KR102432592B1 - 세라믹 히터 - Google Patents
세라믹 히터 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102432592B1 KR102432592B1 KR1020207022066A KR20207022066A KR102432592B1 KR 102432592 B1 KR102432592 B1 KR 102432592B1 KR 1020207022066 A KR1020207022066 A KR 1020207022066A KR 20207022066 A KR20207022066 A KR 20207022066A KR 102432592 B1 KR102432592 B1 KR 102432592B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thermocouple
- ceramic plate
- long hole
- diameter
- starting point
- Prior art date
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 112
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 54
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 230000036581 peripheral resistance Effects 0.000 claims description 5
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
- G01K1/14—Supports; Fastening devices; Arrangements for mounting thermometers in particular locations
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/02—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/02—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
- G01K7/04—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples the object to be measured not forming one of the thermoelectric materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B1/00—Details of electric heating devices
- H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
- H05B1/0202—Switches
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B1/00—Details of electric heating devices
- H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
- H05B1/0227—Applications
- H05B1/023—Industrial applications
- H05B1/0233—Industrial applications for semiconductors manufacturing
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/02—Details
- H05B3/03—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/18—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor the conductor being embedded in an insulating material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
- H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
- H05B3/28—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material
- H05B3/283—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material the insulating material being an inorganic material, e.g. ceramic
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/68—Heating arrangements specially adapted for cooking plates or analogous hot-plates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/68—Heating arrangements specially adapted for cooking plates or analogous hot-plates
- H05B3/74—Non-metallic plates, e.g. vitroceramic, ceramic or glassceramic hobs, also including power or control circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
- H05B2203/002—Heaters using a particular layout for the resistive material or resistive elements
- H05B2203/003—Heaters using a particular layout for the resistive material or resistive elements using serpentine layout
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
- H05B2203/002—Heaters using a particular layout for the resistive material or resistive elements
- H05B2203/005—Heaters using a particular layout for the resistive material or resistive elements using multiple resistive elements or resistive zones isolated from each other
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
- H05B2203/016—Heaters using particular connecting means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
세라믹 히터(10)는, 내주측 및 외주측 저항 발열체(22, 24)를 내장한 세라믹 플레이트(20)와, 그 이면(20b)에 접합된 통형 샤프트(40)를 구비한다. 긴 구멍(26)은, 세라믹 플레이트(20)의 기점(26s)으로부터 세라믹 플레이트(20)의 외주부의 종단 위치(26e)까지 연장되어 있다. 긴 구멍(26)의 입구 부분은, 긴 홈(26a)으로 되어 있다. 긴 홈(26a)은, 기점(26s)으로부터 확장 영역(20f)에 이르도록 마련되어 있다. 단자(22a, 22b, 24a, 24b)는 샤프트 내 영역(20d) 중 긴 홈(26a) 이외의 위치에 마련되어 있다.
Description
본 발명은, 세라믹 히터에 관한 것이다.
종래, 세라믹 히터로서는, 웨이퍼 적재면을 갖는 원반형 세라믹 플레이트의 내주측과 외주측에 각각 독립적으로 저항 발열체를 매립한 2존 히터라 불리는 것이 알려져 있다. 예를 들어 특허문헌 1에는, 도 19에 도시한 샤프트를 구비한 세라믹 히터(410)가 개시되어 있다. 이 샤프트를 구비한 세라믹 히터(410)는, 세라믹 플레이트(420)의 외주측의 온도를 외주측 열전대(450)로 측정한다. 열전대 가이드(432)는, 통형 부재이며, 스트레이트 샤프트(440)의 내부에서 하방으로부터 상방으로 곧게 연장된 후 원호형으로 구부러져 90° 방향 전환되어 있다. 이 열전대 가이드(432)는, 세라믹 플레이트(420)의 이면 중 스트레이트 샤프트(440)로 둘러싸인 영역에 마련된 슬릿(426a)에 설치되어 있다. 슬릿(426a)은, 열전대 통로(426)의 입구 부분을 이룬다. 외주측 열전대(450)는, 열전대 가이드(432)의 통 내에 삽입되어 열전대 통로(426)의 종단 위치에 도달해 있다.
그러나, 세라믹 히터(410)에서는, 스트레이트 샤프트(440)를 사용하고 있기 때문에, 세라믹 플레이트(420)의 이면 중 스트레이트 샤프트(440)로 둘러싸인 영역에 차지하는 슬릿(426a)의 면적 비율이 컸다. 그 때문에, 2존 히터의 4개의 단자를 배치하는 영역이 슬릿(426a)에 의해 제한된다는 문제가 있었다.
본 발명은 이와 같은 과제를 해결하기 위해 이루어진 것이며, 다존 히터에 있어서, 단자 등의 배치의 자유도를 높이는 것을 주목적으로 한다.
본 발명의 세라믹 히터는,
웨이퍼 적재면을 갖는 원반형 세라믹 플레이트와,
소경부와 대경부를 갖고, 상기 세라믹 플레이트 중 상기 웨이퍼 적재면과는 반대측의 이면에 상기 대경부의 단부면이 접합된 통형 샤프트와,
상기 세라믹 플레이트의 내주부에 매설된 내주측 저항 발열체와,
상기 세라믹 플레이트의 외주부에 매설된 외주측 저항 발열체와,
상기 내주측 저항 발열체의 한 쌍의 단자 및 상기 외주측 저항 발열체의 한 쌍의 단자를 포함하는 부대 부품과,
상기 세라믹 플레이트의 상기 이면 중 상기 소경부의 내측 영역의 기점으로부터 상기 세라믹 플레이트의 외주부의 소정의 종단 위치에 이르는 긴 구멍
을 구비하고,
상기 통형 샤프트의 내부 공간은, 상기 소경부의 내경과 동일한 직경의 원통 공간과, 상기 원통 공간의 외측에 상기 대경부에 의해 둘러싸인 환형 확장 공간을 갖고,
상기 긴 구멍의 입구 부분은, 긴 홈이며,
상기 긴 홈은, 상기 기점으로부터 상기 세라믹 플레이트의 상기 이면 중 상기 확장 공간 내의 확장 영역에 이르도록 마련되고,
상기 부대 부품은, 상기 세라믹 플레이트의 상기 이면 중 상기 소경부의 내측 영역이며 상기 긴 홈 이외의 위치에 마련되어 있는 것이다.
이 세라믹 히터에서는, 통형 샤프트의 내부 공간은, 소경부의 내경과 동일한 직경의 원통 공간과, 그 원통 공간의 외측에 대경부에 의해 둘러싸인 환형 확장 공간을 갖고 있다. 긴 구멍은, 세라믹 플레이트의 이면 중 소경부의 내측 영역의 기점으로부터 세라믹 플레이트의 외주부로 연장되어 있다. 긴 구멍의 입구 부분은, 긴 홈이다. 긴 홈은, 긴 구멍의 기점으로부터 확장 영역에 이르도록 마련되어 있다. 부대 부품은, 세라믹 플레이트의 이면 중 소경부의 내측 영역이며 긴 홈 이외의 위치에 마련되어 있다. 세라믹 플레이트의 이면 중 소경부의 내측 영역에 차지하는 긴 홈의 비율은, 긴 홈이 확장 영역에 들어가도록 마련되어 있기 때문에, 긴 홈이 확장 영역에 들어가 있지 않는 경우(즉 확장 영역이 없는 경우)에 비해, 작아진다. 그 때문에, 단자 등의 부대 부품을 배치 가능한 영역은, 확장 영역이 없는 경우에 비해 넓어진다. 따라서, 다존 히터에 있어서, 단자 등의 배치의 자유도를 높일 수 있다.
본 발명의 세라믹 히터에 있어서, 상기 긴 홈은, 상기 세라믹 플레이트의 반경 방향을 따라서 마련되어 있어도 된다. 이렇게 하면, 동일한 길이의 긴 홈을 구비한 긴 구멍을 마련하는 경우, 긴 구멍의 길이가 최단으로 된다. 그 때문에, 긴 구멍에 의한 웨이퍼의 균열성에 대한 영향을 작게 할 수 있다.
본 발명의 세라믹 히터에 있어서, 상기 긴 홈은, 상기 세라믹 플레이트의 반경 방향으로부터 벗어난 방향을 따라서 마련되어 있어도 된다. 이렇게 하면, 세라믹 플레이트의 이면 중 소경부의 내측 영역의 중앙을 긴 홈이 통과하는 일이 없기 때문에, 단자의 배치의 자유도를 보다 높일 수 있다.
본 발명의 세라믹 히터에 있어서, 상기 긴 구멍은, 열전대를 삽입하는 열전대 삽입용 긴 구멍이어도 된다. 이렇게 하면, 긴 구멍을 이용하여 열전대를 삽입할 수 있다.
본 발명의 세라믹 히터에 있어서, 상기 긴 홈은, 상기 웨이퍼 적재면에 대하여 수직 방향으로부터 수평 방향으로 전환되는 만곡부를 구비한 열전대 가이드의 상기 만곡부를 배치하기 위해 사용되는 것으로 해도 된다. 이렇게 하면, 수직 방향으로부터 수평 방향으로 만곡된 통형 열전대 가이드를 구비한 다존 히터에 있어서, 단자 등의 배치의 자유도를 높일 수 있다.
또한, 「수직」이란, 완전히 수직인 경우 외에, 실질적으로 수직인 경우(예를 들어 공차의 범위에 들어가는 경우 등)도 포함한다. 「수평」도 마찬가지이다.
본 발명의 세라믹 히터에 있어서, 상기 확장 공간은, 상기 열전대 가이드의 상기 만곡부를 선회 가능한 크기의 공간이어도 된다. 이렇게 하면, 열전대 가이드의 만곡부를 확장 공간 내에서 선회시키면서 긴 홈에 배치할 수 있다. 따라서, 수직 방향으로부터 수평 방향으로 만곡된 통형 열전대 가이드를 용이하게 세트할 수 있다.
본 발명의 세라믹 히터에 있어서, 상기 긴 홈의 길이는, 상기 열전대 가이드의 상기 만곡부 중 상기 긴 홈에 배치되는 선단 부분의 길이 이상으로 되도록 정해져 있어도 된다. 이렇게 하면, 열전대 가이드를 보다 용이하게 세트할 수 있다.
본 발명의 세라믹 히터에 있어서, 상기 열전대 가이드의 상기 만곡부의 외경은 상기 수직부의 외경보다도 작아도 된다. 이렇게 하면, 긴 홈의 폭을 작게 할 수 있다.
본 발명의 세라믹 히터는, 상기 긴 홈에 배치된 상기 열전대 가이드를 구비하고 있어도 되고, 또한, 상기 열전대 가이드 및 상기 긴 구멍에 삽입된 열전대를 구비하고 있어도 된다. 상기 열전대를 구비하고 있는 경우, 상기 세라믹 플레이트를 상기 이면으로부터 보았을 때 상기 열전대의 측온부가 상기 외주측 저항 발열체의 폭 내에 들어가도록 배치되어 있어도 된다. 이렇게 하면, 외주측 저항 발열체의 온도 변화를 리스폰스 좋게 외주측 열전대의 측온부에서 검출할 수 있다.
본 발명의 세라믹 히터에 있어서, 상기 긴 구멍은, 단면 대략 사각형 구멍이며, 상기 구멍의 천장면과 측면의 경계부는, 곡률 반경이 0.5㎜ 이상인 R면(만곡면)이어도 된다. 이렇게 하면, 천장면과 측면의 경계부를 기점으로 하여 세라믹 플레이트에 크랙이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
본 발명의 세라믹 히터에 있어서, 상기 긴 구멍은, 상기 기점으로부터 상기 종단 위치까지의 도중에 테이퍼부를 갖고, 상기 기점으로부터 상기 테이퍼부의 일단까지는 광폭부이며, 상기 테이퍼부의 타단으로부터 상기 종단 위치까지는 협폭부여도 된다. 이렇게 하면, 외주측 열전대는 테이퍼부로 유도되어 긴 구멍에 원활하게 삽입할 수 있다. 또한, 열전대 가이드를 이용하여 외주측 열전대를 긴 구멍에 삽입하는 경우, 열전대 가이드가 테이퍼부와 맞닿도록 하면, 테이퍼부가 열전대 가이드를 일시적으로 고정하는 역할을 하기 때문에, 외주측 열전대를 삽입하기 쉽다.
본 발명의 세라믹 히터에 있어서, 상기 긴 구멍의 천장면은, 상기 기점으로부터 상기 종단 위치까지의 도중에 경사면을 갖고, 상기 천장면 중 상기 기점으로부터 상기 경사면까지의 깊이는 상기 경사면으로부터 상기 종단 위치까지의 깊이보다도 깊게 되어 있어도 된다. 이렇게 하면, 열전대 가이드를 이용하여 외주측 열전대를 긴 구멍에 원활하게 삽입할 수 있다. 또한, 상기 천장면과 상기 종단 위치의 수직 벽의 경계는 경사면으로 되어 있어도 된다.
본 발명의 세라믹 히터에 있어서, 상기 외주측 열전대의 측온부는 볼록형 곡면이며, 상기 긴 구멍의 종단부면 중 상기 외주측 열전대의 측온부가 접촉하는 부분은 오목형 곡면이어도 된다. 이렇게 하면, 외주측 열전대의 측온부가 원하는 측정점인 긴 구멍의 종단부면과 면접촉하거나 또는 그것에 가까운 상태에서 접촉하기 때문에, 측온 정밀도가 향상된다.
본 발명의 세라믹 히터에 있어서, 상기 긴 홈과 상기 부대 부품의 간격은, 2㎜ 이상이어도 된다. 이렇게 하면, 긴 홈과 부대 부품 사이가 너무 좁아 세라믹 플레이트에 크랙이 발생해 버리는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 세라믹 히터에 있어서, 상기 긴 구멍의 입구 부분의 벽은, 상기 긴 구멍의 안쪽을 향하여 만곡되어 있어도 된다. 이렇게 하면, 열전대 가이드를 사용하지 않아도, 입구 부분의 만곡된 벽을 이용하여 외주측 열전대를 원활하게 긴 구멍에 삽입할 수 있다.
도 1은 세라믹 히터(10)의 사시도.
도 2는 도 1의 A-A 단면도.
도 3은 도 1의 B-B 단면도.
도 4는 열전대 가이드(32)의 정면도.
도 5는 도 3의 중앙 부분의 확대도.
도 6은 열전대 가이드(32)의 설치 방법의 설명도.
도 7은 열전대 가이드(32)의 설치 방법의 설명도.
도 8은 열전대 가이드(32)의 다른 예의 정면도.
도 9는 외주측 열전대(50)의 측온부(50a)의 위치의 일례를 도시하는 설명도.
도 10은 긴 구멍(26)의 다른 예를 도시하는 설명도.
도 11은 상측 플레이트 P1의 이면을 상향으로 하였을 때의 사시도.
도 12는 다른 예의 긴 구멍(26)이 마련된 상측 플레이트 P1의 이면도.
도 13은 도 12의 C-C 단면도.
도 14는 도 12의 D-D 단면도.
도 15는 긴 구멍(26)에 삽입된 외주측 열전대(50)의 측온부(50a)의 다른 예의 평면도.
도 16은 긴 구멍(26)에 삽입된 외주측 열전대(50)의 측온부(50a)의 다른 예의 평면도.
도 17은 긴 홈(26a)과 부대 부품의 간격 G를 도시하는 설명도.
도 18은 긴 구멍(26) 및 긴 홈(26a)의 다른 예의 설명도.
도 19는 종래예의 설명도.
도 2는 도 1의 A-A 단면도.
도 3은 도 1의 B-B 단면도.
도 4는 열전대 가이드(32)의 정면도.
도 5는 도 3의 중앙 부분의 확대도.
도 6은 열전대 가이드(32)의 설치 방법의 설명도.
도 7은 열전대 가이드(32)의 설치 방법의 설명도.
도 8은 열전대 가이드(32)의 다른 예의 정면도.
도 9는 외주측 열전대(50)의 측온부(50a)의 위치의 일례를 도시하는 설명도.
도 10은 긴 구멍(26)의 다른 예를 도시하는 설명도.
도 11은 상측 플레이트 P1의 이면을 상향으로 하였을 때의 사시도.
도 12는 다른 예의 긴 구멍(26)이 마련된 상측 플레이트 P1의 이면도.
도 13은 도 12의 C-C 단면도.
도 14는 도 12의 D-D 단면도.
도 15는 긴 구멍(26)에 삽입된 외주측 열전대(50)의 측온부(50a)의 다른 예의 평면도.
도 16은 긴 구멍(26)에 삽입된 외주측 열전대(50)의 측온부(50a)의 다른 예의 평면도.
도 17은 긴 홈(26a)과 부대 부품의 간격 G를 도시하는 설명도.
도 18은 긴 구멍(26) 및 긴 홈(26a)의 다른 예의 설명도.
도 19는 종래예의 설명도.
본 발명의 적합한 실시 형태를, 도면을 참조하면서 이하에 설명한다. 도 1은 세라믹 히터(10)의 사시도, 도 2는 도 1의 A-A 단면도, 도 3은 도 1의 B-B 단면도, 도 4는 열전대 가이드(32)의 정면도, 도 5는 도 3의 중앙 부분의 확대도이다.
세라믹 히터(10)는, 에칭이나 CVD 등의 처리가 실시되는 웨이퍼 W를 가열하기 위해 사용되는 것이며, 도시하지 않은 진공 챔버 내에 설치된다. 이 세라믹 히터(10)는, 웨이퍼 적재면(20a)을 갖는 원반형 세라믹 플레이트(20)와, 세라믹 플레이트(20)의 웨이퍼 적재면(20a)과는 반대측의 면(이면)(20b)에 접합된 통형 샤프트(40)를 구비하고 있다.
세라믹 플레이트(20)는, 질화알루미늄이나 알루미나 등으로 대표되는 세라믹 재료를 포함하는 원반형 플레이트이다. 세라믹 플레이트(20)의 직경은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 300㎜ 정도이다. 세라믹 플레이트(20)는, 세라믹 플레이트(20)와 동심원형 가상 경계(20c)(도 3 참조)에 의해 소원형 내주측 존 Z1과 원환형 외주측 존 Z2로 나누어져 있다. 세라믹 플레이트(20)의 내주측 존 Z1에는 내주측 저항 발열체(22)가 매설되고, 외주측 존 Z2에는 외주측 저항 발열체(24)가 매설되어 있다. 양쪽 저항 발열체(22, 24)는, 예를 들어 몰리브덴, 텅스텐 또는 탄화텅스텐을 주성분으로 하는 코일로 구성되어 있다. 세라믹 플레이트(20)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 상측 플레이트 P1과 그 상측 플레이트 P1보다도 얇은 하측 플레이트 P2를 면접합함으로써 제작되어 있다.
통형 샤프트(40)는, 세라믹 플레이트(20)와 동일하게 질화알루미늄, 알루미나 등의 세라믹스로 형성되어 있다. 통형 샤프트(40)는, 소경부(40a)와 대경부(40b)를 구비하고 있다. 소경부(40a)는, 통형 샤프트(40)의 하단으로부터 소정 높이까지의 부분이며, 내경 d1의 통형부이다. 대경부(40b)는, 통형 샤프트(40)의 소정 높이로부터 직경 확대된 후 통형 샤프트(40)의 상단까지의 부분이며, 내경 d2(>d1)의 통형부이다. 통형 샤프트(40)는, 상단(대경부(40b)의 단부면)이 세라믹 플레이트(20)에 확산 접합되어 있다. 통형 샤프트(40)의 내부 공간(41)은, 소경부(40a)의 내경과 동일한 직경의 원통 공간(41a)과, 그 원통 공간(41a)의 외측에 대경부(40b)에 의해 둘러싸인 환형 확장 공간(41b)을 갖고 있다. 확장 공간(41b)은, 후술하는 열전대 가이드(32)의 만곡부(34)의 선단을 선회하면서 밀어넣는 것이 가능한 공간으로 되어 있다.
내주측 저항 발열체(22)는, 도 3에 도시한 바와 같이, 한 쌍의 단자(22a, 22b) 중 한쪽으로부터 시작하여, 끊김없이 한 번에 깔아놓는 형태로 복수의 폴딩부에서 폴딩되면서 내주측 존 Z1의 거의 전역에 배선된 후, 한 쌍의 단자(22a, 22b) 중 다른 쪽에 이르도록 형성되어 있다. 한 쌍의 단자(22a, 22b)는, 샤프트 내 영역(20d)(세라믹 플레이트(20)의 이면(20b) 중 소경부(40a)의 내측 영역)에 마련되어 있다. 한 쌍의 단자(22a, 22b)에는, 각각 금속제(예를 들어 Ni제)의 급전봉(42a, 42b)이 접합되어 있다.
외주측 저항 발열체(24)는, 도 3에 도시한 바와 같이, 한 쌍의 단자(24a, 24b) 중 한쪽으로부터 시작하여, 끊김없이 한 번에 깔아놓는 형태로 복수의 폴딩부에서 폴딩되면서 외주측 존 Z2의 거의 전역에 배선된 후 한 쌍의 단자(24a, 24b) 중 다른 쪽에 이르도록 형성되어 있다. 한 쌍의 단자(24a, 24b)는, 세라믹 플레이트(20)의 이면(20b)의 샤프트 내 영역(20d)에 마련되어 있다. 한 쌍의 단자(24a, 24b)에는, 각각 금속제(예를 들어 Ni제)의 급전봉(44a, 44b)이 접합되어 있다.
세라믹 플레이트(20)의 내부에는, 도 2에 도시한 바와 같이, 외주측 열전대(50)를 삽입하기 위한 긴 구멍(26)이 웨이퍼 적재면(20a)과 평행하게 마련되어 있다. 긴 구멍(26)은, 세라믹 플레이트(20)의 이면(20b) 중 샤프트 내 영역(20d)의 기점(26s)으로부터 세라믹 플레이트(20)의 외주부의 소정의 종단 위치(26e)에 이르고 있다. 긴 구멍(26)의 가로 폭은, 도 3에 도시한 바와 같이, 종단 위치(26e)의 전방으로부터 종단 위치(26e)를 향하여 점차 가늘게 되어 있다. 이 긴 구멍(26)은, 도 3 및 도 5에 도시한 바와 같이, 세라믹 플레이트(20)의 반경 방향으로부터 벗어난 방향을 따라서 마련되어 있다. 긴 구멍(26) 중, 기점(26s)으로부터 확장 영역(20f)(이면(20b) 중 확장 공간(41b) 내의 영역)에 이르는 입구 부분은, 열전대 가이드(32)의 만곡부(34)의 선단을 끼워 넣기 위한 긴 홈(26a)으로 되어 있다. 긴 홈(26a)은, 통형 샤프트(40)의 내부 공간(41)에 개구되어 있다. 본 실시 형태에서는, 긴 홈(26a)은, 기점(26s)으로부터 확장 영역(20f)의 외주연까지 연장되어 있다. 단자(22a, 22b, 24a, 24b)는, 샤프트 내 영역(20d)이며 긴 홈(26a) 이외의 위치에 마련되어 있다.
열전대 가이드(32)는, 도 4에 도시한 바와 같이, 가이드 구멍(32a)을 구비한 금속제(예를 들어 스테인리스제)의 통형 부재이다. 열전대 가이드(32)는, 웨이퍼 적재면(20a)에 대하여 수직 방향으로 연장되는 수직부(33)와, 수직 방향으로부터 수평 방향으로 전환되는 만곡부(34)를 구비하고 있다. 수직부(33)의 외경은 만곡부(34)의 외경보다 크지만, 수직부(33)의 내경은 만곡부(34)의 내경과 동일하다. 이와 같이 만곡부(34)의 외경을 작게 함으로써, 만곡부(34)를 삽입하는 긴 홈(26a)의 폭을 작게 할 수 있다. 단, 수직부(33)의 외경과 만곡부(34)의 외경을 동일하게 해도 된다. 만곡부(34)의 곡률 반경 R은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 30㎜ 정도이다. 열전대 가이드(32)의 가이드 구멍(32a)에는, 외주측 열전대(50)가 삽입 관통되어 있다. 만곡부(34)의 선단은, 긴 홈(26a) 내에 단순히 끼워 넣어져 있는 것만이어도 되고, 긴 홈(26a) 내에 접합 또는 접착되어 있어도 된다.
통형 샤프트(40)의 내부에는, 도 2에 도시한 바와 같이, 내주측 저항 발열체(22)의 한 쌍의 단자(22a, 22b)의 각각에 접속되는 급전봉(42a, 42b)이나 외주측 저항 발열체(24)의 한 쌍의 단자(24a, 24b)의 각각에 접속되는 급전봉(44a, 44b)이 배치되어 있다. 통형 샤프트(40)의 내부에는, 세라믹 플레이트(20)의 중앙 부근의 온도를 측정하기 위한 내주측 열전대(48)나 세라믹 플레이트(20)의 외주 부근의 온도를 측정하기 위한 외주측 열전대(50)도 배치되어 있다. 내주측 열전대(48)는, 세라믹 플레이트(20)의 이면(20b)에 형성된 오목부(49)에 삽입되어, 선단의 측온부(48a)가 세라믹 플레이트(20)에 접촉하고 있다. 오목부(49)는, 각 단자(22a, 22b, 24a, 24b)나 긴 홈(26a)과 간섭하지 않는 위치에 마련되어 있다. 외주측 열전대(50)는, 시스 열전대이며, 열전대 가이드(32)의 가이드 구멍(32a) 및 긴 구멍(26)을 통과하여, 선단의 측온부(50a)가 긴 구멍(26)의 종단 위치(26e)에 도달해 있다.
열전대 가이드(32)는, 세라믹 히터(10)의 제조 공정의 종반에서 설치된다. 이때의 모습을 도 6 및 도 7에 도시한다. 도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이, 세라믹 플레이트(20)의 이면(20b)에 노출되어 있는 단자(22a, 22b, 24a, 24b)의 각각에 급전봉(42a, 42b, 44a, 44b)을 접합하고, 세라믹 플레이트(20)의 이면(20b)에 통형 샤프트(40)를 접합한 후, 열전대 가이드(32)를 설치한다. 본 실시 형태에서는, 열전대 가이드(32)의 만곡부(34)의 방향을 긴 구멍(26)의 입구 부분인 긴 홈(26a)의 방향에 맞춘 후, 열전대 가이드(32)를 통형 샤프트(40)의 소경부(40a)에 넣으려고 해도, 긴 구멍(26) 및 그 연장선이 샤프트 내 영역(20d)에 나타나는 거리는 만곡부(34)의 선단으로부터 수직부(33)까지의 수평 거리보다 짧아, 만곡부(34)가 소경부(40a)에 걸리기 때문에, 그대로는 열전대 가이드(32)를 소경부(40a)에 넣을 수는 없다. 그 때문에, 먼저, 열전대 가이드(32)의 만곡부(34)를 소경부(40a)나 급전봉(42a, 42b, 44a, 44b)에 간섭하지 않는 자세(도 6 및 도 7의 일점쇄선의 열전대 가이드(32) 참조)로 한 후, 만곡부(34)를 세라믹 플레이트(20)의 이면(20b)에 접근시킨다. 그리고, 만곡부(34)의 선단이 대경부(40b)의 내부 공간에 도달한 후, 열전대 가이드(32)를 선회시켜 만곡부(34)의 선단이 확장 공간(41b)에 들어가도록 하면서 만곡부(34)의 선단을 긴 홈(26a)에 끼워 넣는다(도 6 및 도 7의 실선의 열전대 가이드(32) 참조). 그 후, 열전대 가이드(32)의 가이드 구멍(32a)에 외주측 열전대(50)를 삽입 관통하여 측온부(50a)를 긴 구멍(26)의 종단 위치(26e)에 도달시킨다.
다음에, 세라믹 히터(10)의 사용예에 대하여 설명한다. 먼저, 도시하지 않은 진공 챔버 내에 세라믹 히터(10)를 설치하고, 그 세라믹 히터(10)의 웨이퍼 적재면(20a)에 웨이퍼 W를 적재한다. 그리고, 내주측 열전대(48)에 의해 검출된 온도가 미리 정해진 내주측 목표 온도가 되도록 내주측 저항 발열체(22)에 공급하는 전력을 조정함과 함께, 외주측 열전대(50)에 의해 검출된 온도가 미리 정해진 외주측 목표 온도가 되도록 외주측 저항 발열체(24)에 공급하는 전력을 조정한다. 이에 의해, 웨이퍼 W의 온도가 원하는 온도가 되도록 제어된다. 그리고, 진공 챔버 내를 진공 분위기 혹은 감압 분위기가 되도록 설정하고, 진공 챔버 내에 플라스마를 발생시키고, 그 플라스마를 이용하여 웨이퍼 W에 CVD 성막을 실시하거나 에칭을 실시하거나 한다.
이상 설명한 본 실시 형태의 세라믹 히터(10)에서는, 샤프트 내 영역(20d)(세라믹 플레이트(20)의 이면(20b) 중 소경부(40a)의 내측 영역)에 차지하는 긴 홈(26a)의 비율은, 긴 홈(26a)이 확장 영역(20f)에 들어가도록 마련되어 있기 때문에, 긴 홈(26a)과 동일한 길이의 긴 홈을 확장 영역이 없는 스트레이트 샤프트 내에 마련하는 경우에 비해, 작아진다. 그 때문에, 단자(22a, 22b, 24a, 24b)나 오목부(49) 등의 부대 부품을 배치 가능한 영역은, 확장 영역이 없는 경우에 비해 넓어진다. 따라서, 수직 방향으로부터 수평 방향으로 만곡된 통형 열전대 가이드(32)를 구비한 다존 히터에 있어서, 단자 등의 배치의 자유도를 높일 수 있다.
또한, 통형 샤프트(40)는 대경부(40b)를 갖고 있기 때문에, 대경부(40b)를 갖고 있지 않는 스트레이트 샤프트에 비해, 샤프트 상단으로부터 샤프트 하단까지의 열전도 거리가 길어져, 샤프트 하단의 온도를 낮게 할 수 있다. 샤프트 하단은 O링을 통해 도시하지 않은 챔버에 고정되기 때문에, 샤프트 하단의 온도가 낮을수록 O링의 내구성이 향상된다.
또한, 긴 홈(26a)은 세라믹 플레이트(20)의 반경 방향으로부터 벗어난 방향을 따라서 마련되어 있기 때문에, 샤프트 내 영역(20d)의 중앙을 긴 홈(26a)이 통과하는 일이 없다. 따라서, 단자의 배치의 자유도를 보다 높일 수 있다. 또한, 확장 영역(20f)에 차지하는 긴 홈(26a)의 거리를 길게 할 수 있고, 샤프트 내 영역(20d)에 차지하는 긴 홈(26a)의 거리를 짧게 할 수 있다.
또한, 확장 공간(41b)은 열전대 가이드(32)의 만곡부(34)를 선회 가능한 크기의 공간이다. 그 때문에, 열전대 가이드(32)의 만곡부(34)를 확장 공간(41b) 내에서 선회시키면서 긴 홈에 배치할 수 있다. 따라서, 열전대 가이드(32)를 용이하게 세트할 수 있다.
또한, 긴 구멍(26)의 입구 부분인 긴 홈(26a)의 길이는, 열전대 가이드(32)의 만곡부(34) 중 긴 홈(26a)에 배치되는 선단 부분의 길이 이상이 되도록 정해져 있다. 그 때문에, 열전대 가이드(32)를 보다 용이하게 세트할 수 있다.
그리고, 열전대 가이드(32)의 만곡부(34)의 외경을 수직부(33)의 외경보다도 작게 하였기 때문에, 긴 홈(26a)의 폭을 작게 할 수 있다.
그리고 또한, 열전대 가이드(32)의 만곡부(34)의 곡률 반경 R을 비교적 크게 할 수 있기 때문에, 열전대 가이드(32)에 삽입된 외주측 열전대(50)를 원활하게 방향 전환할 수 있다.
그리고 또한, 긴 구멍(26)의 가로 폭은 종단 위치(26e)의 전방으로부터 종단 위치(26e)를 향하여 점차 가늘게 되어 있기 때문에, 외주측 열전대(50)의 측온부(50a)를 원하는 측정점(세라믹 플레이트(20) 중 종단 위치(26e)의 근방의 점)에 배치하기 쉽다.
여기서, 본 발명은 상술한 실시 형태에 전혀 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 한 다양한 양태로 실시할 수 있음은 물론이다.
예를 들어, 상술한 실시 형태에 있어서, 열전대 가이드(32)는, 도 8에 도시한 바와 같이, 만곡부(34)의 출구에 연결되어 웨이퍼 적재면(20a)에 대하여 수평 방향으로 연장되는 수평부(35)를 구비하고 있어도 된다. 이렇게 하면, 보다 원활하게 외주측 열전대(50)를 긴 구멍(26)으로 유도할 수 있다. 또한, 이와 같은 수평부(35)를 갖는 열전대 가이드(32)는, 긴 홈(26a)에 배치되는 부분이 길어진다. 그 때문에, 그것에 맞추어 긴 홈(26a)의 길이를 설정하는 것이 바람직하다.
상술한 실시 형태에 있어서, 긴 구멍(26) 내의 외주측 열전대(50)의 측온부(50a)는, 도 9에 도시한 바와 같이, 이면(20b)으로부터 보았을 때 외주측 저항 발열체(24)의 폭(즉 코일의 폭 w) 내에 들어가도록 배치해도 된다. 외주측 저항 발열체(24)가 코일형이 아니라 리본형(가늘고 긴 평판형)인 경우에는, 그 리본의 폭 내에 들어가도록 배치해도 된다. 이렇게 하면, 외주측 저항 발열체(24)의 온도 변화를 리스폰스 좋게 외주측 열전대(50)의 측온부(50a)에서 검출할 수 있다.
상술한 실시 형태에서는, 긴 홈(26a)을 포함하는 긴 구멍(26)을, 세라믹 플레이트(20)의 반경 방향으로부터 벗어난 방향을 따라서 마련하였지만, 도 10의 실선으로 나타낸 바와 같이, 세라믹 플레이트(20)의 반경 방향을 따라서 마련해도 된다. 도 10의 일점쇄선은 상술한 실시 형태의 긴 구멍(26)이며, 실선의 긴 구멍(26)은 일점쇄선의 긴 구멍(26)과 동일한 종단 위치(26e)에서 동일한 길이 L의 긴 홈(26a)을 구비한 것이다. 실선의 긴 구멍(26)의 길이는, 일점쇄선의 긴 구멍(26)보다도 도 10의 점선 부분의 길이만큼 짧아진다(최단이 된다). 긴 구멍(26)은 공동이기 때문에 길수록 웨이퍼 W의 균열성에 대한 영향이 커지지만, 도 10의 실선의 긴 구멍(26)을 채용하면, 긴 구멍(26)에 의한 웨이퍼 W의 균열성에 대한 영향을 작게 할 수 있다.
상술한 실시 형태에서는, 양쪽 저항 발열체(22, 24)를 코일 형상으로 하였지만, 특별히 코일 형상에 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 인쇄 패턴이어도 되고, 리본 형상이나 메쉬 형상 등이어도 된다.
상술한 실시 형태에 있어서, 세라믹 플레이트(20)에 저항 발열체(22, 24)에 더하여 정전 전극이나 RF 전극을 내장해도 된다. 정전 전극이 내장되는 경우에는, 세라믹 플레이트(20)의 샤프트 내 영역(20d)에 정전 전극의 단자(부대 부품의 하나)가 마련된다. 정전 전극의 단자는 샤프트 내 영역(20d)에서 긴 홈(26a) 이외의 위치에 마련된다. RF 전극이 내장되는 경우에는, 세라믹 플레이트(20)의 샤프트 내 영역(20d)에 RF 전극의 단자(부대 부품의 하나)가 마련된다. RF 전극의 단자는 샤프트 내 영역(20d)에서 긴 홈(26a) 이외의 위치에 마련된다.
상술한 실시 형태에서는, 열전대 가이드(32)의 상하 방향의 길이를 통형 샤프트(40)의 높이와 거의 동일하게 하였지만, 통형 샤프트(40)의 높이보다 짧게 해도 되고 길게 해도 된다.
상술한 실시 형태에 있어서, 내주측 존 Z1을 복수의 내주측 소존으로 나누어 내주측 소존마다 저항 발열체를 끊김없이 한 번에 깔아놓는 형태로 배선해도 된다. 또한, 외주측 존 Z2를 복수의 외주측 소존으로 나누어 외주측 소존마다 저항 발열체를 끊김없이 한 번에 깔아놓는 형태로 배선해도 된다. 단자의 수는 소존의 수에 따라서 증가되지만, 상술한 실시 형태에서는 긴 홈(26a)이 확장 영역(20f)에 들어가도록 마련되어 있기 때문에, 단자 등을 배치 가능한 영역이 넓어진다. 그 때문에, 단자의 수가 많아져도 대응할 수 있다.
상술한 실시 형태에서는, 오목부(49)의 위치는 긴 홈(26a)의 위치를 정한 후에 정해도 되고, 긴 홈(26a)의 위치를 정하기 전에 정해도 된다. 후자의 경우, 오목부(49)를 부대 부품의 하나로 간주하고, 긴 홈(26a)은 오목부(49)를 통과하지 않도록 정하게 된다.
상술한 실시 형태에서는, 세라믹 플레이트(20)의 단자(22a, 22b, 24a, 24b)의 각각에 급전봉(42a, 42b, 44a, 44b)을 접합하고, 세라믹 플레이트(20)의 이면(20b)에 통형 샤프트(40)를 접합한 후, 열전대 가이드(32)를 설치하였지만, 설치 수순은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 세라믹 플레이트(20)의 이면(20b)에 통형 샤프트(40)를 접합하고, 열전대 가이드(32)를 설치한 후, 단자(22a, 22b, 24a, 24b)의 각각에 급전봉(42a, 42b, 44a, 44b)을 접합해도 된다.
상술한 실시 형태의 긴 구멍(26)을, 도 11에 도시한 형상으로 해도 된다. 도 11은 상측 플레이트 P1로부터 하측 플레이트 P2를 분리하고, 그 상측 플레이트 P1의 이면을 상향으로 하였을 때의 사시도이다. 긴 구멍(26)은, 단면 대략 사각형 구멍이며, 긴 구멍(26)의 저면과 측면의 경계부(26b)는 R면으로 되어 있다. R면의 곡률 반경은 0.5㎜ 이상(예를 들어 1㎜)인 것이 바람직하다. 이렇게 하면, 긴 구멍(26)의 저면(도 2에서는 천장면)과 측면의 경계부(26b)를 기점으로 하여 세라믹 플레이트(20)에 크랙이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 구체적으로는, 상측 플레이트 P1과 하측 플레이트 P2를 가열 가압 조건(예를 들어 1600℃ 이상의 온도에서 7.0㎏/㎠ 이상의 압력이라는 조건)에서 접합할 때 경계부(26b)를 기점으로 하여 세라믹 플레이트(20)에 크랙이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 덧붙여서 말하면, 크랙은 경계부(26b)의 곡률 반경을 0.1㎜, 0.3㎜으로 하였을 때는 발생하였지만, 0.5㎜, 0.7㎜, 0.9㎜로 하였을 때는 발생하지 않았다.
상술한 실시 형태에서는, 열전대 가이드(32)를 긴 홈(26a) 및 긴 구멍(26)에 설치하였지만, 외주측 열전대(50)를 긴 구멍(26)에 삽입할 때는 열전대 가이드(32)를 긴 홈(26a) 및 긴 구멍(26)에 배치하고, 외주측 열전대(50)를 긴 구멍(26)에 삽입한 후에는 열전대 가이드(32)를 제거해도 된다. 혹은, 열전대 가이드(32)를 사용하지 않고, 외주측 열전대(50)를 긴 구멍(26)에 삽입해도 된다.
상술한 실시 형태에 있어서, 긴 구멍(26)을, 단면이 대략 사각형이며 기점(26s)으로부터 종단 위치(26e)까지 일정한 가로 폭의 구멍으로 해도 된다. 이 긴 구멍(26)의 종단부면(종단 위치(26e)에 있어서의 수직 벽)과 긴 구멍(26)의 긴 변 방향으로 연장되는 측면의 경계부는, 에지가 생기지 않도록 C면 또는 R면으로 되어 있는 것이 바람직하다. 이때의 긴 구멍(26) 및 긴 홈(26a)의 가로 폭은 9㎜ 이하로 하는 것이 바람직하다. 가로 폭이 9㎜ 이하이면, 외주측 열전대(50)를 삽입할 때 외주측 열전대(50)가 왜곡되기 어려워, 원하는 측정점(세라믹 플레이트(20) 중 종단 위치(26e)의 근방의 점)에 외주측 열전대(50)의 측온부(50a)를 배치하기 쉽기 때문이다. 긴 구멍(26) 및 긴 홈(26a)에 열전대 가이드(32)의 만곡부(34)를 삽입하는 경우에는, 긴 구멍(26) 및 긴 홈(26a)의 가로 폭은 만곡부(34)의 외경보다도 크면 되지만, 폭 방향의 클리어런스(긴 구멍(26) 및 긴 홈(26a)의 가로 폭으로부터 만곡부(34)의 외경을 뺀 값)가 너무 크면 열의 손실에 의해 측온 정밀도가 저하된다는 점에서, 폭 방향의 클리어런스를 2㎜ 이하로 하는 것이 바람직하다. 마찬가지로 깊이 방향의 클리어런스도 2㎜ 이하로 하는 것이 바람직하다. 또한, 열전대 가이드(32)를 사용하지 않고 외주측 열전대(50)를 그대로 삽입하는 경우에는, 긴 구멍(26) 및 긴 홈(26a)의 가로 폭은 외주측 열전대(50)의 외경보다도 크면 되지만, 조금 전과 마찬가지의 이유로 폭 방향의 클리어런스(긴 구멍(26) 및 긴 홈(26a)의 가로 폭으로부터 외주측 열전대(50)의 외경을 뺀 값)를 2㎜ 이하로 하는 것이 바람직하다. 마찬가지로 깊이 방향의 클리어런스도 2㎜ 이하로 하는 것이 바람직하다.
상술한 실시 형태에 있어서, 긴 구멍(26)으로서, 도 12 내지 도 14에 도시한 다른 예의 긴 구멍(26)을 채용해도 된다. 도 12는 다른 예의 긴 구멍(26)이 마련된 상측 플레이트 P1의 이면도, 도 13은 도 12의 C-C 단면도, 도 14는 도 12의 D-D 단면도이다. 이 긴 구멍(26)은, 평면으로 보았을 때, 기점(26s)으로부터 종단 위치(26e)까지의 도중에 테이퍼부(261)를 갖고, 기점(26s)으로부터 테이퍼부(261)의 일단까지를 광폭부(262)라 하고, 테이퍼부(261)의 타단으로부터 종단 위치(26e)까지를 협폭부(263)라 한 것이다. 광폭부(262)의 폭 W 및 협폭부(263)의 폭 w는 9㎜ 이하가 바람직하다. 폭 W, w가 9㎜ 이하이면, 외주측 열전대(50)를 삽입할 때 외주측 열전대(50)가 왜곡되기 어려워, 원하는 측정점 M에 측온부(50a)를 배치하기 쉽기 때문이다. 긴 구멍(26)에 열전대 가이드(32)의 만곡부(34)를 배치하는 경우에는, 광폭부(262)의 폭 W는 만곡부(34)의 외경 D보다도 크면 되고, 협폭부(263)의 폭 w는 외주측 열전대(50)의 외경 d보다도 크면 되지만, 조금 전과 마찬가지의 이유로 각각의 폭 방향의 클리어런스(광폭부(262)의 폭 W로부터 만곡부(34)의 외경 D를 뺀 값 및 협폭부(263)의 폭 w로부터 외주측 열전대(50)의 외경 d를 뺀 값)를 2㎜ 이하로 하는 것이 바람직하다. 마찬가지로 깊이 방향의 클리어런스도 2㎜ 이하로 하는 것이 바람직하다. 이때, 만곡부(34)가 테이퍼부(261)와 맞닿도록 하면, 테이퍼부(261)가 열전대 가이드(32)를 일시적으로 고정하는 역할을 하기 때문에, 외주측 열전대(50)를 협폭부(263)에 한층 더 삽입하기 쉬워진다. 테이퍼부(261)의 구배 θ는 2° 이상 5° 이하로 하는 것이 바람직하고, 3° 이상 4° 이하(예를 들어 3.4°)로 하는 것이 보다 바람직하다. 긴 구멍(26)의 저면(26p)(도 2에서는 천장면)은, 도 14에 도시한 바와 같이, 기점(26s)으로부터 종단 위치(26e)까지의 도중에 경사형 단차(26q)를 구비하고 있다. 저면(26p) 중 기점(26s)으로부터 단차(26q)까지의 깊이는 단차(26q)로부터 종단 위치(26e)까지의 깊이보다도 깊다. 저면(26p)과 종단 위치(26e)의 수직 벽의 경계는, 경사면(26r)으로 되어 있다. 열전대 가이드(32)의 만곡부(34)는, 저면(26p) 중 기점(26s)으로부터 단차(26q)까지의 부분에 배치되고, 외주측 열전대(50)는 저면(26p) 중 단차(26q)로부터 종단 위치(26e)까지의 부분을 따르도록 삽입된다. 그 때문에, 열전대 가이드(32)를 이용하여 외주측 열전대(50)를 긴 구멍(26)에 원활하게 삽입할 수 있다. 또한, 경사면(26r)의 존재에 의해, 측온부(50a)와 저면(26p)의 간극이 작아지기 때문에, 측온부(50a)의 측온 정밀도가 향상된다. 또한, 긴 구멍(26)의 저면(26p)을 평탄면으로 해도 된다. 열전대 가이드(32)를 사용하지 않고 긴 구멍(26)에 외주측 열전대(50)를 그대로 삽입하는 경우에는, 광폭부(262)의 폭 W 및 협폭부(263)의 폭 w는 모두 외주측 열전대(50)의 외경 d보다도 크면 되지만, 조금 전과 마찬가지의 이유로 각각의 폭 방향의 클리어런스(광폭부(262)의 폭 W로부터 외주측 열전대(50)의 외경 d를 뺀 값 및 협폭부(263)의 폭 w로부터 외주측 열전대(50)의 외경 d를 뺀 값)를 2㎜ 이하로 하는 것이 바람직하다. 마찬가지로 깊이 방향의 클리어런스도 2㎜ 이하로 하는 것이 바람직하다.
상술한 실시 형태에 있어서, 외주측 열전대(50)의 외경 d는 0.5㎜ 이상 2㎜ 이하로 하는 것이 바람직하다. 외경 d가 0.5㎜ 미만이면, 외주측 열전대(50)를 긴 구멍(26)에 삽입할 때 구부러져 버려, 종단 위치(26e)까지 삽입하는 것이 곤란해진다. 외경 d가 2㎜를 초과하면, 외주측 열전대(50)의 유연성이 없어지기 때문에 외주측 열전대(50)를 종단 위치(26e)까지 삽입하는 것이 곤란해진다.
상술한 실시 형태에 있어서, 도 15 및 도 16에 도시한 바와 같이, 외주측 열전대(50)의 측온부(50a)를 볼록형 곡면으로 하고, 긴 구멍(26)의 종단부면(종단 위치(26e)에 있어서의 수직 벽) 중 측온부(50a)가 접촉하는 부분을 오목형 곡면으로 해도 된다. 이렇게 하면, 외주측 열전대(50)의 측온부(50a)가 원하는 측정점 M인 긴 구멍(26)의 종단부면과 면접촉하거나 또는 그것에 가까운 상태에서 접촉하기 때문에, 측온 정밀도가 향상된다.
상술한 실시 형태에 있어서, 도 17에 도시한 바와 같이, 긴 홈(26a)과 부대 부품(단자(22a, 22b, 24a, 24b)나 오목부(49))의 간격 G는, 2㎜ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 이렇게 하면, 긴 홈(26a)과 부대 부품 사이가 너무 좁아 세라믹 플레이트(20)에 크랙이 발생해 버리는 것을 방지할 수 있다.
상술한 실시 형태에 있어서, 도 18에 도시한 바와 같이, 긴 구멍(26) 및 긴 홈(26a)의 기점(26s)측의 수직 벽을, 세라믹 플레이트(20)의 이면(20b)으로부터 긴 구멍(26)의 안쪽을 향하여 만곡시켜도 된다. 이렇게 하면, 열전대 가이드(32)를 사용하지 않아도, 기점(26s)에 있어서의 만곡된 수직 벽을 이용하여 외주측 열전대(50)를 원활하게 긴 구멍(26)에 삽입할 수 있다.
본 출원은, 2018년 12월 20일에 출원된 일본 특허 출원 제2018-238226호를 우선권 주장의 기초로 하고 있으며, 인용에 의해 그 내용 모두가 본 명세서에 포함된다.
본 발명은, 예를 들어 웨이퍼에 처리를 실시하는 데 사용되는 반도체 제조 장치용 부재로서 이용 가능하다.
10, 410: 세라믹 히터
20, 420: 세라믹 플레이트
20a: 웨이퍼 적재면
20b: 이면
20c: 가상 경계
20d: 샤프트 내 영역
20f: 확장 영역
22: 내주측 저항 발열체
22a, 22b: 단자
24: 외주측 저항 발열체
24a, 24b: 단자
26: 긴 구멍
26a: 긴 홈
26b: 경계부
26e: 종단 위치
26P: 저면
26q: 단차
26r: 경사면
26s: 기점
32, 432: 열전대 가이드
32a: 가이드 구멍
33: 수직부
34: 만곡부
35: 수평부
40: 통형 샤프트
40a: 소경부
40b: 대경부
41: 내부 공간
41a: 원통 공간
41b: 확장 공간
42a, 42b, 44a, 44b: 급전봉
48: 내주측 열전대
48a: 측온부
49: 오목부
50: 외주측 열전대
50a: 측온부
261: 테이퍼부
262: 광폭부
263: 협폭부
450: 외주측 열전대
426: 열전대 통로
426a: 슬릿
440: 스트레이트 샤프트
G: 간격
P1: 상측 플레이트
P2: 하측 플레이트
W: 웨이퍼
Z1: 내주측 존
Z2: 외주측 존
20, 420: 세라믹 플레이트
20a: 웨이퍼 적재면
20b: 이면
20c: 가상 경계
20d: 샤프트 내 영역
20f: 확장 영역
22: 내주측 저항 발열체
22a, 22b: 단자
24: 외주측 저항 발열체
24a, 24b: 단자
26: 긴 구멍
26a: 긴 홈
26b: 경계부
26e: 종단 위치
26P: 저면
26q: 단차
26r: 경사면
26s: 기점
32, 432: 열전대 가이드
32a: 가이드 구멍
33: 수직부
34: 만곡부
35: 수평부
40: 통형 샤프트
40a: 소경부
40b: 대경부
41: 내부 공간
41a: 원통 공간
41b: 확장 공간
42a, 42b, 44a, 44b: 급전봉
48: 내주측 열전대
48a: 측온부
49: 오목부
50: 외주측 열전대
50a: 측온부
261: 테이퍼부
262: 광폭부
263: 협폭부
450: 외주측 열전대
426: 열전대 통로
426a: 슬릿
440: 스트레이트 샤프트
G: 간격
P1: 상측 플레이트
P2: 하측 플레이트
W: 웨이퍼
Z1: 내주측 존
Z2: 외주측 존
Claims (15)
- 웨이퍼 적재면을 갖는 원반형 세라믹 플레이트와,
소경부와 대경부를 갖고, 상기 세라믹 플레이트 중 상기 웨이퍼 적재면과는 반대측의 이면에 상기 대경부의 단부면이 접합된 통형 샤프트와,
상기 세라믹 플레이트의 내주부에 매설된 내주측 저항 발열체와,
상기 세라믹 플레이트의 외주부에 매설된 외주측 저항 발열체와,
상기 내주측 저항 발열체의 한 쌍의 단자 및 상기 외주측 저항 발열체의 한 쌍의 단자를 포함하는 부대 부품과,
상기 세라믹 플레이트의 상기 이면 중 상기 소경부의 내측 영역의 기점으로부터 상기 세라믹 플레이트의 외주부의 소정의 종단 위치에 이르는 긴 구멍
을 구비하고,
상기 통형 샤프트의 내부 공간은, 상기 소경부의 내경과 동일한 직경의 원통 공간과, 상기 원통 공간의 외측에 상기 대경부에 의해 둘러싸인 환형 확장 공간을 갖고,
상기 긴 구멍의 입구 부분은, 긴 홈이며,
상기 긴 홈은, 상기 기점으로부터 상기 세라믹 플레이트의 상기 이면 중 상기 확장 공간 내의 확장 영역에 이르도록 마련되고,
상기 부대 부품은, 상기 세라믹 플레이트의 상기 이면 중 상기 소경부의 내측 영역이며 상기 긴 홈 이외의 위치에 마련되어 있는 세라믹 히터. - 제1항에 있어서,
상기 긴 홈은, 상기 세라믹 플레이트의 반경 방향을 따라서 마련되어 있는 세라믹 히터. - 제1항에 있어서,
상기 긴 홈은, 상기 세라믹 플레이트의 반경 방향으로부터 벗어난 방향을 따라서 마련되어 있는 세라믹 히터. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 긴 구멍은, 열전대를 삽입하는 열전대 삽입용 긴 구멍인 세라믹 히터. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 긴 홈은, 상기 웨이퍼 적재면에 대하여 수직 방향으로 연장되는 수직부와, 수직 방향으로부터 수평 방향으로 전환되는 만곡부를 구비한 열전대 가이드의 상기 만곡부를 배치하기 위해 사용되는 세라믹 히터. - 제5항에 있어서,
상기 열전대 가이드의 상기 만곡부의 외경은, 상기 수직부의 외경보다도 작은 세라믹 히터. - 제5항에 있어서,
상기 긴 홈에 배치된 상기 열전대 가이드를 구비하는 세라믹 히터. - 제7항에 있어서,
상기 열전대 가이드 및 상기 긴 구멍에 삽입된 열전대를 구비하는 세라믹 히터. - 제8항에 있어서,
상기 세라믹 플레이트를 상기 이면으로부터 보았을 때 상기 열전대의 측온부가 상기 외주측 저항 발열체의 폭 내에 들어가도록 배치되어 있는 세라믹 히터. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 긴 구멍은, 상기 긴 구멍의 천장면과 측면의 경계부의 곡률 반경이 0.5㎜ 이상인 사각형 형상인 세라믹 히터. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 긴 구멍은, 상기 기점으로부터 상기 종단 위치까지의 도중에 테이퍼부를 갖고, 상기 기점으로부터 상기 테이퍼부의 일단까지는 광폭부이며, 상기 테이퍼부의 타단으로부터 상기 종단 위치까지는 협폭부인 세라믹 히터. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 긴 구멍의 천장면은, 상기 기점으로부터 상기 종단 위치까지의 도중에 경사형 단차를 갖고, 상기 천장면 중 상기 기점으로부터 상기 단차까지의 깊이는 상기 단차로부터 상기 종단 위치까지의 깊이보다도 깊은 세라믹 히터. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
외주측 열전대의 측온부는 볼록형 곡면이며, 상기 긴 구멍의 종단부면 중 상기 외주측 열전대의 측온부가 접촉하는 부분은 오목형 곡면인 세라믹 히터. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 긴 홈과 상기 부대 부품의 간격은, 2㎜ 이상인 세라믹 히터. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 긴 구멍의 상기 기점측의 벽은, 상기 세라믹 플레이트의 상기 이면으로부터 상기 긴 구멍의 안쪽을 향하여 만곡되어 있는 세라믹 히터.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018238226 | 2018-12-20 | ||
JPJP-P-2018-238226 | 2018-12-20 | ||
PCT/JP2019/047380 WO2020129641A1 (ja) | 2018-12-20 | 2019-12-04 | セラミックヒータ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20200103087A KR20200103087A (ko) | 2020-09-01 |
KR102432592B1 true KR102432592B1 (ko) | 2022-08-18 |
Family
ID=71100253
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020207022066A KR102432592B1 (ko) | 2018-12-20 | 2019-12-04 | 세라믹 히터 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11664244B2 (ko) |
JP (2) | JP6743325B1 (ko) |
KR (1) | KR102432592B1 (ko) |
CN (1) | CN111788862B (ko) |
TW (1) | TWI767164B (ko) |
WO (1) | WO2020129641A1 (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019157023A1 (en) * | 2018-02-09 | 2019-08-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing apparatus having improved temperature control |
JP7197534B2 (ja) * | 2020-06-12 | 2022-12-27 | 日本碍子株式会社 | セラミックヒータ |
JP7372224B2 (ja) * | 2020-10-16 | 2023-10-31 | 日本碍子株式会社 | ウエハ載置台 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003224044A (ja) | 2002-01-28 | 2003-08-08 | Kyocera Corp | 試料加熱装置及びその製造方法 |
JP2005056759A (ja) | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Ngk Insulators Ltd | 加熱装置 |
JP2010040422A (ja) | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Ngk Insulators Ltd | シャフト付きヒータ |
WO2012039453A1 (ja) | 2010-09-24 | 2012-03-29 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置部材 |
JP2012160368A (ja) | 2011-02-01 | 2012-08-23 | Nihon Ceratec Co Ltd | セラミックスヒータ及びその製造方法 |
JP2013012413A (ja) | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Taiheiyo Cement Corp | セラミックスヒータ |
JP2017191910A (ja) | 2016-04-15 | 2017-10-19 | 日本特殊陶業株式会社 | 基板保持装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6562657B1 (en) * | 2000-08-22 | 2003-05-13 | Charles W. C. Lin | Semiconductor chip assembly with simultaneously electrolessly plated contact terminal and connection joint |
WO2002019400A1 (fr) * | 2000-08-30 | 2002-03-07 | Ibiden Co., Ltd. | Dispositif ceramique chauffant permettant la production de semi-conducteurs et equipement d'inspection |
KR20030072324A (ko) * | 2001-07-09 | 2003-09-13 | 이비덴 가부시키가이샤 | 세라믹 히터 및 세라믹 접합체 |
JP2004296532A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Ibiden Co Ltd | ホットプレートユニット |
CN101359589B (zh) * | 2003-10-27 | 2010-12-08 | 京瓷株式会社 | 复合材料和晶片保持部件及其制造方法 |
JP2006127883A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Kyocera Corp | ヒータ及びウェハ加熱装置 |
JP2007258115A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Ngk Insulators Ltd | 加熱装置 |
US20070251938A1 (en) * | 2006-04-26 | 2007-11-01 | Watlow Electric Manufacturing Company | Ceramic heater and method of securing a thermocouple thereto |
JP5245268B2 (ja) * | 2006-06-16 | 2013-07-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台構造及び熱処理装置 |
JP4450106B1 (ja) * | 2008-03-11 | 2010-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台構造及び処理装置 |
TWI527500B (zh) * | 2010-05-13 | 2016-03-21 | 應用材料股份有限公司 | 具有獨立中心區控制之加熱器 |
JP2011243906A (ja) * | 2010-05-21 | 2011-12-01 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP5791412B2 (ja) * | 2010-07-26 | 2015-10-07 | 日本碍子株式会社 | セラミックヒーター |
JP2012080103A (ja) * | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Ngk Insulators Ltd | サセプター及びその製法 |
US10276410B2 (en) * | 2011-11-25 | 2019-04-30 | Nhk Spring Co., Ltd. | Substrate support device |
JP5807032B2 (ja) * | 2012-03-21 | 2015-11-10 | 日本碍子株式会社 | 加熱装置及び半導体製造装置 |
KR102329588B1 (ko) * | 2014-03-07 | 2021-11-22 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 접합체의 제조 방법 |
CN105282877B (zh) * | 2014-06-17 | 2019-10-25 | 住友电气工业株式会社 | 用于半导体制造装置的陶瓷加热器 |
TWI665328B (zh) * | 2014-07-02 | 2019-07-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於電漿處理的多區域基座 |
JP2018018587A (ja) * | 2016-07-25 | 2018-02-01 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置 |
CN108028220B (zh) * | 2016-08-10 | 2022-02-25 | 日本碍子株式会社 | 陶瓷加热器 |
JP6767826B2 (ja) * | 2016-09-23 | 2020-10-14 | 日本特殊陶業株式会社 | 加熱装置 |
WO2019157023A1 (en) * | 2018-02-09 | 2019-08-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing apparatus having improved temperature control |
-
2019
- 2019-12-04 KR KR1020207022066A patent/KR102432592B1/ko active IP Right Grant
- 2019-12-04 WO PCT/JP2019/047380 patent/WO2020129641A1/ja active Application Filing
- 2019-12-04 JP JP2020514637A patent/JP6743325B1/ja active Active
- 2019-12-04 CN CN201980015453.2A patent/CN111788862B/zh active Active
- 2019-12-11 TW TW108145281A patent/TWI767164B/zh active
-
2020
- 2020-07-15 US US16/929,743 patent/US11664244B2/en active Active
- 2020-07-29 JP JP2020128159A patent/JP6909910B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003224044A (ja) | 2002-01-28 | 2003-08-08 | Kyocera Corp | 試料加熱装置及びその製造方法 |
JP2005056759A (ja) | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Ngk Insulators Ltd | 加熱装置 |
JP2010040422A (ja) | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Ngk Insulators Ltd | シャフト付きヒータ |
WO2012039453A1 (ja) | 2010-09-24 | 2012-03-29 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置部材 |
JP2012160368A (ja) | 2011-02-01 | 2012-08-23 | Nihon Ceratec Co Ltd | セラミックスヒータ及びその製造方法 |
JP2013012413A (ja) | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Taiheiyo Cement Corp | セラミックスヒータ |
JP2017191910A (ja) | 2016-04-15 | 2017-10-19 | 日本特殊陶業株式会社 | 基板保持装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6743325B1 (ja) | 2020-08-19 |
US20200350187A1 (en) | 2020-11-05 |
CN111788862B (zh) | 2022-09-13 |
TW202031091A (zh) | 2020-08-16 |
JP2020194784A (ja) | 2020-12-03 |
TWI767164B (zh) | 2022-06-11 |
KR20200103087A (ko) | 2020-09-01 |
WO2020129641A1 (ja) | 2020-06-25 |
JPWO2020129641A1 (ja) | 2021-02-15 |
US11664244B2 (en) | 2023-05-30 |
CN111788862A (zh) | 2020-10-16 |
JP6909910B2 (ja) | 2021-07-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102432592B1 (ko) | 세라믹 히터 | |
KR102549820B1 (ko) | 세라믹 히터 | |
JP7348877B2 (ja) | セラミックヒータ及びその製法 | |
KR102597235B1 (ko) | 세라믹 히터 | |
KR102495556B1 (ko) | 세라믹 히터 및 열전대 가이드 | |
KR20210098857A (ko) | 세라믹 히터 및 그의 제법 | |
KR102537778B1 (ko) | 세라믹 히터 | |
KR102558722B1 (ko) | 세라믹 히터 | |
KR102678508B1 (ko) | 세라믹 히터 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |