CN101366099B - 载置台结构以及热处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种载置台结构和热处理装置，通过向发热板收容容器内可装卸地设置发热板而构成载置台，能更换或交换发热板。载置台结构(29)具有：载置台(32)，其被配置在处理容器(4)内，为了对被处理体W实施规定热处理而载置被处理体；和筒体状的支柱(30)，使载置台从处理容器底部立起对其进行支撑。载置台(32)包括：将由电气加热源构成的发热体(38)埋入耐热性材料中构成的发热板(40)，和在其内部可装卸地收容有发热板的由耐热耐腐蚀性材料构成的发热板收容容器(42)。发热板收容容器(42)包括具有开口的容器主体(76)和安装在容器主体(76)上的盖部(78)。由此能更换或者交换发热板(40)。

Description

载置台结构以及热处理装置
技术领域
本发明涉及半导体晶片等被处理体的热处理装置和载置台结构。
背景技术
一般地，在半导体集成电路的制造中，对半导体晶片等被处理体实施成膜处理、蚀刻处理、热处理、改性处理、结晶化处理等的各种单片处理，以形成希望的集成电路。在进行上述各种处理时，根据该处理的种类，将必要的处理气体导入到处理容器中，例如在成膜处理时将成膜气体或者卤素气体导入到处理容器中，在改性处理时将臭氧(ozone)气体等导入到处理容器中，在结晶化处理时将N2气体等不活泼性气体、O2气体等导入到处理容器中。
例如，以逐个地对半导体晶片实施热处理的单片式热处理装置为例，在能够抽真空的处理容器内，设置有例如内置有电阻加热器的载置台，在其上面载置半导体晶片，在以规定的温度(例如100℃～1000℃)被加热的状态下流过规定的处理气体，在规定的加工条件下对晶片实施各种热处理(专利文献1～6)。因此，对于处理容器内的部件而言，要求其具有对其进行加热的耐热性以及即便暴露在处理气体中也不会腐蚀的耐腐蚀性。
然而，对于用来载置半导体晶片的载置台结构而言，具有下述结构的载置台，即，一般在使其具有耐热性耐腐蚀性的同时，因为有必要防止金属污染物(contamination)等的金属污染，而在例如AlN等陶瓷材料中作为发热体埋入电阻加热器并在高温下一体烧制形成。此外，在其它工序中以同样方式烧制陶瓷材料等形成支柱。然后，将一体烧制成的载置台侧和上述支柱例如通过热扩散接合而熔接在一起从而一体化，由此制造出载置台结构。这种一体成形的载置台结构从处理容器内的底部立起设置。此外，有时也使用具有耐热耐腐蚀性的石英玻璃作为上述陶瓷材料。
专利文献1：日本特开昭63-278322号公报
专利文献2：日本特开平07-078766号公报
专利文献3：日本特开平03-220718号公报
专利文献4：日本特开平06-260430号公报
专利文献5：日本特开平8-78193号公报
专利文献6：日本特开2004-356624号公报
然而，对于作为上述发热体的电阻加热器而言，具有下述问题，即，因为其是埋入在陶瓷材料中或者石英玻璃中通过一体地烧制而形成载置台，所以仅仅因为例如电阻加热器的一部分发生断裂等或者一部分产生缺陷，则必须更换该载置台整体，因此对于具有缺陷部件之外的其它部分便形成了浪费。
此外，根据处理(加工)的种类，有对耐腐蚀性有特别要求的加工处理，对热冲击的耐久性有特别要求的加工处理，对金属污染的耐性有特别要求的加工处理等，根据加工的种类存在各种要求规格(spec)。而且，通常为了实现部件的通用化，与对耐腐蚀性和耐热性等要求最严格的加工相对应来制造上述载置台结构。因此，根据所使用的加工的种类，关于载置台结构的材料的选定，有时需要使用所需必要以上的具有较大耐性特性的材料，从而导致过优(过于专门化：overspec)。特别是对于这些耐性高的部件而言，其部件本身价格高并且加工价格也高，所以导致装置本身成为必要以上的高成本的问题。
此外，因为在上述载置台的下面熔接结合支柱而一体成形，所以该载置台和支柱的结合部的热传导性良好，该部分的向支柱侧的热量的流动变得良好。其结果，该结合部与其它的载置台的部分相比，成为冷却状态，产生所谓的冷却点(cool spot)，热应力在此处会产生集中，其结果，导致载置台以该结合部为起点而易于发生分割的问题。
此外，为了对载置台的加热器的温度进行控制，在载置台的背面安装有热电偶，该热电偶在载置台的烧制之后而被安装，并且，为了防止其检测线暴露于处理气体和腐蚀性气体等中，上述热电偶在连接支柱而构成的载置台的背面中心部只设置有一个。
因此，载置台的中心部的温度能够由上述热电偶测定，与此相对，载置台的周边部的温度不能通过经验规则测定，因此，会产生下述问题，即，在处理容器内的热辐射环境有较大改变等时，有时会产生不能较高地维持载置台或者半导体晶片的面内温度的均匀性。
而且，还存在下述问题，即，当上述电阻加热的加热器被一体烧制在载置台内的情况下，电阻加热的加热器的迂回配线需要高精度地配置在计算后所求得的位置处，但是有时会因为烧制时所施加的应力而导致加热器本身的截面稍微发生变形，此时因为不能对加热器的位置进行补修，所以很难实现预想设计的温度分布。
发明内容
本发明是着重针对于上述问题，为了能够有效地解决其而研究创造的发明。本发明的目的在于提供一种载置台结构以及使用该载置台结构的热处理装置，能够通过相对于发热板收容器内自由装卸地设置发热板而构成载置台，从而能够对发热板进行更替或者交换。
此外，本发明地其它目的在于提供一种载置台结构以及使用该载置台结构的热处理装置，该载置台结构被设置为：等离子体处理装置的例如下部电极和卡盘电极等构成的导电性部件不与载置台一体烧制而成，从而能够进行补修。
本发明的一方面提供一种载置台结构，具有：载置台，该载置台被配置在处理容器内，为了对被处理体实施规定的热处理而载置所述被处理体；和筒体状的支柱，该支柱使所述载置台从所述处理容器的底部立起来对其进行支撑，该载置台结构的特征在于，所述载置台包括：发热板，该发热板具有耐热性材料以及被埋入在耐热性材料中的、由电气加热源构成的发热体；和耐热耐腐蚀性材料制成的发热板收容容器，该发热板收容容器具有：容器主体，该容器主体在其内部可装卸地收容有所述发热板并且具有开口；以及可装卸地安装在容器主体的开口上的盖部。
这样一来，通过相对于发热板收容容器内可装卸地设置发热板来构成载置台，能够对发热板进行更替或者交换。
此外，能够将可装卸的盖部替换成具有与应该实施的工序相对应的耐热性以及耐腐蚀性的材料所构成的盖部，因此能够防止盖部的过于专门化。其结果，因为能够使用比较廉价并且加工性良好的材料，所以能够大幅度地削减装置成本。
本发明的载置台结构，其特征在于：所述盖体的结合部利用由耐热耐腐蚀性材料构成的结合销与所述发热板收容容器的容器主体相结合。
本发明的载置台结构，其特征在于：在所述盖部和所述容器主体的结合部设置有密封部件以及/或者密封结构。
本发明的载置台结构，其特征在于：所述发热体被分割为多个区域，能够对每个区域的温度进行控制。
本发明的载置台结构，其特征在于：在所述盖部的背面侧，与所述区域对应地设置有多个温度测定元件。
本发明的载置台结构，其特征在于：所述温度测定元件的测定线在所述支柱内延伸。
本发明的载置台结构，其特征在于：所述支柱的上端部通过螺栓部件可装卸地安装在所述载置台的下面的中央部。
这样一来，因为支柱和载置台被设置成能够互相地进行装卸，所以即使任意一方产生缺陷，也没有必要交换整体，而只需交换产生缺陷的一方的部件即可，所以，能够抑制维护费用，此外，因为能够交换成由具有与应该实施的工序相对应的耐热性以及耐腐蚀性的材料构成的载置台或者支柱，因此能够防止载置台和支柱过于专业化。其结果，因为能够使用比较廉价并且加工性良好的材料，所以能够大幅度地削减装置成本。
本发明的载置台结构，其特征在于：所述螺栓部件由耐热性材料构成。
本发明的载置台结构，其特征在于：在所述支柱的上端部和所述载置台的下面的结合部设置有密封部件。
本发明的载置台结构，其特征在于：封入有用于向所述发热体进行供电的供电线的、由耐热性材料构成的线封入管，从所述发热板贯通所述容器主体并在所述支柱内延伸。
本发明的载置台结构，其特征在于：所述支柱的内部和所述发热板收容容器的内部利用不活泼性气体成为阳压状态。
本发明的载置台结构，其特征在于：在所述盖部埋入有沿平面方向扩展的导电性部件，并且该导电性部件与导电线连接，该导电线在所述支柱内延伸。
本发明的载置台结构，其特征在于：在所述发热板上设置有沿平面方向扩展的导电性部件，并且该导电性部件与导电线连接，该导电线在所述支柱内延伸。
本发明的载置台结构，其特征在于：在所述盖部和所述发热板之间设置有沿平面方向扩展的导电性部件，并且该导电性部件与导电线连接，该导电线在所述支柱内延伸。
由此，因为导电性部件并不是与盖体一体地烧制成的结构，所以例如当对作为下部电极或者卡盘电极使用的上述导电性部件进行修补等时，能够很容易地进行该补偿等。
本发明的载置台结构，其特征在于：所述导电性部件与所述盖部的下面接合。
本发明的载置台结构，其特征在于：所述导电性部件与所述发热体的上面接合。
本发明的载置台结构，其特征在于：在所述导电性部件的表面以覆盖其整个表面的方式设置有由耐热绝缘性材料构成的保护层。
本发明的载置台结构，其特征在于：在所述导电性部件的表面以覆盖其整个表面的方式设置有由耐热绝缘性材料构成的保护层。
本发明提供一种载置台结构，具有：载置台，该载置台被配置在处理容器内。为了对被处理体实施规定的热处理而载置所述被处理体；和筒体状的支柱，该支柱使所述载置台从所述处理容器的底部立起来对其进行支撑，该载置台结构的特征在于，所述载置台包括：发热板，该发热板具有耐热性材料以及被埋入在耐热性材料中的、由电气加热源构成的发热体；耐热耐腐蚀性材料制成的发热板收容容器，该发热板收容容器具有：容器主体，该容器主体在其内部可装卸地收容有所述发热板并且具有开口；以及可装卸地安装在容器主体的开口上的盖部；导电性材料，其被设置在所述盖体的上面，沿着平面方向扩展；以覆盖所述导电性部件的整个表面的方式设置的由耐热绝缘性材料构成的保护层；和与所述导电性部件连接的导电线。
这样一来，通过相对于发热板收容容器内可装卸地设置发热板来构成载置台，能够对发热板进行更替或者交换。
此外，能够将可装卸的盖部替换成具有与应该实施的工序相对应的耐热性以及耐腐蚀性的材料所构成的盖部，因此能够防止盖部的过于专门化。其结果，因为能够使用比较廉价并且加工性良好的材料，所以能够大幅度地削减装置成本。
此外，因为导电性部件并不是与盖体一体地烧制成的结构，所以例如当对作为下部电极或者卡盘电极使用的上述导电性部件进行修补等时，能够很容易地进行该补偿等。
本发明的载置台结构，其特征在于：所述保护层通过涂敷所述耐热绝缘性材料形成。
本发明的载置台结构，其特征在于：所述保护层通过利用粘接剂接合由所述耐热绝缘性材料构成的薄板而形成。
本发明的载置台结构，其特征在于：所述盖部的厚度在1～20mm的范围内。
本发明的载置台结构，其特征在于：所述耐热性材料以及耐热耐腐蚀性材料由绝缘性材料构成。
本发明的载置台结构，其特征在于：所述绝缘性材料由选自石英玻璃、或者含有AlN、Al2O3、Si3N4的陶瓷材料内的任一种构成。
本发明提供一种热处理装置，其特征在于，包括：能够进行抽真空的处理容器；配置在处理容器内的载置台结构；和向所述处理容器内供给规定处理气体的气体供给单元，其中，所述载置台结构包括：载置台，该载置台被配置在处理容器内，为了对被处理体实施规定的热处理而载置所述被处理体；和筒体状的支柱，该支柱使所述载置台从所述处理容器的底部立起来对其进行支撑，所述载置台包括：发热板，该发热板具有耐热性材料以及被埋入在耐热性材料中的、由电气加热源构成的发热体；和耐热耐腐蚀性材料制成的发热板收容容器，该发热板收容容器具有：容器主体，该容器主体在其内部可装卸地收容有所述发热板并且具有开口；和可装卸地安装在容器主体的开口上的盖部。
本发明提供一种热处理装置，其特征在于，包括：能够进行抽真空的处理容器；配置在处理容器内的载置台结构；和向所述处理容器内供给规定处理气体的气体供给单元，其中，所述载置台结构包括：载置台，该载置台被配置在处理容器内，为了对被处理体实施规定的热处理而载置所述被处理体；和筒体状的支柱，该支柱使所述载置台从所述处理容器的底部立起来对其进行支撑，所述载置台包括：发热板，该发热板具有耐热性材料以及被埋入在耐热性材料中的、由电气加热源构成的发热体；耐热耐腐蚀性材料制成的发热板收容容器，该发热板收容容器具有：容器主体，该容器主体在其内部可装卸地收容有所述发热板并且具有开口；和可装卸地安装在容器主体的开口上的盖部；导电性材料，其被设置在所述盖体的上面，沿着平面方向扩展；以覆盖所述导电性部件的整个表面的方式设置的由耐热绝缘性材料构成的保护层；和与所述导电性部件连接的导电线。
根据本发明所涉及的载置台结构以及热处理装置，能够发挥以下优良的作用效果。
通过相对于发热板收容容器内可装卸地设置发热板来构成载置台，能够对发热板进行更替或者交换。
此外，能够将可装卸的盖部替换成具有与应该实施的工序相对应的耐热性以及耐腐蚀性的材料所构成的盖部，因此能够防止盖部的过于专门化。其结果，因为能够使用比较廉价并且加工性良好的材料，所以能够大幅度地削减装置成本。
特别是，根据本发明，因为支柱和载置台被设置成能够互相地进行装卸，所以即使任意一方产生缺陷，也没有必要交换整体，而只需交换产生缺陷的一方的部件即可，所以，能够抑制维护费用，此外，因为能够交换成由具有与应该实施的工序相对应的耐热性以及耐腐蚀性的材料构成的载置台或者支柱，因此能够防止载置台和支柱过于专业化。其结果，因为能够使用比较廉价并且加工性良好的材料，所以能够大幅度地削减装置成本。
附图说明
图1是表示本发明所涉及的热处理装置的截面构成图。
图2是表示载置台结构的第一实施例的截面图。
图3是表示载置台结构的发热体的平面图。
图4(A)、(B)是表示载置台结构的一部分的部分放大截面图。
图5是表示载置台结构的分解组装图。
图6是表示本发明所涉及的载置台结构的第二实施例的截面图。
图7是表示载置台结构的第二实施例的变形例的部分放大图。
图8是表示本发明的载置台结构的第三实施例的部分截面图。
图9是表示本发明的载置台结构的第四实施例的部分截面图。
具体实施方式
以下，根据附图对本发明所涉及的载置台结构以及热处理装置的一个实施例进行详细说明。
第一实施例
图1是表示本发明所涉及的热处理装置的截面构成图，图2是表示载置台结构的第一实施例的截面图，图3是表示载置台结构的发热体的平面图，图4(A)、(B)是表示载置台结构的一部分的部分放大截面图，图5是表示载置台结构的分解组装图。在本实施例中，对能够使用利用高频电力所产生的等离子体的热处理装置进行说明。
如图所示，该热处理装置2具有例如截面的内部大致呈圆形的由铝制成的处理容器4。在该处理容器4内的顶部，经由绝缘层7设置有用于导入必要的处理气体例如成膜气体的、作为气体供给单元的喷淋头部6，从设置在其下面的气体喷射面8上的多个气体喷射孔向处理空间S喷出处理气体，以该方式进行喷射。该喷淋头部6兼用作等离子体处理时的上部电极。
在该喷淋头部6内，形成有两个被划分为中空状的气体扩散室12A、12B，导入到此处的处理气体沿着平面方向扩散之后，从与各气体扩散室12A、12B分别连通的各气体喷射孔10A、10B喷出。即，气体喷射孔10A、10B配置成阵列状。该喷淋头部6的整体例如由镍(nickel)、哈氏(HASTELLOY：注册商标)等的镍合金、铝、或者铝合金形成。其中，作为喷淋头部6，当气体扩散室为一个的情况下也可以。在该喷淋头部6和处理容器4的上端开口部的绝缘层7的结合部，插入设置有例如由O型环等构成的密封部件14，用于维持处理容器4内的气密性(气体密封性)。此外，该喷淋头部6通过匹配电路15与例如13.56MHz的等离子体用的高频电源17连接，在必要时产生(形成)等离子体。其中，该频率并不局限于上述13.56MHz。
此外，在处理容器4的侧壁上设置有用于相对于该处理容器4内对作为被处理体的半导体晶片W进行搬入搬出的搬入搬出口16，并且在该搬入搬出口16上设置有能够以气体密封(气密)的方式进行开闭的门阀18。
在该处理容器4的底部20形成有排气落入空间22。具体而言，在该容器底部20的中央部形成有较大的开口24，该开口24与沿着其下方延伸的有底圆筒状的圆筒划分壁26连接，在其内部形成上述排气落入空间22。在划分该排气落入空间22的圆筒划分壁26的底部28，以从此处竖立的方式设置有作为本发明的特征的载置台结构29。具体而言，该载置台结构29包括：圆筒状的支柱30；和可装卸地固定在其上端部的载置台32。将在后面对该载置台结构29进行详细说明。
上述排气落入空间22的开口24，其直径被设定为比载置台32的直径小，在上述载置台32的周缘部的外侧流下的处理气体迂回至载置台32的下方并向开口24流入。然后，在上述圆筒划分壁26的下部侧壁上，形成有与该排气落入空间22邻接相对的排气口34。该排气口34与设置有图未示出的真空泵的排气管36连接，能够对处理容器4内以及排气落入空间22的氛围进行抽真空从而进行排气。
在该排气管36的中途，设置有能够对开度进行控制的图未示出的压力调整阀，通过对该阀开度自动地进行调整，能够将上述处理容器4内的压力维持在规定值，或者使其迅速地向期望的压力变化。
此外，上述载置台32具有发热板40，该发热板40如图2所示，包括：耐热性材料64、68；和埋入在该耐热性材料64、68中的、例如由碳丝加热器(碳线加热器：carbon wire heater)等电气加热源构成的、具有图案形状的发热体38。该发热板40被收容在发热板收容容器42内。而且，在该发热板收容容器42的上面载置有作为被处理体的半导体晶片W。此处，载置台32兼做加热单元。
在上述载置台32上，沿其上下方向贯通设置有多个例如3个销插通孔44(在图1中仅示出2个，在图2以后省略其记载)，在上述各销插通孔44内配置有抬升销46，该抬升销46以上下能够移动的方式、呈游离嵌合(游隙配合)的状态插通在上述各销插通孔44内。在该抬升销46的下端配置有圆形环状的例如由氧化铝(alumina)等陶瓷制成的抬升环48，在该抬升环48上搭载有上述各抬升销46的下端。从该抬升环48延伸的臂部50与贯通容器底部20设置的伸缩杆(伸出缩回杆、出没杆)52连接，该伸缩杆52能够通过致动器54进行升降。
由此，能够在进行晶片W的交接时，使上述各抬升销46从各销插通孔44的上端向上方出没(伸出缩回)。此外，在致动器54的伸缩杆52的容器底部的贯通部设置有能够伸缩的波纹管56，使得上述伸缩杆52能够在维持处理容器4内的气密性的同时进行升降。
载置台结构29的支柱30的底部被封闭，并且在此处设置有直径被扩大的凸缘部58，该凸缘部58以覆盖形成于处理容器4的底部28的中央部的贯通孔60的方式，通过图未示出的螺栓等可装卸地被安装。
在该凸缘部58与贯通孔60的周边部的底部28之间，设置有O型环等密封部件62，从而能够保持该部分的气密性。
接着，参照图2～图5对上述载置台结构29进行具体说明。
如上所述，该载置台结构29主要由载置台32和支柱30构成。具体而言，上述载置台32由上述发热板40以及收容该发热板40的发热板收容容器42构成。上述发热板40具有由耐热性材料构成的圆形平面状的台座64，在该台座64的整个表面形成有加热器槽66，沿着该加热器槽66配设有由电气加热源构成的上述发热体38。在该台座64的上面同样配置有由耐热性材料构成的圆形的平板68，对其在高温下进行烧制而一体化。由此，使发热体38被埋设在发热板40内。
此处，上述发热体38被分割为多个区域，能够对每个区域进行温度控制。即，在实施例中，如图3所示，上述发热体38被分割为同心圆状的两个区域即、内周侧的区域70A的发热体38A和外周侧的区域70B的发热体38B。其中，在图3中为了便于理解图面，减少各发热体38A、38B的卷绕数目来描述。此外，区域的个数也可以设定为3以上。
然后，在各分割的发热体38A、38B的两端分别连接有供电线72，该供电线72从发热板40的背面中心部向着下方延伸。该供电线72至其长度方向的中途以密闭状态被封入到由耐热性材料构成的线封入管74内，该线封入管74的上部与上述发热板40被加热熔接成一体。
其结果，上述线封入管74呈插通上述筒状体的支柱30内并向下方延伸的状态。此处，上述各耐热性材料例如由具有绝缘性的透明石英玻璃构成，因此，包含该线封入管74的发热板40的全体利用石英玻璃形成为一体。其中，在本实施例中，上述线封入管74设置有4根(参照图3)，但是在图1以及图2中为了简化图面，只记载有1根。
接着，上述发热板收容容器42包括：具有开口并且由作为耐热耐腐蚀性材料的例如氮化铝(AlN)构成的容器主体76，和可装卸地设置在该容器主体76的上部开口的、同样由耐热耐腐蚀性材料例如氮化铝制成的盖部78。上述容器主体76其周边部成为向上方弯曲的侧壁80，从而呈上方开口的容器状。此外，在该容器主体76的中央部，与上述支柱30所结合的部分相对应，如图5所示，分别设置有线封入管贯通孔82A、螺栓用贯通孔82B以及其它必要个数的线用贯通孔82C。
此处，上述线封入管贯通孔82A的直径被设定为比线封入管74的外径大，能够在游隙配合状态下插脱上述线封入管74。此外，在该容器主体76的侧壁80的外周面的上部的规定位置形成有销孔部84(参照图4)，该销孔部84在封套内具有后述的销部件。
此外，上述盖部78其周边部向下方弯曲而成为侧壁86，以与上述容器主体76的侧壁80重合的方式覆盖容器主体76。该盖部78的上面平坦地形成，其上面成为载置面并且能够在此处直接载置晶片W。该盖部78的厚度例如在1～20mm左右的范围内，其理由在于：若该厚度比1mm薄，则其强度不能承受发热板收容容器42内与其外侧的处理空间之间的压力差。此外，若厚度比20mm厚，则该部分的阻抗变得过于大从而导致等离子体电位变高等不良情况。
此外，在该盖部78上一体地埋入有沿着平面方向扩展的呈网眼状的导电性部件88，该导电性部件88与导电线90连接并且向下方延伸。其中，该导电性部件88可以由网孔(mesh)状部件、使多个孔分散形成在薄板上的冲孔(punching)板状的部件、较薄地被涂敷的导电层状部件、印刷有各种图形的导电性图案状的部件等形成。上述盖部78由石英或者Al2O3或者AlN等的陶瓷材料形成，与上述导电性部件88烧制成一体。
此外，在该盖部78的背面一侧，在与盖部78的半径方向不同的位置埋入有独个温度测定元件92。具体而言，此处，与上述发热体38的区域数目对应设置有多个、即两个温度测定元件92A、92B，一方的温度测定元件92A被设置在盖部78的中心部进行内周侧的区域的温度测定，另一方的温度测定元件92B被设置在盖部78的周边部进行外周侧的区域的温度测定。作为这些温度测定元件92A、92B，例如可以使用热电偶，通过玻璃熔接、焊接、螺纹固定、利用螺纹进行的按压或者与盖部78一体烧制来对其进行安装。然后，从上述各温度测定元件92A、92B，测定线94A、94B分别向下方延伸。
此外，在该盖部78的侧壁86上，在规定的地点处设置有多个与设置在上述容器主体76的侧壁80上的销孔部84连通的销孔96(参照图4(A))，结合销98装卸自如地嵌入在该销孔96以及销孔部84内。因此，通过卸下该结合销98，便能够使上述盖部78相对于上述容器主体76自由装卸。作为该结合销98的材料，能够使用耐热耐腐蚀性材料，例如石英玻璃或者陶瓷材料等。此时，为了使结合销98的结合变得可靠，也可以对该结合销98以及销孔96或者销孔部84进行螺纹切出处理。
而且，如果将盖部78设置成能够自由装卸，则并不局限于上述安装结构，例如，也可以沿着侧壁86设置被部分切除的耐热耐腐蚀性材料例如AlN等构成的环状的弹性保持件，利用上述弹性保持件的弹力而能够很容易地使上述各结合销98不脱落。
接着，在上述盖部78与容器主体76的结合部设置有密封部件100(参照图(4A))。此处，在上述容器主体76的侧壁80的上端面和盖部78的下面的周边部之间设置有较薄的环状的密封部件100。该密封部件100例如可以使用由镍构成的环状的垫圈(gasket)。此处的密封性不需要实现类似于O型环等的较高的密封性，如后所述，通过利用不活泼性气体使该发热板收容容器42内成为阳压状态，而能够防止气体侵入到内部。其中，也可以取代上述密封部件100或者与密封部件100一起使用，如图4(B)所示，在此处使用形成有凹凸状的曲径环式密封(迷宫环式密封(labyrinth))的密封结构102。
另一方面，上述支柱30同样通过耐热耐腐蚀性材料例如氧化铝(Al2O3)等形成为圆筒体状，其上端部由顶板106所封闭，下端部由凸缘部(法兰部)58所封闭。此外，在上述顶板106上，与上述容器主体76的背面的中央部侧相同，分别设置有线封入管用贯通孔110A、螺栓用贯通孔110B以及其它必要数量的线贯通孔110C(参照图5)。
接着，上述容器主体76和支柱30通过螺栓部件112可装卸地互相安装在一起。即，上述容器主体76的螺栓用贯通孔82B和顶板106的螺栓用贯通孔110B插通有螺栓部件112的螺栓112A，通过利用螺母112B对其进行紧固，能够使两者可分解地安装固定。此处，上述螺栓部件112由耐热性部件例如氮化硅(Si3N4)等形成。在进行该安装时，上述容器主体76和顶板106之间安装有较薄的环状的密封部件114(参照图5)。该密封部件114例如可以使用由镍构成的环状的垫圈，该密封场所不需要实现如O型环等所具有的高密封性。
然后，发热板40的线封入管74分别插通上述两线封入管用贯通孔82A、110A并向支柱30内的下方延伸，此外，来自于导电性部件88的导电线90也通过上述两线封入管贯通孔82A、110A的空余空间而插通到支柱30内(参照图2)，而且来自于温度测定用元件92A、92B的测定线94A、94B分别通过线用贯通孔82C、110C而插通在支柱30内。
此外，在支柱30的底部的凸缘部58上，如图5所示，除形成有气体导入口116之外，还形成有多个例如图3所示的三个线用贯通孔118A、118B、118C。此外，从上述线封入管74的下端延伸的供电线72经由密封部件120A气密地插通在线用贯通孔118A中。此外，导电线90通过密封部件120B气密地插通在线用贯通孔118B中。而且，两条测定线94A、94B通过密封部件120C气密地插通在线用贯通孔118C中。此外，上述气体导入口116与供给不活泼性气体的不活泼性气体供给系统122连接，能够根据需要对不活泼性气体进行流量控制并进行供给。此处，作为上述不活泼性气体，可以使用N2气体，但是也可以取代其而使用Ar、He等其它的不活泼性气体。
而且，上述供电线72与加热器电源114连接，能够针对各区域独立地对发热体38A、38B进行温度控制。此外，导电线90与偏压用高频电源116连接，在进行等离子体处理时，上述导电性部件88作为下部电极起作用。其中，作为高频例如可以使用13.56MHz。此外，该导电线90与静电卡盘用的直流电源118连接，上述导电部件88还起到卡盘电极的作用，能够静电吸附载置台32上的晶片W。其中，当不需要静电卡盘时或者在不进行等离子体处理时，因为该导电线90不与直流电源118和高频电源116连接，因此有时仅仅接地从而作为接地线来使用。
此外，上述两条测定线94A、94B向温度控制部120输入，根据此处检测出的各区域的温度来控制上述加热器电源114，由此能够独立地控制各区域的温度。其中，如图1所示，在载置台32上形成有销插通孔44，但是为了相对于该销插通孔44确保发热板收容容器42内的密封性，而在发热板40的表面和发热板收容容器42的内面之间，以围住上述销插通孔44的周围的方式设置有作为密封部件的例如垫圈(图未示出)。
接着，对使用上述结构的等离子体的热处理装置的动作进行说明。
首先，未处理的半导体晶片W被保持在图未示出的搬送臂上并通过打开状态的门阀18、搬入搬出口16而被搬入到处理容器4内。该晶片W在被交接到上升的抬升销46上之后，使该抬升销46下降，由此将晶片W载置于载置台32的上面，具体而言被载置在盖部78的上面而被支撑。此时，载置台32的导电性部件88通过从直流电源118供给的直流电压而起到静电卡盘的作用，将晶片W保持在载置台32上。
接着，在分别对向着喷淋头部6的各种处理气体进行流量控制的同时进行供给，从气体喷射孔10A、10B喷出该气体进行喷射，将其导入到处理空间S。然后，持续驱动图未示出的设置在排气管36上的真空泵，由此，能够对处理容器4内以及排气落入空间22内的氛围进行抽真空，然后调整压力调整阀的阀开度，从而将处理空间S的氛围维持在规定的处理压力下。此时，晶片W的温度被维持在规定的处理温度。即，通过从加热器电源114向载置台32的发热体38施加电压，来对发热体38进行加热，由此使发热板40整体被加热。
其结果，利用来自于发热板40的热量使晶片W被升温加热。此时，对于设置在盖部78上的各温度测定元件92A、92B而言，对晶片温度进行测定，根据该测定值，温度控制部120针对每个区域进行温度控制。因此，能够在晶片W的温度始终保持在高面内均匀性的状态下进行温度控制。
此外，当进行等离子体处理时，通过驱动高频电源17，向作为上部电极的喷淋头6和作为下部电极的载置台32之间施加高频，在处理空间S内产生等离子体进行规定的等离子体处理。此外，此时因为从偏压用的高频电源116向载置台32的导电性部件88施加高频，因此能够进行等离子体的引入。
此处，在进行上述规定的处理期间，向支柱30内以及载置台32的发热板收容容器42内供给不活泼性气体例如N2气体，维持在比处理容器4内的压力稍微高一些的阳压状态。具体而言，若通过不活泼性气体供给系统122供给N2气体，则该N2气体被导入到支柱30内。而且，该N2气体通过各线封入管用贯通孔82A、110A或者线用贯通孔82C、110C而向发热板收容容器42内供给。此处，因为N2的压力被维持在阳压状态，所以该N2气体通过支柱30和载置台32的结合部分的密封部件114、容器主体76和盖部78的结合部分的密封部件100的微小间隙，沿着箭头130、132(参照图2以及图4)所示的方向，一点点地向处理容器4内泄出。
因此，能够防止处理用的处理气体以及腐蚀性气体、尤其是蚀刻气体或者清洁时的清洁气体侵入到支柱30内和发热板收容容器42内。此时，当设置有上述密封部件100、114的部分采用曲径环式密封状的密封结构102时，虽然存在处理压力，处理压力有所不同，但是如果将N2气体的压力例如设定在10Torr(1333Pa)以上，则能够实现相对于处理容器4内临界压力比(0.55)稍微提高的程度的压力，作为曲径环式密封内部的流速＝音速，能够防止处理气体等的逆流。
此处，当上述载置台结构29的一部分产生缺陷时，因为构成该载置台结构29的部件能够分解组装，所以只要交换产生该缺陷的部件即可。例如，当发热体38产生断线时，只要拔下连接盖部78和容器主体76的结合销98使盖部78开放，只需取代包含该发热体38的发热板40即可，其它的支柱30和发热板收容容器42能够保持原样地使用。此外同样，若发热板收容容器42或者支柱30产生缺陷(包括因蚀刻等产生消耗)，则只要取下结合两者的螺栓部件112解除两者的结合，与新的部件进行交换即可。
此外，上述各部件的耐热耐腐蚀性材料或者作为耐热材料的上述绝缘性材料，可以使用石英玻璃、或者包括AlN、Al2O3、Si3N4陶瓷材料在内的任意一种。
此时，对于对耐腐蚀性有特殊要求的处理、对热冲击的耐性有特殊要求的处理、对金属污染(污染)的耐性有特殊要求的处理等，通过使用对应于处理的最合适的材料来交换由上述各材料中所构成的同一形状的部件，而能够用相同的设计实现能够与各种处理对应的载置台结构。此外，当发热体38组装在发热板40中时，发热体38沿着加热器槽66内而收容在其中，因此，能够防止与其一体成形时的变形，能够形成设计方案的尺寸。
此外，因为载置台32和支柱30利用螺栓部件112而能够自由装卸地结合，因此与熔接该部分的现有装置相比较，热抵抗增大。其结果，能够抑制冷却点(cool spot)的产生，因此，不光能够抑制因热冲击(热应力集中)引起的破损的发生，而且这些部件的烧制以及机械加工也变得容易。其中，也可以不使用上述螺栓部件112，使用其它可装卸的结合部件，例如通过在设置于容器主体76上的凹部内嵌入设置在支柱30上的凸部来进行结合的结合部件等。该凹部以及凸部也可以相反地设置。
此外，因为处理气体不会向发热板收容容器42内侵入，因此能够将温度测定元件92设置在载置台32的中心部以外的其它多个地方(整体为3处以上)，能够进行温度精度高的控制。
此外，在上述实施例中，导电性部件88被埋入到盖部78内而形成，但是并不局限于此，也可以将其设定为在发热板40上沿着平面方向扩展。此时，也可以不使用网眼状部件而使用呈圆板状扩散的薄板状的导电性部件。
第二实施例
以下，对改良上述导电性部件88的结构的第二实施例进行说明。
在上述第一实施例的载置台结构中，导电性部件88被设置为埋入在由Al2O3等构成的陶瓷材料中，并与其一体烧制而成。此时，因为作为下部电极、卡盘电极起作用的导电性材料88埋入在陶瓷材料中，所以即便想对上述导电性部件88的形状、材质进行修补也非常难以进行修补，或者不能进行修补本身，因为在高温例如1900℃左右烧制而成，所以作为材料只能使用W(钨)、Mo(钼)等高熔点金属，对于电极材料而言有所限定。
此外，在烧制前的柔软陶瓷材料中埋入上述导电性部件88之后，对其进行烧固，在烧固之前的柔软陶瓷材料中上述导电性部件88有时发生不均等下沉，上述导电性部件88的埋入深度产生面内不均匀而引起偏差。为此，与在其上方形成的等离子体之间的静电容量不均匀，有可能对等离子体的形成产生恶劣影响。
而且，为了进行相对于上述导电性部件88的电气导通，必须在陶瓷制的盖部形成从其下方至导电性部件88为止的接触用的孔，有可能以该孔为起点在盖部上产生破损等。
本发明的第二实施例是为了解决上述不良情况而完成的。图6表示的是本发明所涉及的载置台结构的第二实施例的截面图。其中，对于与图1以及图2所示的构成部分相同的构成部分标注同一符号并省略其说明。其中，在图6中省略了温度测定元件92的记载。
即，此处，并不是将上述导电性部件88一体烧制在由陶瓷材料构成的盖部78中，而是将其设置在上述盖部78和位于下方的发热板40之间。具体而言，在图6中，在由烧成的陶瓷材料或者石英玻璃构成的盖部78的下面(背面)直接结合上述导电性部件88。此时，优选为了防止金属污染以覆盖上述导电性部件88的整个表面(图6中的下面整体)的方式设置由耐热绝缘性材料构成的保护层130。
此时，从上述导电性88部件延伸的供电线90以通过上述支柱30内的方式被配置布线。此外，在发热板40形成有贯通孔132，在该贯通孔132中插通有上述供电线90并向下方延伸。作为上述导电性部件88可以使用W(钨)、Mo(钼)等高熔点金属，也可以使用MoSi2、Ti2AlC、Ti3SiC2等具有导电性的金属间化合物等。
此处，上述导电性部件88，在上述盖体78的下面被研磨成平坦状之后，与其下面结合。在该导电性部件88的结合时，既可以对其进行贴付(粘贴)，也可以通过丝网印刷等形成。
此外，作为上述保护层130，既可以通过喷镀作为耐热耐绝缘性材料的氧化铝(Al2O3)、氧化钇(Y2O3)等进行涂敷，也可以使液体状的材料或者固体状的材料扩散结合，或者如图7中的盖部的放大图所示，也可以利用粘结剂136粘贴由上述氧化铝或者氧化钇构成的薄板134而构成。此时，作为此时的粘结剂136，例如可以使用碳、SiO2等。
其中，此处使用的盖部78的厚度与第一实施例的情况相同，在1～20mm左右的范围内，其理由为，若该厚度比1mm薄，则该强度难以承受发热板收容容器42内和其外侧的处理空间之间的压力差，此外，若厚度比20mm厚，则该部分的阻抗过于大而导致产生等离子体电位变高等不良情况。
根据该第二实施例，不仅能够发挥与上述第一实施例相同的作用效果，而且因为导电性部件88并不是一体地烧制在盖部78中，而是例如粘贴在盖部78的下面，因此当对导电性部件88进行修补以及材料的变更时，能够比较容易地剥离保护层130以及该导电性部件88，从而能够容易地进行上述补修和材料变更等。
此外，当结合导电性部件88时，因为盖部78的下面被研磨成平坦状即可，所以能够均匀地平坦地形成该导电性部件88，因此，能够使与在其上方形成的等离子体之间的静电容量的面内均匀性变高，能够防止在等离子体形成中带来恶劣影响。
而且，因为没有必要为了使上述导电性部件88相对于导电线90导通而相对于盖部78形成连接用的孔，所以能够大幅度地抑制对该盖部78带来破损等可能。
此外，因为该导电性部件88的全体由保护层130所覆盖，所以该发热体收容容器42内流动的N2等不活泼性气体不与上述导电性部件88发生直接接触，因此，即便该N2气体等从处理空间S侧泄漏，也能够防止相对于晶片产生金属污染。
第三实施例
接着，对上述载置台结构的第三实施例进行说明。在上述第二实施例中，使导电性部件88和盖部78的下面结合，但是并不局限于此，也可以与发热板40的上面结合。
图8是表示本发明的载置台结构的第三实施例的部分截面图。其中，对于与图1以及图6所示的构成部分相同的构成部分标注同一符号并省略其说明。
如图8所示，此处，在形成有发热板40的上部的顶板68的上面结合有上述导电性部件88。此时，上述导电性部件88与上述第二实施例的盖部78的下面相同，在上述顶板68的上面被研磨成平坦状之后，与其上面结合。然后，优选以覆盖该导电性部件88的整个上面的方式形成保护层130。
该导电性部件88的结合方法在使用喷镀等方面与上述的第二实施例相同，此外，如图7所说明的，也可以使用薄板134与粘结剂136进行结合。
在该第三实施例中，也能够起到与上述的第二实施例相同的作用效果。
第四实施例
接着，对上述载置台结构的第四实施例进行说明。在上述第二以及第三实施例中，以导电性部件88被设置在盖部78和发热板40之间的情况为例进行了说明，但是并不局限于此，也可以设置在盖部78的上面一侧。
图9表示的本发明的载置台结构的第四实施例的部分截面图。其中，对于与图1以及图6所示的构成部分相同的构成部分标注同一符号并却略说明。
如图9所示，此处，在盖部78的上面结合上述导电性部件88。此时，上述导电性部件88与上述第一实施例的盖部78的下面相同，在上述盖部78的上面被研磨成平坦状之后，与其上面结合。此处，为了防止因直接与成为腐蚀性气体的氛围的处理空间S直接接触所发生的上述导电性部件88的腐蚀，以覆盖上述导电性部件88的整个上面的方式形成保护层130。
该导电性部件88的结合方法在利用喷镀等方面与上述第二实施例相同，此外，如图7所示，也可以使用薄板134和粘结剂136来结合。此外，在该第四实施例的情况下，在盖部78形成贯通孔140，在其中插通导电线90与上述导电性部件88连接。
在该第四实施例中也能够起到与上述的第二实施例相同的作用效果。此外，在该第四实施例中，因为上述导电性部件88和配置在其上方的晶片W以及等离子体之间的距离最短，因此能够提高等离子体的作用效率。
此外，在以上各实施例中，作为发热板40，例如以发热体38一体组装在圆板状的石英玻璃中而成形的情况为例进行了说明，但是并不局限于此，例如也可以使用将发热体(例如碳丝加热器)插通在弯曲成蛇形状(蜿蜒状)或者漩涡形状的石英玻璃管内而形成的发热板40。
此外，此处以使用等离子体的情况为例进行了说明，但是也可以作为不使用等离子体的单纯的热处理装置来使用，此时，不需要等离子体用的高频电源17、匹配电路15、偏压用的高频电源116等。此外，即便在此时也可以使用具有静电卡盘功能的导电性部件88。
此外，在本实施例中，作为被处理体以半导体晶片为例进行了说明，但是并不局限于此，当然也可以使用LCD基板、玻璃基板等。

Claims (25)

1.一种载置台结构，具有：
载置台，该载置台被配置在处理容器内，为了对被处理体实施规定的热处理而载置所述被处理体；和
筒体状的支柱，该支柱使所述载置台从所述处理容器的底部立起来对其进行支撑，
该载置台结构的特征在于，所述载置台包括：
发热板，该发热板具有耐热性材料以及被埋入在耐热性材料中的、由电气加热源构成的发热体；和
耐热耐腐蚀性材料制成的发热板收容容器，该发热板收容容器具有：容器主体，该容器主体在其内部可装卸地收容有所述发热板并且具有开口；以及可装卸地安装在容器主体的开口上的盖部，
所述支柱的上端部可装卸地被安装在所述载置台的容器主体的下面，
所述盖部的结合部利用由耐热耐腐蚀性材料构成的结合销与所述发热板收容容器的容器主体相结合，
在所述容器主体的侧壁的外周面的上部的规定位置形成有销孔部，
在所述盖部的侧壁，在规定的位置设置有多个与设置在所述容器主体的侧壁上的所述销孔部连通的销孔，所述结合销装卸自如地嵌入在所述销孔和所述销孔部内。
2.如权利要求1所述的载置台结构，其特征在于：
在所述盖部和所述容器主体的结合部设置有密封部件以及/或者密封结构。
3.如权利要求1所述的载置台结构，其特征在于：
所述发热体被分割为多个区域，能够对每个区域的温度进行控制。
4.如权利要求3所述的载置台结构，其特征在于：
在所述盖部的背面侧，与所述区域对应地设置有多个温度测定元件。
5.如权利要求4所述的载置台结构，其特征在于：
所述温度测定元件的测定线在所述支柱内延伸。
6.如权利要求1所述的载置台结构，其特征在于：
所述支柱的上端部通过螺栓部件可装卸地安装在所述载置台的下面的中央部。
7.如权利要求6所述的载置台结构，其特征在于：
所述螺栓部件由耐热性材料构成。
8.如权利要求6所述的载置台结构，其特征在于：
在所述支柱的上端部和所述载置台的下面的结合部设置有密封部件。
9.如权利要求1所述的载置台结构，其特征在于：
封入有用于向所述发热体进行供电的供电线的、由耐热性材料构成的线封入管，从所述发热板贯通所述容器主体并在所述支柱内延伸。
10.如权利要求1所述的载置台结构，其特征在于：
所述支柱的内部和所述发热板收容容器的内部利用不活泼性气体成为阳压状态。
11.如权利要求1所述的载置台结构，其特征在于：
在所述盖部埋入有沿平面方向扩展的导电性部件，并且该导电性部件与导电线连接，该导电线在所述支柱内延伸。
12.如权利要求1所述的载置台结构，其特征在于：
在所述发热板上设置有沿平面方向扩展的导电性部件，并且该导电性部件与导电线连接，该导电线在所述支柱内延伸。
13.如权利要求1所述的载置台结构，其特征在于：
在所述盖部和所述发热板之间设置有沿平面方向扩展的导电性部件，并且该导电性部件与导电线连接，该导电线在所述支柱内延伸。
14.如权利要求13所述的载置台结构，其特征在于：
所述导电性部件与所述盖部的下面接合。
15.如权利要求13所述的载置台结构，其特征在于：
所述导电性部件与所述发热体的上面接合。
16.如权利要求14所述的载置台结构，其特征在于：
在所述导电性部件的表面以覆盖其整个表面的方式设置有由耐热绝缘性材料构成的保护层。
17.如权利要求15所述的载置台结构，其特征在于：
在所述导电性部件的表面以覆盖其整个表面的方式设置有由耐热绝缘性材料构成的保护层。
18.一种载置台结构，具有：
载置台，该载置台被配置在处理容器内，为了对被处理体实施规定的热处理而载置所述被处理体；和
筒体状的支柱，该支柱使所述载置台从所述处理容器的底部立起来对其进行支撑，
该载置台结构的特征在于，所述载置台包括：
发热板，该发热板具有耐热性材料以及被埋入在耐热性材料中的、由电气加热源构成的发热体；
耐热耐腐蚀性材料制成的发热板收容容器，该发热板收容容器具有：容器主体，该容器主体在其内部可装卸地收容有所述发热板并且具有开口；以及可装卸地安装在容器主体的开口上的盖部；
导电性部件，其被设置在所述盖部的上面，沿着平面方向扩展；
以覆盖所述导电性部件的整个表面的方式设置的由耐热绝缘性材料构成的保护层；和
与所述导电性部件连接的导电线，
所述支柱的上端部可装卸地被安装在所述载置台的容器主体的下面，
所述盖部的结合部利用由耐热耐腐蚀性材料构成的结合销与所述发热板收容容器的容器主体相结合，
在所述容器主体的侧壁的外周面的上部的规定位置形成有销孔部，
在所述盖部的侧壁，在规定的位置设置有多个与设置在所述容器主体的侧壁上的所述销孔部连通的销孔，所述结合销装卸自如地嵌入在所述销孔和所述销孔部内。
19.如权利要求16～18中任一项所述的载置台结构，其特征在于：
所述保护层通过涂敷所述耐热绝缘性材料形成。
20.如权利要求16～18中任一项所述的载置台结构，其特征在于：
所述保护层通过利用粘接剂接合由所述耐热绝缘性材料构成的薄板而形成。
21.如权利要求1或者18所述的载置台结构，其特征在于：
所述盖部的厚度在1～20mm的范围内。
22.如权利要求1或者18所述的载置台结构，其特征在于：
所述耐热性材料以及耐热耐腐蚀性材料由绝缘性材料构成。
23.如权利要求22所述的载置台结构，其特征在于：
所述绝缘性材料由选自石英玻璃、或者含有AlN、Al2O3、Si3N4的陶瓷材料内的任一种构成。
24.一种热处理装置，其特征在于，包括：
能够进行抽真空的处理容器；
配置在处理容器内的载置台结构；和
向所述处理容器内供给规定处理气体的气体供给单元，其中，
所述载置台结构包括：
载置台，该载置台被配置在处理容器内，为了对被处理体实施规定的热处理而载置所述被处理体；和
筒体状的支柱，该支柱使所述载置台从所述处理容器的底部立起来对其进行支撑，
所述载置台包括：
发热板，该发热板具有耐热性材料以及被埋入在耐热性材料中的、由电气加热源构成的发热体；和
耐热耐腐蚀性材料制成的发热板收容容器，该发热板收容容器具有：容器主体，该容器主体在其内部可装卸地收容有所述发热板并且具有开口；和可装卸地安装在容器主体的开口上的盖部，
所述支柱的上端部可装卸地被安装在所述载置台的容器主体的下面，
所述盖部的结合部利用由耐热耐腐蚀性材料构成的结合销与所述发热板收容容器的容器主体相结合，
在所述容器主体的侧壁的外周面的上部的规定位置形成有销孔部，
在所述盖部的侧壁，在规定的位置设置有多个与设置在所述容器主体的侧壁上的所述销孔部连通的销孔，所述结合销装卸自如地嵌入在所述销孔和所述销孔部内。
25.一种热处理装置，其特征在于，包括：
能够进行抽真空的处理容器；
配置在处理容器内的载置台结构；和
向所述处理容器内供给规定处理气体的气体供给单元，其中，
所述载置台结构包括：
载置台，该载置台被配置在处理容器内，为了对被处理体实施规定的热处理而载置所述被处理体；和
筒体状的支柱，该支柱使所述载置台从所述处理容器的底部立起来对其进行支撑，
所述载置台包括：
发热板，该发热板具有耐热性材料以及被埋入在耐热性材料中的、由电气加热源构成的发热体；
耐热耐腐蚀性材料制成的发热板收容容器，该发热板收容容器具有：容器主体，该容器主体在其内部可装卸地收容有所述发热板并且具有开口；和可装卸地安装在容器主体的开口上的盖部；
导电性部件，其被设置在所述盖部的上面，沿着平面方向扩展；
以覆盖所述导电性部件的整个表面的方式设置的由耐热绝缘性材料构成的保护层；和
与所述导电性部件连接的导电线，
所述支柱的上端部可装卸地被安装在所述载置台的容器主体的下面，
所述盖部的结合部利用由耐热耐腐蚀性材料构成的结合销与所述发热板收容容器的容器主体相结合，
在所述容器主体的侧壁的外周面的上部的规定位置形成有销孔部，
在所述盖部的侧壁，在规定的位置设置有多个与设置在所述容器主体的侧壁上的所述销孔部连通的销孔，所述结合销装卸自如地嵌入在所述销孔和所述销孔部内。
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