには、温調手段としての第１および第
２の温調部６６、１３２を、ペルチェ素子により構成す
るのに替えて、温調水を流す配管により構成してもよ
い。図４は、温調部を温調水の配管２１０により構成し
た場合のホットプレートカバー２６０の平面図である。
図示するように、ホットプレートカバー２６０の上面に
は、配管２１０が蛇行状に張り巡らされて固着されてい
る。
２の温調部６６、１３２を、ペルチェ素子により構成す
るのに替えて、温調水を流す配管により構成してもよ
い。図４は、温調部を温調水の配管２１０により構成し
た場合のホットプレートカバー２６０の平面図である。
図示するように、ホットプレートカバー２６０の上面に
は、配管２１０が蛇行状に張り巡らされて固着されてい
る。
【００３４】上記構成によれば、ホットプレートの加熱
温度を所定の目標温度に設定して、ホットプレートの加
熱処理を行なうときに、配管２１０に図示しない供給源
から温水を供給して、配管２１０を発熱させる。なお、
温度を低下させる場合には、配管２１０に冷水を供給す
る構成とする。
温度を所定の目標温度に設定して、ホットプレートの加
熱処理を行なうときに、配管２１０に図示しない供給源
から温水を供給して、配管２１０を発熱させる。なお、
温度を低下させる場合には、配管２１０に冷水を供給す
る構成とする。
【００３５】この構成により、第１実施例および第２実
施例と同様に、装置の立ち上げ時や温度変更時に、基板
が置かれるべき周辺の雰囲気温度を素早く変更すること
ができるといった効果を奏する。
施例と同様に、装置の立ち上げ時や温度変更時に、基板
が置かれるべき周辺の雰囲気温度を素早く変更すること
ができるといった効果を奏する。
【００３６】なお、上記配管２１０を張り巡らせた構成
では、ホットプレートカバー２６０の上面に配管２１０
を固着した構成としたが、この構成に替えて、ホットプ
レートカバー２６０の裏面（即ち、ホットプレート側の
面）に配管を固着する構成としてもよい。
では、ホットプレートカバー２６０の上面に配管２１０
を固着した構成としたが、この構成に替えて、ホットプ
レートカバー２６０の裏面（即ち、ホットプレート側の
面）に配管を固着する構成としてもよい。
【００３７】以上、この発明の一実施例を詳述してきた
が、この発明は、こうした実施例に何等限定されるもの
ではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲において種
々なる態様にて実施することが可能である。
が、この発明は、こうした実施例に何等限定されるもの
ではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲において種
々なる態様にて実施することが可能である。
【図１】この発明の第１実施例に係わる基板加熱装置が
配設された基板処理装置の全体構成を示す斜視図であ
る。
配設された基板処理装置の全体構成を示す斜視図であ
る。
【図２】基板加熱装置としてのホットユニット１６の構
成を示す説明図である。
成を示す説明図である。
【図３】第２実施例に係わる基板加熱装置としてのホッ
トユニット１１６の構成を示す説明図である。
トユニット１１６の構成を示す説明図である。
【図４】温調手段を温調水の配管２１０により構成した
実施態様のホットプレートカバー２６０の平面図であ
る。
実施態様のホットプレートカバー２６０の平面図であ
る。
１…インデクサ部
２…基板処理部
３…基台
４…移載ロボット
１０…スピンコータ
１１…スピンデベロッパ
１５…クーリングユニット
１６…ホットユニット
１７…搬送ロボット
２０…移動台
２１…アーム
３０…筐体
４０…ホットプレート
４２…リフタピン
４４…プロキシミティギャップ用ボール
６０…ホットプレートカバー
６２…上板部
６４…側板部
６６…温調部
１１６…ホットユニット
１３０…筺体
１３２…第２の温調部
２１０…配管
２６０…ホットプレートカバー
Ｗ…基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０１Ｌ 23/38 Ｈ０５Ｂ 3/00 ３３０Ａ
Ｈ０５Ｂ 3/00 ３３０ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６７
(72)発明者 小林 寛
京都市伏見区羽束師古川町322番地 大
日本スクリーン製造株式会社 洛西事業
所内
(56)参考文献 特開 平８−273993（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−22973（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−37006（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−276629（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−69111（ＪＰ，Ａ)
実開 平１−133729（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
Claims (6)
- 【請求項１】 上面を昇温可能なホットプレートにより
基板を加熱する基板加熱装置であって、前記基板をホットプレートの上方に、上面から浮かせた
状態で支持するスペーサと、 前記ホットプレートの少なくとも上方を覆う部材とを備
え、 前記部材 に、加熱と冷却の可能な温調手段を設けたこと
を特徴とする基板加熱装置。 - 【請求項２】 前記温調手段が設けられる部材が、ホッ
トプレートの上方を覆うカバーである請求項１記載の基
板加熱装置。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の基板加熱装置で
あって、 前記ホットプレート、スペーサ、部材および温調手段を
収容する筺体を備え、 前記筺体に、加熱と冷却の可能な第２の温調手段を備え
た 基板加熱装置。 - 【請求項４】 前記温調手段がペルチェ素子により構成
されるものである請求項１、２または３記載の基板加熱
装置。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載の基
板加熱装置であって、 前記ホットプレートと温調手段とを制御する制御手段を
備えるとともに、 前記制御手段は、 前記ホットプレートの目標とする加熱温度を第１の設定
温度と、該第１の設定温度よりも高温側の第２の設定温
度との間で変更可能であり、前記ホットプレートの目標
とする加熱温度を前記第１の設定温度から第２の設定温
度に変更する場合には、前記ホットプレートの温度を第
１の設定温度から第２の設定温度に制御すると共に前記
温調手段を加熱させ、前記ホットプレートの目標とする
加熱温度を前記第２の設定温度から第１の設定温度に変
更する場合には、前記ホットプレートの温度を第２の設
定温度から第１の設定温度に制御すると共に前記温調手
段を冷却させる構成である基板加熱装置。 - 【請求項６】 上面を昇温可能なホットプレートにより
基板を加熱する基板加熱装置であって、 前記ホットプレートの少なくとも上方を覆う部材と、 前記部材に設けられ、加熱と冷却の可能な温調手段と、 前記ホットプレートと温調手段とを制御する制御手段と
を備え、 前記制御手段は、 前記ホットプレートの目標とする加熱温度を第１の設定
温度と、該第１の設定温度よりも高温側の第２の設定温
度との間で変更可能であり、前記ホットプレートの目標
とする加熱温度を前記第１の設定温度から第２の設定温
度に変更する場合には、前記ホットプレートの温度を第
１の設定温度から第２の設定温度に制御すると共に前記
温調手段を加熱させ、前記ホットプレートの目標とする
加熱温度を前記第２の設定温度から第１の設定温度に変
更する場合には、前記ホットプレートの温度を第２の設
定温度から第１の設定温度に制御すると共に前記温調手
段を冷却させる構成である基板加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35537996A JP3525022B2 (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 基板加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35537996A JP3525022B2 (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 基板加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10189429A JPH10189429A (ja) | 1998-07-21 |
| JP3525022B2 true JP3525022B2 (ja) | 2004-05-10 |
Family
ID=18443598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35537996A Expired - Lifetime JP3525022B2 (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 基板加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3525022B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6345150B1 (en) * | 1999-11-30 | 2002-02-05 | Wafermasters, Inc. | Single wafer annealing oven |
| JP3589929B2 (ja) * | 2000-02-22 | 2004-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱処理装置 |
| US6744020B2 (en) | 2001-01-04 | 2004-06-01 | Tokyo Electron Limited | Heat processing apparatus |
| US20040229477A1 (en) * | 2003-05-13 | 2004-11-18 | Daniel Timothy J. | Apparatus and method for producing a <111> orientation aluminum film for an integrated circuit device |
| JP4694878B2 (ja) * | 2005-04-20 | 2011-06-08 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
| JP4530933B2 (ja) * | 2005-07-21 | 2010-08-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板熱処理装置 |
| JP6737094B2 (ja) * | 2016-09-12 | 2020-08-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板加熱装置、基板加熱方法及び記憶媒体 |
| JP6789096B2 (ja) | 2016-12-22 | 2020-11-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、熱処理方法及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP7200638B2 (ja) * | 2018-12-05 | 2023-01-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
| CN111403308A (zh) * | 2020-03-30 | 2020-07-10 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 热预算自动控制方法及其自动控制系统 |
-
1996
- 1996-12-20 JP JP35537996A patent/JP3525022B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10189429A (ja) | 1998-07-21 |
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