JP2017191910A - 基板保持装置及びその製造方法 - Google Patents
基板保持装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017191910A JP2017191910A JP2016082195A JP2016082195A JP2017191910A JP 2017191910 A JP2017191910 A JP 2017191910A JP 2016082195 A JP2016082195 A JP 2016082195A JP 2016082195 A JP2016082195 A JP 2016082195A JP 2017191910 A JP2017191910 A JP 2017191910A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- outer peripheral
- flange portion
- base material
- peripheral edge
- shaft
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 73
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 21
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 26
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 12
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
本発明の基板保持装置の実施形態に係るセラミックスヒータ100について、図1を参照して説明する。
次に、セラミックスヒータ100の製造方法について説明する。
本発明は、上述した実施形態におけるセラミックスヒータ100に限定されない。
実施例1では、図1を参照して、金属なる電極20を埋設した酸化イットリウムを添加した窒化アルミニウムからなる基材10と、窒化アルミニウムのみからなるシャフト30を接合してセラミックスヒータ100を得た。
窒化アルミニウム粉末97質量%、酸化イットリウム粉末3質量%からなる粉末混合物を得て、これを型に充填して一軸加圧処理を施した。これによって、直径240mm、厚さ10mmの第一層を形成した。
原料となる窒化アルミニウムの粉末にIPA及び有機バインダと可塑剤を添加し、混合、スプレードライ乾燥をすることで、窒化アルミニウム顆粒を得た。この顆粒をCIP成形し、焼成温度1900℃で焼成時間6時間、常圧焼成した後、円筒加工を行い、フランジ部32の外径60mm、フランジ部32の厚み8mm、中間部31の外径42mm、内径32mm、長さ160mmのシャフト30を得た。フランジ部32の端面外周縁にC3mmの面取り加工を行い、面取部32aを形成した。その後、フランジ部32の上面に研磨加工を行い、表面粗さをRa0.04μm、平面度0.5μmとした。
基材10の接合面とシャフト30の接合面とを重ね合わせ、ホットプレス焼成により接合した。温度は1600℃、圧力は6MPa、時間は4時間とした。接合後、基材10の突出部12の外周側面とシャフト30のフランジ部32の外周側面を円筒研削により略同一外径となるように研削加工した。この際、接合前に加工した基材10の突出部12の面取部12a及びシャフト30のフランジ部32の面取部32aの一部が外観に残った。
接合部の目視をしたが、チッピングやクラックなどの損傷は見つからず、良好であった。なお、シャフト30の内側はファイバースコープを使用した。そして、接合部の気密度をボンビング法によりヘリウムリークディテクターで測定した。測定限度である1×10−12Pam3/sでリークはないと判定された。
以下の作製条件を除き、実施例1と同様にセラミックスヒータ100Aを作製した。
セラミックス焼結体の裏面を、中心から直径60mmの領域を残しその外側の領域を厚さ3mm研削加工し、中央部に直径60mm、高さ3mmの突出部12を形成した。次に、突出部12の外周縁にC1.5mmの面取り加工を行い、面取部12aを形成した。その後、突出部12の下面に研磨加工を行い、表面粗さをRa0.02μm、平面度0.3μmとした。これにより、基材10を得た。
図2を参照して、フランジ部32Aの外径60mm、フランジ部32Aの厚み5mm、中間部31Aの外径38mm、内径30mm、長さ120mmのシャフト30Aを得た。フランジ部32Aの端面の外周縁及び内周縁にC1.5mmの面取り加工を行い、面取部32Aa,32Abを形成した。その後、フランジ部32Aの上面に研磨加工を行い、表面粗さをRa0.03μm、平面度0.3μmとした。
接合部の目視をしたが、チッピングやクラックなどの損傷は見つからず、良好であった。なお、シャフト30の内側はファイバースコープを使用した。そして、接合部の気密度をボンビング法によりヘリウムリークディテクターで測定した。測定限度である1×10−12Pam3/sでリークはないと判定された。
面取部12a及び面取部32aを共に、曲率半径が3mmの丸面取部としたこと以外は実施例1と同じとした。
接合部の目視をしたが、チッピングやクラックなどの損傷は見つからず、良好であった。なお、シャフト30の内側はファイバースコープを使用した。そして、接合部の気密度をボンビング法によりヘリウムリークディテクターで測定した。測定限度である1×10−12Pam3/sでリークはないと判定された。
比較例として、基材10の突出部12の外縁及びシャフト30のフランジ部32の端面外縁に面取り加工を行わないで、基材10とシャフト30とを接合した。なお、その他の作製条件は実施例1と同一とした。
接合部の目視をしたが、接合面にクラックが発生していた。そして、接合部の気密度をボンビング法によりヘリウムリークディテクターで測定した。1×10−6Pam3/sでリークが生じた。
Claims (5)
- セラミックスからなり、上面に基板を支持し、下面の中央部に周辺部より厚さが厚くなるように下方に突出した突出部を有する基材と、
セラミックスからなり、前記突出部に接続されるフランジ部を上部に有する中空のシャフトとを備える基板保持装置であって、
前記突出部は下端部の外周縁又は前記フランジ部は上端部の外周縁の少なくとも一方に全周に亘る面取部を有していることを特徴とする基板保持装置。 - 前記フランジ部の上端部の内周縁に全周に亘る面取部を有していることを特徴とする請求項1に記載の基板保持装置。
- 前記突出部の外周側面と前記フランジ部の外周側面は略面一であることを特徴とする請求項1又は2に記載の基板保持装置。
- セラミックスからなり、下面の中央部に周辺部より厚さが厚くなるように下方に突出した突出部を有する基材を用意する工程と、
セラミックスからなり、前記突出部に接続されるフランジ部を上部に有する中空のシャフトを用意する工程と、
前記突出部の下端部の外周縁又は前記フランジ部の上端部の外周縁の少なくとも一方を全周に亘って面取り加工する工程と、
前記突出部の下面と前記フランジ部の上面を当接させた状態でこれらの面を固相接合により接合する工程とを備えることを特徴とする基板保持装置の製造方法。 - 前記突出部の外周側面と前記フランジ部の外周側面と略面一に加工する工程を備えたことを特徴とする請求項4に記載の基板保持装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016082195A JP6650332B2 (ja) | 2016-04-15 | 2016-04-15 | 基板保持装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016082195A JP6650332B2 (ja) | 2016-04-15 | 2016-04-15 | 基板保持装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017191910A true JP2017191910A (ja) | 2017-10-19 |
JP6650332B2 JP6650332B2 (ja) | 2020-02-19 |
Family
ID=60084956
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016082195A Active JP6650332B2 (ja) | 2016-04-15 | 2016-04-15 | 基板保持装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6650332B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020012998A1 (ja) * | 2018-07-13 | 2020-01-16 | 日本碍子株式会社 | セラミックヒータ |
WO2020129641A1 (ja) * | 2018-12-20 | 2020-06-25 | 日本碍子株式会社 | セラミックヒータ |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003300784A (ja) * | 2002-04-02 | 2003-10-21 | Ibiden Co Ltd | セラミック接合体 |
JP3810216B2 (ja) * | 1998-07-01 | 2006-08-16 | 京セラ株式会社 | 試料加熱装置および処理装置並びにそれを用いた試料の処理方法 |
JP2007258115A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Ngk Insulators Ltd | 加熱装置 |
WO2015146563A1 (ja) * | 2014-03-27 | 2015-10-01 | 日本碍子株式会社 | セラミックスプレートと金属製の円筒部材との接合構造 |
-
2016
- 2016-04-15 JP JP2016082195A patent/JP6650332B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3810216B2 (ja) * | 1998-07-01 | 2006-08-16 | 京セラ株式会社 | 試料加熱装置および処理装置並びにそれを用いた試料の処理方法 |
JP2003300784A (ja) * | 2002-04-02 | 2003-10-21 | Ibiden Co Ltd | セラミック接合体 |
JP2007258115A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Ngk Insulators Ltd | 加熱装置 |
WO2015146563A1 (ja) * | 2014-03-27 | 2015-10-01 | 日本碍子株式会社 | セラミックスプレートと金属製の円筒部材との接合構造 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110959306B (zh) * | 2018-07-13 | 2022-02-11 | 日本碍子株式会社 | 陶瓷加热器 |
KR20200024273A (ko) * | 2018-07-13 | 2020-03-06 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 세라믹 히터 |
CN110959306A (zh) * | 2018-07-13 | 2020-04-03 | 日本碍子株式会社 | 陶瓷加热器 |
WO2020012998A1 (ja) * | 2018-07-13 | 2020-01-16 | 日本碍子株式会社 | セラミックヒータ |
JPWO2020012998A1 (ja) * | 2018-07-13 | 2020-07-16 | 日本碍子株式会社 | セラミックヒータ |
US11483901B2 (en) * | 2018-07-13 | 2022-10-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Ceramic heater |
KR102382375B1 (ko) * | 2018-07-13 | 2022-04-08 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 세라믹 히터 |
WO2020129641A1 (ja) * | 2018-12-20 | 2020-06-25 | 日本碍子株式会社 | セラミックヒータ |
JP2020194784A (ja) * | 2018-12-20 | 2020-12-03 | 日本碍子株式会社 | セラミックヒータ |
CN111788862A (zh) * | 2018-12-20 | 2020-10-16 | 日本碍子株式会社 | 陶瓷加热器 |
KR20200103087A (ko) * | 2018-12-20 | 2020-09-01 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 세라믹 히터 |
KR102432592B1 (ko) | 2018-12-20 | 2022-08-18 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 세라믹 히터 |
JP6743325B1 (ja) * | 2018-12-20 | 2020-08-19 | 日本碍子株式会社 | セラミックヒータ |
US11664244B2 (en) | 2018-12-20 | 2023-05-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Ceramic heater |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6650332B2 (ja) | 2020-02-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4476701B2 (ja) | 電極内蔵焼結体の製造方法 | |
JP4467453B2 (ja) | セラミックス部材及びその製造方法 | |
KR100641007B1 (ko) | 전극 내장 발열체의 제조 방법 | |
JP4531004B2 (ja) | 加熱装置 | |
JP6618409B2 (ja) | 基板保持装置及びその製造方法 | |
KR100634182B1 (ko) | 기판 가열 장치와 그 제조 방법 | |
JP2006005095A (ja) | 基板加熱装置とその製造方法 | |
JP6867550B2 (ja) | 保持装置および保持装置の製造方法 | |
JP2008135737A (ja) | 静電チャック及び静電チャックの製造方法 | |
US11142484B2 (en) | Component for semiconductor production device, and production method of component for semiconductor production device | |
JP6389802B2 (ja) | 加熱装置及びその製造方法 | |
JP6650332B2 (ja) | 基板保持装置及びその製造方法 | |
JP4703442B2 (ja) | 基板加熱装置 | |
JP2005285355A (ja) | 加熱装置 | |
JP2007070142A (ja) | 耐プラズマ性電極埋設体及びその製造方法 | |
KR20220036865A (ko) | 복합 소결체, 반도체 제조 장치 부재 및 복합 소결체의 제조 방법 | |
US11869796B2 (en) | Electrode-embedded member and method for manufacturing same, electrostatic chuck, and ceramic heater | |
JP6370062B2 (ja) | 窒化アルミニウム接合体およびその製造方法 | |
JP2020040865A (ja) | セラミックス部材の製造方法 | |
JPH09306642A (ja) | セラミックヒータ | |
JP2023072822A (ja) | 電極埋設部材 | |
JP6867907B2 (ja) | セラミックス接合体およびセラミックス接合体の製造方法 | |
JP2022055875A (ja) | 基板保持部材、およびその製造方法 | |
JP2024065891A (ja) | セラミックスヒーター | |
JP2022055871A (ja) | 基板保持部材、およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181214 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190822 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190924 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191107 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200107 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200120 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6650332 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |