KR20210098860A - 세라믹 히터 및 열전대 가이드 - Google Patents

세라믹 히터 및 열전대 가이드 Download PDF

Info

Publication number
KR20210098860A
KR20210098860A KR1020210011324A KR20210011324A KR20210098860A KR 20210098860 A KR20210098860 A KR 20210098860A KR 1020210011324 A KR1020210011324 A KR 1020210011324A KR 20210011324 A KR20210011324 A KR 20210011324A KR 20210098860 A KR20210098860 A KR 20210098860A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thermocouple
cylindrical shaft
ceramic plate
long hole
curved
Prior art date
Application number
KR1020210011324A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102495556B1 (ko
Inventor
다이스케 츠네카와
슈이치로 모토야마
Original Assignee
엔지케이 인슐레이터 엘티디
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엔지케이 인슐레이터 엘티디 filed Critical 엔지케이 인슐레이터 엘티디
Publication of KR20210098860A publication Critical patent/KR20210098860A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102495556B1 publication Critical patent/KR102495556B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
    • H05B3/28—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material
    • H05B3/283—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material the insulating material being an inorganic material, e.g. ceramic
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/02—Details
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/02—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
    • H05B3/14—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
    • H05B3/141—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
    • H05B3/143—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds applied to semiconductors, e.g. wafers heating
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
    • H05B3/26—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor mounted on insulating base
    • H05B3/265—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor mounted on insulating base the insulating base being an inorganic material, e.g. ceramic

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Surface Heating Bodies (AREA)

Abstract

세라믹 히터(10)는, 웨이퍼 적재면(20a)을 갖는 원반형의 세라믹 플레이트(20)와, 세라믹 플레이트(20) 중 웨이퍼 적재면(20a)과는 반대측의 이면(20b)에 일단이 접합된 통형 샤프트(40)와, 세라믹 플레이트(20)의 이면(20b) 중 통형 샤프트(40)의 내측인 샤프트 내 영역(20d)와, 샤프트 내 영역(20d)의 외주부의 기점 S로부터 세라믹 플레이트(20)의 외주부의 종단 위치 E에 이르는 긴 구멍(26)과, 외주측 열전대(50)의 선단이 긴 구멍(26)의 기점 S에 들어가도록 가이드하는 열전대 가이드를 구비한다. 열전대 가이드(32) 중 통형 샤프트(40)의 하단으로부터 긴 구멍(26)의 기점 S까지의 부분은, 통형 샤프트(40)의 내벽을 따르는 형상으로 마련되어 있다.

Description

세라믹 히터 및 열전대 가이드{CERAMIC HEATER AND THERMOCOUPLE GUIDE}
본 발명은 세라믹 히터 및 열전대 가이드에 관한 것이다.
종래, 세라믹 히터로서는, 웨이퍼 적재면을 갖는 원반형 세라믹 플레이트의 내주측과 외주측에 각각 독립적으로 저항 발열체를 매립한 2존 히터라 불리는 것이 알려져 있다. 예를 들어 특허문헌 1에는, 도 8에 도시하는 샤프트 부착 세라믹 히터(410)가 개시되어 있다. 이 샤프트 부착 세라믹 히터(410)는, 세라믹 플레이트(420)의 외주측의 온도를 외주측 열전대(450)로 측정한다. 열전대 가이드(432)는, 통형 부재이며, 스트레이트 샤프트(440)의 내부에서 하방으로부터 상방으로 곧게 연장된 후 원호형으로 구부러져 90°방향 전환되어 있다. 이 열전대 가이드(432)는, 세라믹 플레이트(420)의 이면 중 스트레이트 샤프트(440)에 둘러싸인 영역에 마련된 슬릿(426a)에 장착되어 있다. 슬릿(426a)은, 열전대 통로(426)의 입구 부분을 이룬다. 외주측 열전대(450)는, 열전대 가이드(432)의 통 내에 삽입되어 열전대 통로(426)의 종단(終端) 위치에 도달해 있다.
국제 공개 제2012/039453호 팸플릿(도 11)
그러나, 열전대 가이드(432)는, 스트레이트 샤프트(440) 내부의 중앙 부근에 마련되며, 슬릿(426a)은, 세라믹 플레이트(420)의 이면 중 스트레이트 샤프트(440)에 둘러싸인 영역의 직경 방향을 따라 마련되어 있다. 그 때문에, 복수의 단자를 배치하려고 한 경우에, 단자 등의 배치의 자유도가 제한되는 문제가 있었다.
본 발명은 이러한 과제를 해결하기 위해 이루어진 것이며, 다존 히터에 있어서, 단자 등의 배치의 자유도를 높이는 것을 주목적으로 한다.
본 발명의 제1 세라믹 히터는,
웨이퍼 적재면을 갖는 원반형의 세라믹 플레이트와,
상기 세라믹 플레이트 중 상기 웨이퍼 적재면과는 반대측의 이면에 일단이 접합된 통형 샤프트와,
상기 세라믹 플레이트의 내주부에 매설된 내주측 저항 발열체와,
상기 세라믹 플레이트의 외주부에 매설된 외주측 저항 발열체와,
상기 세라믹 플레이트의 상기 이면 중 상기 통형 샤프트의 내측인 샤프트 내 영역과,
상기 샤프트 내 영역의 외주부의 기점으로부터 상기 세라믹 플레이트의 외주부의 소정의 종단 위치에 이르는 긴 구멍과,
상기 샤프트 내 영역에 마련되고, 상기 내주측 저항 발열체의 한쌍의 단자 및 상기 외주측 저항 발열체의 한쌍의 단자를 포함하는 부대 부품과,
열전대의 선단이 상기 긴 구멍의 기점에 들어가도록 가이드하는 열전대 가이드를 구비하고,
상기 열전대 가이드 중 상기 통형 샤프트의 타단으로부터 상기 긴 구멍의 상기 기점까지의 부분은, 상기 통형 샤프트의 내벽을 따르는 형상으로 마련되어 있는 것이다.
이 세라믹 히터에서는, 열전대 가이드 중 통형 샤프트의 타단(세라믹 플레이트의 이면에 접합된 단부와는 반대측의 단부)으로부터 긴 구멍의 기점까지의 부분은, 통형 샤프트의 내벽을 따르는 형상으로 마련되어 있다. 이와 같이 열전대 가이드가 통형 샤프트의 내벽을 따라 마련되어 있기 때문에, 샤프트 내 영역의 중앙 부근에 부속 부품을 배치하거나, 그 부속 부품에 접속된 각종 부재를 통형 샤프트의 내부 공간에 배치하거나 해도, 부속 부품이나 각종 부재는 열전대와 간섭하기 어렵다. 따라서, 다존 히터에 있어서, 부대 부품의 배치의 자유도를 높일 수 있다.
본 발명의 제1 세라믹 히터에 있어서, 상기 열전대 가이드는, 상기 긴 구멍의 상기 기점을 향하여 상기 통형 샤프트의 내벽을 따라 나선의 일부를 이루도록 만곡되어 있어도 된다. 이렇게 하면, 열전대 가이드를 통형 샤프트의 내벽을 따르게 하는 것이 용이하게 된다.
본 발명의 제1 세라믹 히터에 있어서, 상기 열전대 가이드는, 상기 세라믹 플레이트의 상기 긴 구멍에 접근함에 따라 상기 긴 구멍의 길이 방향을 향하도록 만곡되어 있어도 된다. 이렇게 하면, 긴 구멍에 열전대를 삽입하는 것이 용이하게 된다.
본 발명의 제1 세라믹 히터에 있어서, 상기 긴 구멍은, 상기 기점으로부터 상기 종단 위치를 향하여 만곡되어 있어도 된다. 이렇게 하면, 세라믹 플레이트에 관통 구멍 등의 장애물이 있는 경우, 그 장애물을 피하여 열전대를 배치할 수 있다.
본 발명의 제1 세라믹 히터에 있어서, 상기 긴 구멍은, 상기 기점으로부터 상기 종단 위치를 향하여 만곡되어 있고, 상기 세라믹 히터를 상기 통형 샤프트의 상기 타단측으로부터 보았을 때, 상기 긴 구멍의 만곡 방향은, 상기 열전대 가이드의 만곡 방향과 일치하고 있어도 된다. 이렇게 하면, 세라믹 플레이트에 관통 구멍 등의 장애물이 있는 경우, 장애물을 피하여 열전대를 배치할 수 있고, 열전대를 삽입할 때에는 원활하게 열전대를 삽입할 수 있다.
본 발명의 제1 세라믹 히터에 있어서, 상기 열전대 가이드에 의해 가이드되고, 상기 통형 샤프트의 상기 타단으로부터 상기 긴 구멍을 통과하여 상기 종단 위치에 이르도록 배치된 열전대를 구비하고 있어도 된다.
본 발명의 제2 세라믹 히터는,
웨이퍼 적재면을 갖는 원반형의 세라믹 플레이트와,
상기 세라믹 플레이트 중 상기 웨이퍼 적재면과는 반대측의 이면에 일단이 접합된 통형 샤프트와,
상기 세라믹 플레이트의 내주부에 매설된 내주측 저항 발열체와,
상기 세라믹 플레이트의 외주부에 매설된 외주측 저항 발열체와,
상기 세라믹 플레이트의 상기 이면 중 상기 통형 샤프트의 내측인 샤프트 내 영역과,
상기 샤프트 내 영역의 외주부의 기점으로부터 상기 세라믹 플레이트의 외주부의 소정의 종단 위치에 이르는 긴 구멍과,
상기 샤프트 내 영역에 마련되고, 상기 내주측 저항 발열체의 한쌍의 단자 및 상기 외주측 저항 발열체의 한쌍의 단자를 포함하는 부대 부품과,
상기 통형 샤프트의 타단으로부터 상기 긴 구멍을 통과하여 상기 종단 위치에 이르도록 배치된 열전대를 구비하고,
상기 열전대 중 상기 통형 샤프트의 상기 타단으로부터 상기 긴 구멍의 상기 기점까지의 부분은,
상기 통형 샤프트의 내벽을 따르는 형상으로 마련되어 있는 것이다.
이 세라믹 히터에서는, 열전대 중 통형 샤프트의 타단(세라믹 플레이트의 이면에 접합된 단부와는 반대측의 단부)으로부터 긴 구멍의 기점까지의 부분은, 통형 샤프트의 내벽을 따르는 형상으로 마련되어 있다. 이와 같이 열전대가 통형 샤프트의 내벽을 따라 마련되어 있기 때문에, 샤프트 내 영역의 중앙 부근에 부속 부품을 배치하거나, 그 부속 부품에 접속된 각종 부재를 통형 샤프트의 내부 공간에 배치하거나 해도, 부속 부품이나 각종 부재는 열전대와 간섭하기 어렵다. 따라서, 다존 히터에 있어서, 부대 부품의 배치의 자유도를 높일 수 있다.
본 발명의 제2 세라믹 히터에 있어서, 상기 열전대는, 상기 긴 구멍의 상기 기점을 향하여 상기 통형 샤프트의 내벽을 따라 나선의 일부를 이루도록 만곡되어 있어도 된다. 이렇게 하면, 열전대를 통형 샤프트의 내벽을 따르게 하는 것이 용이하게 된다.
본 발명의 제2 세라믹 히터에 있어서, 상기 열전대는 상기 세라믹 플레이트의 상기 긴 구멍에 접근함에 따라 상기 긴 구멍의 길이 방향을 향하도록 만곡되어 있어도 된다. 이렇게 하면, 긴 구멍에 열전대를 삽입하는 것이 용이하게 된다.
본 발명의 제2 세라믹 히터에 있어서, 상기 긴 구멍은, 상기 기점으로부터 상기 종단 위치를 향하여 만곡되어 있어도 된다. 이렇게 하면, 세라믹 플레이트에 관통 구멍 등의 장애물이 있는 경우, 그 장애물을 피하여 열전대를 배치할 수 있다.
본 발명의 제2 세라믹 히터에 있어서, 상기 긴 구멍은, 상기 기점으로부터 상기 종단 위치를 향하여 만곡되어 있고, 상기 세라믹 히터를 상기 통형 샤프트의 상기 타단측으로부터 보았을 때, 상기 긴 구멍의 만곡 방향은, 상기 열전대의 만곡 방향과 일치하고 있어도 된다. 이렇게 하면, 세라믹 플레이트에 관통 구멍 등의 장애물이 있는 경우, 장애물을 피하여 열전대를 배치할 수 있고, 열전대를 삽입할 때에는 원활하게 열전대를 삽입할 수 있다.
본 발명의 열전대 가이드는,
선단부로부터 기단부에 이르는 구간 또는 상기 선단부로부터 상기 기단부에 이르는 도중까지의 구간은,
나선의 일부를 이루도록 만곡되어 있는 것이다.
이 열전대 가이드는, 상술한 본 발명의 제1 세라믹 히터를 구성하는 열전대 가이드로서 이용하는 데 적합하다.
도 1은 세라믹 히터(10)의 사시도.
도 2는 도 1의 A-A 단면도.
도 3은 도 1의 B-B 단면도.
도 4는 통형 샤프트(40) 내의 열전대 가이드(32)의 일례를 도시하는 설명도.
도 5는 세라믹 히터(10)의 다른 예의 설명도.
도 6은 세라믹 히터(10)의 다른 예의 설명도.
도 7은 외주측 열전대(50)의 측온부(50a)의 위치의 일례를 도시하는 설명도.
도 8은 종래예의 설명도.
본 발명의 적합한 실시 형태를, 도면을 참조하면서 이하에 설명한다. 도 1은 세라믹 히터(10)의 사시도, 도 2는 도 1의 A-A 단면도, 도 3은 도 1의 B-B 단면도, 도 4는 통형 샤프트(40) 내의 열전대 가이드(32)의 일례를 도시하는 설명도이다.
세라믹 히터(10)는, 에칭이나 CVD 등의 처리가 실시되는 웨이퍼 W를 가열하기 위해 사용되는 것이며, 도시하지 않은 진공 챔버 내에 설치된다. 이 세라믹 히터(10)는, 웨이퍼 적재면(20a)을 갖는 원반형 세라믹 플레이트(20)와, 세라믹 플레이트(20)의 웨이퍼 적재면(20a)과는 반대측면(이면)(20b)에 접합된 통형 샤프트(40)를 구비하고 있다.
세라믹 플레이트(20)는, 질화알루미늄이나 알루미나 등으로 대표되는 세라믹 재료를 포함하는 원반형의 플레이트이다. 세라믹 플레이트(20)의 직경은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 300mm 정도이다. 세라믹 플레이트(20)는, 세라믹 플레이트(20)와 동심원형 가상 경계(20c)(도 3 참조)에 의해 소원형 내주측 존 Z1과 원환형 외주측 존 Z2로 나누어져 있다. 세라믹 플레이트(20)의 내주측 존 Z1에는 내주측 저항 발열체(22)가 매설되고, 외주측 존 Z2에는 외주측 저항 발열체(24)가 매설되어 있다. 양쪽 저항 발열체(22, 24)는, 예를 들어 몰리브덴, 텅스텐 또는 탄화텅스텐을 주성분으로 하는 코일로 구성되어 있다. 세라믹 플레이트(20)는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 상측 플레이트 P1과 그 상측 플레이트 P1보다도 얇은 하측 플레이트 P2를 면 접합함으로써 제작되어 있다.
통형 샤프트(40)는, 세라믹 플레이트(20)와 동일하게 질화알루미늄, 알루미나 등의 세라믹스로 형성되어 있다. 통형 샤프트(40)는, 상단의 세라믹 플레이트(20)에 확산 접합되어 있다.
내주측 저항 발열체(22)는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 한쌍의 단자(22a, 22b) 중 한쪽으로부터 시작이 되어, 끊김 없이 한번에 이어지는 형태로 복수의 폴딩부에서 폴딩되면서 내주측 존 Z1의 거의 전역에 배선된 후, 한쌍의 단자(22a, 22b) 중 다른 쪽에 이르도록 형성되어 있다. 한쌍의 단자(22a, 22b)는, 세라믹 플레이트(20)의 이면(20b) 중 통형 샤프트(40)의 내측 영역(샤프트 내 영역)(20d)에 마련되어 있다. 한쌍의 단자(22a, 22b)에는, 각각 금속제(예를 들어 Ni제)의 급전봉(42a, 42b)이 접합되어 있다. 또한, 급전봉(42a, 42b)은 도시하지 않은 절연관 내에 삽입 관통되어 있다.
외주측 저항 발열체(24)는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 한쌍의 단자(24a, 24b)의 한쪽으로부터 시작이 되어, 끊김 없이 한번에 이어지는 형태로 복수의 폴딩부에서 폴딩되면서 외주측 존 Z2의 거의 전역에 배선된 뒤 한쌍의 단자(24a, 24b) 중 다른 쪽에 이르도록 형성되어 있다. 한쌍의 단자(24a, 24b)는, 세라믹 플레이트(20)의 이면(20b)의 샤프트 내 영역(20d)에 마련되어 있다. 한쌍의 단자(24a, 24b)에는, 각각 금속제(예를 들어 Ni제)의 급전봉(44a, 44b)이 접합되어 있다. 또한, 급전봉(44a, 44b)은 도시하지 않은 절연관 내에 삽입 관통되어 있다.
세라믹 플레이트(20)의 내부에는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 외주측 열전대(50)를 삽입하기 위한 긴 구멍(26)이 웨이퍼 적재면(20a)과 평행하게 마련되어 있다. 긴 구멍(26)은, 도 3에 도시하는 바와 같이, 세라믹 플레이트(20)의 이면(20b) 중 샤프트 내 영역(20d)의 기점 S로부터 세라믹 플레이트(20)의 외주부의 종단 위치 E에 이르고 있다. 긴 구멍(26)은, 기점 S로부터 종단 위치 E까지 직선적으로 연장되어 있다.
열전대 가이드(32)는, 도 4에 도시하는 바와 같이, 가이드 구멍(32a)을 구비한 금속제(예를 들어 스테인리스제)의 통형 부재이다. 열전대 가이드(32)는, 통형 샤프트(40)의 상단에 위치하는 선단부(32b)와, 통형 샤프트(40)의 하단에 위치하는 기단부(32c)와, 통형 샤프트(40)의 하단으로부터 기점 S까지의 부분을 통형 샤프트(40)의 내벽을 따르는 형상으로 마련되어 있는 가이드부(32d)를 구비하고 있다. 가이드부(32d) 중 기점 S의 앞쪽에 이르기까지의 만곡부(32e)는, 통형 샤프트(40)의 내벽을 따르도록 둘레 방향으로 약 1/4바퀴 돌도록(즉 나선의 일부를 이루도록) 만곡되어 있다.
가이드 구멍(32a)에는, 외주측 열전대(50)가 삽입 관통되어 있다. 선단부(32b)는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 긴 구멍(26)의 기점 S에 배치되어 있다. 기단부(32c)는, 통형 샤프트(40)의 하단보다도 하방에 위치하고 있다. 가이드부(32d)는, 가이드 구멍(32a)에 삽입된 외주측 열전대(50)를 기단부(32c)로부터 선단부(32b)까지 원활하게 이동하도록 가이드한다. 만곡부(32e)는, 긴 구멍(26)에 접근함에 따라, 선단부(32b)가 긴 구멍(26)의 길이 방향을 향하도록 형성되어 있다. 또한, 열전대 가이드(32)는, 세라믹 등의 전기 절연성 재료로 형성되어 있어도 된다.
통형 샤프트(40)의 내부에는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 내주측 저항 발열체(22)의 한쌍의 단자(22a, 22b)의 각각에 접속되는 급전봉(42a, 42b)과 외주측 저항 발열체(24)의 한쌍의 단자(24a, 24b)의 각각에 접속되는 급전봉(44a, 44b)이 배치되어 있다. 통형 샤프트(40)의 내부에는, 세라믹 플레이트(20)의 중앙 부근의 온도를 측정하기 위한 내주측 열전대(48)와 세라믹 플레이트(20)의 외주 부근의 온도를 측정하기 위한 외주측 열전대(50)도 배치되어 있다. 내주측 열전대(48)는, 세라믹 플레이트(20)의 이면(20b)에 형성된 오목부(49)에 삽입되며, 선단의 측온부(48a)가 세라믹 플레이트(20)에 접촉하고 있다. 오목부(49)는, 각 단자(22a, 22b, 24a, 24b)와 간섭하지 않는 위치에 마련되어 있다. 외주측 열전대(50)는, 시스 열전대이며, 열전대 가이드(32)의 가이드 구멍(32a) 및 긴 구멍(26)을 통과하고, 선단의 측온부(50a)가 긴 구멍(26)의 종단 위치 E에 도달해 있다.
다음에, 세라믹 히터(10)의 제조예에 대해 설명한다. 세라믹 플레이트(20)의 이면(20b)에 노출되어 있는 단자(22a, 22b, 24a, 24b)의 각각에 급전봉(42a, 42b, 44a, 44b)을 접합하고, 세라믹 플레이트(20)와 통형 샤프트(40)를 접합한 후, 열전대 가이드(32)를 통형 샤프트(40)의 내부에 넣어서 선단부(32b)를 긴 구멍(26)의 기점 S에 고정한다. 이 때, 열전대 가이드(32)는, 통형 샤프트(40)의 내벽에 따른 형상이기 때문에, 급전봉(42a, 42b, 44a, 44b)과 내주측 열전대(48)와 간섭하지 않고, 통형 샤프트(40)의 내부에 세트할 수 있다. 그 후, 열전대 가이드(32)의 가이드 구멍(32a)에 외주측 열전대(50)를 삽입 관통시켜 측온부(50a)를 긴 구멍(26)의 종단 위치 E에 도달시킨다.
다음에, 세라믹 히터(10)의 사용예에 대해 설명한다. 우선, 도시하지 않은 진공 챔버 내에 세라믹 히터(10)를 설치하고, 그 세라믹 히터(10)의 웨이퍼 적재면(20a)에 웨이퍼 W를 적재한다. 그리고, 내주측 열전대(48)에 의해 검출된 온도가 미리 정해진 내주측 목표 온도가 되도록 내주측 저항 발열체(22)에 공급하는 전력을 조정함과 함께, 외주측 열전대(50)에 의해 검출된 온도가 미리 정해진 외주측 목표 온도가 되도록 외주측 저항 발열체(24)에 공급하는 전력을 조정한다. 이에 의해, 웨이퍼 W의 온도가 원하는 온도가 되도록 제어된다. 그리고, 진공 챔버 내를 진공 분위기 혹은 감압 분위기가 되도록 설정하고, 진공 챔버 내에 플라스마를 발생시켜 그 플라스마를 이용하여 웨이퍼 W에 CVD 성막을 실시하거나 에칭을 실시하거나 한다.
이상 설명한 본 실시 형태의 세라믹 히터(10)에서는, 열전대 가이드(32) 중 통형 샤프트(40)의 하단으로부터 긴 구멍(26)의 기점 S까지의 부분은, 통형 샤프트(40)의 내벽을 따르는 형상으로 마련되어 있다. 이와 같이 열전대 가이드(32)와 외주측 열전대(50)가 통형 샤프트(40)의 내벽을 따라 마련되어 있기 때문에, 샤프트 내 영역(20d)의 중앙 부근에 단자(22a, 22b, 24a, 24b)(부대 부품)을 배치하거나, 단자(22a, 22b, 24a, 24b)에 접속된 급전봉(42a, 42b, 44a, 44b)을 통형 샤프트(40)의 내부 공간에 배치하거나 해도, 그들은 열전대 가이드(32)나 외주측 열전대(50)과 간섭하기 어렵다. 따라서, 다존 히터인 세라믹 히터(10)에 있어서, 부대 부품의 배치의 자유도를 높일 수 있다.
또한, 본 실시 형태의 세라믹 히터(10)에서는, 만곡부(32e)는, 긴 구멍(26)의 기점 S를 향하여 통형 샤프트(40)의 내벽을 따라 나선의 일부를 이루도록 만곡되어 있기 때문에, 열전대 가이드(32)나 외주측 열전대(50)를 통형 샤프트(40)의 내벽을 따르게 하는 것이 용이하게 된다.
또한, 열전대 가이드(32)의 가이드부(32d)는, 세라믹 플레이트(20)의 긴 구멍(26)에 접근함에 따라 긴 구멍(26)의 길이 방향을 향하도록 만곡되어 있기 때문에, 긴 구멍(26)에 외주측 열전대(50)를 삽입하는 것이 용이하게 된다.
또한, 본 발명은 상술한 실시 형태에 전혀 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 한 다양한 형태로 실시할 수 있음은 물론이다.
예를 들어 상술한 실시 형태에 있어서, 긴 구멍(26)은 기점 S로부터 종단 위치 E까지 직선적으로 신장되어 있었지만 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 5에 도시하는 바와 같이, 긴 구멍(26)은, 기점 S로부터 종단 위치 E를 향하여 만곡된 형상으로 해도 된다. 이렇게 하면, 세라믹 플레이트(20)에 관통 구멍 등의 장애물이 있는 경우, 장애물을 피하여 외주측 열전대(50)를 배치할 수 있다. 또한, 도 6에 도시하는 바와 같이, 세라믹 히터(10)를 통형 샤프트(40)의 하단측으로부터 보았을 때의 긴 구멍(26)의 만곡 방향은, 만곡부(32e)의 만곡 방향과 일치하고 있어도 된다. 도 6에서는, 세라믹 히터(10)를 통형 샤프트(40)의 하단측으로부터 보았을 때 만곡부(32e)가 기점 S를 향하여 우측 방향으로 만곡되어 있고, 긴 구멍(26)은 기점 S로부터 종단 위치 E를 향하여 우측 방향으로 만곡되어 있다. 또한, 세라믹 히터(10)를 통형 샤프트(40)의 하단측으로부터 보았을 때 만곡부(32e)가 기점 S를 향하여 좌측 방향으로 만곡되어 있으면, 긴 구멍(26)은 기점 S로부터 종단 위치 E를 향하여 좌측 방향으로 만곡시킨다. 이렇게 하면, 세라믹 플레이트(20)에 관통 구멍 등의 장애물이 있는 경우, 장애물을 피하여 외주측 열전대(50)를 배치하면서, 원활하게 외주측 열전대(50)를 삽입할 수 있다. 또한, 도 5 및 도 6의 부호는 상술한 실시 형태에서 사용한 부호와 동일하다.
상술한 실시 형태에 있어서, 만곡부(32e)는, 통형 샤프트(40)의 내벽을 따르도록 둘레 방향으로 약 1/4바퀴 도는 형상으로 하였지만 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 만곡부(32e)는, 통형 샤프트(40)의 내벽을 따르도록 둘레 방향으로 1/2바퀴 도는 형상으로 해도 되고, 1바퀴 이상 도는 형상으로 해도 된다.
상술한 실시 형태에 있어서, 양쪽 저항 발열체(22, 24)를 코일 형상으로 하였지만, 특별히 코일 형상에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 인쇄 패턴이어도 되고, 리본 형상이나 메쉬 형상 등이어도 된다.
상술한 실시 형태에 있어서, 긴 구멍(26) 내의 외주측 열전대(50)의 측온부(50a)는, 도 7에 도시하는 바와 같이, 이면(20b)으로부터 보았을 때 외주측 저항 발열체(24)의 폭(즉 코일의 폭 w) 내에 들어가도록 배치해도 된다. 외주측 저항 발열체(24)가 코일형이 아니라 리본형(가늘고 긴 평판형)인 경우에는, 그 리본의 폭 내에 들어가도록 배치해도 된다. 이렇게 하면, 외주측 저항 발열체(24)의 온도 변화를 리스폰스 좋게 외주측 열전대(50)의 측온부(50a)에서 검출할 수 있다.
상술한 실시 형태에 있어서, 세라믹 플레이트(20)에 저항 발열체(22, 24) 이외에도 정전 전극이나 RF 전극을 내장해도 된다.
상술한 실시 형태에 있어서, 내주측 저항 발열체(22)와 외주측 저항 발열체(24)의 사이에 하나 이상의 환형 영역을 마련하고, 각 환형 영역에 저항 발열체를 배치해도 된다.
상술한 실시 형태에서는, 열전대 가이드(32)의 상하 방향의 길이를 통형 샤프트(40)의 높이와 거의 동일하게 하였지만, 통형 샤프트(40)의 높이보다 짧게 해도 되고 길게 해도 된다.
상술한 실시 형태에 있어서, 내주측 존 Z1을 복수의 내주측 소존으로 나누어 내주측 소존마다 저항 발열체를 끊김 없이 한번에 이어지는 형태로 배선해도 된다. 또한, 외주측 존 Z2를 복수의 외주측 소존으로 나누어 외주측 소존마다 저항 발열체를 끊김 없이 한번에 이어지는 형태로 배선해도 된다. 단자의 수는 소존의 수에 따라 증가하지만, 이들 단자는, 열전대 가이드(32)와 간섭하지 않기 때문에, 단자의 수가 많아져도 샤프트 내 영역(20d)의 중앙 부근에 비교적 용이하게 배치할 수 있다.
상술한 실시 형태에서는, 세라믹 플레이트(20)의 단자(22a, 22b, 24a, 24b)의 각각에 급전봉(42a, 42b, 44a, 44b)을 접합하고, 세라믹 플레이트(20)의 이면(20b)에 통형 샤프트(40)를 접합한 후, 열전대 가이드(32)를 장착하는 수순을 예시하였지만, 장착 수순은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 세라믹 플레이트(20)의 이면(20b)에 통형 샤프트(40)를 접합하고, 열전대 가이드(32)를 장착한 후, 단자(22a, 22b, 24a, 24b)의 각각에 급전봉(42a, 42b, 44a, 44b)을 접합해도 된다. 또한, 열전대 가이드(32)는, 미리 긴 구멍(26)의 기점 S에 고정되어 있고, 단자(22a, 22b, 24a, 24b)의 각각에 급전봉(42a, 42b, 44a, 44b)을 접합한 후에, 세라믹 플레이트(20)의 이면(20b)에 통형 샤프트(40)를 접합해도 된다.
상술한 실시 형태에 있어서, 열전대 가이드(32)의 가이드 구멍(32a)에 외주측 열전대(50)를 삽입 관통시켜 측온부(50a)를 긴 구멍(26)의 종단 위치 E에 도달시킨 후도, 열전대 가이드(32)를 통형 샤프트(40)의 내부에 배치하고 있지만 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 열전대 가이드(32)의 가이드 구멍(32a)에 외주측 열전대(50)를 삽입 관통시킨 후, 열전대 가이드(32)를 분리해도 된다.
본 출원은, 2020년 2월 3일에 출원된 일본 특허 출원 제2020-016113호를 우선권 주장의 기초로 하고 있으며, 인용에 의해 그 내용 모두가 본 명세서에 포함된다.

Claims (12)

  1. 웨이퍼 적재면을 갖는 원반형의 세라믹 플레이트와,
    상기 세라믹 플레이트 중 상기 웨이퍼 적재면과는 반대측의 이면에 일단이 접합된 통형 샤프트와,
    상기 세라믹 플레이트의 내주부에 매설된 내주측 저항 발열체와,
    상기 세라믹 플레이트의 외주부에 매설된 외주측 저항 발열체와,
    상기 세라믹 플레이트의 상기 이면 중 상기 통형 샤프트의 내측인 샤프트 내 영역과,
    상기 샤프트 내 영역의 외주부의 기점으로부터 상기 세라믹 플레이트의 외주부의 소정의 종단 위치에 이르는 긴 구멍과,
    상기 샤프트 내 영역에 마련되고, 상기 내주측 저항 발열체의 한쌍의 단자 및 상기 외주측 저항 발열체의 한쌍의 단자를 포함하는 부대 부품과,
    열전대의 선단이 상기 긴 구멍의 상기 기점에 들어가도록 가이드하는 열전대 가이드를 구비하고,
    상기 열전대 가이드 중 상기 통형 샤프트의 타단으로부터 상기 긴 구멍의 상기 기점까지의 부분은, 상기 통형 샤프트의 내벽을 따르는 형상으로 마련되어 있는, 세라믹 히터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 열전대 가이드는, 상기 긴 구멍의 상기 기점을 향하여 상기 통형 샤프트의 내벽을 따라 나선의 일부를 이루도록 만곡되어 있는, 세라믹 히터.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 열전대 가이드는, 상기 세라믹 플레이트의 상기 긴 구멍에 접근함에 따라 상기 긴 구멍의 길이 방향을 향하도록 만곡되어 있는, 세라믹 히터.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 긴 구멍은, 상기 기점으로부터 상기 종단 위치를 향하여 만곡되어 있는, 세라믹 히터.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 긴 구멍은, 상기 기점으로부터 상기 종단 위치를 향하여 만곡되어 있고,
    상기 세라믹 히터를 상기 통형 샤프트의 상기 타단측으로부터 보았을 때, 상기 긴 구멍의 만곡 방향은, 상기 열전대 가이드의 만곡 방향과 일치하는, 세라믹 히터.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 세라믹 히터이며,
    상기 열전대 가이드에 의해 가이드되고, 상기 통형 샤프트의 상기 타단으로부터 상기 긴 구멍을 통과하여 상기 종단 위치에 이르도록 배치된 열전대를 구비한, 세라믹 히터.
  7. 웨이퍼 적재면을 갖는 원반형의 세라믹 플레이트와,
    상기 세라믹 플레이트 중 상기 웨이퍼 적재면과는 반대측의 이면에 일단이 접합된 통형 샤프트와,
    상기 세라믹 플레이트의 내주부에 매설된 내주측 저항 발열체와,
    상기 세라믹 플레이트의 외주부에 매설된 외주측 저항 발열체와,
    상기 세라믹 플레이트의 상기 이면 중 상기 통형 샤프트의 내측인 샤프트 내 영역과,
    상기 샤프트 내 영역의 외주부의 기점으로부터 상기 세라믹 플레이트의 외주부의 소정의 종단 위치에 이르는 긴 구멍과,
    상기 샤프트 내 영역에 마련되고, 상기 내주측 저항 발열체의 한쌍의 단자 및 상기 외주측 저항 발열체의 한쌍의 단자를 포함하는 부대 부품과,
    상기 통형 샤프트의 타단으로부터 상기 긴 구멍을 통과하여 상기 종단 위치에 이르도록 배치된 열전대를 구비하고,
    상기 열전대 중 상기 통형 샤프트의 상기 타단으로부터 상기 긴 구멍의 상기 기점까지의 부분은, 상기 통형 샤프트의 내벽을 따르는 형상으로 마련되어 있는, 세라믹 히터.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 열전대는, 상기 긴 구멍의 상기 기점을 향하여 상기 통형 샤프트의 내벽을 따라 나선의 일부를 이루도록 만곡되어 있는, 세라믹 히터.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 열전대는, 상기 긴 구멍에 접근함에 따라 상기 긴 구멍의 길이 방향을 향하도록 만곡되어 있는, 세라믹 히터.
  10. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 긴 구멍은, 상기 기점으로부터 상기 종단 위치를 향하여 만곡되어 있는, 세라믹 히터.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 긴 구멍은, 상기 기점으로부터 상기 종단 위치를 향하여 만곡되어 있고,
    상기 세라믹 히터를 상기 통형 샤프트의 상기 타단측으로부터 보았을 때, 상기 긴 구멍의 만곡 방향은, 상기 열전대의 만곡 방향과 일치하는, 세라믹 히터.
  12. 선단부로부터 기단부에 이르는 구간 또는 상기 선단부로부터 상기 기단부에 이르는 도중까지의 구간은, 나선의 일부를 이루도록 만곡되어 있는, 열전대 가이드.
KR1020210011324A 2020-02-03 2021-01-27 세라믹 히터 및 열전대 가이드 KR102495556B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2020-016113 2020-02-03
JP2020016113A JP7240341B2 (ja) 2020-02-03 2020-02-03 セラミックヒータ及び熱電対ガイド

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210098860A true KR20210098860A (ko) 2021-08-11
KR102495556B1 KR102495556B1 (ko) 2023-02-06

Family

ID=77025327

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210011324A KR102495556B1 (ko) 2020-02-03 2021-01-27 세라믹 히터 및 열전대 가이드

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11924929B2 (ko)
JP (1) JP7240341B2 (ko)
KR (1) KR102495556B1 (ko)
CN (1) CN113207200B (ko)
TW (1) TWI803817B (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7478767B2 (ja) * 2022-03-03 2024-05-07 日本碍子株式会社 セラミックヒータ

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012039453A1 (ja) 2010-09-24 2012-03-29 日本碍子株式会社 半導体製造装置部材
JP2012080103A (ja) * 2010-10-01 2012-04-19 Ngk Insulators Ltd サセプター及びその製法
WO2013162000A1 (ja) * 2012-04-27 2013-10-31 日本発條株式会社 基板支持装置及び基板支持装置に熱電対を配設する方法
US20190252162A1 (en) * 2018-02-09 2019-08-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing apparatus having improved temperature control

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4098112B2 (ja) 2003-02-14 2008-06-11 日本発条株式会社 ヒータユニット
JP2004296254A (ja) 2003-03-27 2004-10-21 Sumitomo Electric Ind Ltd セラミックスヒータおよびそれを搭載した半導体あるいは液晶製造装置
JP4931376B2 (ja) 2004-06-28 2012-05-16 日本碍子株式会社 基板加熱装置
TW200612512A (en) 2004-06-28 2006-04-16 Ngk Insulators Ltd Substrate heating sapparatus
JP4450106B1 (ja) * 2008-03-11 2010-04-14 東京エレクトロン株式会社 載置台構造及び処理装置
JP5791412B2 (ja) * 2010-07-26 2015-10-07 日本碍子株式会社 セラミックヒーター
JP5855402B2 (ja) * 2010-09-24 2016-02-09 日本碍子株式会社 サセプター及びその製法
JP2012160368A (ja) 2011-02-01 2012-08-23 Nihon Ceratec Co Ltd セラミックスヒータ及びその製造方法
US9984866B2 (en) 2012-06-12 2018-05-29 Component Re-Engineering Company, Inc. Multiple zone heater
KR102171734B1 (ko) 2013-03-15 2020-10-29 컴포넌트 알이-엔지니어링 컴퍼니, 인코포레이티드 멀티플 존 히터
DE102014005284B4 (de) * 2013-04-09 2022-10-20 Otto Männer Innovation GmbH Heizer-Thermoelement-Anordnung und Anordnung mit einer Heizer-Thermoelement-Anordnung und einer Hülse
TWI665328B (zh) 2014-07-02 2019-07-11 美商應用材料股份有限公司 用於電漿處理的多區域基座
CN108028220B (zh) * 2016-08-10 2022-02-25 日本碍子株式会社 陶瓷加热器
JP6694787B2 (ja) * 2016-09-12 2020-05-20 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP6704821B2 (ja) * 2016-09-12 2020-06-03 日本特殊陶業株式会社 保持装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012039453A1 (ja) 2010-09-24 2012-03-29 日本碍子株式会社 半導体製造装置部材
KR20120060911A (ko) * 2010-09-24 2012-06-12 엔지케이 인슐레이터 엘티디 반도체 제조 장치 부재
JP2012080103A (ja) * 2010-10-01 2012-04-19 Ngk Insulators Ltd サセプター及びその製法
WO2013162000A1 (ja) * 2012-04-27 2013-10-31 日本発條株式会社 基板支持装置及び基板支持装置に熱電対を配設する方法
US20190252162A1 (en) * 2018-02-09 2019-08-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing apparatus having improved temperature control

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021125499A (ja) 2021-08-30
US20210243847A1 (en) 2021-08-05
US11924929B2 (en) 2024-03-05
TWI803817B (zh) 2023-06-01
KR102495556B1 (ko) 2023-02-06
CN113207200A (zh) 2021-08-03
TW202137810A (zh) 2021-10-01
JP7240341B2 (ja) 2023-03-15
CN113207200B (zh) 2024-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6909910B2 (ja) セラミックヒータ
KR20210098860A (ko) 세라믹 히터 및 열전대 가이드
KR20210129587A (ko) 세라믹 히터 및 그 제법
KR102597235B1 (ko) 세라믹 히터
CN113811029B (zh) 热电偶引导件及陶瓷加热器
KR20210098857A (ko) 세라믹 히터 및 그의 제법
CN111656860B (zh) 陶瓷加热器
KR102537778B1 (ko) 세라믹 히터
TWI811694B (zh) 熱電偶導件以及陶瓷加熱器

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant