WO2013162000A1 - 基板支持装置及び基板支持装置に熱電対を配設する方法 - Google Patents

基板支持装置及び基板支持装置に熱電対を配設する方法 Download PDF

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大輔 橋本
淳 二口谷
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日本発條株式会社
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    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Definitions

  • the present invention relates to a substrate support device used for manufacturing a semiconductor device and a method of disposing a thermocouple on the substrate support device.
  • the present invention relates to a substrate support device in which a built-in thermocouple can be replaced, and a method of disposing a thermocouple in the substrate support device.
  • a substrate support device is disposed in the semiconductor manufacturing apparatus in processing steps such as chemical vapor deposition (CVD) and surface modification.
  • a substrate support device has a structure in which a plate formed of metal or ceramic is supported by a shaft.
  • a temperature sensor such as a sheath thermocouple for temperature measurement is disposed inside the plate together with the heating element, and the semiconductor is connected via the wiring disposed inside the shaft. Connect to a control device installed outside the manufacturing equipment. It is common to feedback control the wafer temperature to a preset temperature by controlling the temperature controller of the heater based on the measurement result of the temperature sensor (Patent Document 1).
  • the sheath thermocouple that measures the temperature near the center of the plate portion of the substrate support device is arranged in a straight line parallel to the shaft portion, and therefore can be easily inserted and removed.
  • the sheath thermocouple is bent at 90 ° in advance and embedded in the shaft portion and the plate portion. It is difficult to replace the conventional sheathed thermocouple having such a structure by inserting and removing the sheathed thermocouple, and it is desired to develop a substrate support device that can be easily replaced.
  • the present invention solves the above-described problems, and provides a substrate support device in which a built-in thermocouple can be easily replaced. Also provided is a method of exchanging thermocouples on a substrate support device.
  • a plate portion a shaft portion connected to the plate portion, a heating element disposed in the plate portion, and disposed in the plate portion and the shaft portion.
  • a substrate support device including a guide portion, and a thermocouple disposed inside the plate portion and the shaft portion via the guide portion, the guide portion having an R shape.
  • thermocouple In the substrate support apparatus, the thermocouple is inserted from a first direction parallel to the shaft portion, bent in a second direction perpendicular to the first direction by the guide portion, and then moved to the plate portion. It may be arranged.
  • the guide portion may have a shape of R30 mm or more and R100 mm or less, and the thermocouple may be bent from the first direction to the second direction.
  • substrate support apparatus WHEREIN The hollow member arrange
  • the guide portion may be a hollow member that is disposed at a connection portion between the plate portion and the shaft portion and extends to an end portion of the shaft portion.
  • substrate support apparatus WHEREIN The groove part formed in the connection part of the said plate part and the said shaft part may be sufficient as the said guide part.
  • the guide portion may be a spiral groove portion formed from the shaft portion to the plate portion.
  • thermocouple is inserted from a first direction parallel to the shaft portion, and the guide portion having an R shape disposed inside the plate portion and the shaft portion,
  • thermocouple is bent in a second direction orthogonal to the first direction, and the thermocouple is disposed on the plate portion.
  • the guide portion may have a shape of R30 mm to R100 mm, and the thermocouple may be bent from the first direction to the second direction.
  • the guide portion is a spiral groove formed from the shaft portion to the plate portion, and the thermocouple is disposed along the spiral groove. May be provided.
  • thermocouple In the method of disposing a thermocouple on the substrate support device, the thermocouple may be a sheath thermocouple.
  • thermocouple in which a built-in thermocouple can be easily replaced.
  • substrate support apparatus can be provided.
  • FIG. 1 is a perspective view of a substrate support apparatus 100 according to an embodiment of the present invention. It is sectional drawing in AA 'of FIG. 1 of the board
  • (A) is the figure which reversed the up-down and left-right of the board
  • (b)-(d) shows the guide part 140 which concerns on this embodiment, and its modification example.
  • FIG. It is a schematic diagram which shows a mode that the thermocouple 131 is inserted in the inside of the plate part 110 via the guide part 140 which concerns on one Embodiment of this invention.
  • thermocouple on the substrate support apparatus
  • the following embodiments are examples of the substrate support device of the present invention and the method of disposing a thermocouple on the substrate support device.
  • the substrate support device of the present invention and the method of disposing a thermocouple on the substrate support device are as follows. It is not necessarily limited to the embodiment.
  • a sheathed thermocouple has a structure in which two types of metal wires are joined to form a hot junction, and even when it has a protective tube to protect the metal wires, it is compared with a rigid waveguide rod made of quartz. Can be flexibly deformed. Utilizing this property, the structure of a substrate support device capable of inserting / removing a sheath thermocouple was intensively studied. In order to arrange the sheath thermocouple so as to measure the temperature in the vicinity of the outer periphery of the plate portion, it is necessary to bend the sheath thermocouple inserted in parallel with the shaft portion at approximately 90 ° in the outer peripheral direction of the plate portion.
  • the inventors have conceived that the sheath thermocouple inserted in parallel with the shaft portion is changed in the direction of the outer periphery of the plate portion by disposing a guide portion at least at the shaft portion, the plate portion, and the joint portion.
  • a guide portion having an R shape the present inventors have conceived of realizing a substrate support device that can smoothly change the direction of a sheathed thermocouple and can easily replace the thermocouple.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a substrate support apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate support apparatus 100 taken along AA ′ in FIG.
  • the substrate support apparatus 100 includes a plate portion 110 and a shaft portion 150 connected to the plate portion 110.
  • the plate unit 110 supports the substrate and heats the substrate in the semiconductor manufacturing process.
  • the shaft portion 150 is a member that supports the plate portion 110.
  • the plate part 110 is comprised by the three members 111, 113, and 115, for example. Inside the plate part 110, a heating element 120 and thermocouples 131 and 133 are disposed.
  • the heating element 120 is disposed by forming a groove in the member 113 or 115 of the plate portion 110.
  • a groove is provided in the member 113 of the plate portion 110 to dispose the thermocouples 131 and 133, and the thermocouple 131 is sealed with the member 111.
  • the thermocouple 131 measures the temperature near the outer periphery of the plate portion 110
  • the thermocouple 133 measures the temperature near the center of the plate portion 110.
  • a sheath thermocouple that can be flexibly deformed can be suitably used.
  • a shaft portion 150 is connected to the central portion of the plate portion 110 opposite to the surface holding the substrate.
  • the shaft portion 150 has a hollow structure 170.
  • the hollow structure 170 of the shaft portion 150 is provided with a wiring 160 that is connected to the heating element 120 and connected to an external control device (not shown).
  • thermocouples 131 and 133 are arranged extending from the plate part 110.
  • the substrate support apparatus 100 is disposed inside the plate part 110 and the shaft part 150 and includes a hollow guide part 140.
  • the guide part 140 has an R shape, and the thermocouple 131 is inserted from a first direction parallel to the shaft part 150, and a second direction (the width direction of the plate part 110) perpendicular to the first direction at the guide part 140. ) And is disposed on the plate portion 110.
  • the thermocouple 131 is disposed inside the plate part 110 and the shaft part 150 via the guide part 140.
  • FIG. 3A is a diagram in which a substrate support apparatus 200 that is a modification of the substrate support apparatus 100 is turned upside down.
  • FIGS. 3B to 3D are views showing the guide unit 140 according to the present embodiment and its modification.
  • the guide part 140 is fixed to the upper surface and the side surface inside the member 111 and the member 113.
  • the guide part 140 is fixed to the member 211 and the upper and lower surfaces and side surfaces inside the member 213.
  • the thermocouple 131 can be smoothly bent from the first direction to the second direction.
  • the R shape of the guide portion 140 is a shape of R30 or more and R100 or less.
  • the shape of R30 or more and R100 or less refers to the shape of the bent part of a guide part, as shown in FIG.3 (b). That is, it means the shape of the center line of the curved portion of the guide portion.
  • the thermocouple 131 can be a known sheathed thermocouple that is generally disposed in the substrate support apparatus. If it is R30 or more, such a thermocouple 131 can be inserted into the plate portion via the guide portion. In addition, it is possible to bend the thermocouple 131 more smoothly when the guide portion R is larger. However, there is a restriction on the width of the hollow structure 170 of the shaft portion 150. In general, it is difficult to provide a portion in terms of design. In the present embodiment, the shape of R40 is more preferable. Although it depends on the material and thickness of the thermocouple 131, the guide portion can smoothly bend the thermocouple 131 as long as it is around R40.
  • the guide part 140 according to the present embodiment is not limited to a shape obtained by bending the cylinder illustrated in FIG.
  • the shape which collapsed one inner side of the cylinder bent as shown in FIG.3 (c) may be sufficient.
  • the guide part 141 having such a shape is fixed as shown in FIG. 3A, the guide part 141 can be easily fixed to the member 213.
  • a guide portion 143 having a rectangular cross section as shown in FIG. The cross section is not limited to a circular shape as long as the thermocouple 131 can be smoothly bent from the first direction to the second direction.
  • the plate part 110, the shaft part 150, and the guide part 140 according to the present embodiment are formed using metal or ceramics.
  • the plate part 110 and the guide part 140 are metal, they are joined by brazing or welding.
  • the plate part 110 and the shaft part 150 are formed with a metal, they are joined by brazing or welding.
  • a metal which can be used it can select from the well-known material used for manufacture of a board
  • the plate portion 110 is formed of a metal, it is preferable to form the insulating film 115 on at least the surface that supports the substrate.
  • the coolant channel 190 shown in FIG. 2 can be formed in the shaft part 150.
  • the refrigerant flow path 190 is a mechanism for recirculating a gas such as air, or a liquid such as oil or an ethylene glycol aqueous solution, and assisting the adjustment of the heater temperature in the shaft 150. This mechanism provides a more sophisticated means of temperature adjustment.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing how the thermocouple 131 is inserted into the plate part 110 via the guide part 140.
  • the tip portion is bent.
  • the tip of the thermocouple 131 changes its direction in the width direction of the plate portion 110 on the inner peripheral surface of the guide portion 140 (in FIG. 4, the upper side inside the guide portion 140).
  • the tip of the thermocouple 131 is disposed so as to enter the inside of the member 213 and be located near the outer periphery of the plate portion 110.
  • the thermocouple 131 can be smoothly bent in the width direction of the plate portion 110.
  • the guide part 140 has an R shape, the thermocouple 131 can be pulled out without being caught inside.
  • the substrate support apparatus includes the guide portion having the R shape, thereby inserting the thermocouple from the first direction parallel to the shaft portion, so that the first guide portion It can be bent in a second direction perpendicular to the direction and disposed inside the plate portion.
  • the substrate support apparatus according to the present embodiment can easily replace the built-in thermocouple.
  • FIG. 5 is a schematic diagram of the substrate support apparatus 300 according to the present embodiment.
  • the guide portion 340 according to the present embodiment extends to the end portion of the shaft portion 150, thereby facilitating insertion of the thermocouple 131. Further, the guide portion 340 can be fixed at a portion where the guide portion 340 contacts the side surface inside the shaft portion 150.
  • the guide portion 340 may be a member having various shapes as shown in FIGS. 3 (b) to 3 (d).
  • FIG. 6 is a schematic diagram of the substrate support apparatus 400 according to the present embodiment.
  • the substrate support apparatus 400 includes members 411, 413a, 413b, and 414. Since other configurations are the same as those in the above-described embodiment, detailed description thereof is omitted.
  • the member 413a and the member 413b are subjected to R processing.
  • the guide part 440 is formed by the groove part formed in the member 413a and the member 413b.
  • the member 413a and the member 413b may be integrally formed. Further, the member 413b may be formed integrally with the member 411.
  • the substrate support apparatus 400 inserts the thermocouple from the first direction parallel to the shaft portion, and bends it in the second direction orthogonal to the first direction at the guide portion. , And can be disposed inside the plate portion.
  • FIG. 7 is a schematic diagram of a substrate support apparatus 500 according to this embodiment.
  • the substrate support device 500 includes a spiral groove portion 555 on the hollow structure 170 side of the shaft portion 550. Since other configurations are the same as those of the above-described embodiment, detailed description thereof is omitted.
  • thermocouple 131 when the thermocouple 131 is inserted from the shaft portion 550, the thermocouple 131 is deformed along the spiral groove portion 555 and reaches the guide portion 540.
  • the thermocouple 131 is bent and disposed inside the plate portion 110 as described in the above-described embodiment.
  • the guide part 540 according to the present embodiment has an integral structure connected to the spiral groove part 555.
  • the guide part 540 may be any shape guide part in the above-described embodiment.
  • the spiral groove is disposed in the shaft portion, so that the thermocouple is deformed along the spiral groove and reaches the guide portion. Further, by providing a guide portion having an R shape that is integrally connected to the groove portion, the thermocouple can be bent from the shaft portion by the guide portion and disposed inside the plate portion. Since the substrate support device according to the present embodiment is disposed inside the plate portion along the groove portion formed in the shaft portion, the space in the center of the shaft portion can be made available for other members and the like.
  • a sheath thermocouple was inserted using the substrate support apparatus 100 shown in FIG.
  • a ⁇ 1 mm sheath thermocouple manufactured by Okazaki Manufacturing Co., Ltd.
  • Inconel 600 was used, and the relationship between the R value of the guide portion 140 and the degree of insertion was examined.
  • the determination results are shown in Table 1. From this result, if it is R30 or more, it is clear that the thermocouple can be inserted into the plate portion via the guide portion.

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Abstract

　内蔵した熱電対を簡便に交換可能な基板支持装置を提供する。また、基板支持装置に熱電対を交換可能に配設する方法を提供する。本発明の基板支持装置は、プレート部と、プレート部に接続したシャフト部と、プレート部の内部に配設された発熱体と、プレート部とシャフト部との内部に配設され、中空形状のガイド部と、プレート部とシャフト部との内部にガイド部を介して配設された熱電対と、を備え、ガイド部はＲ形状を備える。熱電対は、シャフト部と平行な第１の方向から挿入され、ガイド部で第１の方向と直交する第２の方向へ屈曲して、プレート部に配設される。

Description

基板支持装置及び基板支持装置に熱電対を配設する方法
本発明は半導体装置の製造に用いる基板支持装置及び基板支持装置に熱電対を配設する方法に関する。特に内蔵した熱電対を交換可能な基板支持装置及び基板支持装置に熱電対を配設する方法に関する。
半導体装置の製造において、化学気相成長（ＣＶＤ）、表面改質等の処理工程では、基板支持装置が半導体製造装置内に配設される。このような基板支持装置は、金属やセラミックで形成されたプレートをシャフトで支持する構造を備える。また、基板支持装置を発熱させて使用する場合には、プレートの内部に発熱体とともに温度測定用のシース熱電対等の温度センサを配設し、シャフト内部に配設された配線を介して、半導体製造装置の外部に設置された制御装置に接続する。このような、温度センサの測定結果に基づいてヒータの温度調節器を制御することにより、ウエハの温度を予め設定された温度にフィードバック制御することが、一般的である（特許文献１）。
しかし、従来の金属製の基板支持装置へのシース熱電対の取付けは、ろう付界面に埋設して行うため、熱電対が故障した際に交換することができず、基板支持装置ごと交換する必要があった。特許文献２には、石英製の導波棒を有する放射温度計を使用した基板支持装置において、クランク形状に屈曲した保護管の管壁に導波棒の直径よりも幅が広いスリットを開設することにより、保護管から導波棒を取り外してメンテナンスや交換を可能にする技術が開示されている。しかし、特許文献２に開示された基板支持装置においても、石英製の導波棒を取り外すためには、保護管が配設された基板やシャフトを一旦取り外す必要があり、交換作業が煩雑であった。
特許４０９８１１２号 特開２００３－００７６９２号公報
一般に用いられるシース熱電対を用いる場合、基板支持装置のプレート部の中央付近の温度を測定するシース熱電対は、シャフト部と平行に一直線状に配置するため、抜き差しは容易である。一方、プレート部の外周付近の温度を測定するシース熱電対を配設するためには、シース熱電対を事前に９０°に折り曲げ、シャフト部及びプレート部に埋設していた。このような構造の従来のシース熱電対は、シース熱電対を抜き差しして交換することは困難であり、簡易に交換可能な基板支持装置の開発が望まれる。
本発明は、上述の問題を解決するものであって、内蔵した熱電対を簡便に交換可能な基板支持装置を提供する。また、基板支持装置に熱電対を交換可能に配設する方法を提供する。
本発明の一実施形態によると、プレート部と、前記プレート部に接続したシャフト部と、前記プレート部の内部に配設された発熱体と、前記プレート部と前記シャフト部との内部に配設されたガイド部と、前記プレート部と前記シャフト部との内部に前記ガイド部を介して配設された熱電対と、を備え、前記ガイド部はＲ形状を備える基板支持装置が提供される。
前記基板支持装置において、前記熱電対は、前記シャフト部と平行な第１の方向から挿入され、前記ガイド部で前記第１の方向と直交する第２の方向へ屈曲して、前記プレート部に配設されてもよい。
前記基板支持装置において、前記ガイド部はＲ３０ｍｍ以上Ｒ１００ｍｍ以下の形状を備え、前記熱電対を前記第１の方向から前記第２の方向へ屈曲させてもよい。
前記基板支持装置において、前記ガイド部は、前記プレート部と前記シャフト部との接続部に配設された中空状の部材であってもよい。
前記基板支持装置において、前記ガイド部は、前記プレート部と前記シャフト部との接続部に配設され、前記シャフト部の端部まで延伸した中空状の部材であってもよい。
前記基板支持装置において、前記ガイド部は、前記プレート部と前記シャフト部との接続部に形成された溝部であってもよい。
前記基板支持装置において、前記ガイド部は、前記シャフト部から前記プレート部へ形成された螺旋状の溝部であってもよい。
前記基板支持装置において、前記熱電対は、シース熱電対であってもよい。
また、本発明の一実施形態によると、シャフト部と平行な第１の方向から熱電対を挿入し、プレート部と前記シャフト部との内部に配設されたＲ形状を備えるガイド部で、前記第１の方向と直交する第２の方向へ前記熱電対を屈曲させ、前記プレート部に前記熱電対を配設する、基板支持装置に熱電対を配設する方法が提供される。
前記基板支持装置に熱電対を配設する方法において、前記ガイド部はＲ３０ｍｍ以上Ｒ１００ｍｍ以下の形状を備え、前記熱電対を前記第１の方向から前記第２の方向へ屈曲させてもよい。
前記基板支持装置に熱電対を配設する方法において、前記ガイド部は、前記シャフト部から前記プレート部へ形成された螺旋状の溝部であり、前記熱電対は前記螺旋状の溝部に沿って配設されてもよい。
前記基板支持装置に熱電対を配設する方法において、前記熱電対は、シース熱電対であってもよい。
本発明によると、内蔵した熱電対を簡便に交換可能な基板支持装置を提供することができる。また、基板支持装置に熱電対を交換可能に配設する方法を提供することができる。
本発明の一実施形態に係る基板支持装置１００の斜視図である。 本発明の一実施形態に係る基板支持装置１００の図１のＡＡ’における断面図である。 （ａ）は、基板支持装置１００の変形例である基板支持装置２００の上下左右を反転した図であり（ｂ）～（ｄ）は、本実施形態に係るガイド部１４０とその変形例を示す図である。 本発明の一実施形態に係るガイド部１４０を介してプレート部１１０の内部に熱電対１３１を挿入する様子を示す模式図である。 本発明の一実施形態に係る基板支持装置３００の模式図である。 本発明の一実施形態に係る基板支持装置４００の模式図である。 本発明の一実施形態に係る基板支持装置５００の模式図である。
以下に一実施形態に係る本発明の基板支持装置及び基板支持装置に熱電対を配設する方法について、図を参照して説明する。なお、以下の実施形態は本発明の基板支持装置及び基板支持装置に熱電対を配設する方法の一例であり、本発明の基板支持装置及び基板支持装置に熱電対を配設する方法は以下の実施形態に限定されるわけではない。
シース熱電対は２種類の金属線を接合して温接点を形成した構造であり、金属線を保護するための保護管を有する場合でも、剛体である石英製の導波棒に対して、比較的柔軟に変形可能である。この性質を利用して、シース熱電対の抜き差しが可能な基板支持装置の構造を鋭意検討した。プレート部の外周付近の温度を測定するようにシース熱電対を配設するためには、シャフト部と平行に挿入したシース熱電対をプレート部の外周方向へ略９０°に折り曲げる必要がある。本発明者らは、少なくともシャフト部とプレート部と接合部にガイド部を配設することにより、シャフト部と平行に挿入したシース熱電対をプレート部の外周方向へ方向転換させることを想到した。Ｒ形状を備えたガイド部を用いることにより、シース熱電対の円滑な方向転換を行い、熱電対を簡便に交換可能な基板支持装置を実現することに想到した。
（実施形態１）
図１は、本発明の一実施形態に係る基板支持装置１００を示す模式図である。また、図２は、図１のＡＡ’における基板支持装置１００の断面図を示す。基板支持装置１００は、プレート部１１０と、プレート部１１０に接続したシャフト部１５０とを備える。プレート部１１０は、半導体製造工程において、基板を支持するとともに、基板を加熱する。シャフト部１５０は、プレート部１１０を支持する部材である。
プレート部１１０は、例えば、３つの部材１１１、１１３及び１１５で構成される。プレート部１１０の内部には、発熱体１２０と、熱電対１３１及び１３３とが配設される。発熱体１２０は、プレート部１１０の部材１１３または１１５に溝を形成して配設する。また、プレート部１１０の部材１１３に溝を設けて、熱電対１３１及び１３３を配設し、部材１１１で熱電対１３１を封止する。本実施形態において、熱電対１３１はプレート部１１０の外周付近の温度を測定し、熱電対１３３はプレート部１１０の中央付近の温度を測定する。本実施形態に係る熱電対には、柔軟に変形可能なシース熱電対を好適に用いることができる。
プレート部１１０の基板を保持する面と反対側の中央部には、シャフト部１５０が接続する。シャフト部１５０は、中空構造１７０を有する。シャフト部１５０の中空構造１７０には、発熱体１２０に接続し、外部の制御装置（図示せず）に接続する配線１６０が配設される。また、中空構造１７０には、熱電対１３１及び１３３がプレート部１１０から延伸して配設される。
本実施形態に係る基板支持装置１００は、プレート部１１０とシャフト部１５０との内部に配設され、中空形状のガイド部１４０を備える。ガイド部１４０はＲ形状を備え、熱電対１３１は、シャフト部１５０と平行な第１の方向から挿入され、ガイド部１４０で第１の方向と直交する第２の方向（プレート部１１０の幅方向）へ屈曲して、プレート部１１０に配設される。このようにして、熱電対１３１は、プレート部１１０とシャフト部１５０との内部にガイド部１４０を介して配設される。
図３（ａ）は、基板支持装置１００の変形例である基板支持装置２００の上下左右を反転した図である。また、図３（ｂ）～（ｄ）は、本実施形態に係るガイド部１４０とその変形例を示す図である。基板支持装置２００においては、部材２１３に空間を設けて熱電対１３１を配設する。基板支持装置１００においては、ガイド部１４０は、部材１１１と部材１１３内部の上面及び側面とに固定される。基板支持装置２００においては、ガイド部１４０は、部材２１１と、部材２１３内部の上下面及び側面に固定される。
ガイド部１４０は、Ｒ形状を備えることにより、熱電対１３１を第１の方向から第２の方向へ円滑に屈曲させることができる。本実施形態において、ガイド部１４０のＲ形状は、Ｒ３０以上Ｒ１００以下の形状とすることが好ましい。本実施形態において、Ｒ３０以上Ｒ１００以下の形状とは、図３（ｂ）に示したように、ガイド部の屈曲部の形状を指す。つまり、ガイド部の曲線部の中心線の形状を意味する。また、本実施形態においては、基板支持装置のスケールから、Ｒ３０ｍｍ以上Ｒ１００ｍｍ以下の形状となる。本実施形態においては、熱電対１３１は一般に基板支持装置に配設される公知のシース熱電対を用いることができる。Ｒ３０以上であれば、このような熱電対１３１のガイド部を介したプレート部への挿入が可能である。また、ガイド部のＲは大きいほうがより円滑に熱電対１３１を屈曲させることが可能であるが、シャフト部１５０の中空構造１７０の幅の制約があり、Ｒ１００を超えると基板支持装置の内部にガイド部を設けることが一般に設計上困難となる。本実施形態においては、Ｒ４０の形状であることがより好ましい。熱電対１３１の材質や太さにも依存するが、Ｒ４０前後であれば、ガイド部は、熱電対１３１を円滑に屈曲させることができる。
本実施形態に係るガイド部１４０は、図３（ｂ）に示した円筒を折り曲げた形状に限定されない。例えば、図３（ｃ）に示したような折り曲げた円筒の一方の内側を潰した形状であってもよい。このような形状を有するガイド部１４１は、図３（ａ）に示したように固定する場合に、部材２１３との固定が容易になる。また、図３（ｄ）に示したような断面が矩形のガイド部１４３を用いてもよい。熱電対１３１を第１の方向から第２の方向へ円滑に屈曲させることが可能であれば、断面が円形に限定されるものではない。
本実施形態に係るプレート部１１０、シャフト部１５０及びガイド部１４０は、金属またはセラミックスを用いて形成される。プレート部１１０及びガイド部１４０が金属製である場合には、ろう付けや溶接により接合される。また、プレート部１１０及びシャフト部１５０が金属で形成される場合には、ろう付けや溶接により接合される。利用可能な金属としては、基板支持装置の製造に用いられる公知の材料から選択可能であり、例えば、アルミニウム、ステンレス鋼、銅、ニッケル、チタン等が挙げられる。プレート部１１０を金属で形成した場合は、少なくとも基板を支持する面には絶縁膜１１５を形成するのが好ましい。
プレート部１１０及びシャフト部１５０に金属を材料として用いると、図２に示した冷媒流路１９０をシャフト部１５０に形成することも可能である。冷媒流路１９０は、空気などの気体、あるいはオイル、エチレングリコール水溶液等の液体を還流させて、シャフト部１５０でヒータ温度の調整を助けるための機構である。この機構によれば、より高度な温度調整の手段が提供される。
ここで、本実施形態に係るガイド部１４０を介して、熱電対１３１をプレート部１１０の内部に配設する方法を説明する。図４は、ガイド部１４０を介してプレート部１１０の内部に熱電対１３１を挿入する様子を示す模式図である。シャフト部１５０から挿入された熱電対１３１は、ガイド部１４０の曲面にあたると、先端部が折り曲がる。さらに、熱電対１３１を挿入すると、熱電対１３１の先端部がガイド部１４０の内周側の面（図４においてはガイド部１４０の内部の上側）にあたって、プレート部１１０の幅方向へ向きを変える。さらに、熱電対１３１の先端部が部材２１３内部に侵入し、プレート部１１０の外周付近に位置するように配設される。このように、ガイド部１４０がＲ形状を有することにより、熱電対１３１をプレート部１１０の幅方向へ円滑に屈曲させることができる。また、熱電対１３１は、ガイド部１４０がＲ形状を有するため、内部で引っかからずに、引き抜くことも可能となる。
以上説明したように、本実施形態に係る基板支持装置は、Ｒ形状を有するガイド部を備えることにより、熱電対をシャフト部と平行な第１の方向から挿入して、ガイド部で第１の方向と直交する第２の方向へ屈曲させて、プレート部の内部に配設することができる。このような構造を有することにより、本実施形態に係る基板支持装置は、内蔵した熱電対を簡便に交換可能である。
（実施形態２）
上述した実施形態においては、プレート部１１０とシャフト部１５０との接続部にガイド部１４０を配設した例を説明した。本実施形態に係る基板支持装置３００は、シャフト部１５０の端部まで延伸したガイド部３４０を用いる点で異なる。
図５は、本実施形態に係る基板支持装置３００の模式図である。本実施形態に係るガイド部３４０は、シャフト部１５０の端部まで延伸することにより、熱電対１３１の挿入が容易になる。また、ガイド部３４０とシャフト部１５０の内部の側面との接する部分で、ガイド部３４０を固定することができる。
なお、本実施形態に係るガイド部３４０は、図３（ｂ）～図３（ｄ）に示したような様々な形状の部材であってもよい。
（実施形態３）
上述した実施形態においては、ガイド部として、中空状の部材をプレート部１１０とシャフト部１５０とに配設する例を説明した。本実施形態においては、プレート部の部材を加工して、ガイド部を形成する例について説明する。図６は、本実施形態に係る基板支持装置４００の模式図である。基板支持装置４００は、部材４１１、４１３ａ、４１３ｂ及び４１４を有する。他の構成については、上述した実施形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
図６に示したように、基板支持装置４００においては、部材４１３ａと部材４１３ｂとにＲ加工が施される。基板支持装置４００においては、部材４１３ａに形成された溝部と部材４１３ｂとにより、ガイド部４４０が形成される。なお、部材４１３ａと部材４１３ｂとを一体形成してもよい。また、部材４１３ｂを部材４１１と一体形成してもよい。
このような構成を有することにより、基板支持装置４００は、熱電対をシャフト部と平行な第１の方向から挿入して、ガイド部で第１の方向と直交する第２の方向へ屈曲させて、プレート部の内部に配設することができる。
（実施形態４）
上述した実施形態においては、プレート部とシャフト部との接続部のみで熱電対を屈曲させている。本実施形態においては、熱電対をシャフト部内部に螺旋状に配設して、プレート部の内部に配設する例を説明する。図７は、本実施形態に係る基板支持装置５００の模式図である。基板支持装置５００は、シャフト部５５０の中空構造１７０側に螺旋状の溝部５５５を有する。他の構成は、上述した実施形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
基板支持装置５００においては、熱電対１３１をシャフト部５５０から挿入すると、熱電対１３１が螺旋状の溝部５５５に沿って変形して、ガイド部５４０に到達する。熱電対１３１は、上述した実施形態で説明したように屈曲して、プレート部１１０の内部に配設される。本実施形態に係るガイド部５４０は、螺旋状の溝部５５５に接続した一体構造を有する。ガイド部５４０は、上述した実施形態の何れの形状のガイド部であってもよい。
以上説明したように、本実施形態に係る基板支持装置は、シャフト部に螺旋状の溝部を配設することにより、熱電対は螺旋状の溝部に沿って変形して、ガイド部に到達する。また、溝部に接続して一体に構成されるＲ形状を有するガイド部を備えることにより、熱電対をシャフト部からガイド部で屈曲させて、プレート部の内部に配設することができる。本実施形態に係る基板支持装置は、シャフト部に形成された溝部に沿ってプレート部の内部に配設されるため、シャフト部中央の空間を他の部材等のために空けることができる。
実施例として、図２に示した基板支持装置１００を用い、ガイド部１４０のＲを変えて、シース熱電対を挿入した。本実施例においては、一例として、インコネル６００で形成されたΦ１ｍｍのシース熱電対（株式会社岡崎製作所製）を用い、ガイド部１４０のＲ値と挿入する具合の関係を検討した。判定結果を表１に示す。この結果から、Ｒ３０以上であれば、プレート部へのガイド部を介した熱電対の挿入が可能であることが明らかである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
１００　基板支持装置、１１０　プレート部、１１１　部材、１１３　部材、１１５　部材、１２０　発熱体、１３１　熱電対、１３３　熱電対、１４０　ガイド部、１４１　ガイド部、１４３　ガイド部、１５０　シャフト部、１６０　配線、１７０　中空構造、１９０　冷媒流路、２００　基板支持装置、２１０　プレート部、部材２１１　、部材２１３　、部材２１５　、３００　基板支持装置、３４０　ガイド部、４００　基板支持装置、４１０　プレート部、部材４１１　、部材４１３ａ　、部材４１３ｂ　、部材４１５　、３４０　ガイド部、５００　基板支持装置、５４０　ガイド部、５５０　シャフト部、５５５　溝部、５７０　中空構造

Claims (12)

  1. プレート部と、
    前記プレート部に接続したシャフト部と、
    前記プレート部の内部に配設された発熱体と、
    前記プレート部と前記シャフト部との内部に配設されたガイド部と、
    前記プレート部と前記シャフト部との内部に前記ガイド部を介して配設された熱電対と、を備え、
    前記ガイド部はＲ形状を備えることを特徴とする基板支持装置。
  2. 前記熱電対は、前記シャフト部と平行な第１の方向から挿入され、前記ガイド部で前記第１の方向と直交する第２の方向へ屈曲して、前記プレート部に配設されることを特徴とする請求項１に記載の基板支持装置。
  3. 前記ガイド部はＲ３０ｍｍ以上Ｒ１００ｍｍ以下の形状を備え、前記熱電対を前記第１の方向から前記第２の方向へ屈曲させることを特徴とする請求項２に記載の基板支持装置。
  4. 前記ガイド部は、前記プレート部と前記シャフト部との接続部に配設された中空状の部材であることを特徴とする請求項１に記載の基板支持装置。
  5. 前記ガイド部は、前記プレート部と前記シャフト部との接続部に配設され、前記シャフト部の端部まで延伸した中空状の部材であることを特徴とする請求項１に記載の基板支持装置。
  6. 前記ガイド部は、前記プレート部と前記シャフト部との接続部に形成された溝部であることを特徴とする請求項１に記載の基板支持装置。
  7. 前記ガイド部は、前記シャフト部から前記プレート部へ形成された螺旋状の溝部であることを特徴とする請求項１に記載の基板支持装置。
  8. 前記熱電対は、シース熱電対であることを特徴とする請求項１に記載の基板支持装置。
  9. シャフト部と平行な第１の方向から熱電対を挿入し、
    プレート部と前記シャフト部との内部に配設されたＲ形状を備えるガイド部で、前記第１の方向と直交する第２の方向へ前記熱電対を屈曲させ、
    前記プレート部に前記熱電対を配設することを特徴とする基板支持装置に熱電対を配設する方法。
  10. 前記ガイド部はＲ３０ｍｍ以上Ｒ１００ｍｍ以下の形状を備え、前記熱電対を前記第１の方向から前記第２の方向へ屈曲させることを特徴とする請求項９に記載の基板支持装置に熱電対を配設する方法。
  11. 前記ガイド部は、前記シャフト部から前記プレート部へ形成された螺旋状の溝部であり、前記熱電対は前記螺旋状の溝部に沿って配設されることを特徴とする請求項９に記載の基板支持装置に熱電対を配設する方法。
  12. 前記熱電対は、シース熱電対であることを特徴とする請求項９に記載の基板支持装置に熱電対を配設する方法。
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Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170303338A1 (en) * 2016-04-18 2017-10-19 Applied Materials, Inc. Optically heated substrate support assembly with removable optical fibers
JP2018046078A (ja) * 2016-09-12 2018-03-22 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP2018046079A (ja) * 2016-09-12 2018-03-22 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP2018074009A (ja) * 2016-10-31 2018-05-10 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP2018107204A (ja) * 2016-12-22 2018-07-05 日本特殊陶業株式会社 載置部材およびその製造方法
KR20180128536A (ko) * 2017-05-23 2018-12-04 (주)티티에스 쿼츠 히터
KR20180136929A (ko) * 2018-12-18 2018-12-26 (주)티티에스 쿼츠 히터
KR20190053829A (ko) * 2019-05-13 2019-05-20 (주)티티에스 쿼츠 히터
WO2019157023A1 (en) * 2018-02-09 2019-08-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing apparatus having improved temperature control
US10736182B2 (en) 2014-07-02 2020-08-04 Applied Materials, Inc. Apparatus, systems, and methods for temperature control of substrates using embedded fiber optics and epoxy optical diffusers
US10840117B2 (en) 2016-09-12 2020-11-17 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Holding apparatus
CN113207200A (zh) * 2020-02-03 2021-08-03 日本碍子株式会社 陶瓷加热器及热电偶引导件
KR20210098858A (ko) * 2020-02-03 2021-08-11 엔지케이 인슐레이터 엘티디 세라믹 히터
CN113286384A (zh) * 2020-02-03 2021-08-20 日本碍子株式会社 陶瓷加热器及其制造方法
CN113286385A (zh) * 2020-02-03 2021-08-20 日本碍子株式会社 陶瓷加热器
US11201040B2 (en) 2017-02-28 2021-12-14 Nhk Spring Co., Ltd. Substrate supporting unit and film forming device having the substrate supporting unit
JP2021196237A (ja) * 2020-06-12 2021-12-27 日本碍子株式会社 熱電対ガイド及びセラミックヒータ
JP2021196238A (ja) * 2020-06-12 2021-12-27 日本碍子株式会社 熱電対ガイド及びセラミックヒータ
US12009185B2 (en) 2019-02-06 2024-06-11 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing apparatus having improved temperature control

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09503349A (ja) * 1994-05-03 1997-03-31 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 溶着されたサセプタ組立体
JP2002513091A (ja) * 1998-04-28 2002-05-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド タングステンを堆積させるための基板処理装置用の改良型ヒータ
WO2012039453A1 (ja) * 2010-09-24 2012-03-29 日本碍子株式会社 半導体製造装置部材

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09503349A (ja) * 1994-05-03 1997-03-31 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 溶着されたサセプタ組立体
JP2002513091A (ja) * 1998-04-28 2002-05-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド タングステンを堆積させるための基板処理装置用の改良型ヒータ
WO2012039453A1 (ja) * 2010-09-24 2012-03-29 日本碍子株式会社 半導体製造装置部材

Cited By (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10736182B2 (en) 2014-07-02 2020-08-04 Applied Materials, Inc. Apparatus, systems, and methods for temperature control of substrates using embedded fiber optics and epoxy optical diffusers
CN109314076A (zh) * 2016-04-18 2019-02-05 应用材料公司 具有可移除光纤的光学加热式基板支撑组件
TWI737715B (zh) * 2016-04-18 2021-09-01 美商應用材料股份有限公司 具有可移除光纖的光學加熱式基板支撐組件
KR20180128074A (ko) * 2016-04-18 2018-11-30 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 제거가능 광 섬유들을 갖는 광학적 가열식 기판 지지 조립체
US20170303338A1 (en) * 2016-04-18 2017-10-19 Applied Materials, Inc. Optically heated substrate support assembly with removable optical fibers
KR102400092B1 (ko) * 2016-04-18 2022-05-18 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 제거가능 광 섬유들을 갖는 광학적 가열식 기판 지지 조립체
WO2017184405A1 (en) * 2016-04-18 2017-10-26 Applied Materials, Inc. Optically heated substrate support assembly with removable optical fibers
CN109314076B (zh) * 2016-04-18 2023-08-29 应用材料公司 具有可移除光纤的光学加热式基板支撑组件
US10973088B2 (en) 2016-04-18 2021-04-06 Applied Materials, Inc. Optically heated substrate support assembly with removable optical fibers
JP2018046078A (ja) * 2016-09-12 2018-03-22 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP2018046079A (ja) * 2016-09-12 2018-03-22 日本特殊陶業株式会社 保持装置
US10840117B2 (en) 2016-09-12 2020-11-17 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Holding apparatus
JP2018074009A (ja) * 2016-10-31 2018-05-10 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP2018107204A (ja) * 2016-12-22 2018-07-05 日本特殊陶業株式会社 載置部材およびその製造方法
US11201040B2 (en) 2017-02-28 2021-12-14 Nhk Spring Co., Ltd. Substrate supporting unit and film forming device having the substrate supporting unit
KR101990999B1 (ko) * 2017-05-23 2019-07-01 (주)티티에스 쿼츠 히터
KR20180128536A (ko) * 2017-05-23 2018-12-04 (주)티티에스 쿼츠 히터
WO2019157023A1 (en) * 2018-02-09 2019-08-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing apparatus having improved temperature control
KR102023440B1 (ko) * 2018-12-18 2019-09-23 (주)티티에스 쿼츠 히터
KR20180136929A (ko) * 2018-12-18 2018-12-26 (주)티티에스 쿼츠 히터
US12009185B2 (en) 2019-02-06 2024-06-11 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing apparatus having improved temperature control
KR102090999B1 (ko) * 2019-05-13 2020-03-20 (주)티티에스 쿼츠 히터
KR20190053829A (ko) * 2019-05-13 2019-05-20 (주)티티에스 쿼츠 히터
CN113286384A (zh) * 2020-02-03 2021-08-20 日本碍子株式会社 陶瓷加热器及其制造方法
US20210243847A1 (en) * 2020-02-03 2021-08-05 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic heater and thermocouple guide
JP2021125499A (ja) * 2020-02-03 2021-08-30 日本碍子株式会社 セラミックヒータ及び熱電対ガイド
CN113286385A (zh) * 2020-02-03 2021-08-20 日本碍子株式会社 陶瓷加热器
KR20210098858A (ko) * 2020-02-03 2021-08-11 엔지케이 인슐레이터 엘티디 세라믹 히터
CN113207200A (zh) * 2020-02-03 2021-08-03 日本碍子株式会社 陶瓷加热器及热电偶引导件
CN113207200B (zh) * 2020-02-03 2024-05-28 日本碍子株式会社 陶瓷加热器及热电偶引导件
KR20210098860A (ko) * 2020-02-03 2021-08-11 엔지케이 인슐레이터 엘티디 세라믹 히터 및 열전대 가이드
CN113286385B (zh) * 2020-02-03 2024-03-29 日本碍子株式会社 陶瓷加热器
JP7202322B2 (ja) 2020-02-03 2023-01-11 日本碍子株式会社 セラミックヒータ
US11924929B2 (en) 2020-02-03 2024-03-05 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic heater and thermocouple guide
KR102495556B1 (ko) * 2020-02-03 2023-02-06 엔지케이 인슐레이터 엘티디 세라믹 히터 및 열전대 가이드
JP7240341B2 (ja) 2020-02-03 2023-03-15 日本碍子株式会社 セラミックヒータ及び熱電対ガイド
JP2021125500A (ja) * 2020-02-03 2021-08-30 日本碍子株式会社 セラミックヒータ
KR102537778B1 (ko) 2020-02-03 2023-05-31 엔지케이 인슐레이터 엘티디 세라믹 히터
TWI803817B (zh) * 2020-02-03 2023-06-01 日商日本碍子股份有限公司 陶瓷加熱器以及熱電偶導件
TWI798712B (zh) * 2020-06-12 2023-04-11 日商日本碍子股份有限公司 熱電偶導件以及陶瓷加熱器
JP7212006B2 (ja) 2020-06-12 2023-01-24 日本碍子株式会社 熱電対ガイド及びセラミックヒータ
JP7197534B2 (ja) 2020-06-12 2022-12-27 日本碍子株式会社 セラミックヒータ
JP2021196238A (ja) * 2020-06-12 2021-12-27 日本碍子株式会社 熱電対ガイド及びセラミックヒータ
JP2021196237A (ja) * 2020-06-12 2021-12-27 日本碍子株式会社 熱電対ガイド及びセラミックヒータ

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