TW200807513A - Placing table structure and heat treatment apparatus - Google Patents

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TW200807513A
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mounting table
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container
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Tomohito Komatsu
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Tokyo Electron Ltd
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Description

200807513 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關半導體晶圓等的被處理體的熱處理裝置 及載置台構造。 【先前技術】 一般在製造半導體積體電路時，是對半導體晶圓等的 被處理體重複進行成膜處理、飩刻處理、熱處理、改質處 S '結晶化處理等的各種單片式處理，而形成所望的積體 電路。在進行上述那樣的各種處理時，是對應於其處理的 種類來將必要的處理氣體，例如成膜處理時是將成膜氣體 或_素氣體，改質處理時是將臭氧氣體等，結晶化處理時 將N2氣體等的惰性氣體或〇2氣體等分別導入至處理容器 内。 例如以一片一片地對半導體晶圓實施熱處理的單片式 熱處理裝置爲例，是在可抽真空的處理容器内，例如設置 內藏電阻加熱加熱器的載置台，在其上面載置半導體晶圓 ’以所定的溫度（例如100 °C〜1 000 °c )來加熱後的狀態 下流動所定的處理氣體，在所定的製程條件下對晶圓實施 各種的熱處理（專利文獻1 - 6 )。因此，有關處理容器内 的構件會被要求對該等加熱的耐熱性及即使暴露於處理氣 體也不會被腐蝕的耐腐蝕性。 載置半導體晶圓的載置台構造，一般是使具有耐熱性 耐腐蝕性的同時，必須防止金屬污染（contamination )等 (2) 200807513 ，所以具有例如在AIN等的陶瓷材中埋入電阻加熱加熱器 作爲發熱體，在高溫下一體燒成的載置台。並且，以別的 工程同樣燒成陶瓷材等來形成支柱。然後，例如藉由熱擴 ^ 散接合來溶著一體燒成後的載置台側與上述支柱而一體化 製造載置台構造。如此一體成形的載置台構造是使立起設 置於處理容器内的底部。亦可取代上述陶瓷材，而使用具 有耐熱耐腐蝕性的石英玻璃。 專利文獻1 :特開昭63 -278322號公報 專利文獻2 :特開平07-07 8766號公報 專利文獻3 :特開平03 -2207 1 8號公報 專利文獻4 :特開平06-260430號公報 專利文獻5 :特開平8-78 1 93號公報 專利文獻6 :特開2004-3 5 6624號公報 如上述般，由於發熱體的電阻加熱加熱器是在陶瓷材 中或石英玻璃中一體埋入後一體燒成而形成載置台，因此 例如只要電阻加熱加熱器的一部份破損，部份產生缺陷， 則必須替換該載置台構造全體，具有缺陷的構件以外的其 ' 他部份會有無謂浪費的問題。 • 又，依照處理（製程）的種類，有耐腐鈾性特別被要 求的製程，或對熱衝撃的耐久性特別被要求的製程，或對 金屬污染的耐性特別被要求的製程等，按照製程的種類而 存在各種的要求規格（specification)。而且，一般爲了 謀求零件的共通化，而對耐腐蝕性、耐熱性等，使對應於 最嚴酷的製程來製造上述載置台構造。因此，依所被使用 -5- 200807513
的製種類，有時關於載置台構造的材料選定會使用具有 必要以上耐性大的特性之材料，形成過規格（〇verspec ) 。特別是該等耐性高的構件，因爲構件本身高價且加工亦 咼價’所以導致裝置本身爲必要以上的高成本。 又’因爲在上述載置台的下面溶著支柱而一體成形， 所以該載置台與支柱的接合部的熱傳導性良好，往該部份 的支柱側之熱的流動佳。其結果，該接合部會比其他載置 台的部份更形成冷卻的狀態，產生所謂的冷卻點（c〇〇l Spot )，在此產生熱應力的集中，結果會以該接合部爲起 點容易發生載置台破裂等的問題。 又’爲了進行載置台之加熱器的溫度控制，而於載置 台的背面安裝熱電偶，但此熱電偶是在載置台的燒成後安 裝，且爲了防止其檢測線路暴露於處理氣體或腐蝕性氣體 等中’上述熱電偶只能在支柱連接的載置台的背面中心部 設置1個。所以，載置台的中心部的溫度可用上述熱電偶 來測定，相對的，載置台的周邊部的溫度只能憑經驗來求 取，因此當處理容器内的熱幅射環境變大時，會有發生無 法高度維持載置台、或半導體晶圓的面内溫度的均一性等 的問題。 並且，在載置台内一體燒成上述電阻加熱加熱器時， 雖電阻加熱加熱器的引繞配線是精度佳地配設於經計算求 得的位置，但有時會因爲燒成時所施加的應力而加熱器本 身的剖面會稍微變形，此時因爲加熱器的位置無法修補’ 所以會有難以實現按照設計的溫度分布等的問題。 -6- (4) (4)200807513 【發明內容】 本發明是著眼於以上的問題點，有效地予以解決而創 作者。本發明的目的是在於提供一種可裝卸地將發熱板設 置於發熱板收容容器内來構成載置台，而得以替換或更換 發熱板之載置台構造及使用該載置台構造的熱處理裝置。 又，本發明的其他目的是在於提供一種不將電漿處理 裝置之例如下部電極或吸盤電極等的導電性構件與載置台 一體燒成下設成可修補的載置台構造及使用該載置台構造 的熱處理裝置。 本發明之載置台構造的特徵係具備： 載置台，其係配置於處理容器内，爲了對被處理體施 以所定的熱處理，而載置上述被處理體；及 筒體狀的支柱，其係使上述載置台由上述處理容器的 底部立起而支持， 又，上述載置台係具備： 發熱板，其係具有：耐熱性材料、及埋入耐熱性材料 中，由電氣加熱源所構成的發熱體；及 耐熱耐腐蝕性材料製的發熱板收容容器，其係具有： 可在内部裝卸收容上述發熱板且具有開口的容器本體、及 可裝卸地安裝於容器本體的開口之蓋部。 藉由如此可將發熱板裝卸設置於發熱板收容容器内來 構成載置台，可替換或更換發熱板。 並且’可將裝卸可能的蓋部換成對應於所應執行的製 200807513 (5) 程之具有耐熱性及耐腐蝕性的材料所構成的蓋部，因此可 防止蓋部形成過規格。其結果，可使用較便宜且加工性良 好的材料，因此可大幅度降低裝置成本。 ^ 本發明的載置台構造中，上述蓋部的接合部係藉由耐 熱耐腐蝕性材料所構成的卡合銷來卡合於上述發熱板收容 ·_ 容器的容器本體。 本發明的載置台構造中，在上述蓋部與上述容器本體 的接合部設有密封構件及/或密封構造。 本發明的載置台構造中，上述發熱體係被分割成複數 的區域，可在每個區域每進行溫度控制。 本發明的載置台構造中，在上述蓋部的背面側，使對 應於上述區域而設有複數的溫度測定元件。 本發明的載置台構造中，上述溫度測定元件的測定線 路係延伸至上述支柱内。 本發明的載置台構造中，上述支柱的上端部係藉由螺 栓構件來可裝卸地安裝於上述載置台的下面中央部。 如此，設成彼此可裝卸地設置支柱及載置台，所以即 * 使其中任一方產生缺陷也不必更換全體，只要更換產生缺 • 陷的一方構件即可，因此可壓低維修費用，且可替換成對 應於所應執行的製程之具有耐熱性及耐腐蝕性的材料所構 成的載置台、或支柱，因此可防止載置台或支柱形成過規 格。其結果，可使用較便宜且加工性良好的材料，因此可 大幅度降低裝置成本。 本發明的載置台構造中，上述螺栓構件係由耐熱性材 -8- 200807513 (6) 料所構成。 本發明的載置台構造中，在上述支柱的上端部與上述 載置台的下面的接合部介設有密封構件。 • 本發明的載置台構造中，從上述發熱板，係封入用以 進行給電至上述發熱體的給電線路之耐熱性材料所構成的 * 線路封入管會貫通上述容器本體而延伸至上述支柱内。 本發明的載置台構造中，上述支柱的内部與上述發熱 板收容容器的内部係藉由惰性氣體而形成陽壓狀態。 本發明的載置台構造中，在上述蓋部中埋入有擴展於 平面方向的導電性構件，且在該導電性構件連接導電線路 ’此導電線路係延伸至上述支柱内。 本發明的載置台構造中，在上述發熱板上設有擴展於 平面方向的導電性構件，且在該導電性構件連接導電線路 ，此導電線路係延伸至上述支柱内。 本發明的載置台構造中，在上述蓋部與上述發熱板之 間設有擴展於平面方向的導電性構件，且在該導電性構件 連接導電線路，此導電線路係延伸至上述支柱内。 ^ 藉此，導電性構件是形成不一體燒成於蓋部的構造， ' 因此想要對例如作爲下部電極或吸盤電極用的上述導電性 構件施加修補等時，可容易進行該補償等。 本發明的載置台構造中，上述導電性構件係接合於上 述蓋部的下面。 本發明的載置台構造中，上述導電性構件係接合於上 述發熱體的上面。 -9- (7) (7)200807513 本發明的載置台構造中，在上述導電性構件的表面， 以能夠覆蓋其全面的方式來設置耐熱絕緣性材料所構成的 保護層。 又’本發明之載置台構造的特徵係具備： 載置台，其係配置於處理容器内，爲了對被處理體施 以所定的熱處理，而載置上述被處理體；及 筒體狀的支柱，其係使上述載置台由上述處理容器的 底部立起而支持， 又，上述載置台係具備： 發熱板，其係具有：耐熱性材料、及埋入耐熱性材料 中，由電氣加熱源所構成的發熱體； 耐熱耐腐蝕性材料製的發熱板收容容器，其係具有： 可在内部裝卸收容上述發熱板且具有開口的容器本體、及 可裝卸地安裝於容器本體的開口之蓋部； 導電性材料，其係設置於上述蓋部的上面，擴展於平 面方向； 保護層’其係以能夠覆蓋上述導電性構件的表面全體 之方式設置，由耐熱絕緣性材料所構成；及 導電線路’其係連接至上述導電性構件。 藉由如此可將發熱板裝卸設置於發熱板收容容器内來 構成載置台，可替換或更換發熱板。 並且’可將裝卸可能的蓋部換成對應於所應執行的製 程之具有耐熱性及耐腐蝕性的材料所構成的蓋部，因此可 防止蓋部形成過規格。其結果，可使用較便宜且加工性良 -10- 200807513 (8) 好的材料，因此可大幅度降低裝置成本。 而且，導電性構件是形成不一體燒成於蓋部的構造， 医1此想要對例如作爲下部電極或吸盤電極用的上述導電性 ^ 構件施加修補等時，可容易進行該補償等。 本發明的載置台構造中，上述保護層係藉由塗佈上述 * 耐熱絕緣性材料而形成。 本發明的載置台構造中，上述保護層係藉由利用黏合 劑來接合上述耐熱絕緣性材料所構成的薄板而形成。 本發明的載置台構造中，上述蓋部的厚度爲1〜20mm 的範圍内。 本發明的載置台構造中，上述耐熱性材料及耐熱耐腐 性材料係由絕緣性材料所構成。 本發明的載置台構造中，上述絕緣性材料係由石英玻 璃、或包含AIN、AI2〇3、Si3N4的陶瓷材之其中任一個所 構成。 又’本發明之熱處理裝置的特徵係具備： 處理容器，其係可抽真空； 載置台構造，其係配置於處理容器内；及 • 氣體供給手段，其係供給所定的處理氣體至上述處理 容器内， 又’上述載置台構造係具備： 載置台’其係配置於處理容器内，爲了對被處理體施 以所定的熱處理，而載置上述被處理體；及 筒體狀的支柱’其係使上述載置台由上述處理容器的 -11 - (9) (9)200807513 底部立起而支持， 又，上述載置台係具備： 發熱板，其係具有：耐熱性材料、及埋入耐熱性材料 中，由電氣加熱源所構成的發熱體·，及 耐熱耐腐蝕性材料製的發熱板收容容器，其係具有： 可在内部裝卸收容上述發熱板且具有開口的容器本體、及 可裝卸地安裝於容器本體的開口之蓋部。 本發明之熱處理裝置的特徵係具備： 處理容器，其係可抽真空； 載置台構造，其係配置於處理容器内；及 氣體供給手段，其係供給所定的處理氣體至上述處理 容器内， 又’上述載置台構造係具備： 載置台，其係配置於處理容器内，爲了對被處理體施 以所定的熱處理，而載置上述被處理體；及 筒體狀的支柱，其係使上述載置台由上述處理容器的 底部立起而支持， 又’上述載置台係具備： 發熱板，其係具有：耐熱性材料、及埋入耐熱性材料 中’由電氣加熱源所構成的發熱體； 耐熱耐腐蝕性材料製的發熱板收容容器，其係具有： 可在内部裝卸收容上述發熱板且具有開口的容器本體、及 可裝卸地安裝於容器本體的開口之蓋部； 導電性材料，其係設置於上述蓋部的上面，擴展於平 -12- 200807513 (10) 面方向； 保護層，其係以能夠覆蓋上述導電性構件的表面全體 之方式設置，由耐熱絕緣性材料所構成；及 導電線路，其係連接至上述導電性構件。 若利用本發明的載置台構造及熱處理裝置，則可發揮 其次般良好的作用效果。 可將發熱板裝卸設置於發熱板收容容器内來構成載置 台，藉此可替換或更換發熱板。 並且，可將裝卸可能的蓋部換成對應於所應執行的製 程之具有耐熱性及耐腐蝕性的材料所構成的蓋部，因此可 防止蓋部形成過規格。其結果，可使用較便宜且加工性良 好的材料，因此可大幅度降低裝置成本。 特別是本發明設成彼此可裝卸地設置支柱及載置台， 所以即使其中任一方產生缺陷也不必更換全體，只要更換 產生缺陷的一方構件即可，因此可壓低維修費用，且可替 換成對應於所應執行的製程之具有耐熱性及耐腐蝕性的材 料所構成的載置台、或支柱，因此可防止載置台或支柱形 ' 成過規格。其結果，可使用較便宜且加工性良好的材料， • 因此可大幅度降低裝置成本。 【實施方式】 以下’根據圖面來詳述本發明的載置台構造及熱處理 裝置的一實施例。 13- 200807513 (11) <第1實施例> 圖1是表示本發明的熱處理裝置的剖面構成圖。 是表示載置台構造的第1實施例的剖面圖。圖3是表 ^ 置台構造的發熱體的平面圖。圖4(A) (B)是表示 台構造之一部份的部份擴大剖面圖。圖5是表示載置 造的分解裝配圖。本實施例是說明有關高頻電力的電 可使用的熱處理裝置。 如圖示，此熱處理裝置2是具有例如剖面的内部 略圓形狀的鋁製處理容器4。在此處理容器4内的頂 爲了導入必要的處理氣體例如成膜氣體，而隔著絕緣 設置有氣體供給手段亦即噴灑頭部6，以能夠從設置 下面的氣體噴射面8的多數個氣體噴射孔來往處理空 吹出處理氣體之方式噴射。此噴灑頭部6是在電漿處 兼具上部電極。 在此噴灑頭部6内形成有被區劃成中空狀的2個 擴散室12A、12B ’將在此導入的處理氣體擴散至平 向後’由分別連通至各氣體擴散室丨2 A、 1 2 B的各 噴射孔l〇A、 來吹出◦亦即，氣體噴射孔l〇A、 • 是配置成矩陣狀。此噴灑頭部6的全體是例如藉由 HASTELLOY (註冊商標）等的鎳合金、鋁、或鋁合 形成。力外’噴灑頭部6亦可成氣體擴散室爲1個的 時。然後’在此噴灑頭部6與處理容器4的上端開口 絕緣層7之接合部’介有例如由〇形環等所構成的密 件1 4 ’維持處理容器4内的氣密性。而且，在此噴灑 圖2 不載 載置 台構 漿也 爲呈 部， 層7 於其 間S 理時 氣體 面方 氣體 1 0B 鎳或 金所 情況 部的 封構 頭部 -14- 200807513 (12) 6經由匹配電路15來連接例如13.56MHz的電漿用的高頻 電源1 7，必要時形成電漿。該頻率並非限於上述1 3 · 5 6 MHz。 並且，在處理容器4的側壁設有用以對該處理容器4 内搬入搬出作爲被處理體的半導體晶圓W之搬出入口 16 ，且在此搬出入口 1 6設有可氣密開閉的閘閥1 8。 然後，在此處理容器4的底部20形成有排氣落入空 間22。具體而言，在此容器底部20的中央部形成有大的 開口 24，在此開口 24連結延伸至其下方的有底圓筒體狀 的圓筒區劃壁26，而於其内部形成上述排氣落入空間22 。然後，在此區劃該排氣落入空間22的圓筒區劃壁26的 底部28設有由此立起作爲本發明的特徴之載置台構造29 。具體而言，此載置台構造29是具備：圓筒狀的支柱30 、及可裝卸固定於該上端部的載置台3 2。有關此載置台構 造29的詳細會在往後敘述。 而且，上述排氣落入空間22的開口 24是設定成比載 置台32的直徑更小，流下於上述載置台32的周緣部外側 ' 的處理氣體會繞進載置台32的下方而流入至開口 24。然 • 後，在上述圓筒區劃壁26的下部側壁，使面對此排氣落 入空間22而形成有排氣口 3 4。在此排氣口 3 4連接排氣管 3 6，該排氣管3 6介設有未圖示的真空泵，而能夠將處理 容器4内及排氣落入空間22的環境予以抽真空而排氣。 然後，在此排氣管3 6的途中介設有可控制開度的壓 力調整閥（未圖示），藉由自動地調整此閥開度，可使上 -15- (13) (13)200807513 述處理容器4内的壓力維持於一定値’或迅速地使變化至 所望的壓力。 並且，上述載置台32具有發熱板40’此發熱板40亦 如圖2所示，包含耐熱性材料64、68、及埋入此耐熱性材 料6 4、6 8中，例如由碳線加熱器等的電氣加熱源所構成 具有圖案形狀的發熱體38。此發熱板40是被收容至發熱 板收容容器42内。然後，在此發熱板收容容器42的上面 載置有作爲被處理體的半導體晶圓W。在此，載置台32 是兼作加熱手段用。 在上述載置台32中，貫通於其上下方向而形成有複 數、例如3個的銷揷通孔44 (在圖1中只顯不2個’圖2 以後省略記載），在上述各銷揷通孔44中配置可上下移 動地在遊嵌狀態下揷通的推舉銷46。在此推舉銷46的下 端配置有圓形環形狀之例如礬土那樣的陶瓷製的推舉環4 8 ，上述各推舉銷4 6的下端會座落於此推舉環4 8。從此推 舉環4 8延伸的臂部5 0是被連結至貫通容器底部2 0而設 置的出没桿52，此出没桿52可藉由致動器（actuator) 54 來昇降。 藉此，在晶圓W的交接時，可使上述各推舉銷4 6從 各銷揷通孔44的上端往上方出没。並且，在致動器5 4的 出没桿5 2之容器底部的貫通部介設有可伸縮的波紋管5 6 ，上述出没桿5 2可一面維持處理容器4内的氣密性，一 面昇降。 而且，載置台構造2 9的支柱3 0的底部是被關閉，且 -16- 200807513 (14) 在此設有被擴徑的凸緣部5 8，然後此凸緣部5 8會以能夠 覆蓋形成於處理容器4的底部28的中央部的貫通孔60之 方式藉由未圖示的螺栓等來可裝卸地安裝。 在此凸緣部58與貫通孔60的周邊部的底部28之間 介設有〇型環等的密封構件62，使能夠保持該部份的氣 參 密性。 其次，亦參照圖2乃至圖5來具體説明有關上述載置 台構造29。 如前述，此載置台構造29是主要藉由載置台32及支 柱30來構成。具體而言，上述載置台32是藉由上述發熱 板4 0、及予以收容的發熱板收容容器42所構成。上述發 熱板40具有由耐熱性材料所構成的圓形平面狀的台座64 ，在此台座64的表面全面形成有加熱器溝66，沿著此加 熱器溝66來配設由電氣加熱源所構成的上述發熱體3 8。 然後，在此台座64的上面配置由同耐熱性材料所構成的 圓形狀平板6 8，在高溫下予以燒成一體化。藉此’發熱體 3 8被埋入於發熱板4 0内。 、 在此，上述發熱體38是被分割成複數個區域，可在 - 每個區域控制溫度。亦即，本實施例，如圖3所示，上述 發熱體3 8是同心圓狀地分割成2個區域、亦即内周側的 區域70A的發熱體38A及外周側的區域7〇B的發熱體38B 。另外，在圖3中，爲了使圖面的理解容易’而減少各發 熱體38A、38B的捲數。又，亦可將區域數設定成3個以 上。 -17- 200807513 (15) 然後，在各被分割的發熱體38A、38B的兩端分別連 接給電線路72，此給電線路72是從發熱板40的背面中心 部延伸至下方向。此給電線路72是至其長度方向的途中 ^ 爲止密閉狀態封入由耐熱性材料所構成的線路封入管74 内，此線路封入管74的上部是一體溶著於上述發熱板40 〇 其結果，上述線路封入管74是形成插通於上述筒體 狀的支柱3 0内而往下方向延伸的狀態。在此上述各耐熱 性材料是藉由具有絕緣性例如透明石英玻璃所構成，因此 ，包含該線路封入管74的發熱板40全體是藉由石英玻璃 來一體成形。另外，在本實施例中上述線路封入管74是 設置4根（參照圖3 )，但在圖1及圖2中爲了圖面的簡 略化，而僅記載1根。 其次，上述發熱板收容容器42是包含：具有開口由 耐熱耐腐蝕性材料例如氮化鋁（AIN )所構成的容器本體 76、及可裝卸地設置於該容器本體76的上部開口之同耐 熱耐腐蝕性材料例如氮化鋁製的蓋部7 8。上述容器本體 — 76是其周邊部會被彎曲至上方而形成側壁80，形成上方 • 被開口的容器狀。並且，在此容器本體76的中央部，使 對應於接合上述支柱3 0的部份，如圖5所示，分別設有 線路封入管用貫通孔82A、螺栓用貫通孔82B及其他必要 數量的線路用貫通孔82C。 在此，上述線路封入管用貫通孔82A的直徑是設定成 比線路封入管74的外徑更大，可在遊嵌狀態下插脫上述 18- 200807513 (16) 線路封入管74。並且，在此容器本體76的側壁80外周面 的上部所定處形成封入有後述的銷構件之銷穴部84 (亦 參照圖4 )。 並且，上述蓋部78是其周邊部會彎曲至下方而形成 側壁86，以能夠和上述容器本體76的側壁80重疊之方式 來覆蓋容器本體76。此蓋部78的上面是形成平坦，此上 面會成爲載置面，而可直接載置晶圓W。此蓋部78的厚 度是例如爲1-20mm程度的範圍内，其理由是若厚度比 1 mm更薄，則其強度無法耐得住發熱板收容容器42内與 其外側的製程空間之間的差壓，且若比20mm更厚，則該 部份的阻抗會過大，而產生電漿電位變高等的不良情況。 而且，擴展於平面方向呈網目狀的導電性構件8 8會 一體地埋入該蓋部78，在此導電性構件88連接導電線路 9〇而延伸至下方。另外，此導電性構件88可藉由網格狀 的構件、使多數個孔分散來形成於薄板之類的打孔板狀的 構件、被薄薄塗佈的導電層狀的構件、被印刷成各種形狀 的導電性圖案狀的構件等所形成。上述蓋部78是藉由石 英或Al2〇3或AIN等的陶瓷材所構成，可與上述導電性構 件8 8 —體燒成。 此外，在此蓋部7 8的背面側，於蓋部7 8的半徑方向 相異的位置埋入有複數的溫度測定元件92。具體而言，在 此是使對應於上述發熱體3 8的區域數來設置複數的、亦 即2個的溫度測定元件92A、 92B，一方的溫度測定元件 92A是設置於蓋部78的中心部來進行内周側的區域的溫 -19- (17) 200807513 度測定，另一方的溫度測定元件92B是設置於蓋部78 周邊部來測定外周側的區域溫度。該等的溫度測定元 92A、 92B例如可使用熱電偶（thermocouple)，予以 由玻璃溶著、釺焊、螺絲固定、利用彈簧的按壓或與蓋 78 —體燒成來安裝。然後，測定線路94A、 94B會分 從上述各溫度測定元件92A、92B來延伸至下方。 另外，在此蓋部78的側壁86，連通至上述容器本 76的側壁80中所設置的銷穴部84之銷孔96會複數設 所定之處（參照圖4 ( A ))，在此銷孔96及銷穴部 中’卡合銷9 8會被裝卸自如地嵌入。因此，藉由卸下 卡合銷98，上述蓋部78可對上述容器本體76裝卸。此 合銷98的材料可使用耐熱耐腐蝕性材料、例如石英玻 或陶瓷材等。此情況，爲了使卡合銷98的卡合確實， 在此卡合銷9 8及銷孔9 6或銷穴部8 4施加螺紋。 再者，只要蓋部7 8設成可裝卸即可，並非限於上 女裝構造’例如亦可沿著側壁8 6來設置由耐熱耐腐鈾 材料、例如AIN等所構成的環狀彈發性保持具，藉由上 彈發性保持具的彈發力來使上述各卡合銷9 8不容易脫 〇 然後’在上述蓋部78與容器本體76的接合部設有 封構件1 〇 〇 (參照圖4(A))。在此是在上述容器本 76的側壁80的上端面與蓋部78的下面的周邊部之間介 有薄環狀的密封構件1 0 0。此密封構件1 00例如可使用 鎳所構成的環狀墊圈。在此的密封性非被要求如〇形環 的 件 藉 部 別 體 於 84 此 卡 璃 可 述 性 述 落 密 體 設 由 等 -20- 200807513 (18) 那樣的高密封性，如後述般藉由惰性氣儀 容容器42内形成陽壓狀態下，防止氣i 外，亦可取代上述密封構件1 0 0，或與密 ，如圖4 ( B )所示，設置在此形成凹凸 構造102。 另一方面，上述支柱30同樣藉由酿 、例如氧化鋁（ai2o3 )等來形成圓筒體 被頂板1 06所堵塞，下端部是被凸緣部 ，在上述頂板106中，和上述容器本體 部側同樣地分別設有線路封入管用貫通3 貫通孔110B及其他必要數量的線路用貫 圖5 )。 然後，上述容器本體76與支柱30 1 1 2來可裝卸地彼此安裝。亦即，在上述 栓用貫通孔82B與頂板106的螺栓用貫$ 螺栓構件1 12的螺栓1 12A，且藉由螺冒 ，藉此兩者可分解地安裝固定。在此上述 藉由耐熱性材料、例如氮化矽（Si3N4 ) 裝時，是在上述容器本體76與頂板106 狀的密封構件1 1 4 (參照圖5 )。此密封 使用由鎳所構成的環狀墊圈，此密封處並 環等那樣的高密封性。 然後，發熱板40的線路封入管74是 線路封入管用貫通孔8 2 A、1 1 0 A來延伸三 〖來使該發熱板收 !侵入至内部。另 封構件100倂用 狀的迷宮之密封 f熱耐腐蝕性材料 狀，且其上端部 5 8所堵塞。然後 76的背面的中央 1 1 10A、螺栓用 通孔1 10C (參照 是藉由螺栓構件 容器本體76的螺 證孔1 10B中揷通 1 1 2 B來予以鎖緊 螺栓構件112是 等所形成。該安 之間介設有薄環 構件1 1 4例如可 非被要求如〇形 ^分別揷通上述兩 g支柱3 0内的下 -21 - 200807513 (19)
方，且來自導電性構件88的導電線路90亦通過上述兩線 路封入管用貫通孔82A、110A的空間來插通至支柱30内 (參照圖2 )，而且來自各溫度測定元件92A、92B的測 定線路94A、 94B會分別通過線路用貫通孔82C、1 10C 來插通至支柱30内。 並且，在支柱3 0的底部的凸緣部5 8，如圖5所示除 了氣體導入口 11 6以外，還形成有複數、例如圖示例之3 個的線路用貫通孔1 1 8 A、1 1 8 B、1 1 8 C。然後，在線路用 貫通孔1 1 8 A中，從上述線路封入管74的下端延伸的給電 線路72會經由密封構件1 20A來氣密地揷通。而且，在線 路用貫通孔1 18B中，導電線路90會經由密封構件120B 來氣密地揷通。並且，在線路用貫通孔1 1 8 C中，2條的 測定線路94A、94B會經由密封構件120C來氣密地揷通 。而且，在上述氣體導入口 1 1 6連接有供給惰性氣體的惰 性氣體供給系1 2 2，可因應所需來一面進行流量控制一面 供給惰性氣體。在此，上述惰性氣體是使用N2氣體，但 亦可取而代之，使用Ar、He等的其他惰性氣體。 ’ 然後，在上述給電線路7 2連接加熱器電源1 1 4，依區 - 域個別加熱發熱體3 8 A、3 8 B而取得溫度控制。並且，在 導電線路90連接偏壓用的高頻電源1 1 6，於電漿處理時可 使上述導電性構件8 8具有作爲下部電極的機能。另外， 該高頻例如可使用13.56 MHz。而且，在該導電線路90連 接静電吸盤用的直流電源1 1 8，亦可使上述導電性構件8 8 具有作爲吸盤電極的機能，使能夠静電吸附載置台3 2上 -22- (20) (20)200807513 的晶圓W。另外，在不需要静電吸盤時，或不進行電漿處 理時’有時是不在此導電線路9 0連接直流電源1 1 8或高 頻電源1 1 6，僅接地而作爲接地線路用。 又，上述2條的測定線路94A、94B是被輸入至溫度 控制部1 2 0 ’封應於在此所被檢測出的各區域溫度來控制 上述加熱器電源1 1 4，藉此可個別進行各區域的溫度控制 。另外，如圖1所示在載置台3 2中形成銷揷通孔44，但 爲了對此銷揷通孔4 4確保發熱板收容容器4 2内的密封性 ’以能夠在發熱板40的表面與發熱板收容容器42的内面 之間包圍上述銷揷通孔4 4的周圍之方式來使介有例如墊 圈（g a s k e t )(未圖示）作爲密封構件。 其次，說明有關利用以上所述構成的電漿之熱處理裝 置的動作。 首先’未處理的半導體晶圓W是被保持於未圖不的 搬送臂，而經由形成開啓狀態的閘閥1 8、搬出入口 1 6來 搬入處理容器4内。此晶圓W是在被交接至上昇的推舉 銷46之後，使該推舉銷46降下，藉此晶圓W會被載置 於載置台32的上面、具體而言是被載置於蓋部78的上面 。此時，藉由直流電源1 1 8來對載置台3 2的導電性構件 8 8施加直流電壓，藉此静電吸盤會發揮機能，使晶圓w 保持於載置台3 2上。 其次’將各種的處理氣體予以分別一面進行流量控制 一面供給至噴灑頭部6，而由氣體噴射孔1 0 A、1 0 B來吹 出噴射該氣體，導入至處理空間S。然後，藉由繼續設於 -23- (21) (21)200807513 排氣管36之真空泵（未圖示）的驅動，將處理容器4内 或排氣落入空間22内的環境予以抽真空，然後，調整壓 力調整閥的閥開度，而使處理空間S的環境維持於所定的 製程壓力。此時，晶圓W的溫度是被維持於所定的製程 溫度。亦即，藉由加熱器電源114來施加電壓至載置台32 的發熱體38，加熱發熱體38，藉此發熱板40全體會被加 熱。 其結果，晶圓W會以來自發熱板40的熱而被昇溫加 熱。此時，在設置於蓋部78的各溫度測定元件92 A、92 B 測定晶圓溫度，溫度控制部1 20會根據該測定値在各區域 進行溫度控制。因此，可經常在面内均一性高的狀態下控 制晶圓W的溫度。 並且，在進行電漿處理時，藉由驅動高頻電源17，在 上部電極亦即噴灑頭部6與下部電極亦即載置台3 2之間 施加高頻，於處理空間S中產生電漿而進行所定的電漿處 理。而且，此時，由偏壓用的高頻電源1 1 6來施加高頻至 載置台3 2的導電性構件8 8，藉此可進行電漿離子的引進 〇 在此’於進行上述所定的處理的期間，是在支柱3 〇 内及載置台32的發熱板收容容器42内供給惰性氣體、例 如N2氣體’維持於比處理容器4内壓力高少許的陽壓狀 態。具體而言，一旦藉由惰性氣體供給系1 22來供給N2 氣體，則此N2氣體會被導入至支柱30内。並且，該& 氣體會經由各線路封入管用貫通孔82A、1 10A或線路用 -24- 200807513 (22) 貫通孔82C、1 10C來供給至發熱板收容容器42内。在此 由於N2氣體的壓力是被維持於陽壓狀態，因此該N2氣體 會經由支柱3 0與載置台3 2的接合部份的密封構件1 1 4、 或容器本體76與蓋部78的接合部份的密封構件100的些 微間隙，如箭號1 3 0、13 2 (參照圖2及圖4 )所示，僅些 微洩漏至處理容器4内。 因此，可防止使用於製程的處理氣體或腐蝕性氣體、 特別是触刻氣體或清潔時的清潔氣體侵入至支柱3 0内或 發熱板收容容器42内。此情況，當設置上述密封構件1 〇〇 、1 14的部份採用迷宮（Labyrinth)狀的密封構造102時 ，雖也依製程壓力而定，但只要將N2氣體的壓力例如設 定於lOTorr ( 1 3 3 3 Pa)以上，便可對處理容器4内設成稍 微高於臨界壓力比（〇 · 5 5 )程度的壓力，防止處理氣體等 的逆流，迷宮内部的流速=音速。 在此，當上述載置台構造2 9的一部份發生缺陷時， 由於構成該載置台構造29的構件可分解組裝，因此只要 更換發生該缺陷的構件即可。例如當發熱體3 8斷線時， 只要拔掉連結蓋部78與容器本體76的卡合銷98而開放 蓋部78，取代包含該發熱體38的發熱板40即可，其他的 支柱3 0或發熱板收容容器42可原封不動使用。又，同樣 地，若發熱板收容容器42、或支柱3 0發生缺陷（包含飽 刻等的消耗），則只要卸下結合兩者的螺栓構件1 1 2來解 開兩者的結合，更換新的零件即可。 並且，上述各零件的耐熱耐腐蝕性材料、或耐熱性材 -25- 200807513 (23) 料之上述絕緣性材料，可使用石英玻璃、或包含 AIN、 A12 Ο 3、S i 3 N 4的陶瓷材的其中任一個。 此情況，特別是求取耐蝕性的製程、或求取對熱衝撃 的耐性之製程、或求取對污染的耐性之製程等，可使用對 應於製程的最適材料來更換由上述各材料中所構成的同形 零件，藉此可在同設計下能夠實現對應於各種製程的載置 台構造。並且，在發熱板40中裝入發熱體38時，發熱體 3 8是沿著加熱器溝6 6内來收容，因此可防止一體成形時 變形，而得以形成按照設計的尺寸。 又，由於以螺栓構件1 1 2來裝卸自如地接合載置台3 2 與支柱3 0，因此與溶著該部份的以往裝置作比較，熱電阻 會變大。其結果，可抑止冷卻點的發生，所以該部份不僅 能夠防止熱衝撃（熱應力集中）所造成的破損發生，而且 可以容易進行該等零件的燒成或機械加工。另外，亦可不 使用上述螺栓構件1 1 2，而使用其他裝卸可能的接合構件 、例如藉由將設於支柱3 0的凸部嵌入設於容器本體7 6的 凹部中來接合之接合構件等。此凹部及凸部亦可相反設置 〇 - 又’由於處理氣體不會侵入至發熱板收容容器42内 ，因此可在載置台3 2的中心部以外更複數處（全體爲3 點以上）設置溫度測定元件92，可進行溫度精度高的控制 〇 又，上述實施例是將導電性構件8 8埋入蓋部7 8中形 成，但並非限於此’亦可予以在發熱板40上擴展於平面 -26- (24) (24)200807513 方向來設定。此情況，亦可非網格狀的構件，而使用擴展 成圓板狀的薄板狀的導電性構件。 <第2實施例> 以下說明有關改良上述導電性材料8 8的構造的第2 實施例。 在前述第1實施例的載置台構造中，導電性構件8 8 是埋入 ai2o3等所構成的陶瓷材中，予以一體燒成設置 。此情況，由於作爲下部電極或吸盤電極機能的導電性材 料8 8是被埋入至陶瓷材中，因此即使想要修補上述導電 性構件8 8的形狀或材質等，修補也會非常困難、或修補 本身無法進行，甚至因爲在高溫下、例如1 900°C程度燒成 ，所以材料只能使用 W (鎢）或Mo (鉬）等的高融點金 屬，電極材料會受限。 並且，在燒成前的柔軟陶瓷材中埋入上述導電性構件 8 8之後予以燒固，但在燒固前的柔軟陶瓷材中有時上述導 電性構件8 8會產生不等沈下的情況，上述導電性構件8 8 的埋入深度不會形成面内均一，產生不均。因此，與形成 於上方的電漿之間的静電電容會形成不均一，而恐會對電 漿的形成造成不良影響之虞。 而且，爲了取得對上述導電性構件8 8的電性導通， 必須在陶瓷製的蓋部形成從其下方到導電性構件8 8爲止 的接觸用孔，但恐會有以此孔作爲起點在蓋部發生破損等 之虞。 -27- 200807513 (25) 本發明的第2實施例是用以解決上述那樣的不良情況 之構成。圖6是表示本發明的載置台構造的第2實施例的 剖面圖。在此，針對與圖1及圖2所示構成部份相同的構 成部份賦予同樣的符號，而省略其説明。另外，在圖6中 省略了溫度測定元件92的記載。 亦即，在此不是將上述導電性構件8 8 —體燒成於陶 瓷材所構成的蓋部78中，而是設置於上述蓋部78與位於 下方的發熱板40之間。具體而言，圖6中是在所被燒成 的陶瓷材或石英玻璃所構成的蓋部7 8的下面（背面）直 接接合上述導電性構件8 8。此情況，最好是爲了防止金屬 污染，而以能夠覆蓋上述導電性構件8 8的表面全體（圖6 中的下面全體）之方式來設置耐熱絕緣性材料所構成的保 護層1 3 0。 此情況，從上述導電性構件8 8延伸的給電線路9 0也 是配線成通過上述支柱3 0内。並且，在發熱板4 0中形成 有貫通孔132，在此貫通孔132中插通上述給電線路90而 延伸至下方。上述導電性構件8 8當然爲W (鎢）或Mo ( 鉬）等的高融點金屬，但亦可使用 MoSi2、Ti2AlC、 Ti3SiC2等具有導電性的金屬間化合物等。 在此，上述導電性構件8 8是在將上述蓋部7 8的下面 硏磨成平坦狀之後，接合於該下面。在此導電性構件8 8 的接合時，可予以貼附，或藉由網版印刷等來形成。 又，上述保護層1 3 0可藉由溶射來塗佈耐熱絕緣性材 料的礬土（ Ah〇3 )或Y2〇3等，或者擴散接合液狀的材料 -28- 200807513 (26) 、或固相的材料，或如圖7所示之蓋部的部份擴大圖那樣 ’使用黏合劑136來貼附上述礬土（ AI2〇3 )或Y2〇3所構 成的薄板1 3 4。此情況的黏合劑1 3 6，例如可使用碳、 Si02 等。 另外’在此所被使用的蓋部78的厚度是與第1實施 例的情況相同，爲1〜20mm程度的範圍内，其理由是若 該厚度比1 mm更薄，則強度無法承受發熱板收容容器42 内與其外側的製程空間之間的差壓，且若比2 0mm更厚， 則該部份的阻抗（impedance )會過大，產生電漿電位變 局寺不良情況。 若根據該第2實施例，則不僅可發揮與先前第1實施 例同樣的作用效果，而且因爲導電性構件8 8不是一體燒 成於蓋部7 8中，例如設成貼附於蓋部7 8的下面，所以在 導電性構件8 8的修補或變更材料等時，可較容易取下保 護層1 3 0或該導電性構件8 8，因此可容易進行上述修補或 材料變更等。 並且，在接合導電性構件8 8時，只要將蓋部7 8的下 面硏磨成平坦狀即可，所以可將此導電性構件8 8予以均 * 一平坦地形成，因此可提高與形成於上方的電漿之間的静 電電容的面内均一性，進而能夠防止對電漿形成造成不良 的影響。 而且，爲了對上述導電性構件88取得對導電線路90 的導通，不必對蓋部7 8形成接觸用的孔，因此可大幅度 抑止對該蓋部78造成破損等之虞。 -29- 200807513 (27) 又，由於此導電性構件8 8的全體是被保護層 覆蓋，因此流動於該發熱體收容容器42内的1^2等 氣體不會與上述導電性構件8 8直接接觸’所以即ί 氣體等洩漏至處理空間S側’還是可以防止對晶圓 屬污染。 <第3實施例> 其次，說明有關上述載置台構造的第3實施例 述第2實施例時是接合於導電性構件8 8與蓋部7 8 ，但並非限於此，亦可接合於發熱板40的上面。 圖8是表示如此的本發明的載置台構造的第3 的部份剖面圖。在此，針對與圖1及圖6所示構成 同的構成部份賦予同樣的符號，而省略其説明。 如圖8所示，在此是在形成發熱板4 0的上部 6 8的上面接合上述導電性構件8 8。此情況’上述 構件8 8是與先前第2實施例的蓋部7 8的下面同樣 上述頂板6 8的上面硏磨成平坦狀之後’接合於上 後，最好是以能夠覆蓋該導電性構件8 8的上面全 式來形成保護層1 3 〇。 此導電性構件8 8的接合方法是使用溶射等的 前第2實施例同樣，且如圖7所説明那樣’亦可使 1 3 4及黏合劑1 3 6來接合。 此第3實施例的情況，亦可發揮與先前的第2 同樣的作用效果。 130所 的惰性 g該Ν2 產生金 。在上 的下面 實施例 部份相 之頂板 導電性 ’在將 面。然 面之方 點與先 用薄板 實施例 -30- 200807513 (28) <第4實施例> 其次，說明有關上述載置台構造的第4實施例。上述 第2及第3實施例是將導電性構件88設置於蓋部78與發 熱板40之間時爲例進行説明’但並非限於此’亦可設置 於蓋部78的上面側。 【圖式簡單說明】 圖1是表示本發明的熱處理裝置的剖面構成圖。 圖2是表示載置台構造的第1實施例的剖面圖。 圖3是表示載置台構造的發熱體的平面圖。 圖4 ( A ) ( B )是表示載置台構造之一部份的部份擴 大剖面圖。 圖5是表示載置台構造的分解裝配圖。 圖6是表示本發明的載置台構造的第2實施例的剖面 圖。 圖7是表示載置台構造的第2實施例的變形例的部份 擴大圖。 圖8是表示本發明的載置台構造的第3實施例的部份 剖面圖。 圖9是表示本發明的載置台構造的第4實施例的部份 剖面圖。 【主要元件符號說明】 -31 - 200807513 (29) 2 :熱處理裝置 4 :處理容器 6 :噴灑頭部 7 :絕緣層 8 =氣體噴射面 10A、10B :氣體噴射孔 12A、12B :氣體擴散室 1 4 :密封構件 1 5 :匹配電路 16 :搬出入口 1 7 :局頻電源 1 8 :閘閥 2 0 :底部 22 :排氣落入空間 24 :開口 2 6 :圓筒區劃壁 2 8 :底部 ' 29 :載置台構造 - 3 0 :支柱 3 2 :載置台 3 4 :排氣口 3 6 :排氣管 38 :發熱體 40 :發熱板 -32- 200807513 (30) 42 :發熱板收容容器 44 :銷揷通孔 46 :推舉銷 48 :推舉環 5 0 :臂部 52 :出没桿 5 4 :致動器 5 6 :波紋管 5 8 :凸緣部 6 0 :貫通孔 62 :密封構件 64 :台座 6 6 :加熱器溝 6 8 :平板 7 0 A :内周側的區域 7 0 B :外周側的區域 72 :給電線路 74 :線路封入管 76 :容器本體 7 8 :蓋部 8 0 :側壁 82A :線路封入管用貫通孔 82B :螺栓用貫通孔 8 2 C :線路用貫通孔 -33 (31) (31)200807513 84 :銷穴部 8 6 :側壁 8 8 :導電性構件 9 0 :導電線路 92A、92B :溫度測定元件 94A、94B :測定線路 96 :銷孔 98 :卡合銷 1〇〇 :密封構件 102 :密封構造 1 0 6 :頂板 1 10A :線路封入管用貫通孔 1 10B :螺栓用貫通孔 1 10C :線路用貫通孔 1 1 2 :螺栓構件 1 12A ：螺栓 1 12B ：螺冒 1 1 4 :密封構件 1 1 6 :高頻電源 1 1 8 :直流電源 1 18A、1 18B、1 18C :線路用貫通孔 1 2 0 A、1 2 0 B、1 2 0 C :密封構件 122 :惰性氣體供給系 1 3 0 :保護層 -34- 200807513 (32) 1 3 4 :薄板 1 3 6 :黏合劑 W :晶圓 -35

Claims (1)

  1. (1) (1)200807513 十、申請專利範圍 1 一種載置台構造，其特徵係具備： » ®台’其係配置於處理容器内，爲了對被處理體施 以所定的熱處理，而載置上述被處理體；及 筒體狀的支柱，其係使上述載置台由上述處理容器的 底部1A起而支持， 又’上述載置台係具備： 發熱板，其係具有：耐熱性材料、及埋入耐熱性材料 中，由電氣加熱源所構成的發熱體；及 耐熱耐腐蝕性材料製的發熱板收容容器，其係具有： 可在内部裝卸收容上述發熱板且具有開口的容器本體、及 可裝卸地安裝於容器本體的開口之蓋部。 2 ·如申請專利範圍第1項之載置台構造，其中，上 述蓋部的接合部係藉由耐熱耐腐鈾性材料所構成的卡合銷 來卡合於上述發熱板收容容器的容器本體。 3. 如申請專利範圍第2項之載置台構造，其中，在 上述蓋部與上述容器本體的接合部設有密封構件及/或密 封構造。 4. 如申請專利範圍第1項之載置台構造，其中，上 述發熱體係被分割成複數的區域，可在每個區域進行溫度 控制。 5. 如申請專利範圍第4項之載置台構造，其中，在 上述蓋部的背面側’使對應於上述區域而設有複數的溫度 測定元件° -36- 200807513 (2) 6 ·如申請專利範圍第5項之載置台構造，其中，上 述溫度測定元件的測定線路係延伸至上述支柱内。 7 ·如申請專利範圍第1項之載置台構造，其中，上 述支柱的上端部係藉由螺栓構件來可裝卸地安裝於上述載 置台的下面中央部。 8.如申請專利範圍第7項之載置台構造，其中，上 述螺栓構件係由耐熱性材料所構成。 9 ·如申請專利範圍第7項之載置台構造，其中，在 上述支柱的上端部與上述載置台的下面的接合部介設有密 封構件。 10·如申請專利範圍第1項之載置台構造，其中，從 上述發熱板，係封入用以進行給電至上述發熱體的給電線 路之耐熱性材料所構成的線路封入管會貫通上述容器本體 而延伸至上述支柱内。 11·如申請專利範圍第1項之載置台構造，其中，上 述支柱的内部與上述發熱板收容容器的内部係藉由惰性氣 體而形成陽壓狀態。 ^ 12.如申請專利範圍第1項之載置台構造，其中，在 - 上述蓋部中埋入有擴展於平面方向的導電性構件，且在該 導電性構件連接導電線路，此導電線路係延伸至上述支柱 内。 1 3 ·如申請專利範圍第1項之載置台構造，其中，在 上述發熱板上設有擴展於平面方向的導電性構件，且在該 導電性構件連接導電線路，此導電線路係延伸至上述支柱 •37- (3) (3)200807513 内。 14.如申請專利範圍第1項之載置台構造，其中，在 上述蓋部與上述發熱板之間設有擴展於平面方向的導電性 構件，且在該導電性構件連接導電線路，此導電線路係延 伸至上述支柱内。 1 5 ·如申請專利範圍第 1 4項之載置台構造，其中， 上述導電性構件係接合於上述蓋部的下面。 1 6 ·如申請專利範圍第1 4項之載置台構造，其中， 上述導電性構件係接合於上述發熱體的上面。 1 7 .如申請專利範圍第1 5項之載置台構造，其中， 在上述導電性構件的表面，以能夠覆蓋其全面的方式來設 置耐熱絕緣性材料所構成的保護層。 1 8.如申請專利範圍第1 6項之載置台構造，其中， 在上述導電性構件的表面，以能夠覆蓋其全面的方式來設 置耐熱絕緣性材料所構成的保護層。 19. 一種載置台構造，其特徵係具備： 載置台，其係配置於處理容器内，爲了對被處理體施 以所定的熱處理，而載置上述被處理體；及 筒體狀的支柱，其係使上述載置台由上述處理容器的 底部立起而支持， 又，上述載置台係具備： 發熱板，其係具有：耐熱性材料、及埋入耐熱性材料 中，由電氣加熱源所構成的發熱體； 耐熱耐腐蝕性材料製的發熱板收容容器，其係具有： -38- (4) (4)200807513 可在内部裝卸收容上述發熱板且具有開口的容器本體、及 裝卸自如地安裝於容器本體的開口之蓋部； 導電性材料，其係設置於上述蓋部的上面，擴展於平 面方向； 保護層’其係以能夠覆蓋上述導電性構件的表面全體 之方式設置’由耐熱絕緣性材料所構成；及 導電線路，其係連接至上述導電性構件。 20.如申請專利範圍第17、18或19項之載置台構造 ’其中’上述保護層係藉由塗佈上述耐熱絕緣性材料而形 成。 2 1 .如申請專利範圍第丨7、i 8或丨9項之載置台構造 ’其中’上述保護層係藉由利用黏合劑來接合上述耐熱絕 緣性材料所構成的薄板而形成。 22 ·如申請專利範圍第〗或丨9項之載置台構造，其 中’上述盘部的厚度爲1〜20mm的範圍内。 23·如申請專利範圍第丨或19項之載置台構造，其 中’上述耐熱性材料及耐熱耐腐鈾性材料係由絕緣性材料 所構成。 24·如申請專利範圍第23項之載置台構造，其中， 上述絕緣性材料係由石英玻璃、或包含AIN、 AI2〇3、 Si3N4的陶瓷材之其中任一個所構成。 25· —種熱處理裝置，其特徵係具備： 處理容器，其係可抽真空； 載置台構造，其係配置於處理容器内；及 -39- (5) (5)200807513 氣體供給手段，其係供給所定的處理氣體至上述處理 容器内， 又’上述載置台構造係具備： 載置台，其係配置於處理容器内，爲了對被處理體施 以所定的熱處理，而載置上述被處理體·，及 筒體狀的支柱，其係使上述載置台由上述處理容器的 底部立起而支持， 又’上述載置台係具備： 發熱板’其係具有：耐熱性材料、及埋入耐熱性材料 中，由電氣加熱源所構成的發熱體；及 耐熱耐腐蝕性材料製的發熱板收容容器，其係具有： 可在内部裝卸收容上述發熱板且具有開口的容器本體、及 可裝卸地安裝於容器本體的開口之蓋部。 26. —種熱處理裝置，其特徵係具備： 處理容器，其係可抽真空； 載置台構造’其係配置於處理容器内；及 氣體供給手段’其係供給所定的處理氣體至上述處理 容器内， 又，上述載置台構造係具備·· 載置台，其係配置於處理容器内，爲了對被處理體施 以所定的熱處理，而載置上述被處理體；及 筒體狀的支柱’其係使上述載置台由上述處理容器的 底部立起而支持， 又，上述載置台係具備： -40- 200807513 (6) 發熱板’其係具有：耐熱性材料、及埋入耐熱性材料 中，由電氣加熱源所構成的發熱體； 耐熱耐腐蝕性材料製的發熱板收容容器，其係具有： 可在内部裝卸收容上述發熱板且具有開口的容器本體、及 裝卸自如地安裝於容器本體的開口之蓋部； 導電性材料，其係設置於上述蓋部的上面，擴展於平 面方向； 保護層，其係以能夠覆蓋上述導電性構件的表面全體 之方式設置，由耐熱絕緣性材料所構成；及 導電線路，其係連接至上述導電性構件。 -41 -
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI463016B (zh) * 2008-09-26 2014-12-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 金屬熱處理裝置及金屬熱處理方法
TWI493639B (zh) * 2008-05-23 2015-07-21 Lam Res Corp 用以監控靜電夾盤邊緣珠粒材料之侵蝕的電與光學系統及方法
TWI837345B (zh) * 2019-04-19 2024-04-01 南韓商細美事有限公司 處理基板之裝置及方法

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7780440B2 (en) * 2004-10-19 2010-08-24 Canon Anelva Corporation Substrate supporting/transferring tray
US8206829B2 (en) * 2008-11-10 2012-06-26 Applied Materials, Inc. Plasma resistant coatings for plasma chamber components
CN102308380B (zh) * 2009-02-04 2014-06-04 马特森技术有限公司 用于径向调整衬底的表面上的温度轮廓的静电夹具系统及方法
JP2011222931A (ja) * 2009-12-28 2011-11-04 Tokyo Electron Ltd 載置台構造及び処理装置
JP5597072B2 (ja) * 2010-09-07 2014-10-01 株式会社日本セラテック シャフトおよび支持装置
WO2012050255A1 (ko) * 2010-10-15 2012-04-19 주식회사 썬닉스 온도 균일도가 우수한 반도체 제조용 적층형 스테이지 히터
KR101042284B1 (ko) * 2010-10-22 2011-06-17 주식회사 썬닉스 온도 균일도가 우수한 반도체 제조용 적층형 스테이지 히터
JP5816454B2 (ja) * 2011-05-09 2015-11-18 新光電気工業株式会社 基板温調固定装置
JP6017906B2 (ja) * 2011-10-19 2016-11-02 株式会社Kelk 温調装置
US10276410B2 (en) 2011-11-25 2019-04-30 Nhk Spring Co., Ltd. Substrate support device
JP5973731B2 (ja) 2012-01-13 2016-08-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びヒータの温度制御方法
KR101381181B1 (ko) * 2012-11-16 2014-04-04 주성엔지니어링(주) 서셉터 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP2015060877A (ja) * 2013-09-17 2015-03-30 トランスフォーム・ジャパン株式会社 基板処理装置
JP6007885B2 (ja) * 2013-11-14 2016-10-19 トヨタ自動車株式会社 プラズマｃｖｄ装置
CN103606508A (zh) * 2013-11-27 2014-02-26 苏州市奥普斯等离子体科技有限公司 一种颗粒材料表面等离子体处理装置
US20150194326A1 (en) * 2014-01-07 2015-07-09 Applied Materials, Inc. Pecvd ceramic heater with wide range of operating temperatures
JP6219227B2 (ja) * 2014-05-12 2017-10-25 東京エレクトロン株式会社 ヒータ給電機構及びステージの温度制御方法
CN104109750B (zh) * 2014-07-31 2016-10-05 江苏丰东热技术股份有限公司 一种适用于网带加热炉的残料挡板装置
CN105336644B (zh) * 2014-08-06 2018-07-03 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种热盘工艺腔气流均布装置
CN104195528A (zh) * 2014-09-05 2014-12-10 厦门大学 一种耦合高频振动的微型等离子增强化学气相沉积装置
JP5962833B2 (ja) * 2015-01-16 2016-08-03 Toto株式会社 静電チャック
CN104878370A (zh) * 2015-05-29 2015-09-02 沈阳拓荆科技有限公司 一种分体式可控温加热盘结构
US10256131B2 (en) 2015-08-27 2019-04-09 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Electrostatic chuck device
KR102348108B1 (ko) 2015-10-05 2022-01-10 주식회사 미코세라믹스 온도 편차 특성이 개선된 기판 가열 장치
JP7018882B2 (ja) * 2015-12-31 2022-02-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 処理チャンバのための高温ヒータ
KR20180112794A (ko) * 2016-01-22 2018-10-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 전도성 층들이 매립된 세라믹 샤워헤드
JP6837806B2 (ja) * 2016-10-31 2021-03-03 信越化学工業株式会社 加熱素子
JPWO2018135038A1 (ja) * 2017-01-18 2019-11-07 株式会社Ｉｈｉ 発熱体及び真空熱処理装置
US10674566B2 (en) * 2017-03-02 2020-06-02 Coorstek Kk Planar heater
US11848177B2 (en) * 2018-02-23 2023-12-19 Lam Research Corporation Multi-plate electrostatic chucks with ceramic baseplates
US11562890B2 (en) 2018-12-06 2023-01-24 Applied Materials, Inc. Corrosion resistant ground shield of processing chamber
KR102432592B1 (ko) * 2018-12-20 2022-08-18 엔지케이 인슐레이터 엘티디 세라믹 히터
JP7348877B2 (ja) * 2020-04-20 2023-09-21 日本碍子株式会社 セラミックヒータ及びその製法
JP7449806B2 (ja) 2020-07-28 2024-03-14 株式会社アルバック 吸着装置及び真空処理装置
JP7372224B2 (ja) * 2020-10-16 2023-10-31 日本碍子株式会社 ウエハ載置台
JP2022165477A (ja) * 2021-04-20 2022-11-01 日新イオン機器株式会社 ウエハ支持装置
CN114351107B (zh) * 2022-01-06 2023-10-13 北京北方华创微电子装备有限公司 承载装置及半导体工艺设备

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0493089B1 (en) * 1990-12-25 1998-09-16 Ngk Insulators, Ltd. Wafer heating apparatus and method for producing the same
KR100290748B1 (ko) 1993-01-29 2001-06-01 히가시 데쓰로 플라즈마 처리장치
JPH06244143A (ja) * 1993-02-15 1994-09-02 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP3165938B2 (ja) * 1993-06-24 2001-05-14 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置
JP3863582B2 (ja) * 1995-09-22 2006-12-27 松下電器産業株式会社 プラズマｃｖｄ装置
JP3253002B2 (ja) * 1995-12-27 2002-02-04 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US6035101A (en) * 1997-02-12 2000-03-07 Applied Materials, Inc. High temperature multi-layered alloy heater assembly and related methods
JP2001102435A (ja) * 1999-07-28 2001-04-13 Tokyo Electron Ltd 載置台構造及び処理装置
US6835916B2 (en) * 1999-08-09 2004-12-28 Ibiden, Co., Ltd Ceramic heater
KR100744860B1 (ko) * 2003-04-07 2007-08-01 동경 엘렉트론 주식회사 탑재대 구조체 및 이 탑재대 구조체를 갖는 열처리 장치
JP4380236B2 (ja) 2003-06-23 2009-12-09 東京エレクトロン株式会社 載置台及び熱処理装置
JP4627164B2 (ja) * 2003-08-18 2011-02-09 東京エレクトロン株式会社 基板保持構造物および基板処理装置
TWI281833B (en) * 2004-10-28 2007-05-21 Kyocera Corp Heater, wafer heating apparatus and method for manufacturing heater
KR100584189B1 (ko) 2005-03-16 2006-05-29 동경 엘렉트론 주식회사 기판가열기능을 구비한 기판 탑재 기구 및 기판 처리 장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI493639B (zh) * 2008-05-23 2015-07-21 Lam Res Corp 用以監控靜電夾盤邊緣珠粒材料之侵蝕的電與光學系統及方法
TWI463016B (zh) * 2008-09-26 2014-12-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 金屬熱處理裝置及金屬熱處理方法
TWI837345B (zh) * 2019-04-19 2024-04-01 南韓商細美事有限公司 處理基板之裝置及方法

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Publication number Publication date
KR101063104B1 (ko) 2011-09-07
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