JP2021125500A - セラミックヒータ - Google Patents

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Abstract

【課題】測温位置の設計自由度を高める。
【解決手段】セラミックヒータ１０は、表面にウエハ載置面２０ａを有するセラミックプレート２０と、セラミックプレート２０に埋設された抵抗発熱体２２，２４と、セラミックプレート２０をセラミックプレート２０の裏面２０ｂから支持する筒状シャフト４０と、セラミックプレート２０の裏面２０ｂのうち筒状シャフト４０に囲まれたシャフト内領域２０ｄの起点２６ｓからセラミックプレート２０の外周部の終端位置２６ｅに至る熱電対通路２６と、を備える。熱電対通路２６は、起点２６ｓと終端位置２６ｅまでの間の中間位置２６ｍに設けられた段差部２６ｂと、起点２６ｓと終端位置２６ｅとの間にカーブ部２６ｃとを有する。
【選択図】図３

Description

本発明は、セラミックヒータに関する。
従来、セラミックヒータとしては、ウエハ載置面を有する円盤状のセラミックプレートの内周側と外周側にそれぞれ独立に抵抗発熱体を埋め込んだ２ゾーンヒータと呼ばれるものが知られている。例えば特許文献１には、図１０に示すセラミックヒータ４１０が開示されている。このセラミックヒータ４１０は、セラミックプレート４２０の外周側の温度を外周側熱電対４５０で測定する。熱電対ガイド４３２は、筒状シャフト４４０の内部で下方から上方にまっすぐ延びたあと円弧状に曲げられて９０°方向転換している。この熱電対ガイド４３２は、セラミックプレート４２０の裏面のうち筒状シャフト４４０に囲まれた領域に設けられたスリット４２６ａに取り付けられている。スリット４２６ａは、熱電対通路４２６の入口部分をなす。外周側熱電対４５０は、熱電対ガイド４３２の筒内に挿入されて熱電対通路４２６の終端位置に達している。
国際公開第２０１２／０３９４５３号パンフレット（図１１）
しかしながら、熱電対通路４２６は一方向にまっすぐに延びているため、測温位置によってはセラミックプレート４２０内の障害物と衝突することがあった。そのため、測温位置の設計自由度が制限されることがあった。
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、測温位置の設計自由度を高めることを主目的とする。
本発明のセラミックヒータは、
表面にウエハ載置面を有するセラミックプレートと、
前記セラミックプレートに埋設された抵抗発熱体と、
前記セラミックプレートを前記セラミックプレートの裏面から支持する筒状シャフトと、
前記セラミックプレートの前記裏面のうち前記筒状シャフトに囲まれたシャフト内領域の起点から前記セラミックプレートの外周部の終端位置に至る熱電対通路と、
を備え、
前記熱電対通路は、前記起点と前記終端位置との間にカーブ部を有する、
ものである。
このセラミックヒータでは、熱電対通路は、起点と終端位置との間にカーブ部を有する。セラミックプレート内に障害物があったとしても、カーブ部でその障害物を回避することができる。したがって、測温位置の設計自由度が高くなる。
本発明のセラミックヒータにおいて、前記カーブ部は、前記セラミックプレートに設けられた所定部位を回避するように設けられていてもよい。所定部位とは、例えば、セラミックプレートを厚さ方向に貫通する孔（リフトピン孔、ガス孔など）や抵抗発熱体が配線されている部位などが挙げられる。
本発明のセラミックヒータにおいて、前記カーブ部は、前記セラミックプレートの面方向にカーブしていてもよい。こうすれば、セラミックプレートを厚さ方向に貫通する孔などを容易に回避することができる。
本発明のセラミックヒータにおいて、前記カーブ部は、前記セラミックプレートの厚さ方向にカーブしていてもよい。こうすれば、セラミックプレート内にウエハ載置面と略平行となるように埋設された抵抗発熱体を容易に回避することができる。この場合、前記終端位置は、前記セラミックプレートのうち前記抵抗発熱体が埋設されている面と前記ウエハ載置面との間に設けられていてもよい。こうすれば、測温位置である終端位置はウエハ載置面に近いため、熱電対の測温結果とウエハの表面温度との差が小さくなり、より実用的な測温結果が得られる。
本発明のセラミックヒータにおいて、前記カーブ部の曲率半径は２０ｍｍ以上であることが好ましい。こうすれば、熱電対通路に熱電対を比較的スムーズに挿通することができる。
本発明のセラミックヒータは、更に、前記熱電対通路に挿通され、先端の測温部が前記終端位置に至っている熱電対を備えていてもよい。
セラミックヒータ１０の斜視図。 図１のＡ−Ａ断面図。 図１のＢ−Ｂ断面図。 熱電対通路２６をセラミックプレート２０の裏面２０ｂから見たときの平面図。 熱電対ガイド３２の正面図。 熱電対通路２６の変形例をセラミックプレート２０の裏面２０ｂから見たときの平面図。 セラミックヒータ１０の変形例の縦断面図。 熱電対通路２６の変形例をセラミックプレート２０の裏面２０ｂから見たときの平面図。 熱電対通路２６の変形例をセラミックプレート２０の裏面２０ｂから見たときの平面図。 従来例の説明図。
本発明の好適な実施形態を、図面を参照しながら以下に説明する。図１はセラミックヒータ１０の斜視図、図２は図１のＡ−Ａ断面図、図３は図１のＢ−Ｂ断面図、図４は熱電対通路２６をセラミックプレート２０の裏面２０ｂから見たときの平面図、図５は熱電対ガイド３２の正面図である。
セラミックヒータ１０は、エッチングやＣＶＤなどの処理が施されるウエハＷを加熱するために用いられるものであり、図示しない真空チャンバ内に設置される。このセラミックヒータ１０は、ウエハ載置面２０ａを有する円盤状のセラミックプレート２０と、セラミックプレート２０のウエハ載置面２０ａとは反対側の面（裏面）２０ｂに接合された筒状シャフト４０とを備えている。
セラミックプレート２０は、窒化アルミニウムやアルミナなどに代表されるセラミック材料からなる円盤状のプレートである。セラミックプレート２０の直径は特に限定されるものではないが、例えば３００ｍｍ程度である。セラミックプレート２０は、セラミックプレート２０と同心円状の仮想境界２０ｃ（図３参照）によって小円形の内周側ゾーンＺ１と円環状の外周側ゾーンＺ２とに分けられている。セラミックプレート２０の内周側ゾーンＺ１には内周側抵抗発熱体２２が埋設され、外周側ゾーンＺ２には外周側抵抗発熱体２４が埋設されている。両抵抗発熱体２２，２４は、例えばモリブデン、タングステン又は炭化タングステンを主成分とするコイルで構成されている。セラミックプレート２０は、図２に示すように、上側プレートＰ１とその上側プレートＰ１よりも薄い下側プレートＰ２とを面接合することにより作製されている。
筒状シャフト４０は、セラミックプレート２０と同じく窒化アルミニウム、アルミナなどのセラミックスで形成されている。筒状シャフト４０は、上端のフランジ部４０ａがセラミックプレート２０に拡散接合されている。
内周側抵抗発熱体２２は、図３に示すように、一対の端子２２ａ，２２ｂの一方から端を発し、一筆書きの要領で複数の折り返し部で折り返されつつ内周側ゾーンＺ１のほぼ全域に配線されたあと、一対の端子２２ａ，２２ｂの他方に至るように形成されている。一対の端子２２ａ，２２ｂは、シャフト内領域２０ｄ（セラミックプレート２０の裏面２０ｂのうち筒状シャフト４０の内側領域）に設けられている。一対の端子２２ａ，２２ｂには、それぞれ金属製（例えばＮｉ製）の給電棒４２ａ，４２ｂが接合されている。
外周側抵抗発熱体２４は、図３に示すように、一対の端子２４ａ，２４ｂの一方から端を発し、一筆書きの要領で複数の折り返し部で折り返されつつ外周側ゾーンＺ２のほぼ全域に配線されたあと一対の端子２４ａ，２４ｂの他方に至るように形成されている。一対の端子２４ａ，２４ｂは、セラミックプレート２０の裏面２０ｂのシャフト内領域２０ｄに設けられている。一対の端子２４ａ，２４ｂには、それぞれ金属製（例えばＮｉ製）の給電棒４４ａ，４４ｂが接合されている。
セラミックプレート２０は、図３に示すように、セラミックプレート２０を厚さ方向に貫通する複数（ここでは３つ）のリフトピン孔Ｈ１〜Ｈ３を有している。３つのリフトピン孔Ｈ１〜Ｈ３は、セラミックプレート２０と同心円上に所定角度（ここでは１２０°）おきに配置されている。リフトピン孔Ｈ１〜Ｈ３には、図示しないリフトピンが上下動可能に挿入される。リフトピンは、ウエハ載置面２０ａに対してウエハＷを上下させるのに用いられる。
セラミックプレート２０の内部には、図２及び図３に示すように、外周側熱電対５０を挿入するための長穴形状の熱電対通路２６がウエハ載置面２０ａと平行に設けられている。熱電対通路２６は、セラミックプレート２０の裏面２０ｂのうちシャフト内領域２０ｄの起点２６ｓからセラミックプレート２０の外周側に設けられた終端位置２６ｅまで延びている。終端位置２６ｅは、図３及び図４に示すように、リフトピン孔Ｈ１を通りセラミックプレート２０の半径と一致する直線７０上であってリフトピン孔Ｈ１よりも外周側に設けられている。熱電対通路２６のうち、起点２６ｓからフランジ部４０ａに至る入口部分は、熱電対ガイド３２の湾曲部３４の先端を嵌め込むための長溝形状の導入部２６ａになっている。導入部２６ａは、シャフト内領域２０ｄに開口している。熱電対通路２６は、起点２６ｓと終端位置２６ｅとの間に略Ｃ字状に湾曲したカーブ部２６ｃを有する。カーブ部２６ｃは、セラミックプレート２０の面方向にカーブしており、リフトピン孔Ｈ１を回避するように設けられている。セラミックプレート２０は、導入部２６ａが貫通孔として設けられた下側プレートＰ２と、熱電対通路２６のうち導入部２６ａを除く部分がカーブ溝として掘られた上側プレートＰ１とを接合することにより製造される。
熱電対ガイド３２は、図５に示すように、ガイド穴３２ａを備えた金属製（例えばステンレス製）の筒状部材である。熱電対ガイド３２は、ウエハ載置面２０ａに対して垂直方向に延びる垂直部３３と、垂直方向から水平方向に転換する湾曲部３４とを備えている。垂直部３３の外径は湾曲部３４の外径より大きいが、垂直部３３の内径は湾曲部３４の内径と同じである。このように湾曲部３４の外径を小さくすることにより、湾曲部３４を挿入する熱電対通路２６の導入部２６ａの幅を小さくすることができる。但し、垂直部３３の外径と湾曲部３４の外径を同じにしてもよい。湾曲部３４の曲率半径Ｒは特に限定するものではないが、例えば３０ｍｍ程度である。熱電対ガイド３２のガイド穴３２ａには、外周側熱電対５０が挿通されている。湾曲部３４の先端は、導入部２６ａ内に単に嵌め込まれているだけでもよいし、導入部２６ａ内に接合又は接着されていてもよい。
筒状シャフト４０の内部には、図２に示すように、熱電対ガイド３２のほか、内周側抵抗発熱体２２の一対の端子２２ａ，２２ｂのそれぞれに接続される給電棒４２ａ，４２ｂや外周側抵抗発熱体２４の一対の端子２４ａ，２４ｂのそれぞれに接続される給電棒４４ａ，４４ｂが配置されている。筒状シャフト４０の内部には、セラミックプレート２０の中央付近の温度を測定するための内周側熱電対４８やセラミックプレート２０の外周付近の温度を測定するための外周側熱電対５０も配置されている。内周側熱電対４８は、セラミックプレート２０のシャフト内領域２０ｄに設けられた凹部４９に差し込まれ、先端の測温部４８ａがセラミックプレート２０に接触している。凹部４９は、各端子２２ａ，２２ｂ，２４ａ，２４ｂや熱電対通路２６の導入部２６ａと干渉しない位置に設けられている。外周側熱電対５０は、シース熱電対であり、熱電対ガイド３２のガイド穴３２ａ及び熱電対通路２６を通過するように配置されている。外周側熱電対５０の先端の測温部５０ａは熱電対通路２６を通って終端位置２６ｅに接している。
次に、セラミックヒータ１０の使用例について説明する。まず、図示しない真空チャンバ内にセラミックヒータ１０を設置し、そのセラミックヒータ１０のウエハ載置面２０ａにウエハＷを載置する。そして、内周側熱電対４８によって検出された温度が予め定められた内周側目標温度となるように内周側抵抗発熱体２２に供給する電力を調整すると共に、外周側熱電対５０によって検出された温度が予め定められた外周側目標温度となるように外周側抵抗発熱体２４に供給する電力を調整する。これにより、ウエハＷの温度が所望の温度になるように制御される。そして、真空チャンバ内を真空雰囲気もしくは減圧雰囲気になるように設定し、真空チャンバ内にプラズマを発生させ、そのプラズマを利用してウエハＷにＣＶＤ成膜を施したりエッチングを施したりする。
以上説明した本実施形態のセラミックヒータ１０では、熱電対通路２６は、起点２６ｓと終端位置２６ｅとの間にカーブ部２６ｃを有する。そのため、セラミックプレート２０内にリフトピン孔Ｈ１のような障害物があったとしても、カーブ部２６ｃでその障害物を回避することができる。したがって、外周側熱電対５０の測温位置の設計自由度が高くなる。
また、カーブ部２６ｃは、セラミックプレート２０の面方向にカーブしているため、セラミックプレート２０を厚さ方向に貫通するリフトピン孔Ｈ１を容易に回避することができる。
更に、外周側熱電対５０の測温位置である熱電対通路２６の終端位置２６ｅは、リフトピン孔Ｈ１の外周側に設けられている。具体的には、終端位置２６ｅは、リフトピン孔Ｈ１を通りセラミックプレート２０の半径と一致する直線７０上であってリフトピン孔Ｈ１よりも外周側に設けられている。そのため、シャフト内領域２０ｄの起点２６ｓと終端位置２６ｅとを直線的に結ぶことはできない。したがって、熱電対通路２６にカーブ部２６ｃを設ける意義が高い。
更にまた、カーブ部２６ｃの曲率半径は２０ｍｍ以上であることが好ましい。こうすれば、熱電対通路２６に外周側熱電対５０を比較的スムーズに挿通することができる。実際に、カーブ部２６ｃの曲率半径が２０ｍｍの熱電対通路２６を形成して外周側熱電対５０を複数回挿通させたところ、ほとんどのケースでは外周側熱電対５０はカーブ部２５ｃをスムーズに通過したが、一部のケースで外周側熱電対５０がカーブ部２５ｃで折れ曲がってしまいスムーズに通過しないことがあった。一方、カーブ部２６ｃの曲率半径が３０ｍｍの熱電対通路２６を形成して外周側熱電対５０を複数回挿通させたところ、すべてのケースで外周側熱電対５０はカーブ部２５ｃをスムーズに通過した。そのため、カーブ部２６ｃの曲率半径は３０ｍｍ以上であることがより好ましい。
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。
上述した実施形態では、熱電対通路２６の終端位置２６ｅをリフトピン孔Ｈ１の外周側に設けたが、特にこれに限定されない。例えば、図６に示すように、熱電対通路２６の終端位置２６ｅを、リフトピン孔Ｈ１を通りセラミックプレート２０の半径と一致する直線７０から外れた位置に設けてもよい。図６では、長溝形状の導入部２６ａの軸線２６Ａ上にリフトピン孔Ｈ１が設けられている。ここでは、軸線２６Ａは直線７０と重なるようにした。図６では、上述した実施形態と同じ構成要素については同じ符号を付した。この場合、導入部２６ａの軸線２６Ａに沿って直線的に熱電対通路を設けると、その熱電対通路はリフトピン孔Ｈ１にぶつかってしまう。そのため、それを回避するために熱電対通路２６にはカーブ部２６ｃが設けられている。
上述した実施形態では、カーブ部２６ｃとして、セラミックプレート２０の面方向にカーブするものを例示したが、特にこれに限定されない。例えば、図７に示すように、熱電対通路１２６のカーブ部１２６ｃを、起点１２６ｓと終端位置１２６ｅとの間でセラミックプレート２０の厚さ方向にカーブするように設けてもよい。カーブ部１２６ｃの曲率半径は２０ｍｍ以上であることが好ましく、３０ｍｍ以上であることがより好ましい。図７では、熱電対通路１２６の終端位置１２６ｅを、ウエハ載置面２０ａとセラミックプレート２０のうち外周側抵抗発熱体２４が埋設されている面との間に設け、外周側熱電対１５０の測温部１５０ａを、終端位置１２６ｅに接するように配置した。図７では、上述した実施形態と同じ構成要素については同じ符号を付した。こうすれば、熱電対通路１２６は、セラミックプレート２０内にウエハ載置面２０ａと略平行となるように埋設された内周側及び外周側抵抗発熱体２２，２４をカーブ部１２６ｃによって容易に回避することができる。また、終端位置１２６ｅ（測温部１５０ａの位置）はウエハ載置面２０ａに近いため、外周側熱電対１５０の測温結果とウエハＷの表面温度との差が小さくなり、より実用的な測温結果が得られる。この場合、熱電対通路１２６のうち抵抗発熱体２２，２４が設けられた面を通過する部分を、多ゾーンヒータのヒータ領域間（内周側ゾーンＺ１と外周側ゾーンＺ２との間）を通過するようにしてもよい。こうすれば、熱電対通路１２６の内周側及び外周側抵抗発熱体２２，２４への影響を小さくすることができる。
上述した実施形態では、熱電対通路２６の導入部２６ａの端部から終端位置２６ｅまでの区間全体をカーブ部２６ｃとしたが、特にこれに限定されない。例えば、図８に示すように、熱電対通路２６のうち導入部２６ａの端部からリフトピン孔Ｈ１の直前までの区間は導入部２６ａの軸線２６Ａに沿って設け、リフトピン孔Ｈ１の直前から終端位置２６ｅまでの区間だけ、略Ｃ字状のカーブ部２６ｃとなるように設けてもよい。
上述した実施形態では、熱電対通路２６のカーブ部２６ｃを略Ｃ字状としたが、特にこれに限定されない。例えば、図９に示すように、導入部２６ａの軸線２６Ａ上にリフトピン孔Ｈ１とガス孔ｈ１（セラミックプレート２０を厚さ方向に貫通し、ウエハＷの裏面側にＨｅガスを供給するための孔）とが設けられている場合、カーブ部２６ｃをリフトピン孔Ｈ１とガス孔ｈ１の両方を回避するように略Ｓ字状としてもよい。なお、その他に、カーブ部２６ｃを、Ｓ字やＣ字を適宜組み合わせた形状としたりランダムに湾曲した形状としてもよい。
上述した実施形態において、熱電対通路２６は、セラミックプレート２０の面方向にカーブするカーブ部と厚さ方向にカーブするカーブ部とが組み合わされていてもよい。例えば、面方向にカーブするカーブ部でリフトピン孔を回避すると共に、厚さ方向にカーブするカーブ部で内周側及び外周側抵抗発熱体を回避して終端位置（測温部の位置）をウエハ載置面に近づけることができる。
上述した実施形態では、両抵抗発熱体２２，２４をコイル形状としたが、特にコイル形状に限定されるものではなく、例えば印刷パターンであってもよいし、リボン形状やメッシュ形状などであってもよい。
上述した実施形態において、セラミックプレート２０に抵抗発熱体２２，２４に加えて静電電極やＲＦ電極を内蔵してもよい。
上述した実施形態では、いわゆる２ゾーンヒータを例示したが、特に２ゾーンヒータに限定されない。例えば、内周側ゾーンＺ１を複数の内周側小ゾーンに分けて内周側小ゾーンごとに抵抗発熱体を一筆書きの要領で引き回してもよい。また、外周側ゾーンＺ２を複数の外周側小ゾーンに分けて外周側小ゾーンごとに抵抗発熱体を一筆書きの要領で引き回してもよい。内周側及び外周側小ゾーンの形状は、環状としてもよいし扇状としてもよいしその他の形状としてもよい。
上述した実施形態では、熱電対ガイド３２を熱電対通路２６の導入部２６ａに取り付けたが、外周側熱電対５０を熱電対通路２６に挿入するときには熱電対ガイド３２を導入部２６ａに配置し、外周側熱電対５０を熱電対通路２６に挿入したあとは熱電対ガイド３２を除去してもよい。あるいは、熱電対ガイド３２を用いることなく、外周側熱電対５０を熱電対通路２６に挿入してもよい。
上述した実施形態において、熱電対通路２６を断面略四角形の通路とする場合、通路内の面と面との境界（例えば底面と側面との境界）は、エッジが立たないようにＣ面又はＲ面になっていることが好ましい。
上述した実施形態において、外周側熱電対５０の外径ｄは０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下とするのが好ましい。外径ｄが０．５ｍｍ未満では、外周側熱電対５０を熱電対通路２６に挿入するときに曲がってしまい、終端位置２６ｅまで挿入するのが困難になる。外径ｄが２ｍｍを超えると、外周側熱電対５０の柔軟性がなくなるため外周側熱電対５０を終端位置２６ｅまで挿入するのが困難になる。
上述した実施形態において、終端位置２６ｅは、外周側熱電対５０の測温部５０ａが凸状曲面の場合、熱電対通路２６の終端面（終端位置２６ｅにおける立壁）の立壁のうち測温部５０ａが接触する部分を凹状曲面としてもよい。こうすれば、外周側熱電対５０の測温部５０ａが面接触するか又はそれに近い状態で接触するため、測温精度が向上する。
１０ セラミックヒータ、２０ セラミックプレート、２０ａ ウエハ載置面、２０ｂ 裏面、２０ｃ 仮想境界、２０ｄ シャフト内領域、２２ 内周側抵抗発熱体、２２ａ，２２ｂ 端子、２４ 外周側抵抗発熱体、２４ａ，２４ｂ 端子、２６ 熱電対通路、２６ａ 導入部、２６ｃ カーブ部、２６ｅ 終端位置、２６ｓ 起点、２６Ａ 軸線、３２ 熱電対ガイド、３２ａ ガイド穴、３３ 垂直部、３４ 湾曲部、４０ 筒状シャフト、４０ａ フランジ部、４２ａ，４２ｂ，４４ａ，４４ｂ 給電棒、４８ 内周側熱電対、４８ａ 測温部、４９ 凹部、５０ 外周側熱電対、５０ａ 測温部、１２６ 熱電対通路、１２６ｃ カーブ部、１２６ｅ 終端位置、１２６ｓ 起点、１５０ 外周側熱電対、１５０ａ 測温部、４１０ セラミックヒータ、４２０ セラミックプレート、４２６ 熱電対通路、４２６ａ スリット、４３２ 熱電対ガイド、４４０ 筒状シャフト、４５０ 外周側熱電対、Ｈ１〜Ｈ３ リフトピン孔、ｈ１ ガス孔、Ｐ１ 上側プレート、Ｐ２ 下側プレート、Ｗ ウエハ、Ｚ１ 内周側ゾーン、Ｚ２ 外周側ゾーン。

Claims (7)

  1. 表面にウエハ載置面を有するセラミックプレートと、
    前記セラミックプレートに埋設された抵抗発熱体と、
    前記セラミックプレートを前記セラミックプレートの裏面から支持する筒状シャフトと、
    前記セラミックプレートの前記裏面のうち前記筒状シャフトに囲まれたシャフト内領域の起点から前記セラミックプレートの外周部の終端位置に至る熱電対通路と、
    を備え、
    前記熱電対通路は、前記起点と前記終端位置との間にカーブ部を有する、
    セラミックヒータ。
  2. 前記カーブ部は、前記セラミックプレートに設けられた所定部位を回避するように設けられている、
    請求項１に記載のセラミックヒータ。
  3. 前記カーブ部は、前記セラミックプレートの面方向にカーブしている、
    請求項１又は２に記載のセラミックヒータ。
  4. 前記カーブ部は、前記セラミックプレートの厚さ方向にカーブしている、
    請求項１〜３のいずれか１項に記載のセラミックヒータ。
  5. 前記終端位置は、前記セラミックプレートのうち前記抵抗発熱体が埋設されている面と前記ウエハ載置面との間に設けられている、
    請求項４に記載のセラミックヒータ。
  6. 前記カーブ部の曲率半径は、２０ｍｍ以上である、
    請求項１〜５のいずれか１項に記載のセラミックヒータ。
  7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載のセラミックヒータであって、
    前記熱電対通路に挿通され、先端の測温部が前記終端位置に至っている熱電対
    を備えたセラミックヒータ。
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