JP6767826B2 - 加熱装置 - Google Patents
加熱装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6767826B2 JP6767826B2 JP2016185094A JP2016185094A JP6767826B2 JP 6767826 B2 JP6767826 B2 JP 6767826B2 JP 2016185094 A JP2016185094 A JP 2016185094A JP 2016185094 A JP2016185094 A JP 2016185094A JP 6767826 B2 JP6767826 B2 JP 6767826B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- columnar member
- columnar
- heating device
- holding body
- electrode terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/02—Details
- H05B3/03—Electrodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
- H01J37/32724—Temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/02—Details
- H05B3/06—Heater elements structurally combined with coupling elements or holders
- H05B3/08—Heater elements structurally combined with coupling elements or holders having electric connections specially adapted for high temperatures
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
- H05B2203/017—Manufacturing methods or apparatus for heaters
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
A−1.加熱装置100の構成:
図1は、第1実施形態における加熱装置100の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図2から図5は、第1実施形態における加熱装置100の断面構成を概略的に示す説明図である。図2には、図3から図5のII−IIの位置における加熱装置100のXZ断面構成が示されており、図3には、図2のIII−IIIの位置における加熱装置100のXY断面構成が示されており、図4には、図2のIV−IVの位置における加熱装置100のXY断面構成が示されており、図5には、図2のV−Vの位置における加熱装置100のXY断面構成が示されている。なお、図2には、後述する受電電極54付近の一部分が拡大して示されている。各図には、方向を特定するための互いに直交するXYZ軸が示されている。本明細書では、便宜的に、Z軸正方向を上方向といい、Z軸負方向を下方向というものとするが、加熱装置100は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。図6以降についても同様である。
加熱装置100の製造方法は、例えば以下の通りである。初めに、保持体10と柱状支持体20とを作製する。
次に、電極端子ユニット70の詳細構成について説明する。図2に示すように、各電極端子ユニット70は、第1の柱状部材71と、第2の柱状部材72と、金属撚り線73とを備える。
以上説明したように、本実施形態の加熱装置100は、所定の方向(上下方向)に略直交する保持面S1および裏面S2を有する板状であり、内部に抵抗発熱体50を有する保持体10と、上記所定の方向(上下方向)に延びる柱状であり、保持体10の裏面S2に接合され、保持体10の裏面S2側に開口する複数の電極用貫通孔22が形成された柱状支持体20とを備え、保持体10の保持面S1上に保持された半導体ウェハW等の対象物を加熱する装置である。加熱装置100は、さらに、保持体10の裏面S2側に配置され、抵抗発熱体50に電気的に接続された複数の受電電極54と、それぞれ柱状支持体20に形成された複数の電極用貫通孔22の内の1つに配置され、複数の受電電極54の内の1つに電気的に接続された複数の電極端子ユニット70とを備える。各電極端子ユニット70は、金属撚り線73と、金属撚り線73に対して保持体10側に配置された柱状の導電性部材であり、保持体10側の先端部(接合部CP1)が金属ろう材56を介して受電電極54に接合され、他方の先端部(接合部CP2)が金属撚り線73に接合された第1の柱状部材71と、金属撚り線73に対して保持体10から離れた側に配置された柱状の導電性部材であり、保持体10側の先端部(接合部CP3)が金属撚り線73に接合された第2の柱状部材72とを有する。各電極端子ユニット70について、第2の柱状部材72は略円柱状であり、第2の柱状部材72には第2の柱状部材72の延伸方向に直交する方向に突出するつば部75が形成されている。すなわち、各柱状部材集合体78(第1の柱状部材71における受電電極54との接合部CP1と金属撚り線73との接合部CP2とを除く部分と、第2の柱状部材72における金属撚り線73との接合部CP3を除く部分と、を合わせた構造体)は、一般部分(つば部75以外の部分)と、外径が一般部分より大きいつば部75(大径部分)とを有する。つば部75の表面と電極用貫通孔22の内周面ISとの間の距離G2は、一般部分の表面と電極用貫通孔22の内周面ISとの間の距離G1より短い。
図6は、第1実施形態の第1の変形例における加熱装置100の断面構成を示す説明図である。図6には、第1実施形態の第1の変形例における加熱装置100の、図5と同様の位置におけるXY断面構成が示されている。第1実施形態の第1の変形例の加熱装置100は、上述した第1実施形態の加熱装置100と比較して、各電極端子ユニット70を構成する第2の柱状部材72に形成されたつば部75の構成が異なっている。具体的には、第1実施形態の第1の変形例の加熱装置100では、つば部75が、Z軸方向視で、第2の柱状部材72の外周の一部のみに形成されている。図6に示す例では、第2の柱状部材72の略円柱部分から4つの方向(X軸正方向、X軸負方向、Y軸正方向、Y軸負方向)に突出するようにつば部75が形成されている。
図7は、第1実施形態の第2の変形例における加熱装置100の断面構成を示す説明図である。図7には、第1実施形態の第2の変形例における加熱装置100の、図2と同様の位置におけるXZ断面構成が示されている。第1実施形態の第2の変形例の加熱装置100は、上述した第1実施形態の加熱装置100と比較して、各電極端子ユニット70を構成する第2の柱状部材72に形成されたつば部75の構成が異なっている。具体的には、第1実施形態の第2の変形例の加熱装置100では、つば部75が、第2の柱状部材72ではなく第1の柱状部材71に形成されている。なお、図7に示す例では、上述した第1実施形態と同様に、つば部75は、第1の柱状部材71を延伸方向に沿って3等分した3つの部分の内の中央の部分に形成されており、かつ、Z軸方向視で第1の柱状部材71の全周にわたって形成されている。
図8は、第1実施形態の第3の変形例における加熱装置100の断面構成を示す説明図である。図8には、第1実施形態の第3の変形例における加熱装置100の、図2と同様の位置におけるXZ断面構成が示されている。第1実施形態の第3の変形例の加熱装置100は、上述した第1実施形態の加熱装置100と比較して、各電極端子ユニット70における大径部分の構成が異なっている。具体的には、第1実施形態の第3の変形例の加熱装置100では、各電極端子ユニット70の柱状部材集合体78において、つば部75を形成することにより大径部分を設けるのではなく、第2の柱状部材72の径を延伸方向の全体にわたって大きくすることにより大径部分を設けている。すなわち、第1実施形態の第3の変形例における加熱装置100では、第2の柱状部材72の全体(ただし、接合部CP3を除く)が大径部分となり、第1の柱状部材71(ただし、接合部CP1およびCP2を除く)が一般部分となる。
図9および図10は、第2実施形態の加熱装置100aの断面構成を概略的に示す説明図である。図9には、図10のIX−IXの位置(図2と同様の位置)における加熱装置100aのXZ断面構成が示されており、図10には、図9のX−Xの位置(図5と同様の位置)における加熱装置100aのXY断面構成が示されている。以下では、第2実施形態の加熱装置100aの構成の内、上述した第1実施形態の加熱装置100の構成と同一の構成については、同一の符号を付すことによってその説明を適宜省略する。
図11および図12は、第3実施形態の加熱装置100bの断面構成を概略的に示す説明図である。図11には、図12のXI−XIの位置(図2と同様の位置)における加熱装置100bのXZ断面構成が示されており、図12には、図11のXII−XIIの位置(図5と同様の位置)における加熱装置100bのXY断面構成が示されている。以下では、第3実施形態の加熱装置100bの構成の内、上述した第1実施形態の加熱装置100の構成と同一の構成については、同一の符号を付すことによってその説明を適宜省略する。
本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。
Claims (7)
- 第1の方向に略直交する第1および第2の表面を有する板状であり、内部に抵抗発熱体を有する保持体と、
前記第1の方向に延びる柱状であり、前記保持体の前記第2の表面に接合され、前記保持体の前記第2の表面側に開口する複数の貫通孔が形成された柱状支持体と、
を備え、前記保持体の前記第1の表面上に保持された対象物を加熱する加熱装置において、さらに、
前記保持体の前記第2の表面側に配置され、前記抵抗発熱体に電気的に接続された複数の受電電極と、
それぞれ、前記柱状支持体に形成された前記複数の貫通孔の内の1つに配置され、前記複数の受電電極の内の1つに電気的に接続された複数の電極端子ユニットと、
を備え、
各前記電極端子ユニットは、
金属撚り線と、
前記金属撚り線に対して前記保持体側に配置された柱状の導電性部材であり、前記保持体側の先端部が金属ろう材を介して前記受電電極に接合され、他方の先端部が前記金属撚り線に接合された第1の柱状部材と、
前記金属撚り線に対して前記保持体から離れた側に配置された柱状の導電性部材であり、前記保持体側の先端部が前記金属撚り線に接合された第2の柱状部材と、
を有し、
前記複数の電極端子ユニットの少なくとも1つについて、前記第1の柱状部材における前記受電電極との接合部と前記金属撚り線との接合部とを除く部分と、前記第2の柱状部材における前記金属撚り線との接合部を除く部分と、を合わせた柱状部材集合体は、一般部分と、所定の方向の径が前記一般部分より大きい大径部分と、を有し、前記大径部分の表面と前記貫通孔の内周面との間の距離は、前記一般部分の表面と前記貫通孔の内周面との間の距離より短く、
前記第1の柱状部材と前記第2の柱状部材とは、略円柱状であり、
前記第1の柱状部材と前記第2の柱状部材との少なくとも一方には、延伸方向に直交する方向に突出するつば部が形成されており、
前記大径部分は、前記つば部が形成された部分であることを特徴とする、加熱装置。 - 請求項1に記載の加熱装置において、
前記つば部は、前記第1の柱状部材または前記第2の柱状部材を前記延伸方向に沿って3等分した3つの部分の内の中央の部分に形成されていることを特徴とする、加熱装置。 - 請求項1または請求項2に記載の加熱装置において、
前記大径部分は、前記第1の柱状部材ではなく前記第2の柱状部材に存在することを特徴とする、加熱装置。 - 請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の加熱装置において、
前記第1の柱状部材の延伸方向における長さは、前記第2の柱状部材の延伸方向における長さより短いことを特徴とする、加熱装置。 - 請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載の加熱装置において、
前記大径部分の表面と前記貫通孔の内周面との間の距離は、0.1mm以上、2mm以下であることを特徴とする、加熱装置。 - 請求項1から請求項5までのいずれか一項に記載の加熱装置において、
前記柱状支持体は、前記複数の貫通孔が形成された1つのセラミックス製部材であることを特徴とする、加熱装置。 - 第1の方向に略直交する第1および第2の表面を有する板状であり、内部に抵抗発熱体を有する保持体と、
前記第1の方向に延びる柱状であり、前記保持体の前記第2の表面に接合され、前記保持体の前記第2の表面側に開口する複数の貫通孔が形成された柱状支持体と、
を備え、前記保持体の前記第1の表面上に保持された対象物を加熱する加熱装置において、さらに、
前記保持体の前記第2の表面側に配置され、前記抵抗発熱体に電気的に接続された複数の受電電極と、
それぞれ、前記柱状支持体に形成された前記複数の貫通孔の内の1つに配置され、前記複数の受電電極の内の1つに電気的に接続された複数の電極端子ユニットと、
を備え、
各前記電極端子ユニットは、
金属撚り線と、
前記金属撚り線に対して前記保持体側に配置された柱状の導電性部材であり、前記保持体側の先端部が金属ろう材を介して前記受電電極に接合され、他方の先端部が前記金属撚り線に接合された第1の柱状部材と、
前記金属撚り線に対して前記保持体から離れた側に配置された柱状の導電性部材であり、前記保持体側の先端部が前記金属撚り線に接合された第2の柱状部材と、
を有し、
前記複数の貫通孔の少なくとも1つについて、前記第1の柱状部材における前記受電電極との接合部を除く部分と、前記第2の柱状部材と、を合わせた柱状部材構造体に対向する内周面の一部に凸部が形成されており、前記凸部の表面と前記柱状部材構造体との間の距離は、前記凸部を除く前記貫通孔の内周面と前記柱状部材構造体との間の距離よりも短いことを特徴とする、加熱装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016185094A JP6767826B2 (ja) | 2016-09-23 | 2016-09-23 | 加熱装置 |
US15/706,309 US10626501B2 (en) | 2016-09-23 | 2017-09-15 | Heating device |
CN201710860334.XA CN107872903B (zh) | 2016-09-23 | 2017-09-21 | 加热装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016185094A JP6767826B2 (ja) | 2016-09-23 | 2016-09-23 | 加熱装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018049964A JP2018049964A (ja) | 2018-03-29 |
JP6767826B2 true JP6767826B2 (ja) | 2020-10-14 |
Family
ID=61687202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016185094A Active JP6767826B2 (ja) | 2016-09-23 | 2016-09-23 | 加熱装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10626501B2 (ja) |
JP (1) | JP6767826B2 (ja) |
CN (1) | CN107872903B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020105522A1 (ja) * | 2018-11-19 | 2020-05-28 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置および保持装置の製造方法 |
JP6743325B1 (ja) * | 2018-12-20 | 2020-08-19 | 日本碍子株式会社 | セラミックヒータ |
JP7285154B2 (ja) * | 2019-07-16 | 2023-06-01 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置 |
JP2022042379A (ja) * | 2020-09-02 | 2022-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6616767B2 (en) * | 1997-02-12 | 2003-09-09 | Applied Materials, Inc. | High temperature ceramic heater assembly with RF capability |
KR20040031691A (ko) * | 2001-08-10 | 2004-04-13 | 이비덴 가부시키가이샤 | 세라믹 접합체 |
US20050016986A1 (en) * | 2001-11-30 | 2005-01-27 | Yasutaka Ito | Ceramic heater |
JP3832409B2 (ja) * | 2002-09-18 | 2006-10-11 | 住友電気工業株式会社 | ウエハー保持体及び半導体製造装置 |
US20060000822A1 (en) * | 2004-02-23 | 2006-01-05 | Kyocera Corporation | Ceramic heater, wafer heating device using thereof and method for manufacturing a semiconductor substrate |
JP4365766B2 (ja) * | 2004-10-26 | 2009-11-18 | 京セラ株式会社 | ウェハ支持部材とそれを用いた半導体製造装置 |
JP2006127883A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Kyocera Corp | ヒータ及びウェハ加熱装置 |
JP2007258115A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Ngk Insulators Ltd | 加熱装置 |
JP6150557B2 (ja) * | 2013-02-27 | 2017-06-21 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミックヒーター |
JP6442296B2 (ja) * | 2014-06-24 | 2018-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
-
2016
- 2016-09-23 JP JP2016185094A patent/JP6767826B2/ja active Active
-
2017
- 2017-09-15 US US15/706,309 patent/US10626501B2/en active Active
- 2017-09-21 CN CN201710860334.XA patent/CN107872903B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10626501B2 (en) | 2020-04-21 |
JP2018049964A (ja) | 2018-03-29 |
US20180087153A1 (en) | 2018-03-29 |
CN107872903A (zh) | 2018-04-03 |
CN107872903B (zh) | 2020-09-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6767826B2 (ja) | 加熱装置 | |
KR102103705B1 (ko) | 세라믹스 부재 | |
JP6758143B2 (ja) | 加熱装置 | |
KR20190120366A (ko) | 유지 장치 | |
JP6767833B2 (ja) | 加熱装置 | |
JP6495536B2 (ja) | 半導体製造装置用部品の製造方法、および、半導体製造装置用部品 | |
JP2016225015A (ja) | 加熱装置及びその製造方法 | |
JP6438352B2 (ja) | 加熱装置 | |
JP7198635B2 (ja) | 保持装置 | |
JP7098376B2 (ja) | 加熱装置 | |
JP7083262B2 (ja) | 加熱装置 | |
JP2019175882A (ja) | 加熱装置 | |
JP2019175883A (ja) | 加熱装置 | |
JP2020191199A (ja) | 加熱装置および加熱装置の製造方法 | |
JP2020033247A (ja) | 接合体 | |
JP7057103B2 (ja) | 加熱装置 | |
JP6903512B2 (ja) | 接合体 | |
JP6867907B2 (ja) | セラミックス接合体およびセラミックス接合体の製造方法 | |
JP6871277B2 (ja) | 試料保持具 | |
JP2020155448A (ja) | 保持装置 | |
JP2020033236A (ja) | 接合体 | |
JP6656959B2 (ja) | 保持装置 | |
JP6695204B2 (ja) | 保持装置 | |
JP2020205294A (ja) | 保持装置および保持装置の製造方法 | |
JP2021015928A (ja) | 保持装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190813 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200714 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200721 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200818 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200901 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200918 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6767826 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |