CN111788862B - 陶瓷加热器 - Google Patents

陶瓷加热器 Download PDF

Info

Publication number
CN111788862B
CN111788862B CN201980015453.2A CN201980015453A CN111788862B CN 111788862 B CN111788862 B CN 111788862B CN 201980015453 A CN201980015453 A CN 201980015453A CN 111788862 B CN111788862 B CN 111788862B
Authority
CN
China
Prior art keywords
thermocouple
ceramic plate
ceramic heater
ceramic
hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201980015453.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111788862A (zh
Inventor
高桥朋大
松下谅平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Insulators Ltd
Original Assignee
NGK Insulators Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Insulators Ltd filed Critical NGK Insulators Ltd
Publication of CN111788862A publication Critical patent/CN111788862A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111788862B publication Critical patent/CN111788862B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
    • H05B3/28—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material
    • H05B3/283—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material the insulating material being an inorganic material, e.g. ceramic
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
    • G01K1/14—Supports; Fastening devices; Arrangements for mounting thermometers in particular locations
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/02—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/02—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
    • G01K7/04—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples the object to be measured not forming one of the thermoelectric materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B1/00—Details of electric heating devices
    • H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
    • H05B1/0202—Switches
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B1/00—Details of electric heating devices
    • H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
    • H05B1/0227—Applications
    • H05B1/023—Industrial applications
    • H05B1/0233—Industrial applications for semiconductors manufacturing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/02—Details
    • H05B3/03—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/18—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor the conductor being embedded in an insulating material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/68—Heating arrangements specially adapted for cooking plates or analogous hot-plates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/68—Heating arrangements specially adapted for cooking plates or analogous hot-plates
    • H05B3/74—Non-metallic plates, e.g. vitroceramic, ceramic or glassceramic hobs, also including power or control circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/002—Heaters using a particular layout for the resistive material or resistive elements
    • H05B2203/003—Heaters using a particular layout for the resistive material or resistive elements using serpentine layout
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/002—Heaters using a particular layout for the resistive material or resistive elements
    • H05B2203/005—Heaters using a particular layout for the resistive material or resistive elements using multiple resistive elements or resistive zones isolated from each other
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/016—Heaters using particular connecting means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)

Abstract

陶瓷加热器(10)具备内置有内周侧和外周侧电阻发热体(22、24)的陶瓷板(20)和在其背面(20b)接合的筒状轴(40)。长孔(26)从陶瓷板(20)的起点(26s)开始延伸至陶瓷板(20)的外周部的终端位置(26e)。长孔(26)的入口部分成为长槽(26a)。长槽(26a)以从起点(26s)开始直至扩张区域(20f)的方式设置。端子(22a、22b、24a、24b)设置在轴内区域(20d)中长槽(26a)以外的位置。

Description

陶瓷加热器
技术领域
本发明涉及陶瓷加热器。
背景技术
以往，作为陶瓷加热器，已知有被称为双区加热器的加热器，其在具有晶片载置面的圆盘状陶瓷板的内周侧和外周侧分别独立地埋入有电阻发热体。例如专利文献1中公开了图19所示的带轴陶瓷加热器410。该带轴陶瓷加热器410通过外周侧热电偶450测定陶瓷板420的外周侧的温度。热电偶引导部432是筒状部件，在直轴440的内部从下方向着上方笔直地延伸，然后弯曲成圆弧状，从而方向转变90°。该热电偶引导部432安装于狭缝426a，该狭缝426a设置在陶瓷板420的背面中被直轴440所包围的区域。狭缝426a成为热电偶通路426的入口部分。外周侧热电偶450插入到热电偶引导部432的筒内，到达热电偶通路426的终端位置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2012/039453号小册子(图11)
发明内容
发明要解决的课题
但是，陶瓷加热器410中由于使用了直轴440，因此狭缝426a在陶瓷板420的背面中的被直轴440所包围的区域中所占的面积比例大。因此，存在配置双区加热器的4个端子的区域受到狭缝426a的限制这样的问题。
本发明是为了解决这样的课题而提出的，主要目的在于提高在多区加热器中端子等的配置自由度。
用于解决课题的方法
本发明的陶瓷加热器具备：
具有晶片载置面的圆盘状的陶瓷板；
筒状轴，具有小径部和大径部，上述大径部的端面与上述陶瓷板中与上述晶片载置面相反侧的背面接合；
埋设在上述陶瓷板的内周部的内周侧电阻发热体；
埋设在上述陶瓷板的外周部的外周侧电阻发热体；
附属部件，包括上述内周侧电阻发热体的一对端子和上述外周侧电阻发热体的一对端子；以及
从上述陶瓷板的上述背面中上述小径部的内侧区域的起点开始直至上述陶瓷板的外周部的预定终端位置为止的长孔，
上述筒状轴的内部空间具有直径与上述小径部的内径相同的圆筒空间以及在上述圆筒空间的外侧被上述大径部所包围的环状的扩张空间，
上述长孔的入口部分是长槽，
上述长槽以从上述起点开始直至上述陶瓷板的上述背面中上述扩张空间内的扩张区域的方式设置，
上述附属部件设置在上述陶瓷板的上述背面中上述小径部的内侧区域且为上述长槽以外的位置。
该陶瓷加热器中，筒状轴的内部空间具有直径与小径部的内径相同的圆筒空间以及在该圆筒空间的外侧被大径部所包围的环状的扩张空间。长孔从陶瓷板的背面中小径部的内侧区域的起点开始延伸至陶瓷板的外周部。长孔的入口部分是长槽。长槽以从长孔的起点开始直至扩张区域的方式设置。附属部件设置在陶瓷板的背面中小径部的内侧区域且为长槽以外的位置。由于长槽以进入扩张区域的方式设置，因而长槽在陶瓷板的背面中的小径部的内侧区域中所占的比例与长槽未进入扩张区域的情形(即，没有扩张区域的情形)相比减小。因此，能够配置端子等附属部件的区域与没有扩张区域的情形相比变大。因此，在多区加热器中，能够提高端子等的配置自由度。
本发明的陶瓷加热器中，上述长槽可以沿着上述陶瓷板的半径方向设置。这样的话，在设置具备相同长度的长槽的长孔时，长孔的长度会变得最短。因此，能够减小长孔对晶片均热性的影响。
本发明的陶瓷加热器中，上述长槽也可以沿着偏离上述陶瓷板的半径方向的方向设置。这样的话，长槽不会通过陶瓷板的背面中小径部的内侧区域的中央，因而能够更加提高端子的配置自由度。
本发明的陶瓷加热器中，上述长孔也可以为用于插入热电偶的热电偶插入用长孔。这样的话，能够利用长孔来插入热电偶。
本发明的陶瓷加热器中，热电偶引导部具备从与上述晶片载置面垂直的方向转变为水平方向的弯曲部，上述长槽可以用于配置该热电偶引导部的上述弯曲部。这样的话，在具备从垂直方向向水平方向弯曲的筒状的热电偶引导部的多区加热器中，能够提高端子等的配置自由度。
需说明的是，所谓“垂直”，除了完全垂直的情形之外，还包括实质上垂直的情形(例如，落入公差范围的情形等)。所谓“水平”也同样。
本发明的陶瓷加热器中，上述扩张空间可以是能够使上述热电偶引导部的上述弯曲部旋转的大小的空间。这样的话，能够边使热电偶引导部的弯曲部在扩张空间内旋转边配置在长槽中。因此，能够容易地设置从垂直方向向水平方向弯曲的筒状的热电偶引导部。
本发明的陶瓷加热器中，上述长槽的长度可以设定为上述热电偶引导部的上述弯曲部中配置于上述长槽中的前端部分的长度以上。这样的话，能够更容易地设置热电偶引导部。
本发明的陶瓷加热器中，上述热电偶引导部的上述弯曲部的外径可以比上述垂直部的外径小。这样的话，能够减小长槽的宽度。
本发明的陶瓷加热器可以具备配置在上述长槽中的上述热电偶引导部，进而可以具备插入到上述热电偶引导部和上述长孔的热电偶。在具备上述热电偶时，在从上述背面观察上述陶瓷板时，上述热电偶的测温部可以以落入上述外周侧电阻发热体的宽度中的方式设置。这样的话，能够由外周侧热电偶的测温部响应良好地检测外周侧电阻发热体的温度变化。
本发明的陶瓷加热器中，上述长孔可以是截面大致四边形的孔，上述孔的顶面与侧面的边界部可以是曲率半径为0.5mm以上的R面(弯曲面)。这样的话，能够抑制在陶瓷板中产生以顶面与侧面的边界部为起点的裂纹。
本发明的陶瓷加热器中，上述长孔可以在从上述起点至上述终端位置的中途具有锥形部，从上述起点至上述锥形部的一端为止为宽幅部，从上述锥形部的另一端至上述终端位置为止为窄幅部。这样的话，外周侧热电偶能够由锥形部引导而顺畅地插入到长孔中。此外，在利用热电偶引导部将外周侧热电偶插入长孔时，如果使热电偶引导部与锥形部抵接，则锥形部发挥将热电偶引导部临时固定的作用，因而易于插入外周侧热电偶。
本发明的陶瓷加热器中，上述长孔的顶面可以在从上述起点至上述终端位置的中途具有倾斜面，上述顶面中从上述起点开始直至上述倾斜面为止的深度可以比从上述倾斜面开始直至上述终端位置为止的深度更深。这样的话，能够利用热电偶引导部顺畅地将外周侧热电偶插入到长孔中。需说明的是，上述顶面与上述终端位置的立壁的边界也可以是倾斜面。
本发明的陶瓷加热器中，上述外周侧热电偶的测温部可以是凸状曲面，上述长孔的终端面中与上述外周侧热电偶的测温部接触的部分可以是凹状曲面。这样的话，外周侧热电偶的测温部与作为所希望的测定点的长孔的终端面进行面接触，或者以与之接近的状态接触，因而能够提高测温精度。
本发明的陶瓷加热器中，上述长槽与上述附属部件之间的间隔可以为2mm以上。这样的话，能够防止因长槽与附属部件之间过窄而在陶瓷板中产生裂纹。
本发明的陶瓷加热器中，上述长孔的入口部分的壁可以向着上述长孔的里侧弯曲。这样的话，即使不使用热电偶引导部，也能够利用入口部分的弯曲的壁将外周侧热电偶顺畅地插入到长孔中。
附图说明
图1是陶瓷加热器10的立体图。
图2是图1的A-A截面图。
图3是图1的B-B截面图。
图4是热电偶引导部32的主视图。
图5是图3的中央部分的放大图。
图6是热电偶引导部32的安装方法的说明图。
图7是热电偶引导部32的安装方法的说明图。
图8是热电偶引导部32的另一例的主视图。
图9是显示外周侧热电偶50的测温部50a的位置的一例的说明图。
图10是显示长孔26的另一例的说明图。
图11是使上侧板P1的背面向上时的立体图。
图12是设置有另一例的长孔26的上侧板P1的背面图。
图13是图12的C-C截面图。
图14是图12的D-D截面图。
图15是插入到长孔26中的外周侧热电偶50的测温部50a的另一例的俯视图。
图16是插入到长孔26中的外周侧热电偶50的测温部50a的另一例的俯视图。
图17是显示长槽26a与附属部件之间的间隔G的说明图。
图18是长孔26和长槽26a的另一例的说明图。
图19是现有例的说明图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明优选实施方式进行说明。图1是陶瓷加热器10的立体图，图2是图1的A-A截面图，图3是图1的B-B截面图，图4是热电偶引导部32的主视图，图5是图3的中央部分的放大图。
陶瓷加热器10用于对实施蚀刻、CVD等处理的晶片W进行加热，其设置在未图示的真空腔内。该陶瓷加热器10具备：具有晶片载置面20a的圆盘状的陶瓷板20以及筒状轴40，所述筒状轴40与陶瓷板20的与晶片载置面20a相反侧的面(背面)20b接合。
陶瓷板20是由以氮化铝、氧化铝等为代表的陶瓷材料构成的圆盘状的板。陶瓷板20的直径没有特别限定，但例如为300mm左右。陶瓷板20由与陶瓷板20同心圆状的假想边界20c(参照图3)划分为小圆形的内周侧区Z1和圆环状的外周侧区Z2。在陶瓷板20的内周侧区Z1埋设有内周侧电阻发热体22，在外周侧区Z2埋设有外周侧电阻发热体24。两个电阻发热体22、24例如由以钼、钨或碳化钨为主成分的线圈构成。如图2所示，陶瓷板20通过将上侧板P1与比该上侧板P1更薄的下侧板P2进行面接合来制作。
筒状轴40与陶瓷板20相同，由氮化铝、氧化铝等陶瓷形成。筒状轴40具备小径部40a和大径部40b。小径部40a是从筒状轴40的下端开始直至预定高度为止的部分，是内径d1的筒状部。大径部40b是从筒状轴40的预定高度扩径后直至筒状轴40的上端为止的部分，是内径d2(＞d1)的筒状部。筒状轴40的上端(大径部40b的端面)与陶瓷板20扩散接合。筒状轴40的内部空间41具有直径与小径部40a的内径相同的圆筒空间41a以及在该圆筒空间41a的外侧被大径部40b包围的环状的扩张空间41b。扩张空间41b是能够边使后述的热电偶引导部32的弯曲部34的前端旋转边插入的空间。
如图3所示，内周侧电阻发热体22以从一对端子22a、22b中的一个发端，以一笔画的要领通过多个折返部折返并在内周侧区Z1的几乎整个区域中配线后，到达一对端子22a、22b中的另一个的方式形成。一对端子22a、22b设置在轴内区域20d(陶瓷板20的背面20b中小径部40a的内侧区域)中。一对端子22a、22b分别与金属制(例如Ni制)的供电棒42a、42b接合。
如图3所示，外周侧电阻发热体24以从一对端子24a、24b中的一个发端，以一笔画的要领通过多个折返部折返并在外周侧区Z2的几乎整个区域中配线后，到达一对端子24a、24b中的另一个的方式形成。一对端子24a、24b设置在陶瓷板20的背面20b的轴内区域20d中。一对端子24a、24b分别与金属制(例如Ni制)的供电棒44a、44b接合。
在陶瓷板20的内部，如图2所示，用于插入外周侧热电偶50的长孔26与晶片载置面20a平行设置。长孔26从陶瓷板20的背面20b中轴内区域20d的起点26s开始直至陶瓷板20的外周部的预定终端位置26e为止。长孔26的宽度，如图3所示，从终端位置26e的近前处开始向着终端位置26e逐渐变细。该长孔26，如图3和图5所示，沿着偏离陶瓷板20的半径方向的方向设置。长孔26中从起点26s直至扩张区域20f(背面20b中扩张空间41b内的区域)为止的入口部分，成为用于嵌入热电偶引导部32的弯曲部34前端的长槽26a。长槽26a在筒状轴40的内部空间41开口。本实施方式中，长槽26a从起点26s开始延伸至扩张区域20f的外周缘。端子22a、22b、24a、24b设置在轴内区域20d且为长槽26a以外的位置。
如图4所示，热电偶引导部32是具备引导孔32a的金属制(例如不锈钢制)的筒状构件。热电偶引导部32具备在与晶片载置面20a垂直的方向上延伸的垂直部33以及从垂直方向转变为水平方向的弯曲部34。垂直部33的外径比弯曲部34的外径大，但垂直部33的内径与弯曲部34的内径相同。这样，通过减小弯曲部34的外径，能够减小插入弯曲部34的长槽26a的宽度。但是，垂直部33的外径也可以设为与弯曲部34的外径相同。弯曲部34的曲率半径R没有特别限定，但例如为30mm左右。热电偶引导部32的引导孔32a中插通有外周侧热电偶50。弯曲部34的前端可以仅仅是嵌入长槽26a内，也可以在长槽26a内接合或粘接。
如图2所示，在筒状轴40的内部配置有分别与内周侧电阻发热体22的一对端子22a、22b连接的供电棒42a、42b；分别与外周侧电阻发热体24的一对端子24a、24b连接的供电棒44a、44b。在筒状轴40的内部还配置有用于测定陶瓷板20的中央附近的温度的内周侧热电偶48、用于测定陶瓷板20的外周附近的温度的外周侧热电偶50。内周侧热电偶48插入到设置在陶瓷板20的背面20b上的凹部49中，前端的测温部48a与陶瓷板20接触。凹部49设置在不会干扰各端子22a、22b、24a、24b、长槽26a的位置。外周侧热电偶50是护套热电偶，其通过热电偶引导部32的引导孔32a和长孔26，从而前端的测温部50a到达长孔26的终端位置26e。
热电偶引导部32在陶瓷加热器10的制造工序的最后阶段进行安装。将这时的情况示于图6和图7中。如图6和图7所示，将供电棒42a、42b、44a、44b分别与在陶瓷板20的背面20b露出的端子22a、22b、24a、24b接合，并将筒状轴40与陶瓷板20的背面20b接合后，安装热电偶引导部32。本实施方式中，在使热电偶引导部32的弯曲部34的朝向与作为长孔26的入口部分的长槽26a的朝向一致后，即使想要将热电偶引导部32插入筒状轴40的小径部40a，长孔26及其延长线在轴内区域20d中呈现的距离也会比从弯曲部34的前端直至垂直部33为止的水平距离短，弯曲部34会卡在小径部40a，因而无法直接使热电偶引导部32进入小径部40a。因此，首先，将热电偶引导部32的弯曲部34设为不会干扰小径部40a、供电棒42a、42b、44a、44b的姿态(参照图6和图7中的点划线的热电偶引导部32)后，使弯曲部34靠近陶瓷板20的背面20b。然后，在弯曲部34的前端到达大径部40b的内部空间后，使热电偶引导部32旋转，从而使弯曲部34的前端进入扩张空间41b的同时将弯曲部34的前端嵌入长槽26a(参照图6和图7的实线的热电偶引导部32)。之后，在热电偶引导部32的引导孔32a中插通外周侧热电偶50，使测温部50a到达长孔26的终端位置26e。
接着，对陶瓷加热器10的使用例进行说明。首先，将陶瓷加热器10设置在未图示的真空腔内，在该陶瓷加热器10的晶片载置面20a上载置晶片W。然后，调整向内周侧电阻发热体22供给的电力以使通过内周侧热电偶48检测出的温度达到预定的内周侧目标温度，并且，调整向外周侧电阻发热体24供给的电力以使通过外周侧热电偶50检测出的温度达到预定的外周侧目标温度。由此，将晶片W的温度控制为所希望的温度。而且，将真空腔内设定为真空气氛或减压气氛，在真空腔内产生等离子体，利用该等离子体对晶片W实施CVD成膜或实施蚀刻。
以上说明的本实施方式的陶瓷加热器10中，由于长槽26a以进入扩张区域20f的方式设置，因而相比于将与长槽26a相同长度的长槽设置在没有扩张区域的直轴内的情形，长槽26a在轴内区域20d(陶瓷板20的背面20b中小径部40a的内侧区域)中所占的比例减小。因此，能够配置端子22a、22b、24a、24b、凹部49等附属部件的区域与没有扩张区域的情形相比变大。因此，在具备从垂直方向向水平方向弯曲的筒状的热电偶引导部32的多区加热器中，能够提高端子等的配置自由度。
此外，由于筒状轴40具有大径部40b，因此与没有大径部40b的直轴相比，从轴上端至轴下端的热传导距离变长，能够降低轴下端的温度。由于轴下端通过O型圈固定在未图示的腔上，因此轴下端的温度越低，O型圈的耐久性越提高。
此外，由于长槽26a沿着偏离陶瓷板20的半径方向的方向设置，因此长槽26a不会通过轴内区域20d的中央。因此，能够更加提高端子的配置自由度。此外，能够使长槽26a在扩张区域20f中所占的距离变长，能够缩短长槽26a在轴内区域20d中所占的距离。
进而，扩张空间41b是能够使热电偶引导部32的弯曲部34旋转的大小的空间。因此，能够边使热电偶引导部32的弯曲部34在扩张空间41b内旋转边配置在长槽中。因此，能够容易地设置热电偶引导部32。
进而，此外，将作为长孔26的入口部分的长槽26a的长度确定为热电偶引导部32的弯曲部34中配置在长槽26a上的前端部分的长度以上。因此，能够更容易地设置热电偶引导部32。
而且，由于使热电偶引导部32的弯曲部34的外径比垂直部33的外径小，因此能够减小长槽26a的宽度。
而且，此外，由于能够使热电偶引导部32的弯曲部34的曲率半径R比较大，因此能够将插入到热电偶引导部32的外周侧热电偶50顺畅地转变方向。
而且，进而，长孔26的宽度从终端位置26e近前处开始向着终端位置26e渐渐变细，因而易于将外周侧热电偶50的测温部50a配置在所希望的测定点(陶瓷板20中终端位置26e附近的点)。
需说明的是，本发明不受上述实施方式的任何限定，不言而喻，只要属于本发明的技术范围内就可以以各种方式来实施。
例如，上述实施方式中，如图8所示，热电偶引导部32可以具备与弯曲部34的出口相接并在相对于晶片载置面20a的水平方向上延伸的水平部35。这样的话，能够更加顺畅地将外周侧热电偶50引导到长孔26中。此外，具有这样的水平部35的热电偶引导部32的配置在长槽26a中的部分变长。因此，优选与此相应地设定长槽26a的长度。
上述实施方式中，如图9所示，在从背面20b观察时，长孔26内的外周侧热电偶50的测温部50a可以以落入外周侧电阻发热体24的宽度(即，线圈的宽度w)中的方式配置。在外周侧电阻发热体24不是线圈状而是条带状(细长的平板状)时，也可以以落入到该条带的宽度中的方式配置。这样的话，能够利用外周侧热电偶50的测温部50a响应良好地检测外周侧电阻发热体24的温度变化。
上述实施方式中，将包含长槽26a的长孔26沿着偏离陶瓷板20的半径方向的方向设置，但也可以如图10的实线所示，沿着陶瓷板20的半径方向设置。图10的点划线是上述实施方式的长孔26，实线的长孔26的终端位置26e与点划线的长孔26相同且具备相同长度L的长槽26a。实线的长孔26的长度比点划线的长孔26短，相差图10的虚线部分的长度(成为最短)。由于长孔26是空洞，因此长孔26越长，对晶片W的均热性的影响就越大，如果采用图10的实线的长孔26，就能够减小长孔26对晶片W的均热性的影响。
上述实施方式中，将两个电阻发热体22、24设为线圈形状，但并不特别限定于线圈形状，也可以是例如印刷图案，还可以是条带形状、网状等。
上述实施方式中，在陶瓷板20中除了电阻发热体22、24之外，还可以内置静电电极、RF电极。在内置有静电电极时，在陶瓷板20的轴内区域20d设置有静电电极的端子(附属部件之一)。静电电极的端子在轴内区域20d中设置在长槽26a以外的位置。在内置有RF电极时，在陶瓷板20的轴内区域20d设置有RF电极的端子(附属部件之一)。RF电极的端子在轴内区域20d中设置在长槽26a以外的位置。
上述实施方式中，将热电偶引导部32的上下方向的长度设为与筒状轴40的高度基本相同，但也可以比筒状轴40的高度短，也可以比筒状轴40的高度长。
上述实施方式中，也可以将内周侧区Z1分成多个内周侧小区，在每个内周侧小区中以一笔画的要领遍布电阻发热体。此外，也可以将外周侧区Z2分成多个外周侧小区，在每个外周侧小区中以一笔画的要领遍布电阻发热体。按照小区的数量増加端子数，但上述实施方式中，由于长槽26a以进入扩张区域20f中的方式设置，因此能够配置端子等的区域变大。因此，即使端子的数量变多也能应对。
上述实施方式中，凹部49的位置可以在确定了长槽26a的位置后再确定，也可以在确定长槽26a的位置之前确定。在后者的情形下，将凹部49视为附属部件之一，将长槽26a设为不通过凹部49。
上述实施方式中，在将供电棒42a、42b、44a、44b分别与陶瓷板20的端子22a、22b、24a、24b接合，并在陶瓷板20的背面20b接合筒状轴40后，安装热电偶引导部32，但安装顺序不限于此。例如，也可以在陶瓷板20的背面20b接合筒状轴40，并安装热电偶引导部32后，将供电棒42a、42b、44a、44b分别与端子22a、22b、24a、24b接合。
也可以将上述实施方式的长孔26设为图11所示的形状。图11是从上侧板P1取下下侧板P2并使该上侧板P1的背面朝上时的立体图。长孔26是截面为大致四边形的孔，长孔26的底面与侧面的边界部26b是R面。R面的曲率半径优选为0.5mm以上(例如1mm)。这样的话，能够抑制在陶瓷板20中产生以长孔26的底面(图2中的顶面)与侧面的边界部26b为起点的裂纹。具体而言，在加热加压条件(例如1600℃以上的温度、7.0kg/cm2以上的压力这样的条件)下将上侧板P1与下侧板P2进行接合时，能够抑制在陶瓷板20中产生以边界部26b为起点的裂纹。另外，在将边界部26b的曲率半径设为0.1mm、0.3mm时会产生裂纹，但在设为0.5mm、0.7mm、0.9mm时没有产生裂纹。
上述实施方式中，将热电偶引导部32安装于长槽26a和长孔26中，但也可以在将外周侧热电偶50插入长孔26时，将热电偶引导部32配置于长槽26a和长孔26中，将外周侧热电偶50插入长孔26后，除去热电偶引导部32。或者，还可以不使用热电偶引导部32而将外周侧热电偶50插入到长孔26中。
上述实施方式中，可以将长孔26设为截面为大致四边形且从起点26s至终端位置26e为止的宽度固定的孔。该长孔26的终端面(终端位置26e处的立壁)与长孔26在长度方向上延伸的侧面之间的边界部，优选为C面或R面，以避免形成棱。此时的长孔26和长槽26a的宽度优选设为9mm以下。这是因为，如果宽度为9mm以下，则在插入外周侧热电偶50时，外周侧热电偶50难以歪曲，易于将外周侧热电偶50的测温部50a配置在所希望的测定点(陶瓷板20中的终端位置26e附近的点)。在长孔26和长槽26a中插入热电偶引导部32的弯曲部34时，长孔26和长槽26a的宽度只要大于弯曲部34的外径即可，但如果宽度方向的余隙(从长孔26和长槽26a的宽度减去弯曲部34的外径而得的值)过大，则会因热损失而测温精度降低，因此优选将宽度方向的余隙设为2mm以下。同样地，深度方向的余隙也优选设为2mm以下。此外，在不使用热电偶引导部32而直接将外周侧热电偶50插入时，长孔26和长槽26a的宽度只要比外周侧热电偶50的外径大即可，但由于与之前同样的理由，优选将宽度方向的余隙(从长孔26和长槽26a的宽度减去外周侧热电偶50的外径而得的值)为2mm以下。同样地，深度方向的余隙也优选设为2mm以下。
上述实施方式中，作为长孔26，也可以采用图12～图14中所示的另一例的长孔26。图12是设置有另一例的长孔26的上侧板P1的背面图，图13是图12的C-C截面图，图14是图12的D-D截面图。该长孔26在俯视时在从起点26s至终端位置26e的中途具有锥形部261，从起点26s至锥形部261的一端为止设为宽幅部262，从锥形部261的另一端至终端位置26e为止设为窄幅部263。宽幅部262的宽度W和窄幅部263的宽度w优选为9mm以下。这是因为，如果宽度W、w为9mm以下，则在插入外周侧热电偶50时，外周侧热电偶50难以歪曲，易于将测温部50a配置在所希望的测定点M。在长孔26中配置热电偶引导部32的弯曲部34时，宽幅部262的宽度W只要比弯曲部34的外径D大即可，窄幅部263的宽度w只要比外周侧热电偶50的外径d大即可，但由于与之前同样的理由，各自的宽度方向的余隙(从宽幅部262的宽度W减去弯曲部34的外径D而得的值和从窄幅部263的宽度w减去外周侧热电偶50的外径d的值)优选为2mm以下。同样地，深度方向的余隙也优选设为2mm以下。这时，如果弯曲部34与锥形部261抵接，则锥形部261起到临时固定热电偶引导部32的作用，因而更加易于将外周侧热电偶50插入窄幅部263。锥形部261的坡度θ优选设为2°以上5°以下，更优选设为3°以上4°以下(例如3.4°)。如图14所示，长孔26的底面26p(图2中的顶面)在从起点26s至终端位置26e的中途具备倾斜状的台阶26q。底面26p中从起点26s至台阶26q为止的深度比从台阶26q至终端位置26e为止的深度更深。底面26p与终端位置26e的立壁的边界成为倾斜面26r。热电偶引导部32的弯曲部34配置在底面26p中从起点26s至台阶26q为止的部分，外周侧热电偶50以沿着底面26p中从台阶26q至终端位置26e为止的部分的方式插入。因此，利用热电偶引导部32，能够顺畅地将外周侧热电偶50插入到长孔26中。此外，由于存在倾斜面26r，从而测温部50a与底面26p之间的间隙变小，因而测温部50a的测温精度提高。需说明的是，也可以将长孔26的底面26p设为平坦面。在不使用热电偶引导部32而直接将外周侧热电偶50插入长孔26中时，宽幅部262的宽度W和窄幅部263的宽度w均比外周侧热电偶50的外径d大即可，但由于与之前同样的理由，优选将各自的宽度方向的余隙(从宽幅部262的宽度W减去外周侧热电偶50的外径d而得的值和从窄幅部263的宽度w减去外周侧热电偶50的外径d而得的值)设为2mm以下。同样地，深度方向的余隙也优选设为2mm以下。
上述实施方式中，外周侧热电偶50的外径d优选设为0.5mm以上2mm以下。外径d小于0.5mm时，将外周侧热电偶50插入长孔26时会发生弯曲，难以插入至终端位置26e。如果外径d超过2mm，则外周侧热电偶50的柔软性消失，因而难以将外周侧热电偶50插入至终端位置26e。
上述实施方式中，如图15和图16所示，也可以将外周侧热电偶50的测温部50a设为凸状曲面，将长孔26的终端面(终端位置26e处的立壁)中与测温部50a接触的部分设为凹状曲面。这样的话，外周侧热电偶50的测温部50a与作为所希望的测定点M的长孔26的终端面进行面接触，或者以与之接近的状态接触，因此测温精度提高。
上述实施方式中，如图17所示，长槽26a与附属部件(端子22a、22b、24a、24b、凹部49)之间的间隔G优选设为2mm以上。这样的话，能够防止长槽26a与附属部件之间过窄而在陶瓷板20中产生裂纹。
上述实施方式中，如图18所示，可以将长孔26和长槽26a的起点26s侧的立壁从陶瓷板20的背面20b向着长孔26的里侧弯曲。这样的话，即使不使用热电偶引导部32，也能够利用起点26s处的弯曲的立壁来将外周侧热电偶50顺畅地插入到长孔26中。
本申请以2018年12月20日申请的日本国专利申请第2018-238226号作为优先权主张的基础，并通过引用而将其全部内容包含在本说明书中。
产业上的利用可能性
本发明能够用作例如用于对晶片实施处理的半导体制造装置用构件。
符号说明
10、410：陶瓷加热器，20、420：陶瓷板，20a：晶片载置面，20b：背面，20c：假想边界，20d：轴内区域，20f：扩张区域，22：内周侧电阻发热体，22a、22b：端子，24：外周侧电阻发热体，24a、24b：端子，26：长孔，26a：长槽，26b：边界部，26e：终端位置，26p：底面，26q：台阶，26r：倾斜面，26s：起点，32、432：热电偶引导部，32a：引导孔，33：垂直部，34：弯曲部，35：水平部，40：筒状轴，40a：小径部，40b：大径部，41：内部空间，41a：圆筒空间，41b：扩张空间，42a、42b、44a、44b：供电棒，48：内周侧热电偶，48a：测温部，49：凹部，50：外周侧热电偶，50a：测温部，261：锥形部，262：宽幅部，263：窄幅部，450：外周侧热电偶，426：热电偶通路，426a：狭缝，440：直轴，G：间隔，P1：上侧板，P2：下侧板，W：晶片，Z1：内周侧区，Z2：外周侧区。

Claims (14)

1.一种陶瓷加热器，具备：
具有晶片载置面的圆盘状的陶瓷板；
筒状轴，具有小径部和大径部，所述大径部的端面与所述陶瓷板中与所述晶片载置面相反侧的背面接合；
埋设在所述陶瓷板的内周部的内周侧电阻发热体；
埋设在所述陶瓷板的外周部的外周侧电阻发热体；
附属部件，包括所述内周侧电阻发热体的一对端子和所述外周侧电阻发热体的一对端子；以及
从所述陶瓷板的所述背面中所述小径部的内侧区域的起点开始直至所述陶瓷板的外周部的预定终端位置为止的长孔，
所述筒状轴的内部空间具有直径与所述小径部的内径相同的圆筒空间以及在所述圆筒空间的外侧被所述大径部所包围的环状的扩张空间，
所述长孔的入口部分为长槽，
所述长槽以从所述起点开始直至所述陶瓷板的所述背面中所述扩张空间内的扩张区域的方式设置，
所述附属部件设置在所述陶瓷板的所述背面中所述小径部的内侧区域且为所述长槽以外的位置，
热电偶引导部具备在与所述晶片载置面垂直的方向上延伸的垂直部、以及从垂直方向转变为水平方向的弯曲部，所述长槽用于配置所述热电偶引导部的所述弯曲部，
所述扩张空间是能够使所述热电偶引导部的所述弯曲部旋转的大小的空间。
2.如权利要求1所述的陶瓷加热器，其中，所述长槽沿着所述陶瓷板的半径方向设置。
3.如权利要求1所述的陶瓷加热器，其中，所述长槽沿着偏离所述陶瓷板的半径方向的方向设置。
4.如权利要求1～3中任一项所述的陶瓷加热器，其中，所述长孔是用于插入热电偶的热电偶插入用长孔。
5.如权利要求1～3中任一项所述的陶瓷加热器，其中，所述热电偶引导部的所述弯曲部的外径比所述垂直部的外径小。
6.如权利要求1～3中任一项所述的陶瓷加热器，其中，具备配置在所述长槽中的所述热电偶引导部。
7.如权利要求6所述的陶瓷加热器，其中，具备插入到所述热电偶引导部和所述长孔的热电偶。
8.如权利要求7所述的陶瓷加热器，其中，在从所述背面观察所述陶瓷板时，所述热电偶的测温部以落入所述外周侧电阻发热体的宽度中的方式配置。
9.如权利要求1～3中任一项所述的陶瓷加热器，其中，所述长孔是截面大致四边形的孔，所述孔的顶面与侧面之间的边界部是曲率半径为0.5mm以上的弯曲面。
10.如权利要求1～3中任一项所述的陶瓷加热器，其中，所述长孔在从所述起点至所述终端位置的中途具有锥形部，从所述起点至所述锥形部的一端为止的部分为宽幅部，从所述锥形部的另一端至所述终端位置为止的部分为窄幅部。
11.如权利要求1～3中任一项所述的陶瓷加热器，其中，所述长孔的顶面在从所述起点至所述终端位置的中途具有倾斜状的台阶，所述顶面中从所述起点至所述台阶为止的深度比从所述台阶至所述终端位置为止的深度更深。
12.如权利要求1～3中任一项所述的陶瓷加热器，其中，外周侧热电偶的测温部为凸状曲面，所述长孔的终端面中与所述外周侧热电偶的测温部接触的部分为凹状曲面。
13.如权利要求1～3中任一项所述的陶瓷加热器，其中，所述长槽与所述附属部件之间的间隔为2mm以上。
14.如权利要求1～3中任一项所述的陶瓷加热器，其中，所述长孔的所述起点侧的壁从所述陶瓷板的所述背面向着所述长孔的里侧弯曲。
CN201980015453.2A 2018-12-20 2019-12-04 陶瓷加热器 Active CN111788862B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018238226 2018-12-20
JP2018-238226 2018-12-20
PCT/JP2019/047380 WO2020129641A1 (ja) 2018-12-20 2019-12-04 セラミックヒータ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111788862A CN111788862A (zh) 2020-10-16
CN111788862B true CN111788862B (zh) 2022-09-13

Family

ID=71100253

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980015453.2A Active CN111788862B (zh) 2018-12-20 2019-12-04 陶瓷加热器

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11664244B2 (zh)
JP (2) JP6743325B1 (zh)
KR (1) KR102432592B1 (zh)
CN (1) CN111788862B (zh)
TW (1) TWI767164B (zh)
WO (1) WO2020129641A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7197534B2 (ja) * 2020-06-12 2022-12-27 日本碍子株式会社 セラミックヒータ
JP7372224B2 (ja) * 2020-10-16 2023-10-31 日本碍子株式会社 ウエハ載置台

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012080103A (ja) * 2010-10-01 2012-04-19 Ngk Insulators Ltd サセプター及びその製法
CN103325714A (zh) * 2012-03-21 2013-09-25 日本碍子株式会社 加热装置及半导体制造装置
CN105282877A (zh) * 2014-06-17 2016-01-27 住友电气工业株式会社 用于半导体制造装置的陶瓷加热器

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6562657B1 (en) * 2000-08-22 2003-05-13 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with simultaneously electrolessly plated contact terminal and connection joint
US6878906B2 (en) * 2000-08-30 2005-04-12 Ibiden Co., Ltd. Ceramic heater for semiconductor manufacturing and inspecting equipment
EP1406472A1 (en) * 2001-07-09 2004-04-07 Ibiden Co., Ltd. Ceramic heater and ceramic joined article
JP3909248B2 (ja) * 2002-01-28 2007-04-25 京セラ株式会社 試料加熱装置
JP2004296532A (ja) * 2003-03-25 2004-10-21 Ibiden Co Ltd ホットプレートユニット
JP2005056759A (ja) * 2003-08-06 2005-03-03 Ngk Insulators Ltd 加熱装置
KR100841148B1 (ko) * 2003-10-27 2008-06-24 교세라 가부시키가이샤 복합재료와 웨이퍼 유지부재 및 이들의 제조방법
JP2006127883A (ja) * 2004-10-28 2006-05-18 Kyocera Corp ヒータ及びウェハ加熱装置
JP2007258115A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Ngk Insulators Ltd 加熱装置
US20070251938A1 (en) * 2006-04-26 2007-11-01 Watlow Electric Manufacturing Company Ceramic heater and method of securing a thermocouple thereto
JP5245268B2 (ja) * 2006-06-16 2013-07-24 東京エレクトロン株式会社 載置台構造及び熱処理装置
JP4450106B1 (ja) * 2008-03-11 2010-04-14 東京エレクトロン株式会社 載置台構造及び処理装置
JP5202175B2 (ja) * 2008-08-07 2013-06-05 日本碍子株式会社 シャフト付きヒータ
TWI527500B (zh) * 2010-05-13 2016-03-21 應用材料股份有限公司 具有獨立中心區控制之加熱器
JP2011243906A (ja) * 2010-05-21 2011-12-01 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP5791412B2 (ja) * 2010-07-26 2015-10-07 日本碍子株式会社 セラミックヒーター
KR101357928B1 (ko) * 2010-09-24 2014-02-03 엔지케이 인슐레이터 엘티디 반도체 제조 장치 부재
JP2012160368A (ja) * 2011-02-01 2012-08-23 Nihon Ceratec Co Ltd セラミックスヒータ及びその製造方法
JP5882614B2 (ja) * 2011-06-29 2016-03-09 株式会社日本セラテック セラミックスヒータ
US10276410B2 (en) * 2011-11-25 2019-04-30 Nhk Spring Co., Ltd. Substrate support device
WO2015133577A1 (ja) * 2014-03-07 2015-09-11 日本碍子株式会社 接合体の製造方法
TWI654332B (zh) * 2014-07-02 2019-03-21 美商應用材料股份有限公司 用於電漿處理的多區域基座
JP6650332B2 (ja) * 2016-04-15 2020-02-19 日本特殊陶業株式会社 基板保持装置及びその製造方法
JP2018018587A (ja) * 2016-07-25 2018-02-01 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP6979016B2 (ja) * 2016-08-10 2021-12-08 日本碍子株式会社 セラミックヒータ
JP6767826B2 (ja) * 2016-09-23 2020-10-14 日本特殊陶業株式会社 加熱装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012080103A (ja) * 2010-10-01 2012-04-19 Ngk Insulators Ltd サセプター及びその製法
CN103325714A (zh) * 2012-03-21 2013-09-25 日本碍子株式会社 加热装置及半导体制造装置
CN105282877A (zh) * 2014-06-17 2016-01-27 住友电气工业株式会社 用于半导体制造装置的陶瓷加热器

Also Published As

Publication number Publication date
KR102432592B1 (ko) 2022-08-18
JP6743325B1 (ja) 2020-08-19
KR20200103087A (ko) 2020-09-01
US11664244B2 (en) 2023-05-30
TWI767164B (zh) 2022-06-11
WO2020129641A1 (ja) 2020-06-25
TW202031091A (zh) 2020-08-16
US20200350187A1 (en) 2020-11-05
JP2020194784A (ja) 2020-12-03
CN111788862A (zh) 2020-10-16
JPWO2020129641A1 (ja) 2021-02-15
JP6909910B2 (ja) 2021-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111788862B (zh) 陶瓷加热器
CN112514534B (zh) 陶瓷加热器
US11924929B2 (en) Ceramic heater and thermocouple guide
CN113543380B (zh) 陶瓷加热器及其制法
CN111656860B (zh) 陶瓷加热器
CN113286385B (zh) 陶瓷加热器
CN113207201B (zh) 陶瓷加热器
CN113286384A (zh) 陶瓷加热器及其制造方法
US11874180B2 (en) Ceramic heater
CN113811029A (zh) 热电偶引导件及陶瓷加热器
CN113811030A (zh) 热电偶引导件及陶瓷加热器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant