WO2012039453A1 - 半導体製造装置部材 - Google Patents

半導体製造装置部材 Download PDF

Info

Publication number
WO2012039453A1
WO2012039453A1 PCT/JP2011/071603 JP2011071603W WO2012039453A1 WO 2012039453 A1 WO2012039453 A1 WO 2012039453A1 JP 2011071603 W JP2011071603 W JP 2011071603W WO 2012039453 A1 WO2012039453 A1 WO 2012039453A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
thermocouple
ceramic plate
passage
outer peripheral
semiconductor manufacturing
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/071603
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
後藤　義信
Original Assignee
日本碍子株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本碍子株式会社 filed Critical 日本碍子株式会社
Priority to KR1020127011186A priority Critical patent/KR101357928B1/ko
Priority to JP2012535068A priority patent/JP5501467B2/ja
Priority to CN201180004405.7A priority patent/CN102598212B/zh
Publication of WO2012039453A1 publication Critical patent/WO2012039453A1/ja
Priority to US13/459,695 priority patent/US8790007B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K13/00—Thermometers specially adapted for specific purposes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K13/00—Thermometers specially adapted for specific purposes
    • G01K13/10—Thermometers specially adapted for specific purposes for measuring temperature within piled or stacked materials
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/02—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus member.
  • a semiconductor manufacturing apparatus is used to fix a wafer or to heat and cool a wafer in an etching apparatus, an ion implantation apparatus, an electron beam exposure apparatus, and the like.
  • a member (semiconductor manufacturing apparatus member) used in such a semiconductor manufacturing apparatus a so-called two-zone heater in which a heater is embedded independently on the inner peripheral side and the outer peripheral side of a disk-shaped ceramic plate having a wafer mounting surface is used. It is known (for example, patent document 1).
  • the inner peripheral resistance heating element and the outer peripheral resistance heating element are embedded independently in the ceramic plate, power feeding terminals are provided on each resistance heating element, and voltages are applied independently to each resistance heating element.
  • the heat generation from each resistance heating element is controlled independently. Specifically, the temperature on the inner peripheral side and the temperature on the outer peripheral side of the ceramic plate are measured, and the heat generation from each resistance heating element is controlled so that the entire surface of the ceramic plate becomes the target temperature.
  • holes for thermocouples are provided in each zone, that is, on each of the inner and outer peripheral sides, and thermocouples are placed in the holes, There is known a method of measuring the temperature by each thermocouple (for example, Patent Document 2). JP 2007-88484 A JP 2005-166354 A
  • thermocouple hole is provided on the outer peripheral side and the thermocouple is disposed in the hole
  • a hollow shaft is attached to the surface of the ceramic plate opposite to the wafer mounting surface, and a thermocouple, a feeder, etc. are disposed inside the shaft.
  • the lifter pin is inserted into the through hole provided on the outer peripheral side of the ceramic plate at the outer side of the shaft, but if the diameter of the shaft becomes too large, the area of the ceramic plate outside the shaft becomes too narrow. This is because there is no space for installing the lifter pins.
  • thermocouple passage parallel to the wafer mounting surface is embedded from the center side of the ceramic plate to the front of the outer peripheral surface, and a hole connected to the center side end of the ceramic plate in the thermocouple passage is opened. It is also conceivable to insert a thermocouple in the paired passage. However, there is a problem that inserting a thermocouple from a vertical hole into a horizontal thermocouple passage is not easy because the bend is about 90 °.
  • the present invention has been made to solve these problems, and is a semiconductor manufacturing apparatus member in which a thermocouple is inserted in a thermocouple passage extending from the center side of the ceramic plate to the front of the outer peripheral surface.
  • the main purpose is to provide easy-to-use.
  • the semiconductor manufacturing apparatus member of the present invention adopts the following means in order to achieve the above-mentioned main object.
  • the semiconductor manufacturing apparatus member of the present invention is A disc-shaped ceramic plate having a wafer mounting surface; A thermocouple passage provided inside the ceramic plate and extending from the center side of the ceramic plate to the front of the outer peripheral surface; A thermocouple guide having a guide hole communicating with the center side of the ceramic plate in the thermocouple passage from the surface of the ceramic plate opposite to the wafer mounting surface; A thermocouple which is disposed so as to pass through the guide hole and the thermocouple passage, and the temperature measuring portion abuts on a closed end of the thermocouple passage located in front of the outer peripheral surface of the ceramic plate; Equipped with The guide hole is provided obliquely to the direction in which the thermocouple passage extends such that the angle between the guide hole and the thermocouple passage is an obtuse angle, or the guide hole approaches the thermocouple passage. It is provided along the extending direction of the thermocouple passage.
  • thermocouple when inserting the thermocouple into the thermocouple passage, the thermocouple is inserted into the thermocouple passage through the guide hole of the thermocouple guide.
  • the guide hole is provided to be oblique to the direction in which the thermocouple passage extends, the angle between the guide hole and the thermocouple passage is an obtuse angle, so the tip of the thermocouple is a guide. It is hard to be caught at a corner when entering a thermocouple passage from a hole.
  • the guide hole is provided along the extending direction of the thermocouple passage as it approaches the thermocouple passage, the guide hole is continuously changed in direction and is curved, so the tip of the thermocouple is Is difficult to be caught at a corner when entering the thermocouple passage from the guide hole.
  • the semiconductor manufacturing apparatus member of the present invention includes the thermocouple guide, the operation of inserting the thermocouple into the thermocouple passage can be smoothly performed, and the semiconductor device can be easily manufactured. As a result, productivity is improved.
  • the guide hole may be formed as an arc of a circular arc or an oval along a direction in which the thermocouple passage extends as the thermocouple passage is approached. In this way, the operation of inserting the thermocouple into the thermocouple passage can be performed more smoothly.
  • thermocouple guide may be made of the same material as the ceramic plate.
  • thermocouple guide and the ceramic plate can be integrated, for example, by diffusion bonding.
  • the thermocouple may be biased by a spring such that the temperature measuring portion abuts on the closed end.
  • the temperature measuring portion of the thermocouple since the temperature measuring portion of the thermocouple is constantly pressed against the closed end of the thermocouple passage by the spring, the temperature measuring accuracy on the outer peripheral side of the ceramic plate is enhanced.
  • thermocouple passage is a hole drilled toward the center from the outer peripheral surface of the ceramic plate, and an end portion opened to the outer peripheral surface is the same material as the ceramic plate It may be sealed by the cap which consists of. In this way, the thermocouple passage can be made relatively easily.
  • Such a cap may have a support portion for supporting the temperature measurement at a position in contact with the temperature measurement portion provided at the tip of the thermocouple.
  • This support portion may be a tapered portion which is drilled in the horizontal direction and whose diameter decreases as it approaches the outer peripheral surface of the ceramic plate, or is formed so as to be connected to the outer peripheral surface side of the ceramic plate from the tapered portion It may be a tunnel portion that substantially matches the outer diameter of the temperature measuring portion of the thermocouple.
  • the ceramic plate is obtained by surface-joining a pair of thin plates, and the thermocouple passage is a passage groove formed in at least one bonding surface of the pair of thin plates. It may be formed by Also in this case, the thermocouple passage can be produced relatively easily.
  • the thermocouple passage When the passage groove is formed to reach the outer peripheral surface of the ceramic plate, the thermocouple passage has an open end on the outer peripheral surface, so the end is sealed with the above-mentioned cap
  • the passage groove is stopped in front of the outer peripheral surface of the ceramic plate, such a cap is not necessary because the end of the thermocouple passage does not reach the outer peripheral surface.
  • Such a passage groove may have a support portion for supporting the temperature measuring portion at a closed end that contacts the temperature measuring portion provided at the tip of the thermocouple.
  • the temperature measuring portion of the thermocouple is in constant contact with the same position of the closed end while being supported by the support portion provided at the closed end of the passage groove, so that the temperature measurement accuracy is improved.
  • This support portion may be a tapered portion in which the groove depth becomes shallower as it gets closer to the outer peripheral surface of the ceramic plate, or it is formed so as to be connected from the tapered portion to the outer peripheral surface side of the ceramic plate
  • the tunnel portion may be substantially the same as the outer diameter of the temperature measuring portion.
  • FIG. 2 is a longitudinal sectional view of a ceramic heater 10; It is a fragmentary sectional view of a ceramic heater different from ceramic heater 10, (a) shows before insertion of temperature measurement part 50a, (b) shows after insertion of temperature measurement part 50a. It is a fragmentary sectional view of a ceramic heater different from ceramic heater 10, (a) shows before insertion of temperature measurement part 50a, (b) shows after insertion of temperature measurement part 50a.
  • FIG. 6 is a partial cross-sectional view of a ceramic heater different from the ceramic heater 10; FIG. 6 is a partial cross-sectional view of a ceramic heater different from the ceramic heater 10; FIG. 6 is a partial cross-sectional view of a ceramic heater different from the ceramic heater 10; FIG.
  • FIG. 6 is a partial cross-sectional view of a ceramic heater different from the ceramic heater 10;
  • FIG. 5 is a longitudinal sectional view of a ceramic heater different from the ceramic heater 10;
  • FIG. 5 is a longitudinal sectional view of a ceramic heater different from the ceramic heater 10;
  • FIG. 6 is a partial cross-sectional view of a ceramic heater different from the ceramic heater 10;
  • FIG. 5 is a longitudinal sectional view of a ceramic heater different from the ceramic heater 10; It is AA sectional drawing of FIG. It is a fragmentary sectional view of the modification of FIG.
  • FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a ceramic heater 10.
  • the ceramic heater 10 is a kind of semiconductor manufacturing apparatus member, and the disk-shaped ceramic plate 20 whose surface is the wafer mounting surface S, and the surface (back surface) of the ceramic plate 20 opposite to the wafer mounting surface S. And a hollow shaft 40 joined thereto.
  • the ceramic plate 20 is a disk-shaped plate made of a ceramic material typified by aluminum nitride and alumina.
  • the inner peripheral side resistance heating body 22 and the outer peripheral side resistance heating body 24 are embedded.
  • Both resistance heating elements 22 and 24 are made of, for example, a band-like member containing tungsten or tungsten carbide as a main component.
  • the inner peripheral resistance heating element 22 starts from the positive electrode terminal 22a disposed in the vicinity of the center of the ceramic plate 20, and is wired substantially in the entire small circle area Z1 including the center of the ceramic plate 20 in a single writing manner. Then, it is formed so as to reach the negative electrode terminal 22b provided next to the positive electrode terminal 22a.
  • the outer peripheral resistance heating element 24 starts from an end of the positive electrode terminal 24a disposed near the center of the ceramic plate 20, and is wired substantially in the entire annular region Z2 on the outer peripheral side of the small circle region Z1 in a single writing manner. Then, it is formed to reach the negative electrode terminal 24b provided next to the positive electrode terminal 24a.
  • the specific example of the wiring pattern of both resistance heating elements 22 and 24 is not illustrated here, the pattern of FIG. 1 of patent document 1 etc. are mentioned, for example.
  • thermocouple passage 26 extending from the center side of the ceramic plate 20 to the front of the outer peripheral surface is formed.
  • the thermocouple passage 26 is formed in parallel with the wafer mounting surface S.
  • the thermocouple passage 26 does not have to be parallel to the wafer mounting surface S, and may be formed obliquely with respect to the wafer mounting surface S.
  • the thermocouple passage 26 is constituted by a bore 28 bored in the radial direction from the outer peripheral surface of the ceramic plate 20 toward the center and a cap 30 for closing the opening of the bore 28.
  • the cap 30 is formed of the same material as the ceramic plate 20.
  • thermocouple guide 32 is attached to the back surface of the ceramic plate 20 so as to protrude from the back surface of the ceramic plate 20.
  • the thermocouple guide 32 is formed of the same material as the ceramic plate 20.
  • the attachment method may employ, for example, diffusion bonding, brazing, screwing, etc., but in this case diffusion bonding is performed.
  • the thermocouple guide 32 has a guide hole 32a which is an internal passage.
  • the guide hole 32a communicates with the center side of the ceramic plate 20 in the thermocouple passage 26, and the direction in which the thermocouple passage 26 extends such that the angle between the guide hole 32a and the thermocouple passage 26 is an obtuse angle. It is provided obliquely to.
  • the shaft 40 is formed of the same material as the ceramic plate 20. One end of the shaft 40 is diffusion bonded to the ceramic plate 20, and the other end is airtightly connected to the support 46 via an O-ring. Inside the shaft 40, the feed rods 42a and 42b connected to the positive electrode terminal 22a and the negative electrode terminal 22b of the inner peripheral resistance heating element 22, and the positive electrode terminal 24a and the negative terminal 24b of the outer peripheral resistance heating element 24, respectively. Power feed rods 44a and 44b connected to the power supply are disposed. Also, an inner thermocouple 48 for measuring the temperature near the center of the ceramic plate 20 and an outer thermocouple 50 for measuring the temperature near the outer periphery of the ceramic plate 20 are also arranged inside the shaft 40. ing.
  • the inner circumference side thermocouple 48 is inserted into a recess provided at the center of the back surface of the ceramic plate 20, and the temperature measuring portion 48a at the tip is in contact with the ceramic plate 20.
  • the outer peripheral side thermocouple 50 passes through the guide hole 32 a of the thermocouple guide 32 and the thermocouple passage 26, and the temperature measuring unit 50 a at the tip is in contact with the back side of the cap 30.
  • the outer peripheral side thermocouple 50 extends in the vertical direction inside the shaft 40, but curves in the guide hole 32 a and in front of and behind the guide hole 32 a and extends in the horizontal direction inside the thermocouple passage 26.
  • the back surface of the cap 30 corresponds to the closed end of the thermocouple passage 26 located in front of the outer peripheral surface of the ceramic plate 20.
  • the ceramic plate 20 in which the inner peripheral resistance heating element 22, the outer peripheral resistance heating element 24, and the terminals 22a, 22b, 24a, 24b are embedded is prepared. Subsequently, holes are made from the back surface of the ceramic plate 20 toward the terminals 22a, 22b, 24a, 24b to expose the terminals in the holes. Further, in the center of the back surface of the ceramic plate 20, a recess for inserting the inner circumferential thermocouple 48 is formed. Subsequently, a hole 28 is formed radially from the outer peripheral surface of the ceramic plate 20 toward the center, and the opening of the hole 28 is closed with a cap 30 to form a thermocouple passage 26.
  • thermocouple guide 32 is inserted into this hole.
  • the shaft 40 is positioned at the center of the ceramic plate 20. Then, in this state, the cap 30, the thermocouple guide 32, and the shaft 40 are diffusion bonded to the ceramic plate 20. Because all these members are the same material, all diffusion bonding can be performed in one step.
  • the feed rods 42a, 42b, 44a, 44b are connected to the terminals 22a, 22b, 24a, 24b, and the temperature measuring portion 48a of the inner circumferential thermocouple 48 is formed in the recess of the ceramic plate 20.
  • the outer peripheral side thermocouple 50 is inserted from the guide hole 32 a of the thermocouple guide 32 through the thermocouple passage 26 until it abuts on the back surface of the cap 30.
  • the angle ⁇ between the guide hole 32a and the thermocouple passage 26 is an obtuse angle.
  • thermocouple passage 26 When the tip of the outer peripheral side thermocouple 50 enters the thermocouple passage 26 from the guide hole 32a, it is difficult to be caught at a corner. For this reason, the outer peripheral side thermocouple 50 can be smoothly inserted into the thermocouple passage 26.
  • thermocouple guide 32 since the thermocouple guide 32 is provided, the operation of inserting the outer peripheral side thermocouple 50 into the thermocouple passage 26 can be smoothly performed, and the manufacturing is easy. As a result, productivity is improved. It is also conceivable to form a guide hole in the oblique direction inside the ceramic plate 20 instead of attaching the thermocouple guide 32, but in that case, the thickness of the ceramic plate 20 is small, so In comparison, the length of the guide hole is insufficient, and the outer peripheral thermocouple 50 can not be inserted smoothly.
  • thermocouple guide 32 is made of the same material as the ceramic plate 20
  • the thermocouple guide 32 and the ceramic plate 20 can be integrated by diffusion bonding.
  • thermocouple passage 26 is relatively easy to manufacture because it is composed of the bore 28 and the cap 30.
  • the back surface of the cap 30 is not particularly processed, but a support portion for supporting the temperature measuring portion 50a may be formed on the back surface.
  • a tapered portion 130a may be bored in the horizontal direction from the back surface of the cap 130, and this tapered portion 130a may be used as a support portion.
  • 2 (a) shows the temperature measurement unit 50a before insertion
  • FIG. 2 (b) shows the temperature measurement unit 50a after insertion.
  • the tapered portion 130a is formed to have a smaller diameter as it approaches the outer peripheral surface of the ceramic plate 20, and the temperature measuring portion 50a is supported on the inner wall of the tapered portion 130a at the same diameter as the outer diameter of the temperature measuring portion 50a. Be done.
  • a tunnel portion 130 b formed so as to be connected from the tapered portion 130 a to the outer peripheral surface side of the ceramic plate 20 may be used as a support portion.
  • 3 (a) shows the state before the insertion of the temperature measuring unit 50a
  • FIG. 3 (b) shows the state after the insertion of the temperature measuring unit 50a.
  • the tunnel portion 130 b is a hole formed so that the diameter thereof substantially matches the outer diameter of the temperature measuring portion 50 a.
  • the temperature measuring unit 50a is supported while being inserted into the tunnel unit 130b.
  • the temperature measuring portion 50a of the outer peripheral side thermocouple 50 abuts on the same position of the cap 30 in a state of being constantly supported by the support portion of the cap 30, so temperature measurement accuracy is enhanced. .
  • the ceramic plate 120 in which a pair of upper and lower thin plates 121 and 123 are surface-bonded may be used.
  • a passage groove 123a which becomes the thermocouple passage 126 after surface bonding is formed on the upper surface of the lower thin plate 123.
  • the passage grooves 123a open on the outer peripheral surface of the ceramic plate 120, as in the case of the perforations 28 in the first embodiment.
  • a cap 30 is required to close the opening.
  • the passage groove 123a is formed from the center side of the lower thin plate 123 to the front of the outer peripheral surface, when the upper and lower thin plates 121 and 123 are surface-joined, the thermocouple The passage 126 has a closed end in front of the outer peripheral surface of the ceramic plate 120. For this reason, the cap 30 mentioned above becomes unnecessary.
  • the passage groove may be provided on the lower surface of the upper thin plate 121, or may be provided on both the lower surface of the upper thin plate 121 and the upper surface of the lower thin plate 123.
  • thermocouple guide 32 is attached obliquely to the back surface of the ceramic plate 20, as shown in FIG. 6, a thermocouple guide 132 having a guide hole 132a in the oblique direction may be attached to a cylinder. .
  • the angle between the guide hole 132a and the thermocouple passage 26 is an obtuse angle.
  • the thermocouple guide 132 is attached straight to the back of the ceramic plate 20.
  • a thermocouple guide 232 in which a curved guide hole 232 a is formed in a cylinder may be attached.
  • the curved guide hole 232a has a large angle with respect to the direction in which the thermocouple passage 26 extends (an angle formed by the tangents of the thermocouple passage 26 and the guide hole 232a and an obtuse angle side) as the thermocouple passage 26 is approached. It has become. In any case, as in the above-described embodiment, the operation of inserting the outer peripheral side thermocouple 50 into the thermocouple passage 26 can be smoothly performed.
  • the length of the thermocouple guide 332 may be as long as possible inside the shaft 40.
  • the guide hole 332 a can be made sufficiently long, so the operation of inserting the outer peripheral side thermocouple 50 into the thermocouple passage 26 can be performed more smoothly.
  • the outer peripheral thermocouple 50 may be biased by a spring 52 so that the temperature measuring unit 50 a abuts on the back surface of the cap 30.
  • a flange 50b for receiving the spring 52 is provided on the rear end side of the outer peripheral side thermocouple 50, and a through hole 46a in the diagonal direction coinciding with the axis of the guide hole 332a is provided in the support base 46. Set up.
  • a screw groove is formed on the inner wall of the through hole 46a. Then, before attaching the shaft 40 to the support base 46, insert the outer peripheral side thermocouple 50 into the thermocouple passage 26, insert the outer peripheral side thermocouple 50 into the through hole 46a of the support base 46, and then support the shaft 40. Attach to the base 46. Subsequently, the spring 52 is inserted into the through hole 46a, and then the cylindrical fixing screw 54 is screwed into the through hole 46a and fixed. In this case, since the temperature measuring portion 50a of the outer peripheral thermocouple 50 is constantly pressed against the back surface of the cap 30 by the spring 52, the temperature measurement accuracy on the outer peripheral side of the ceramic plate 20 is enhanced.
  • FIG. 9 shows a cross-sectional view of a ceramic heater adopting the structure of FIG. 8 using a ceramic plate 220 in which a pair of thin plates 221 and 223 are surface-bonded.
  • the passage groove 224 has a support portion that supports the temperature measurement portion 50 a at an end portion that contacts the temperature measurement portion 50 a of the outer peripheral side thermocouple 50.
  • the passage groove 224 is formed so as to be connected to the tapered portion 224a whose groove depth becomes shallower as it approaches the outer peripheral surface of the ceramic plate 220, and from the tapered portion 224a to the outer peripheral surface side of the ceramic plate 220.
  • a tunnel portion 224b is formed, the groove depth of which substantially matches the outer diameter of the temperature measuring portion 50a.
  • the tunnel portion 224b is a support portion. In this case, since the temperature measuring unit 50a abuts on the same position of the ceramic plate 220 while being constantly supported by the tunnel portion 224b, the temperature measurement accuracy is improved.
  • FIG. 10 shows a partial cross-sectional view of a ceramic heater employing the outer peripheral thermocouple 150 whose thickness is changed in the structure of FIG.
  • the obliquely extending oblique portion 150z is made thicker.
  • the oblique portion 150z is the thickest
  • the curved portion 150y is thick next
  • the horizontal portion 150x is thinnest.
  • the outer peripheral thermocouple 150 can be easily inserted, and the shape after the insertion can be easily stabilized.
  • the boundary between the oblique portion 150z and the curved portion 150y is a step in FIG. 10, this boundary may be tapered.
  • FIG. 11 shows a longitudinal cross-sectional view of a ceramic heater employing a pipe-shaped thermocouple guide 432 having an arc portion using a ceramic plate 420 in which a pair of thin plates 421 and 423 are surface-joined.
  • FIG. 12 shows an AA cross section of FIG.
  • the thermocouple passage 426 is formed by surface-joining the lower thin plate 423 in which the passage groove 424a is formed from the center side to the front of the outer peripheral surface, and the upper thin plate 421.
  • the thermocouple guide 432 is connected from the support base 446 to the center end of the thermocouple passage 426 through the inside of the shaft 440.
  • thermocouple guide 432 extends straight from the bottom to the top inside the shaft 440 and is then bent in an arc to turn 90 °, and is guided by the slit 423 a provided in the lower thin plate 423 to be a thermocouple passage It is connected to 426.
  • the outer circumferential thermocouple 50 is a sheath thermocouple. After the thermocouple guide 432 is attached to the ceramic plate 420, the outer circumferential side thermocouple 50 is inserted from below the thermocouple guide 432 and guided to the thermocouple passage 426 before attaching the support base 446. As in the case of FIG.
  • the temperature measuring unit 50 a is pressed against the closed end of the thermocouple passage 426 by urging the outer periphery side thermocouple 50 with a spring 52. If such a thermocouple guide 432 is employed, the operation of inserting the outer peripheral side thermocouple 50 into the thermocouple passage 426 can be performed more smoothly.
  • the radius of curvature of the arc portion of the thermocouple guide 432 may be appropriately determined according to the outer diameter, material, and the like of the outer peripheral thermocouple 50. For example, 20 to 50 times the outer diameter of the outer peripheral thermocouple 50 , Preferably 30 to 40 times.
  • FIG. 13 is a partial cross-sectional view of a modification of FIG.
  • the thermocouple passage 426 is formed substantially parallel to the wafer mounting surface S.
  • the ceiling portion of the thermocouple passage 526 is on the wafer mounting surface S along the way from the outer peripheral side to the center. It is approximately parallel and inclined obliquely upward toward the center from the middle.
  • the thermocouple passage 526 is a passage surrounded by a passage groove 524 a formed in the upper thin plate 521 and a lower thin plate 523. In this way, it is easy to insert the tip of the thermocouple guide 432 having the arc portion into the thermocouple passage 526.
  • the thermocouple passage 526 may be inclined not only at the ceiling portion but also entirely.
  • thermocouple passage 526 the ceiling portion is formed substantially in parallel with the wafer mounting surface S, and the bottom portion is substantially parallel to the wafer mounting surface S from the outer peripheral side to the center
  • a thermocouple passage may be adopted which inclines obliquely downward as it goes. Not only the bottom portion but also the entire thermocouple passage may be inclined.
  • Example 1 The ceramic heater of the structure of FIG. 9 was assembled.
  • the ceramic plate 220 was made of AlN and had an outer diameter of 350 mm, and those of 10 mm in thickness of the upper and lower thin plates 221 and 222 were solid-phase bonded to ensure airtightness of the bonding interface.
  • the shaft 40 had a length of 200 mm and an inner diameter of 50 mm.
  • the position of the closed end of the thermocouple passage 226 is 120 mm from the center of the ceramic plate 220, and the horizontal length L2 from the end on the center side of the ceramic plate 220 in the thermocouple passage 226 to the tapered portion 224a is 100 mm and the width is 2
  • the depth is the same as the width to 3 mm
  • the horizontal length of the tapered portion 224a is 10 mm
  • the horizontal length L1 of the tunnel portion 224b is 10 mm
  • the width is 1.1 mm
  • the depth is the same.
  • the cross-sectional shape of the thermocouple passage 226 is square or U-shaped.
  • the thermocouple guide 332 is made of AlN and has an outer diameter of 10 mm and a length of 50 mm.
  • the inner diameter of the guide hole 332a was set to ⁇ 3 mm.
  • the angle (obtuse angle side) formed between the guide hole 332 a and the thermocouple passage 226 is 100 °.
  • the outer peripheral side thermocouple 50 was inserted into the thermocouple passage 226 via the guide hole 332 a.
  • the outer periphery side thermocouple 50 used was a K thermocouple, a sheath material of SUS316, a sheath outer diameter of ⁇ 1.0 mm, and a flat end surface of the temperature measuring portion 50a. As a result, the outer peripheral thermocouple 50 can be smoothly inserted until the temperature measuring portion 50a enters the tunnel portion 224b and reaches the closed end without stopping halfway.
  • Example 2 The ceramic heater of the structure of FIG. 11 was assembled. However, here, after attaching the thermocouple guide 432 to the ceramic plate 420, before attaching the shaft 440 and the support base 446, it is checked whether the outer peripheral side thermocouple 50 can be inserted into the thermocouple guide 432 or not.
  • the outer peripheral side thermocouple 50 a K thermocouple having a sheath outer diameter of ⁇ 1.0 mm and a sheath material of SUS304 was used.
  • As the thermocouple guide 432 a pipe having an outer diameter of ⁇ 2.0 mm and a wall thickness of 0.2 mm was used.
  • the outer peripheral thermocouple 50 could be inserted smoothly.
  • the outer peripheral thermocouple 50 can be inserted smoothly.
  • the present invention is used as a semiconductor manufacturing apparatus member, that is, as a component of an apparatus for manufacturing a semiconductor or the like, and examples thereof include an electrostatic chuck and a ceramic heater.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Surface Heating Bodies (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

　セラミックヒーター１０は、ウエハ載置面を有する円盤状のセラミックプレート２０と、このセラミックプレート２０のウエハ載置面とは反対側の面に接合された中空状のシャフト４０とを備えている。セラミックプレート２０の内部には、セラミックプレート２０の中央側から外周面の手前に至る熱電対通路２６が形成されている。セラミックプレート２０の裏面には、パイプ形状の熱電対ガイド３２が取り付けられている。熱電対ガイド３２のガイド穴３２ａは、熱電対通路２６のうちセラミックプレート２０の中央側に連通しており、熱電対通路２６の延びる方向に対して斜めになるように設けられている。

Description

半導体製造装置部材
　本発明は、半導体製造装置部材に関する。
　半導体製造装置は、エッチング装置、イオン注入装置、電子ビーム露光装置などにおいて、ウエハを固定したりウエハを加熱・冷却したりするのに用いられる。こうした半導体製造装置に用いられる部材（半導体製造装置部材）としては、ウエハ載置面を有する円盤状のセラミックプレートの内周側と外周側にそれぞれ独立にヒーターを埋め込んだ２ゾーンヒーターと呼ばれるものが知られている（例えば特許文献１）。２ゾーンヒーターは、セラミックプレート中に、内周側抵抗発熱体と外周側抵抗発熱体とをそれぞれ独立に埋め込み、各抵抗発熱体に給電端子を設け、各抵抗発熱体にそれぞれ独立に電圧を印加することにより、各抵抗発熱体からの発熱を独立して制御するものである。具体的には、セラミックプレートの内周側の温度と外周側の温度とを測定し、セラミックプレートの全面が目標温度となるように各抵抗発熱体からの発熱を制御する。セラミックプレートの内周側の温度と外周側の温度を測定するにあたっては、ゾーンごとにつまり内周側と外周側のそれぞれに、熱電対用の穴を設け、その穴に熱電対を配置し、各熱電対により温度を測定する方法が知られている（例えば特許文献２）。
特開２００７－８８４８４号公報 特開２００５－１６６３５４号公報
　しかしながら、外周側に熱電対用の穴を設けてその穴に熱電対を配置する場合、次のような問題がある。すなわち、通常、セラミックプレートのうちウエハ載置面とは反対側の面には中空のシャフトが取り付けられ、そのシャフトの内部に熱電対や給電線などが配置される。このため、セラミックプレートの外周側に開けた穴に熱電対を配置する場合、シャフトの径を大きくする必要があるが、そうすると、ウエハ載置面上のウエハを上下させるリフターピンをセットできないおそれがある。リフターピンは、シャフトの外側においてセラミックプレートの外周側に設けた貫通穴に挿通されるものであるが、シャフトの径が大きくなりすぎると、セラミックプレートのうちシャフトの外側の領域が狭くなりすぎてリフターピンを設置するスペースがなくなるからである。
　一方、セラミックプレートの中央側から外周面の手前にウエハ載置面と平行な熱電対通路を埋設し、熱電対通路のうちセラミックプレートの中央側の端部に繋がる穴を開け、その穴から熱電対通路に熱電対を挿入することも考えられる。しかし、垂直方向の穴から水平方向の熱電対通路へ熱電対を挿入するのは、曲がり角が約９０°のため容易ではないという問題がある。
　本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、セラミックプレートの中央側から外周面の手前に至る熱電対通路に熱電対が挿入された半導体製造装置部材であって、製造しやすいものを提供することを主目的とする。
　本発明の半導体製造装置部材は、上述の主目的を達成するために以下の手段を採った。
　すなわち、本発明の半導体製造装置部材は、
　ウエハ載置面を有する円盤状のセラミックプレートと、
　前記セラミックプレートの内部に設けられ、該セラミックプレートの中央側から外周面の手前に至る熱電対通路と、
　前記セラミックプレートの前記ウエハ載置面とは反対側の面から前記熱電対通路のうち前記セラミックプレートの中央側に連通するガイド穴を有する熱電対ガイドと、
　前記ガイド穴及び前記熱電対通路を通過し、測温部が前記熱電対通路のうち前記セラミックプレートの外周面の手前に存在する閉塞端に当接するように配置された熱電対と、
　を備え、
　前記ガイド穴は、前記ガイド穴と前記熱電対通路とのなす角度が鈍角となるように前記熱電対通路の延びる方向に対して斜めに設けられているか、又は、前記熱電対通路に近づくにつれて前記熱電対通路の延びる方向に沿うように設けられているものである。
　本発明の半導体製造装置部材では、熱電対を熱電対通路に挿入する際、熱電対を熱電対ガイドのガイド穴を介して熱電対通路に挿入する。ここで、ガイド穴が熱電対通路の延びる方向に対して斜めになるように設けられている場合には、ガイド穴と熱電対通路とがなす角度は鈍角となるため、熱電対の先端がガイド穴から熱電対通路へ進入する際に曲がり角で引っかかりにくい。また、ガイド穴が熱電対通路に近づくにつれて熱電対通路の延びる方向に沿うように設けられている場合には、ガイド穴は連続的に方向が変化してカーブしているため、熱電対の先端がガイド穴から熱電対通路へ進入する際に曲がり角で引っかかりにくい。このように、本発明の半導体製造装置部材は、熱電対ガイドを備えているため、熱電対通路に熱電対を挿入する操作をスムーズに行うことができ、製造しやすい。その結果、生産性が向上する。
　本発明の半導体製造装置部材において、前記ガイド穴は、前記熱電対通路に近づくにつれて前記熱電対通路の延びる方向に沿うように設けられた部分が円弧又は楕円の弧として形成されていてもよい。こうすれば、熱電対通路に熱電対を挿入する操作をよりスムーズに行うことができる。
　本発明の半導体製造装置部材において、前記熱電対ガイドは、前記セラミックプレートと同じ材料で作製されていてもよい。こうすれば、例えば拡散接合により熱電対ガイドとセラミックプレートとを一体化することができる。
　本発明の半導体製造装置部材において、前記熱電対は、前記測温部が前記閉塞端に当接するようにバネで付勢されていてもよい。こうすれば、熱電対の測温部は絶えずバネにより熱電対通路の閉塞端に押しつけられているため、セラミックプレートの外周側の測温精度が高まる。
　本発明の半導体製造装置部材において、前記熱電対通路は、前記セラミックプレートの外周面から中央に向かって穿設された孔であり、該外周面に開いた端部は、前記セラミックプレートと同じ材料からなるキャップにより封止されていてもよい。こうすれば、熱電対通路を比較的簡単に作製することができる。
　こうしたキャップは、熱電対の先端に設けられた測温部と当接する箇所に該測温を支持する支持部を有していてもよい。こうすれば、熱電対の測温部は絶えずキャップの支持部に支持された状態でキャップの同じ位置に当接するため、測温精度が高まる。この支持部は、水平方向に穿設されセラミックプレートの外周面に近づくほど径が小さくなるテーパ部であってもよいし、そのテーパ部からセラミックプレートの外周面側に繋がるように形成され径が熱電対の測温部の外径と略一致するトンネル部であってもよい。
　本発明の半導体製造装置部材において、前記セラミックプレートは、一対の薄型プレートを面接合したものであり、前記熱電対通路は、前記一対の薄型プレートの少なくとも一方の接合面に形成された通路用溝によって形成されていてもよい。こうしても、熱電対通路を比較的簡単に作製することができる。なお、通路用溝をセラミックプレートの外周面に到達するまで形成した場合には、熱電対通路は外周面に開いた端部を持つことになるため、その端部を上述のキャップにより封止することになるが、通路用溝をセラミックプレートの外周面の手前で止めた場合には、熱電対通路の端部は外周面に達していないため、そのようなキャップは不要となる。
　こうした通路用溝は、熱電対の先端に設けられた測温部と当接する閉塞端に該測温部を支持する支持部を有していてもよい。こうすれば、熱電対の測温部は絶えず通路用溝の閉塞端に設けられた支持部に支持された状態でその閉塞端の同じ位置に当接するため、測温精度が高まる。この支持部は、セラミックプレートの外周面に近づくほど溝深さが浅くなるテーパ部であってもよいし、そのテーパ部からセラミックプレートの外周面側に繋がるように形成され溝深さが熱電対の測温部の外径と略一致するトンネル部であってもよい。
セラミックヒーター１０の縦断面図である。 セラミックヒーター１０とは異なるセラミックヒーターの部分断面図であり、（ａ）は測温部５０ａの挿入前、（ｂ）は測温部５０ａの挿入後を示す。 セラミックヒーター１０とは異なるセラミックヒーターの部分断面図であり、（ａ）は測温部５０ａの挿入前、（ｂ）は測温部５０ａの挿入後を示す。 セラミックヒーター１０とは異なるセラミックヒーターの部分断面図である。 セラミックヒーター１０とは異なるセラミックヒーターの部分断面図である。 セラミックヒーター１０とは異なるセラミックヒーターの部分断面図である。 セラミックヒーター１０とは異なるセラミックヒーターの部分断面図である。 セラミックヒーター１０とは異なるセラミックヒーターの縦断面図である。 セラミックヒーター１０とは異なるセラミックヒーターの縦断面図である。 セラミックヒーター１０とは異なるセラミックヒーターの部分断面図である。 セラミックヒーター１０とは異なるセラミックヒーターの縦断面図である。 図１１のＡ－Ａ断面図である。 図１１の変形例の部分断面図である。
　本発明の好適な実施形態を図面を参照しながら以下に説明する。図１はセラミックヒーター１０の縦断面図である。
　セラミックヒーター１０は、半導体製造装置部材の一種であり、表面がウエハ載置面Ｓである円盤状のセラミックプレート２０と、このセラミックプレート２０のウエハ載置面Ｓとは反対側の面（裏面）に接合された中空状のシャフト４０とを備えている。
　セラミックプレート２０は、窒化アルミニウムやアルミナなどに代表されるセラミック材料からなる円盤状のプレートである。このセラミックプレート２０には、内周側抵抗発熱体２２と外周側抵抗発熱体２４とが埋設されている。両抵抗発熱体２２，２４は、例えばタングステンや炭化タングステンを主成分とする帯状の部材で構成されている。内周側抵抗発熱体２２は、セラミックプレート２０の中央付近に配設された正極端子２２ａから端を発し、一筆書きの要領でセラミックプレート２０の中心を含む小円領域Ｚ１のほぼ全域に配線されたあと正極端子２２ａの隣に設けられた負極端子２２ｂに至るように形成されている。外周側抵抗発熱体２４は、セラミックプレート２０の中央付近に配設された正極端子２４ａから端を発し、一筆書きの要領で小円領域Ｚ１よりも外周側の環状領域Ｚ２のほぼ全域に配線されたあと正極端子２４ａの隣に設けられた負極端子２４ｂに至るように形成されている。両抵抗発熱体２２，２４の配線パターンの具体例は、ここでは図示しないが、例えば特許文献１の図１のパターンなどが挙げられる。
　このセラミックプレート２０の内部には、セラミックプレート２０の中央側から外周面の手前に至る熱電対通路２６が形成されている。この熱電対通路２６は、ウエハ載置面Ｓと平行に形成されている。但し、熱電対通路２６は、ウエハ載置面Ｓと平行である必要はなく、ウエハ載置面Ｓに対して斜めに形成されていてもよい。また、熱電対通路２６は、セラミックプレート２０の外周面から半径方向に沿って中心に向かって穿設された穿孔２８と、その穿孔２８の開口を塞ぐキャップ３０とで構成されている。このキャップ３０は、セラミックプレート２０と同じ材料で形成されている。また、セラミックプレート２０の裏面には、パイプ形状の熱電対ガイド３２がセラミックプレート２０の裏面から突出するように取り付けられている。この熱電対ガイド３２は、セラミックプレート２０と同じ材料で形成されている。取付方法は、例えば、拡散接合、ろう付け、ネジ止めなどを採用することができるが、ここでは拡散接合されている。熱電対ガイド３２は、内部通路であるガイド穴３２ａを有している。このガイド穴３２ａは、熱電対通路２６のうちセラミックプレート２０の中央側に連通しており、ガイド穴３２ａと熱電対通路２６とのなす角度が鈍角となるように、熱電対通路２６の延びる方向に対して斜めに設けられている。
　シャフト４０は、セラミックプレート２０と同じ材料で形成されている。このシャフト４０は、一端がセラミックプレート２０に拡散接合され、他端が支持台４６にＯリングを介して気密に接続されている。シャフト４０の内部には、内周側抵抗発熱体２２の正極端子２２ａ及び負極端子２２ｂのそれぞれに接続される給電棒４２ａ，４２ｂや外周側抵抗発熱体２４の正極端子２４ａ及び負極端子２４ｂのそれぞれに接続される給電棒４４ａ，４４ｂが配置されている。また、シャフト４０の内部には、セラミックプレート２０の中央付近の温度を測定するための内周側熱電対４８やセラミックプレート２０の外周付近の温度を測定するための外周側熱電対５０も配置されている。内周側熱電対４８は、セラミックプレート２０の裏面中央に設けられた凹部に差し込まれ、先端の測温部４８ａがセラミックプレート２０に接触している。外周側熱電対５０は、熱電対ガイド３２のガイド穴３２ａ及び熱電対通路２６を通過し、先端の測温部５０ａがキャップ３０の裏側に接触している。この外周側熱電対５０は、シャフト４０の内部では垂直方向に延びているが、ガイド穴３２ａやその前後で湾曲し、熱電対通路２６の内部では水平方向に延びている。なお、キャップ３０の裏面は、熱電対通路２６のうちセラミックプレート２０の外周面の手前に存在する閉塞端に相当する。
　次に、セラミックヒーター１０の製造例について説明する。まず、内周側抵抗発熱体２２、外周側抵抗発熱体２４、各端子２２ａ，２２ｂ，２４ａ，２４ｂを埋め込んだセラミックプレート２０を用意する。続いて、セラミックプレート２０の裏面から各端子２２ａ，２２ｂ，２４ａ，２４ｂに向けて穴を開けて各端子を穴内に露出させる。また、セラミックプレート２０の裏面中央には、内周側熱電対４８を差し込むための凹部を形成する。続いて、セラミックプレート２０の外周面から半径方向に沿って中心に向かって穿孔２８を形成し、その穿孔２８の開口をキャップ３０で塞ぐことにより、熱電対通路２６とする。そして、セラミックプレート２０の裏面から、熱電対通路２６のうちセラミックプレート２０の中央側の端部に向けて斜めに穴を設け、この穴に熱電対ガイド３２を差し込む。続いて、セラミックプレート２０の中央にシャフト４０を位置決めする。そして、この状態で、キャップ３０、熱電対ガイド３２及びシャフト４０をセラミックプレート２０に拡散接合する。これらの部材はすべて同じ材料のため、１ステップですべての拡散接合を行うことができる。
　その後、シャフト４０の内部において、各給電棒４２ａ，４２ｂ，４４ａ，４４ｂを各端子２２ａ，２２ｂ，２４ａ，２４ｂに接続し、内周側熱電対４８の測温部４８ａをセラミックプレート２０の凹部に差し込む。また、外周側熱電対５０を熱電対ガイド３２のガイド穴３２ａから熱電対通路２６を経てキャップ３０の裏面に当接するまで差し込む。このとき、ガイド穴３２ａが熱電対通路２６の延びる方向に対して斜めになるように設けられているため、ガイド穴３２ａと熱電対通路２６とのなす角度αは鈍角となる。このため、外周側熱電対５０の先端がガイド穴３２ａから熱電対通路２６へ進入する際に曲がり角で引っかかりにくい。このため、外周側熱電対５０を熱電対通路２６へスムーズに挿入することができる。
　以上説明した本実施形態のセラミックヒーター１０によれば、熱電対ガイド３２を備えているため、熱電対通路２６に外周側熱電対５０を挿入する操作をスムーズに行うことができ、製造しやすい。その結果、生産性が向上する。なお、熱電対ガイド３２を取り付ける代わりに、セラミックプレート２０の内部に斜め方向のガイド穴を形成することも考えられるが、その場合には、セラミックプレート２０の厚さが薄いため熱電対ガイド３２に比べてガイド穴の長さが不十分となり、外周側熱電対５０をスムーズに挿入することはできない。
　また、熱電対ガイド３２は、セラミックプレート２０と同じ材料で作製されているため、拡散接合により熱電対ガイド３２とセラミックプレート２０とを一体化することができる。
　更に、熱電対通路２６は、穿孔２８とキャップ３０とで構成されているため、比較的簡単に作製することができる。
　なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。
　例えば、上述した実施形態では、キャップ３０の裏面を特に加工しなかったが、この裏面に測温部５０ａを支持する支持部を形成してもよい。具体的には、図２に示すように、キャップ１３０の裏面から水平方向にテーパ部１３０ａを穿設し、このテーパ部１３０ａを支持部としてもよい。なお、図２（ａ）は測温部５０ａの挿入前、（ｂ）は測温部５０ａの挿入後を示す。テーパ部１３０ａは、セラミックプレート２０の外周面に近づくほど径が小さくなるように形成されており、測温部５０ａはテーパ部１３０ａの内壁のうち測温部５０ａの外径と同じ径のところで支持される。あるいは、図３に示すように、テーパ部１３０ａからセラミックプレート２０の外周面側に繋がるように形成したトンネル部１３０ｂを支持部としてもよい。なお、図３（ａ）は測温部５０ａの挿入前、（ｂ）は測温部５０ａの挿入後を示す。このトンネル部１３０ｂは、径が測温部５０ａの外径と略一致するように形成された孔である。この場合、測温部５０ａはトンネル部１３０ｂに差し込まれた状態で支持される。図２及び図３の構造のいずれにおいても、外周側熱電対５０の測温部５０ａは絶えずキャップ３０の支持部に支持された状態でキャップ３０の同じ位置に当接するため、測温精度が高まる。
　上述した実施形態では、一体焼結品のセラミックプレート２０を用いたが、図４や図５に示すように、上下一対の薄型プレート１２１，１２３を面接合したセラミックプレート１２０を用いてもよい。この場合、下側の薄型プレート１２３の上面には、面接合後に熱電対通路１２６となる通路用溝１２３ａを形成する。例えば、図４に示すように、通路用溝１２３ａを下側の薄型プレート１２３の中央側から外周面を貫通するように形成した場合には、上下一対の薄型プレート１２１，１２３を面接合すると、通路用溝１２３ａは第１実施形態の穿孔２８と同様、セラミックプレート１２０の外周面に開口する。このため、その開口を閉塞するためのキャップ３０が必要となる。一方、図５に示すように、通路用溝１２３ａを下側の薄型プレート１２３の中央側から外周面の手前まで形成した場合には、上下一対の薄型プレート１２１，１２３を面接合すると、熱電対通路１２６はセラミックプレート１２０の外周面の手前に閉塞端が存在することになる。このため、上述したキャップ３０は不要となる。なお、通路用溝は、上側の薄型プレート１２１の下面に設けてもよいし、上側の薄型プレート１２１の下面と下側の薄型プレート１２３の上面の両方に設けてもよい。
　上述した実施形態では、熱電対ガイド３２をセラミックプレート２０の裏面に斜めに取り付けたが、図６に示すように、円柱に斜め方向のガイド穴１３２ａを形成した熱電対ガイド１３２を取り付けてもよい。ガイド穴１３２ａと熱電対通路２６とのなす角度は鈍角である。この熱電対ガイド１３２は、セラミックプレート２０の裏面に真っ直ぐに取り付ける。あるいは、図７に示すように、円柱にカーブ形状のガイド穴２３２ａを形成した熱電対ガイド２３２を取り付けてもよい。このカーブ形状のガイド穴２３２ａは、熱電対通路２６に近づくにつれて熱電対通路２６の延びる方向に対する角度（熱電対通路２６とガイド穴２３２ａの接線とがなす角度であって鈍角側の角度）が大きくなっている。いずれの場合も、上述した実施形態と同様、熱電対通路２６に外周側熱電対５０を挿入する操作をスムーズに行うことができる。
　上述した実施形態において、図８に示すように、熱電対ガイド３３２の長さをシャフト４０の内部でできるだけ長くしてもよい。こうすれば、ガイド穴３３２ａを十分長くすることができるため、熱電対通路２６に外周側熱電対５０を挿入する操作をよりスムーズに行うことができる。また、測温部５０ａがキャップ３０の裏面に当接するように外周側熱電対５０をバネ５２で付勢してもよい。具体的には、図８に示すように、外周側熱電対５０の後端側にバネ５２を受けるフランジ５０ｂを設け、支持台４６にガイド穴３３２ａの軸線と一致する斜め方向の貫通穴４６ａを設けておく。また、貫通穴４６ａの内壁には、ネジ溝を形成しておく。そして、シャフト４０を支持台４６に取り付ける前に、外周側熱電対５０を熱電対通路２６に挿入し、外周側熱電対５０を支持台４６の貫通穴４６ａに挿通し、その後、シャフト４０を支持台４６に取り付ける。続いて、バネ５２を貫通穴４６ａに入れたあと、円柱状の固定ネジ５４を貫通穴４６ａにねじ込んで固定する。こうすれば、外周側熱電対５０の測温部５０ａは絶えずバネ５２によりキャップ３０の裏面に押しつけられているため、セラミックプレート２０の外周側の測温精度が高まる。
　図９は、１対の薄型プレート２２１，２２３を面接合したセラミックプレート２２０を用いて、図８の構造を採用したセラミックヒーターの断面図を示す。ここでは、通路用溝２２４は、外周側熱電対５０の測温部５０ａと当接する端部に測温部５０ａを支持する支持部を有している。具体的には、通路用溝２２４には、セラミックプレート２２０の外周面に近づくほど溝深さが浅くなるテーパ部２２４ａと、そのテーパ部２２４ａからセラミックプレート２２０の外周面側に繋がるように形成され溝深さが測温部５０ａの外径と略一致するトンネル部２２４ｂとが形成されている。このトンネル部２２４ｂが支持部となる。この場合、測温部５０ａは絶えずトンネル部２２４ｂに支持された状態でセラミックプレート２２０の同じ位置に当接するため、測温精度が高まる。
　図１０は、図８の構造において、太さが変化している外周側熱電対１５０を採用したセラミックヒーターの部分断面図を示す。ここでは、熱電対通路２６に配置される水平部分１５０ｘやガイド穴３３２ａから熱電対通路２６に至る湾曲部分１５０ｙに比べて、斜めに延びる斜め部分１５０ｚの方を太くしている。具体的には、斜め部分１５０ｚが最も太く、次に湾曲部分１５０ｙが太く、水平部分１５０ｘが最も細くなっている。こうすれば、外周側熱電対１５０を挿入しやすい上、挿入後の形状が安定しやすい。なお、図１０では、斜方部分１５０ｚと湾曲部分１５０ｙとの境界を段差としたが、この境界をテーパ形状としてもよい。
　図１１は、１対の薄型プレート４２１，４２３を面接合したセラミックプレート４２０を用いて、円弧部分を有するパイプ状の熱電対ガイド４３２を採用したセラミックヒーターの縦断面図を示す。図１２は、図１１のＡ－Ａ断面図を示す。熱電対通路４２６は、通路用溝４２４ａを中央側から外周面の手前まで形成した下側の薄型プレート４２３と、上側の薄型プレート４２１とを面接合することにより、形成されている。また、熱電対ガイド４３２は、支持台４４６からシャフト４４０の内部を通って熱電対通路４２６の中央側の端部に接続されている。この熱電対ガイド４３２は、シャフト４４０の内部で下方から上方に真っ直ぐ延びたあと円弧状に曲げられて９０°方向転換し、下側の薄型プレート４２３に設けたスリット４２３ａに案内されて熱電対通路４２６へ繋がっている。外周側熱電対５０は、シース熱電対である。この外周側熱電対５０は、セラミックプレート４２０に熱電対ガイド４３２を取り付けた後、支持台４４６を取り付ける前に、熱電対ガイド４３２の下方から挿入されて熱電対通路４２６へと導かれる。外周側熱電対５０は、図８と同様、バネ５２で付勢されることにより、測温部５０ａが熱電対通路４２６の閉塞端に押しつけられている。このような熱電対ガイド４３２を採用すれば、熱電対通路４２６に外周側熱電対５０を挿入する操作をよりスムーズに行うことができる。なお、熱電対ガイド４３２の円弧部分の曲率半径は、外周側熱電対５０の外径や材質などに応じて適宜決定すればよいが、例えば、外周側熱電対５０の外径の２０～５０倍、好ましくは３０～４０倍としてもよい。
　図１３は、図１１の変形例の部分断面図である。図１１では、熱電対通路４２６はウエハ載置面Ｓと略平行に形成したが、図１３では、熱電対通路５２６の天井部分は、外周側から中心に向かう途中まではウエハ載置面Ｓと略平行でその途中から中心に向かうにつれて斜め上向きに傾斜している。この熱電対通路５２６は、上側の薄型プレート５２１に形成された通路用溝５２４ａと、下側の薄型プレート５２３とによって囲まれた通路である。こうすれば、円弧部分を有する熱電対ガイド４３２の先端を熱電対通路５２６に挿入しやすくなる。なお、熱電対通路５２６は、天井部分だけでなく全体が傾斜していてもよい。また、熱電対通路５２６の代わりに、天井部分はウエハ載置面Ｓと略平行に形成し、底部分は外周側から中心に向かう途中までウエハ載置面Ｓと略平行でその途中から中心に向かうにつれて斜め下向きに傾斜する熱電対通路を採用してもよい。この熱電対通路も、底部分だけでなく全体が傾斜していてもよい。
［実施例１］
　図９の構造のセラミックヒーターを組み立てた。セラミックプレート２２０は、ＡｌＮ製、外径φ３５０ｍｍとし、上下の薄型プレート２２１，２２２の厚み１０ｍｍのものを固相接合し、接合界面の気密性を確保したものを用いた。シャフト４０は、長さが２００ｍｍ、内径がφ５０ｍｍのものを用いた。熱電対通路２２６の閉塞端の位置をセラミックプレート２２０の中心から１２０ｍｍとし、熱電対通路２２６のうちセラミックプレート２２０の中心側の端部からテーパ部２２４ａまでの水平長さＬ２を１００ｍｍ、幅を２～３ｍｍ、深さを幅と同じとし、テーパ部２２４ａの水平長さを１０ｍｍとし、トンネル部２２４ｂの水平長さＬ１を１０ｍｍ、幅を１．１ｍｍ、深さを幅と同じとした。熱電対通路２２６の断面形状は、正方形又はＵ字状とした。熱電対ガイド３３２は、ＡｌＮ製で、外径がφ１０ｍｍ、長さが５０ｍｍとした。また、ガイド穴３３２ａの内径をφ３ｍｍとした。ガイド穴３３２ａと熱電対通路２２６とのなす角度（鈍角側）は１００°とした。そして、外周側熱電対５０をガイド穴３３２ａを介して熱電対通路２２６へと挿入した。使用した外周側熱電対５０は、Ｋ熱電対、シース材質はＳＵＳ３１６、シース外径はφ１．０ｍｍ、測温部５０ａの端面はフラットなものを用いた。その結果、外周側熱電対５０は途中で止まることなく、測温部５０ａがトンネル部２２４ｂに入り込み閉塞端に達するまで、スムーズに挿入することができた。
［実施例２］
　図１１の構造のセラミックヒーターを組み立てた。但し、ここでは、セラミックプレート４２０に熱電対ガイド４３２を取り付けた後、シャフト４４０や支持台４４６を取り付ける前に、外周側熱電対５０を熱電対ガイド４３２に挿入することができるか否かを調べた。外周側熱電対５０としては、シース外径がφ１．０ｍｍ、シース材質がＳＵＳ３０４のＫ熱電対を用いた。熱電対ガイド４３２としては、外径がφ２．０ｍｍ、肉厚０．２ｍｍのパイプを用いた。熱電対ガイド４３２の円弧部分の曲率半径を４０ｍｍ（シース外径の４０倍）としたところ、スムーズに外周側熱電対５０を挿入することができた。また、熱電対ガイド４３２の円弧部分の曲率半径を３０ｍｍ（シース外径の３０倍）とした場合でも、スムーズに外周側熱電対５０を挿入することができた。
　本出願は、２０１０年９月２４日に出願された米国仮出願６１／３８６，０１１を優先権主張の基礎としており、引用によりその内容の全てが本明細書に含まれる。
　本発明は、半導体製造装置部材すなわち半導体等を製造する装置の部品として用いられるものであり、例えば静電チャックやセラミックヒーターなどが挙げられる。

Claims (8)

  1. 　ウエハ載置面を有する円盤状のセラミックプレートと、
    　前記セラミックプレートの内部に設けられ、該セラミックプレートの中央側から外周面の手前に至る熱電対通路と、
    　前記セラミックプレートの前記ウエハ載置面とは反対側の面から前記熱電対通路のうち前記セラミックプレートの中央側に連通するガイド穴を有する熱電対ガイドと、
    　前記ガイド穴及び前記熱電対通路を通過し、測温部が前記熱電対通路のうち前記セラミックプレートの外周面の手前に存在する閉塞端に当接するように配置された熱電対と、
    　を備え、
    　前記ガイド穴は、前記ガイド穴と前記熱電対通路とのなす角度が鈍角となるように前記熱電対通路の延びる方向に対して斜めに設けられているか、又は、前記熱電対通路に近づくにつれて前記熱電対通路の延びる方向に沿うように設けられている、
    　半導体製造装置部材。
  2. 　前記ガイド穴は、前記熱電対通路に近づくにつれて前記熱電対通路の延びる方向に沿うように設けられた部分が円弧又は楕円の弧として形成されている、
    　請求項１に記載の半導体製造装置部材。
  3. 　前記熱電対ガイドは、前記セラミックプレートと同じ材料で作製されている、
    　請求項１又は２に記載の半導体製造装置部材。
  4. 　前記熱電対は、前記測温部が前記閉塞端に当接するようにバネで付勢されている、
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の半導体製造装置部材。
  5. 　前記熱電対通路は、前記セラミックプレートの外周面から中央に向かって穿設された孔であり、該外周面に開いた端部は、前記セラミックプレートと同じ材料からなるキャップにより封止されている、
    　請求項１～４のいずれか１項に記載の半導体製造装置部材。
  6. 　前記キャップは、前記熱電対の測温部と当接する箇所に該測温部を支持する支持部を有している、
    　請求項５に記載の半導体製造装置部材。
  7. 　前記セラミックプレートは、一対の薄型プレートを面接合したものであり、
    　前記熱電対通路は、前記一対の薄型プレートの少なくとも一方の接合面に形成された通路用溝によって形成されている。
    　請求項１～４のいずれか１項に記載の半導体製造装置部材。
  8. 　前記通路用溝は、前記熱電対の測温部と当接する端部に該測温部を支持する支持部を有している、
    　請求項７に記載の半導体製造装置部材。
PCT/JP2011/071603 2010-09-24 2011-09-22 半導体製造装置部材 WO2012039453A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020127011186A KR101357928B1 (ko) 2010-09-24 2011-09-22 반도체 제조 장치 부재
JP2012535068A JP5501467B2 (ja) 2010-09-24 2011-09-22 半導体製造装置部材
CN201180004405.7A CN102598212B (zh) 2010-09-24 2011-09-22 半导体制造装置部件
US13/459,695 US8790007B2 (en) 2010-09-24 2012-04-30 Semiconductor manufacturing apparatus member

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US38601110P 2010-09-24 2010-09-24
US61/386,011 2010-09-24

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US13/459,695 Continuation US8790007B2 (en) 2010-09-24 2012-04-30 Semiconductor manufacturing apparatus member

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012039453A1 true WO2012039453A1 (ja) 2012-03-29

Family

ID=45873937

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/071603 WO2012039453A1 (ja) 2010-09-24 2011-09-22 半導体製造装置部材

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8790007B2 (ja)
JP (1) JP5501467B2 (ja)
KR (1) KR101357928B1 (ja)
CN (1) CN102598212B (ja)
TW (1) TWI501339B (ja)
WO (1) WO2012039453A1 (ja)

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013162000A1 (ja) * 2012-04-27 2013-10-31 日本発條株式会社 基板支持装置及び基板支持装置に熱電対を配設する方法
JP2015018704A (ja) * 2013-07-11 2015-01-29 日本碍子株式会社 セラミックヒータ
JP2018046079A (ja) * 2016-09-12 2018-03-22 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP2018046078A (ja) * 2016-09-12 2018-03-22 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP2018073919A (ja) * 2016-10-26 2018-05-10 日本特殊陶業株式会社 保持装置及びその製造方法
JP2018074009A (ja) * 2016-10-31 2018-05-10 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP2018107204A (ja) * 2016-12-22 2018-07-05 日本特殊陶業株式会社 載置部材およびその製造方法
WO2020129798A1 (ja) * 2018-12-20 2020-06-25 日本碍子株式会社 セラミックヒータ
WO2020129641A1 (ja) * 2018-12-20 2020-06-25 日本碍子株式会社 セラミックヒータ
CN111656860A (zh) * 2018-12-20 2020-09-11 日本碍子株式会社 陶瓷加热器
US10840117B2 (en) 2016-09-12 2020-11-17 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Holding apparatus
US20210043475A1 (en) * 2018-03-28 2021-02-11 Kyocera Corporation Heater and heater system
KR20210098858A (ko) 2020-02-03 2021-08-11 엔지케이 인슐레이터 엘티디 세라믹 히터
KR20210098859A (ko) 2020-02-03 2021-08-11 엔지케이 인슐레이터 엘티디 세라믹 히터
KR20210098857A (ko) 2020-02-03 2021-08-11 엔지케이 인슐레이터 엘티디 세라믹 히터 및 그의 제법
KR20210098860A (ko) 2020-02-03 2021-08-11 엔지케이 인슐레이터 엘티디 세라믹 히터 및 열전대 가이드
JP2021174586A (ja) * 2020-04-20 2021-11-01 日本碍子株式会社 セラミックヒータ及びその製法
KR20210154737A (ko) 2020-06-12 2021-12-21 엔지케이 인슐레이터 엘티디 열전대 가이드 및 세라믹 히터
KR20210154736A (ko) 2020-06-12 2021-12-21 엔지케이 인슐레이터 엘티디 열전대 가이드 및 세라믹 히터
JP7503983B2 (ja) 2020-09-18 2024-06-21 株式会社フェローテックマテリアルテクノロジーズ ウエハ支持体

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5912439B2 (ja) * 2011-11-15 2016-04-27 東京エレクトロン株式会社 温度制御システム、半導体製造装置及び温度制御方法
US10553463B2 (en) 2011-11-15 2020-02-04 Tokyo Electron Limited Temperature control system, semiconductor manufacturing device, and temperature control method
KR102171734B1 (ko) * 2013-03-15 2020-10-29 컴포넌트 알이-엔지니어링 컴퍼니, 인코포레이티드 멀티플 존 히터
CN104296887B (zh) * 2013-07-17 2017-04-05 中微半导体设备(上海)有限公司 一种实现稳定测温的测温装置及其所在的半导体设备
JP6378942B2 (ja) * 2014-06-12 2018-08-22 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
TWI665328B (zh) 2014-07-02 2019-07-11 美商應用材料股份有限公司 用於電漿處理的多區域基座
KR102164611B1 (ko) 2014-07-02 2020-10-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 매립형 광섬유들 및 에폭시 광학 확산기들을 사용하는 기판들의 온도 제어를 위한 장치, 시스템들, 및 방법들
KR101773749B1 (ko) * 2015-01-20 2017-08-31 엔지케이 인슐레이터 엘티디 샤프트 단부 부착 구조
US10497606B2 (en) 2015-02-09 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Dual-zone heater for plasma processing
US9738975B2 (en) 2015-05-12 2017-08-22 Lam Research Corporation Substrate pedestal module including backside gas delivery tube and method of making
US10973088B2 (en) * 2016-04-18 2021-04-06 Applied Materials, Inc. Optically heated substrate support assembly with removable optical fibers
KR101994178B1 (ko) 2017-10-24 2019-09-30 (주)티티에스 세라믹 플레이트 제조 방법
KR102015643B1 (ko) 2017-10-24 2019-08-28 (주)티티에스 열전대 삽입 홈을 구비한 히터
WO2019157023A1 (en) * 2018-02-09 2019-08-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing apparatus having improved temperature control
KR102382375B1 (ko) * 2018-07-13 2022-04-08 엔지케이 인슐레이터 엘티디 세라믹 히터
WO2020072416A1 (en) * 2018-10-01 2020-04-09 Daily Thermetrics Corp. Quick connect temperature sensing assembly for measuring temperature of a surface of a structure
JP2020064841A (ja) * 2018-10-11 2020-04-23 日本発條株式会社 ステージ、成膜装置、および膜加工装置
EP3866565B1 (en) * 2018-10-11 2024-04-17 NHK Spring Co., Ltd. Stage, film forming device, and film processing device
KR102581102B1 (ko) * 2019-01-25 2023-09-20 엔지케이 인슐레이터 엘티디 세라믹 히터
WO2020189264A1 (ja) * 2019-03-18 2020-09-24 日本碍子株式会社 セラミックヒータ及びその製法
CN111714058B (zh) * 2019-03-22 2024-08-16 青岛海尔洗碗机有限公司 一种洗碗机水路加热器及应用其的洗碗机
TWI845682B (zh) * 2019-05-22 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 工件基座主體
US11774298B2 (en) * 2020-02-12 2023-10-03 Tokyo Electron Limited Multi-point thermocouples and assemblies for ceramic heating structures
JP7430617B2 (ja) * 2020-10-16 2024-02-13 日本碍子株式会社 ウエハ載置台

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006253723A (ja) * 2006-06-07 2006-09-21 Sumitomo Electric Ind Ltd ウエハー保持体用測温装置及びウエハー保持体
WO2009001866A1 (ja) * 2007-06-28 2008-12-31 Tokyo Electron Limited 載置台構造及び熱処理装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6645344B2 (en) 2001-05-18 2003-11-11 Tokyo Electron Limited Universal backplane assembly and methods
JP3897563B2 (ja) * 2001-10-24 2007-03-28 日本碍子株式会社 加熱装置
JP2005166354A (ja) 2003-12-01 2005-06-23 Ngk Insulators Ltd セラミックヒーター
JP4640842B2 (ja) 2006-10-11 2011-03-02 日本碍子株式会社 加熱装置
JP4450106B1 (ja) * 2008-03-11 2010-04-14 東京エレクトロン株式会社 載置台構造及び処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006253723A (ja) * 2006-06-07 2006-09-21 Sumitomo Electric Ind Ltd ウエハー保持体用測温装置及びウエハー保持体
WO2009001866A1 (ja) * 2007-06-28 2008-12-31 Tokyo Electron Limited 載置台構造及び熱処理装置

Cited By (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013162000A1 (ja) * 2012-04-27 2013-10-31 日本発條株式会社 基板支持装置及び基板支持装置に熱電対を配設する方法
JP2015018704A (ja) * 2013-07-11 2015-01-29 日本碍子株式会社 セラミックヒータ
US10840117B2 (en) 2016-09-12 2020-11-17 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Holding apparatus
JP2018046079A (ja) * 2016-09-12 2018-03-22 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP2018046078A (ja) * 2016-09-12 2018-03-22 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP2018073919A (ja) * 2016-10-26 2018-05-10 日本特殊陶業株式会社 保持装置及びその製造方法
US10453712B2 (en) 2016-10-31 2019-10-22 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Holding device
JP2018074009A (ja) * 2016-10-31 2018-05-10 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP2018107204A (ja) * 2016-12-22 2018-07-05 日本特殊陶業株式会社 載置部材およびその製造方法
US11961747B2 (en) * 2018-03-28 2024-04-16 Kyocera Corporation Heater and heater system
US20210043475A1 (en) * 2018-03-28 2021-02-11 Kyocera Corporation Heater and heater system
CN112514534A (zh) * 2018-12-20 2021-03-16 日本碍子株式会社 陶瓷加热器
WO2020129641A1 (ja) * 2018-12-20 2020-06-25 日本碍子株式会社 セラミックヒータ
CN111788862A (zh) * 2018-12-20 2020-10-16 日本碍子株式会社 陶瓷加热器
KR20200103087A (ko) 2018-12-20 2020-09-01 엔지케이 인슐레이터 엘티디 세라믹 히터
JP2020194784A (ja) * 2018-12-20 2020-12-03 日本碍子株式会社 セラミックヒータ
JP6743325B1 (ja) * 2018-12-20 2020-08-19 日本碍子株式会社 セラミックヒータ
CN111656860B (zh) * 2018-12-20 2022-05-27 日本碍子株式会社 陶瓷加热器
KR20210045473A (ko) 2018-12-20 2021-04-26 엔지케이 인슐레이터 엘티디 세라믹 히터
US12089297B2 (en) 2018-12-20 2024-09-10 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic heater
CN111656860A (zh) * 2018-12-20 2020-09-11 日本碍子株式会社 陶瓷加热器
US11895742B2 (en) 2018-12-20 2024-02-06 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic heater
US11664244B2 (en) 2018-12-20 2023-05-30 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic heater
WO2020129798A1 (ja) * 2018-12-20 2020-06-25 日本碍子株式会社 セラミックヒータ
JP7181314B2 (ja) 2018-12-20 2022-11-30 日本碍子株式会社 セラミックヒータ
JPWO2020129798A1 (ja) * 2018-12-20 2021-10-21 日本碍子株式会社 セラミックヒータ
CN112514534B (zh) * 2018-12-20 2022-10-28 日本碍子株式会社 陶瓷加热器
KR102432592B1 (ko) 2018-12-20 2022-08-18 엔지케이 인슐레이터 엘티디 세라믹 히터
JP2021125499A (ja) * 2020-02-03 2021-08-30 日本碍子株式会社 セラミックヒータ及び熱電対ガイド
KR20210098860A (ko) 2020-02-03 2021-08-11 엔지케이 인슐레이터 엘티디 세라믹 히터 및 열전대 가이드
KR20210098858A (ko) 2020-02-03 2021-08-11 엔지케이 인슐레이터 엘티디 세라믹 히터
KR20210098859A (ko) 2020-02-03 2021-08-11 엔지케이 인슐레이터 엘티디 세라믹 히터
US11924929B2 (en) 2020-02-03 2024-03-05 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic heater and thermocouple guide
KR20210098857A (ko) 2020-02-03 2021-08-11 엔지케이 인슐레이터 엘티디 세라믹 히터 및 그의 제법
JP2021125308A (ja) * 2020-02-03 2021-08-30 日本碍子株式会社 セラミックヒータ
US11874180B2 (en) 2020-02-03 2024-01-16 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic heater
JP7210492B2 (ja) 2020-02-03 2023-01-23 日本碍子株式会社 セラミックヒータ
KR102537778B1 (ko) 2020-02-03 2023-05-31 엔지케이 인슐레이터 엘티디 세라믹 히터
JP7240341B2 (ja) 2020-02-03 2023-03-15 日本碍子株式会社 セラミックヒータ及び熱電対ガイド
JP7348877B2 (ja) 2020-04-20 2023-09-21 日本碍子株式会社 セラミックヒータ及びその製法
JP2021174586A (ja) * 2020-04-20 2021-11-01 日本碍子株式会社 セラミックヒータ及びその製法
US12120782B2 (en) 2020-04-20 2024-10-15 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic heater and method of producing the same
JP2021196237A (ja) * 2020-06-12 2021-12-27 日本碍子株式会社 熱電対ガイド及びセラミックヒータ
JP7212006B2 (ja) 2020-06-12 2023-01-24 日本碍子株式会社 熱電対ガイド及びセラミックヒータ
JP7197534B2 (ja) 2020-06-12 2022-12-27 日本碍子株式会社 セラミックヒータ
KR20210154737A (ko) 2020-06-12 2021-12-21 엔지케이 인슐레이터 엘티디 열전대 가이드 및 세라믹 히터
KR20210154736A (ko) 2020-06-12 2021-12-21 엔지케이 인슐레이터 엘티디 열전대 가이드 및 세라믹 히터
US12087600B2 (en) 2020-06-12 2024-09-10 Ngk Insulators, Ltd. Thermocouple guide and ceramic heater
JP2021196238A (ja) * 2020-06-12 2021-12-27 日本碍子株式会社 熱電対ガイド及びセラミックヒータ
JP7503983B2 (ja) 2020-09-18 2024-06-21 株式会社フェローテックマテリアルテクノロジーズ ウエハ支持体

Also Published As

Publication number Publication date
TW201222696A (en) 2012-06-01
KR101357928B1 (ko) 2014-02-03
CN102598212A (zh) 2012-07-18
JP5501467B2 (ja) 2014-05-21
CN102598212B (zh) 2015-07-15
KR20120060911A (ko) 2012-06-12
US8790007B2 (en) 2014-07-29
US20120211933A1 (en) 2012-08-23
JPWO2012039453A1 (ja) 2014-02-03
TWI501339B (zh) 2015-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2012039453A1 (ja) 半導体製造装置部材
US10453712B2 (en) Holding device
JP6573134B2 (ja) 温度センサ較正用ブロック較正器
JP6743325B1 (ja) セラミックヒータ
JP7181314B2 (ja) セラミックヒータ
TWI761051B (zh) 陶瓷加熱器以及其製造方法
KR20210098861A (ko) 세라믹 히터
KR20210098857A (ko) 세라믹 히터 및 그의 제법
US20210242053A1 (en) Ceramic heater
US20210243847A1 (en) Ceramic heater and thermocouple guide
JP7257211B2 (ja) セラミックヒータ
KR102594930B1 (ko) 열전대 가이드 및 세라믹 히터
JP6775099B1 (ja) セラミックヒータ
JP2017191094A (ja) センサ及びセンサの製造方法
US11874180B2 (en) Ceramic heater

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201180004405.7

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2012535068

Country of ref document: JP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20127011186

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11826898

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11826898

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1