KR100422199B1 - 반도체 소자 제조장치 - Google Patents

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KR100422199B1
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Abstract

본 발명은 반도체소자 제조장치인 챔버 내에 설치되어, 상, 하로 이동하는 서셉터와, 상기 서셉터에 관통 설치되는 다수의 리프트 핀에 관한 것으로, 상기 서셉터가 홈 포지션에 왔을 경우에 챔버의 바닥면에 의하여 상승하고, 상기 서셉터가 상승함에 따라 하강하는, 상기 서셉터의 운동에 연동하는 다수의 리프트 핀을 제공하여 보다 개선된 장치 및 공정을 가능하게 한다.

Description

반도체 소자 제조장치{Manufacture apparatus for semiconductor device}
본 발명은 반도체 소자의 제조장치에 관한 것으로, 좀 더 자세하게는 웨이퍼 상에 박막의 증착 및 이의 처리가 이루어지는 챔버형 장치에 포함되는, 수직 연동이 가능한 서셉터와, 상기 서셉터에 관통 설치되어 이에 연동하는 다수의 리프트 핀에 관한 것이다.
근래에 들어 과학이 발달함에 따라서 새로운 물질을 개발하는 신소재 분야의 발전이 가속화되었고, 이와 더불어 이러한 신소재 물질의 처리방법 또한 급속도로 발전되어 산업의 전반에 응용되고 있다. 이러한 신소재 물질의 개발 및 이의 처리방법은 특히 반도체 분야에서 활용되어 초 고밀도 집적회로ULSI(Ultra Large Scale Integration)등을 구현하는 것이 가능하게 하였다.
반도체 소자란, 일반적으로 기판인 웨이퍼 상에 수 차례에 걸쳐 이루어지는 박막의 증착공정과, 이러한 박막을 처리하는 박막처리공정을 통하여 구현되는 고밀도 집적회로로서, 전술한 박막의 증착 및 이의 처리공정은 통상 반도체 제조장치에서 이루어진다.
이러한 반도체 제조장치는 목적하는 공정에 따라 다양하게 구분되지만, 그 구성에 있어서, 웨이퍼 상에 박막의 증착 또는 이의 처리 등 직접적인 공정이 진행되는 밀폐된 반응용기인 챔버와, 이러한 공정들이 원활히 진행될 수 있도록 챔버 내의 환경을 제어하는 환경조절장치와, 박막 증착 및 이의 처리를 위한 소스 가스물질을 저장하고 이를 챔버 내로 공급하는 소스 가스 공급장치 등을 포함하고 있다.
이때 밀폐된 반응용기인 챔버는, 이를 개략적으로 도시한 단면도인 도 1 과 같은 구성을 가지고 있는 바, 이의 벽면에는 외부로부터 처리대상물인 웨이퍼가 들어오고 나갈 수 있는 통로인 게이트(gate) 밸브(2)와, 내부의 기체를 배출하기 위한 배출구(4) 등을 가지고 있고, 내부에는 전술한 소스가스 공급장치를 통하여 인입된 가스를 챔버(1) 내의 전 면적으로 분사하는 가스 분사장치(6)와, 처리대상물인 웨이퍼(50)가 장착되는 테이블(8)등이 설치된다.
이때 특히 상기 테이블(8)은 웨이퍼(50)가 안착되는, 통상 원판 형태의 서셉터(10) 및 서셉터 구동판(17)과, 이러한 서셉터(10)를 관통하여 수직 상승 및 하강운동을 하는 리프트 핀(13)을 가지는 리프트 핀 베이스(15) 및 리프트 핀 구동판(19)으로 이루어지는데, 먼저 서셉터(10)는 웨이퍼(50) 상의 박막 증착 및 이의 처리 공정의 속도향상과, 보다 안정된 공정을 구현하기 위하여 내부에 웨이퍼(50)의 가열을 위한 히터(haeter)(11)를 가지고, 그 상부에 안착되는 웨이퍼(50)의 로딩(loading) 및 언로딩(unloading)을 원활하게 진행하기 위하여, 후술하는 다수의 리프트 핀(13)이 각각 관통하는 리프트핀 홀(12)을 가지고 있다.
이러한 서셉터(10)의 하부에는 상기 각 리프트핀 홀(12)을 관통하는 다수의 리프트 핀(13)이 수직 설치된 리프트 핀 베이스(15)가 위치하는데, 이러한 리프트 핀 베이스(15)에 설치된 다수의 리프트 핀(13)은 통상 챔버(1)의 외부에 장치되는 공기 실린더(air cylinder)(P)에 의하여 수직 상승 및 하강운동을 할 수 있다.
한편 이러한 구성을 가지는 테이블(8)을 포함하는 챔버(1)의 상부는, 일반적으로 소스가스물질의 분산효과를 극대화하고 서셉터(10)로부터 발생된 열을 웨이퍼(50)로 집중시키기 위하여 돔 형상을 가지고 있는 것이 유리한데, 이와 동일한 이유로 전술한 서셉터(10)는 챔버(1) 내에서 소정길이 만큼 수직 상승 및 하강운동을 하도록 이루어진다. 즉, 챔버 내에서 이루어지는 박막의 증착 및 이의 처리공정은 환경의 변화에 민감한 화학반응을 이용하므로, 챔버 내의 온도 및 압력은 정밀하게 제어되어야 할 필요가 있다.
이때 온도 및 압력 등의 환경변화가 발생하기 쉬운 부분은, 통상 챔버의 내부와 외부를 연결하는 게이트 밸브(2) 근처이고, 이에 반해 게이트밸브(2)보다 높은 부분인 돔형의 챔버의 상면에 의하여 포위되는 제 1 영역(20)은 가장 안정적인 환경을 가지고 있다. 따라서 박막의 증착 및 이의 처리공정은 가장 안정적인 환경을 가지는 제 1 영역(20)에서 이루어지는 것이 바람직하다. 그러나 이러한 제 1 영역(20)에서는 웨이퍼의 로딩 및 언로딩이 불편하므로, 통상 챔버 내에 수직상승 및 하강할 수 있는 서셉터(10)를 설치하여, 도 1과 같이 게이트 밸브(2)의 하단부, 즉, 서셉터(10)가 하강할 수 있는 최대의 위치인 홈 포지션에서 웨이퍼(50)의 로딩 및 언로딩 과정을 진행하고, 박막의 증착 및 처리는 도 2와 같이 제 1 영역(20)에서 이루어지게 된다.
이때 이러한 서셉터(10)의 수직 상승 및 하강운동은 모터(M)에 의하여 가능하게 되는데, 이러한 모터(M)는 서셉터(10)의 저면과 연결되어 챔버의 외부로 연장된 서셉터 구동판(17)을 수직 상승 및 하강시키게 되고, 이와 다수의 제 1 수직봉(18)을 통하여 연결되는 서셉터(10)는 이에 연동하여 수직운동을 하게 된다. 이때 다수의 제 1 수직봉(18a)은 리프트 핀 베이스(15)를 관통하여 설치되는 것이 일반적이다.
또한 이러한 서셉터(10)의 하부에 위치하는 리프트 핀 베이스(15)는, 제 2 수직봉(18b)을 매개로 챔버의 외부로 연장되어 설치되는 리프트 핀 구동판(19)과 연결되는 바, 이러한 리프트 핀 구동판(19)에는 공기 실린더(P)가 연결되어, 이를 통하여 리프트 핀(13)은 상승 및 하강운동을 하게 된다.
이러한 서셉터(10) 및 서셉터 구동판(17)과, 리프트핀(13)을 포함하는 리프트핀 베이스(15) 및 리프트핀 구동판(19)이 결합된 구조를 도시한 사시도인 도 3을 통하여 좀 더 자세히 설명하면, 먼저 챔버의 내부에는, 그 상부에 웨이퍼가 장착되고 이를 가열하기 위한 히터가 내장된 서셉터(10)와, 이러한 서셉터(10)의 하부에, 전술한 서셉터(10)의 리프트 핀 홀(12)을 관통하여 수직 연동이 가능하도록 설치되는 다수의 리프트 핀(13)을 가지는 리프트 핀 베이스(15)가 설치된다.
이러한 서셉터(10)와 리프트 핀 베이스(15)는, 각각 챔버의 외부에 위치하는 서셉터 구동판(17)과, 리프트핀 구동판(19)으로 제 1 및 제 2 수직봉(18a, 18b)을 통하여 연장되어 연결되는데, 상기 서셉터 구동판(17)에는 모터(M)가 연결되어 서셉터 구동판(17) 및 서셉터(10)를 수직방향으로 상승 및 하강시키게 되고, 리프트 핀 구동판(19)에는 공기 실린더(P)가 연결되어 리프트핀 베이스(15)가 가지는 다수의 리프트핀(13)을 수직 방향으로 상승 하강하게 한다.
이때 리프트핀 구동판(19)은 서셉터 구동판(17)에 고정 설치되어 있어, 서셉터 구동판(17)의 수직 상승 및 하강운동을 따라 같이 상승 및 하강하는 구성을 가지고 있다.
참고로, 도면의 선 A-A는 챔버의 하면을 나타내며, 챔버의 하부면(A-A)과 서셉터 구동판(17)의 사이와, 서셉터 구동판(17)과 리프트 핀 구동판(19) 사이에는, 통상 도 1 및 도 2와 같이 불순물의 침입을 막는 제 1 벨로우즈 (21)및 제 2 벨로우즈(22)가 각각 장치된다.
이러한 챔버 내에서 진행되는 프로세스는, 먼저 서셉터 상으로 웨이퍼가 장착되는 과정인 로딩 과정과, 웨이퍼 상에 박막을 증착하거나 또는 증착된 박막을 처리하는 처리과정과, 처리가 완료된 웨이퍼를 챔버의 외부로 빼내는 언로딩 과정으로 구분되는 바, 먼저 웨이퍼의 로딩은, 도 1 과 같이 모터(M)에 의하여 서셉터 구동판(17) 및 서셉터(10)가 하강하여 홈 포지션에 위치하고, 이후 공기 실린더(P)에 의하여 리프트 핀 베이스(15)의 다수의 리프트 핀(13)이 상승함으로써 각각 서셉터(10)의 상부로 돌출된 후, 챔버의 측벽에 설치된 게이트 밸브(2)가 개방되어, 외부로부터 웨이퍼(50)가 들어와 상승된 리프트 핀(13)의 상부에 올려지게 된다.
이후 에어 실린더(P)에 의하여 리프트 핀(13)은 하강하면 웨이퍼(50)는 서셉터(10) 상에 안착된다.
이와 같은 로딩과정이 완료되면, 모터(M)에 의하여 서셉터 구동부(17) 및 서셉터(10)가 상승되어, 도 2 와 같이 웨이퍼(50) 및 서셉터(10)를 게이트 밸브(2)의 상부인 돔 형상의 챔버의 제 1 구역(20)으로 상승하게 된다,
이와 같이 서셉터(10) 및 웨이퍼(50)가 상승하면 제 1 구역(20)에서는 소스물질 분사장치(6)를 통하여 분사된 소스물질에 의해 웨이퍼(50)의 처리과정이 진행되고, 이러한 처리과정 후 전술한 과정의 역순 즉, 홈 포지션으로 서셉터(10)가 이동한 후, 리프트 핀(13)이 상승하여 웨이퍼(50)를 서셉터(10) 위로 들어올리게 되고, 이 후 게이트 밸브(2)가 개방되어 챔버 외부로 웨이퍼(50)가 빠져나가는 언로딩 과정이 이루어진다.
이러한 일반적인 챔버형 장치 내에는, 전술한 바와 같이 공기 실린더(P)에 의해 구동되는 리프트 핀(13)을 가지는 리프트 핀 베이스(15)가 설치되므로, 챔버의 체적을 증가시키게 되는데, 이러한 챔버의 체적 증가는 챔버 내부의 환경, 즉 온도 및 압력의 조절 등을 어렵게 하여 소자의 신뢰성 저하등의 원인이 된다.
또한 이상과 같이 서셉터(10)의 구동 및 리프트 핀(13)의 구동을 위해 다수의 장치가 복잡한 구성을 가지고, 모터(M)와 공기실린더(P)를 각각 필요로 하여 반도체 소자의 제조단가 상승의 요인으로 작용하는 문제점을 가지고 있다.
또한 챔버 내에서 이루어지는 과정 또한 복잡하여 오동작 및 고장의 발생 가능성은 물론 불순물 발생 가능성을 가지고 있으며, 특히 리프트 핀(13)이 파손될 경우에 서셉터(10) 및 리프트 핀 베이스(15) 등 웨이퍼 테이블(8)을 모두 분해해야 하는 단점을 가지고 있다.
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위하여 안출한 것으로, 단순한 구성과 간단한 동작을 통하여 서셉터 및 리프트 핀의 구동을 가능하게 하고 챔버 내에 구성되는 장치의 면적을 줄여 챔버의 면적을 최소화하는 것을 목적으로 한다.
도 1 은 일반적인 이동 가능한 서셉터와, 이를 관통하여 수직 운동 하는 다수의 리프트 핀을 포함하는 테이블이 설치된 챔버에 있어서, 상기 서셉터가 하강했을 경우를 도시한 내부 구조단면도
도 2는 일반적인 이동 가능한 서셉터와, 이를 관통하여 수직 운동 하는 다수의 리프트 핀을 포함하는 테이블이 설치된 챔버에 있어서, 상기 서셉터가 상승했을 경우를 도시한 내부 구조단면도
도 3 은 일반적인 챔버에 설치되는 테이블의 내부 사시도
도 4 는 본 발명에 따른 수직 상승이 가능한 서셉터와, 이를 관통하도록 설치되어 상기 서셉터의 운동에 연동하는 리프트 핀을 포함하는 테이블이 설치된 챔버의 내부 구조 단면도
도 5a, 5b 는 각각 본 발명에 따른 리프트 핀이 서셉터에 장착되는 방법을 도시한 단면도
도 6a, 6b는 각각 본 발명에 따른 리프트 핀이 장착된 서셉터의 구동상태를 도시한 단면도
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 서셉터 50: 웨이퍼
60 : 리프트핀 62 : 리프트핀 홀
본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 웨이퍼 출입구와, 내부의 공기가 배출되는 배출구와, 고정된 바닥을 가지는 챔버와; 상부에 웨이퍼가 장착되고, 상기 챔버 내에서 수직운동을 하며, 상부에 걸림턱이 형성된 복수개의 리프트 핀 홀을 가진 서셉터와; 상기 서셉터의 상기 리프트 핀 홀에 장착되어 수직으로 이동가능하고, 상부에 상기 리프트 핀 홀의 걸림턱에 대응하는 걸림부를 가진 다수개의 리프트 핀을 포함하고 있으며, 상기 서셉터가 하강할 경우 리프트 핀의 하부가 상기 챔버의 고정된 바닥에 닿아 리프트핀이 서셉터 위로 돌출되고, 상기 서셉터가 상승할 경우에 상기 리프트 핀이 중력에 의해 상기 걸림턱에 걸리게 되어 리프트 핀의 상부가 서셉터 표면의 아래에 위치되는 반도체 제조장치를 제공한다. 이때 상기 복수개의 리프트 핀의 하부에 결합되는 리프트 핀 받침대를 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한 상기 리프트 핀과 상기 리프트 핀 받침대는 스크루 결합에 의해 결합되는 것을 특징으로 하며, 상기 리프트 핀의 하단에는 나사산이 있으며, 상기 나사산에 대응하는 나사홈이 상기 리프트 핀 받침대에 형성되어 결합하는 것을 특징으로 한다. 또한 상기 리프트 핀 받침대에는 상기 리프트 핀이 삽입되는 삽입홈이 형성되어 있고, 상기 삽입 홈에 삽입된 리프트 핀은 측방에서 고정하는 스크류에 의해 고정되는 것을 특징으로 한다. 또한 상기 걸림턱과 걸림부는 각각 깔데기 형상인 것을 특징으로 하며, 상기 챔버는 상부가 돔 형상인 것을 특징으로 한다.
이하 본 발명의 올바른 실시예를 도면을 통하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 챔버형 장치는 도 4와 같은 구성을 가지고 있는 바, 이때 도 1 및 도 2 에 도시한 일반적인 챔버와 동일작용을 하는 요소에 대해서는 동일 부호를 부여하여 설명한다.
챔버(1)의 벽면에는 외부로부터 처리대상물인 웨이퍼가 들어오고 나갈 수 있는 통로인 게이트 밸브(2)와, 내부의 기체를 배출하기 위한 배출구(4)를 가지고 있으며, 이의 내부에는 소스가스 공급장치를 통하여 인입된 가스를 챔버의 전 면적으로 분사하는 가스 분사장치(6)와, 처리대상물인 웨이퍼가 장착되는 원판 형태의 서셉터(10)가 위치하는데, 상기 서셉터(10)의 내부에는 웨이퍼의 가열을 위한 히터(haeter)(11)가 장치됨은 전술한 일반적인 경우와 동일하다.
또한 본 발명에 따른 서셉터(10)는 웨이퍼의 로딩(loading) 및 언로딩(unloading)시, 이를 원활하게 진행하기 위한 다수의 리프트 핀(60)이 각각 관통하는 다수개의 리프트 핀 홀(62)을 가지고 있는데, 이때 특히 상기 다수개의 리프트 핀 홀(62)은 바람직하게는, 그 상부에 내부로 인입된 걸림턱(도 5a의 62a)을 가지고 있는 것이 상이하며, 이러한 리프트 핀 홀(62)에는 각각 본 발명에 다른 리프트 핀(60)이 체결되는 것을 특징으로 한다.
즉, 서셉터(10)를 관통하는 리프트 핀 홀(62)의 상부 직경은, 하부직경보다일정정도 큰 걸림턱(도 5a의 62a)을 가지고 있는데, 이러한 본 발명에 따른 서셉터(10)는, 챔버의 외부에 설치되는 모터(M)에 의해 구동되는 서셉터 구동판(17)을 매개로 수직 방향으로 상승 및 하강운동이 가능한 구성을 가지고 있다. 이때 바람직하게는 챔버의 하면(A-A)과 서셉터 구동판(17) 사이에 불순물에 의한 오염을 막기 위한 벨로우즈(21)가 설치된다.
또한 전술한 서셉터(10)의 리프트 핀 홀(62)에는 각각 본 발명에 따른 리프트 핀(60)이 관통 설치되는데, 본 발명에 따른 리프트 핀(60)은 도 5a와 같이, 그 상부가 더 큰 직경을 가지는, 전술한 서셉터의 걸림턱(62a)에 대응하는 걸림부(60a)를 가지고 있는 것을 특징으로 하며, 이러한 리프트 핀(60)은 서셉터(10)를 관통하는 리프트 핀 홀(62)에 끼워지게 된다.
이때 바람직하게는 리프트 핀(60)의 걸림부(60a)와 리프트핀 홀(62)의 걸림턱(62a)은 깔데기 형상을 가질 수 있는데, 이는 반드시 이에 한정되는 것을 아니므로, 도 5b에 도시한 바와 같이 다양한 형태를 가질 수 있다.
또한 상기 각각의 리프트 핀(60) 하부에는, 도 5a의 우측에 도시한 바와 같이 측방에서 삽입되는 볼트, 또는 여러 가지 방법을 통하여 고정되는 리프트 핀 받침대(61)를 체결하여 리프트 핀의 파손 가능성을 줄이는 것도 가능한데, 이 경우 리프트 핀(60)의 하부 받침대(61)를 분리한 상태에서, 리프트 핀(60)의 하부부터 리프트 핀 홀(62)의 상부로 끼워 넣어 리프트 핀 홀(62)의 상부 걸림턱(62a)에 리프트 핀(60)의 상부 걸림부(60a)를 걸리게 하여, 리프트핀(60)의 하단에 리프트핀 받침대(61)를 체결함으로써 가능하게 되는데, 이는 본 발명에 있어서 필수적인 부분은 아니며, 하부 직경을 크게 하여 동일한 효과를 가져올 수 있다.
이때 바람직하게는 리프트핀 홀(62)의 걸림턱(62a) 직경을 리프트 핀(60)의 상단 걸림부(60a)보다 크게 하여, 리프트핀(60)이 리프트핀 홀(62)의 내부로 완전히 들어가도록 하는 것이 공정의 진행에 방해받지 않아 바람직하다.
이와 같이 서셉터(10)에 체결된 다수의 리프트핀(60)은, 상기 각 리프트핀 홀(62)에 끼워진 채로 상하로 일정정도 이동이 가능하게 되는데, 이러한 구성을 가지는 본 발명에 따른 리프트 핀(60)이 체결된 서셉터(10)를 통하여 웨이퍼의 처리가 일어나는 과정을 도 4 및 도 6a, 6b를 통하여 설명한다.
먼저, 도 6a와 같이 웨이퍼(50)의 로딩을 위하여 서셉터 구동판(17)이 하강하여 서셉터(10)가 홈 포지션으로 이동하게 되는데, 이 때 서셉터(10)에 장착된 리프트 핀(60)의 하부는 챔버의 고정된 바닥면(A-A)에 닿아 서셉터(10)의 상부로 리프트핀(62)을 돌출되도록 상승시킨다.
이와 같이 서셉터(10)가 홈 포지션에 위치함으로써 리프트핀(60)이 상승되면, 도 4의 게이트밸브(2)가 열리고 웨이퍼(50)가 인입되어 상승된 리프트 핀(60) 위에 놓여지게 된다.
이후 게이트 밸브(2)가 닫힘으로써 웨이퍼(50)의 로딩이 완료되면, 반응영역인 제 1 영역(20)으로 서셉터(10)가 상승하게 되는데, 도 6b와 같이 서셉터(10)가 상승함에 따라 챔버의 바닥면(A-A)에 의하여 지지되어 서셉터(10)의 상부로 돌출된 리프트 핀(60)은 중력에 의해 자연스럽게 하강하여, 웨이퍼(50)를 서셉터(10) 상에 장착하게 되고, 서셉터(10)는 상승을 계속하여 그 상부에 웨이퍼(50)를 가진 상태에서 리프트 핀(60)을 매단 채로 제 1 영역(20)으로 이동하게 된다.
이때 리프트 핀(60)의 걸림부(60a)의 직경을 리프트 핀 홀(62)의 상단의 걸림턱(62a)의 직경보다 작게 하여 그 내부로 들어갈 수 있게 하는 이유는 웨이퍼(50)와 서셉터(10)가 유격없이 밀착되게 하기 위함이다.
이와 같이 제 1 영역(20)으로의 웨이퍼(50)를 가진 서셉터(10)가 이동하면 목적하는 처리 공정이 이루어지게 되고, 처리가 완료되면 서셉터(10)는 웨이퍼(50)를 가진 상태로 다시 하강하게 되는데(도 6a참조), 서셉터(10)가 하강하여 홈 포지션에 도달하면, 다시 리프트 핀(60)은 챔버의 고정된 바닥면(A-A)에 닿아 서셉터(10) 위로 돌출되므로 이에 따라 웨이퍼(50)는 리프트핀(60) 위에 지지된 상태로 상승하게 된다.
이후 챔버의 슬롯 밸브(2)가 개방되어 웨이퍼(50)의 외부로 언로딩을 통하여 대상물의 처리공정이 완료된다.
본 발명은 서셉터의 리프트 핀 홀을 관통하여 체결되는, 서셉터의 상승 및 하강운동과 챔버의 고정된 바닥면에 의하여 구동되는 리프트 핀을 제공함으로써, 일반적인 챔버와 비교하여 리프트 핀의 구동을 위한 다수의 장치를 생략 가능하다.
이러한 챔버 장치의 단순화는, 챔버의 체적을 축소하는 것을 가능하게 하므로 챔버 내의 환경제어를 보다 정밀하게 할 수 있어, 공정의 신뢰도 및 안정도에 기여하게 되며, 장치의 구성에 소요되는 설치비용을 줄일 수 있어 소자의 제조단가를 줄일 수 있는 잇점을 가지고 있다.
또한 테이블의 파손이 발생할 경우에 이의 수리 및 교체가 수월하고, 여타의 동력을 필요로 하지 않는 물리적 작용으로만 리프트 핀의 구동을 가능하게 하므로 오동작 및 고장의 가능성을 크게 감소할 수 있다,

Claims (7)

  1. 웨이퍼 출입구와, 내부의 공기가 배출되는 배출구와, 고정된 바닥을 가지는 챔버와;
    상부에 웨이퍼가 장착되고, 상기 챔버 내에서 수직운동을 하며, 상부에 걸림턱이 형성된 복수개의 리프트 핀 홀을 가진 서셉터와;
    상기 서셉터의 상기 리프트 핀 홀에 장착되어 수직으로 이동가능하고, 상부에 상기 리프트 핀 홀의 걸림턱에 대응하는 걸림부를 가진 다수개의 리프트 핀을 포함하고 있으며,
    상기 서셉터가 하강할 경우 리프트 핀의 하부가 상기 챔버의 고정된 바닥에 닿아 리프트핀이 서셉터 위로 돌출되고, 상기 서셉터가 상승할 경우에 상기 리프트 핀이 중력에 의해 상기 걸림턱에 걸리게 되어 리프트 핀의 상부가 서셉터 표면의 아래에 위치되는 반도체 제조장치
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수개의 리프트 핀의 하부에 결합되는 리프트 핀 받침대를 더욱 포함하는 반도체 제조장치
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 리프트 핀과 상기 리프트 핀 받침대는 스크루 결합에 의해 결합되는 반도체 제조장치
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 리프트 핀의 하단에는 나사산이 있으며, 상기 나사산에 대응하는 나사홈이 상기 리프트 핀 받침대에 형성되어 결합하는 반도체 제조장치
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 리프트 핀 받침대에는 상기 리프트 핀이 삽입되는 삽입홈이 형성되어 있고, 상기 삽입 홈에 삽입된 리프트 핀은 측방에서 고정하는 스크류에 의해 고정되는 반도체 제조장치
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 걸림턱과 걸림부는 각각 깔데기 형상인 반도체 제조장치
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 챔버는 상부가 돔 형상인 반도체 제조장치
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