KR20210098859A - 세라믹 히터 - Google Patents

세라믹 히터 Download PDF

Info

Publication number
KR20210098859A
KR20210098859A KR1020210011322A KR20210011322A KR20210098859A KR 20210098859 A KR20210098859 A KR 20210098859A KR 1020210011322 A KR1020210011322 A KR 1020210011322A KR 20210011322 A KR20210011322 A KR 20210011322A KR 20210098859 A KR20210098859 A KR 20210098859A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ceramic plate
thermocouple
ceramic
curved portion
curved
Prior art date
Application number
KR1020210011322A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102597235B1 (ko
Inventor
료헤이 마츠시타
슈이치로 모토야마
Original Assignee
엔지케이 인슐레이터 엘티디
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엔지케이 인슐레이터 엘티디 filed Critical 엔지케이 인슐레이터 엘티디
Publication of KR20210098859A publication Critical patent/KR20210098859A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102597235B1 publication Critical patent/KR102597235B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
    • H05B3/14—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
    • H05B3/141—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
    • H05B3/143—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds applied to semiconductors, e.g. wafers heating
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B1/00—Details of electric heating devices
    • H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
    • H05B1/0227—Applications
    • H05B1/023—Industrial applications
    • H05B1/0233—Industrial applications for semiconductors manufacturing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
    • H05B3/26—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor mounted on insulating base
    • H05B3/265—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor mounted on insulating base the insulating base being an inorganic material, e.g. ceramic
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
    • H05B3/28—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material
    • H05B3/283—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material the insulating material being an inorganic material, e.g. ceramic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/002—Heaters using a particular layout for the resistive material or resistive elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Surface Heating Bodies (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

세라믹 히터(10)는, 표면에 웨이퍼 적재면(20a)을 갖는 세라믹 플레이트(20)와, 세라믹 플레이트(20)에 매설된 저항 발열체(22, 24)와, 세라믹 플레이트(20)를 세라믹 플레이트(20)의 이면(20b)으로부터 지지하는 통형 샤프트(40)와, 세라믹 플레이트(20)의 이면(20b) 중 통형 샤프트(40)에 둘러싸인 샤프트 내 영역(20d)의 기점(26s)으로부터 세라믹 플레이트(20)의 외주부의 종단 위치(26e)에 이르는 열전대 통로(26)를 구비한다. 열전대 통로(26)는, 기점(26s)과 종단 위치(26e) 사이에 커브부(26c)를 갖는다.

Description

세라믹 히터{CERAMIC HEATER}
본 발명은 세라믹 히터에 관한 것이다.
종래, 세라믹 히터로서는, 웨이퍼 적재면을 갖는 원반형 세라믹 플레이트의 내주측과 외주측에 각각 독립적으로 저항 발열체를 매립한 2존 히터라 불리는 것이 알려져 있다. 예를 들어 특허문헌 1에는, 도 10에 도시하는 세라믹 히터(410)가 개시되어 있다. 이 세라믹 히터(410)는, 세라믹 플레이트(420)의 외주측의 온도를 외주측 열전대(450)로 측정한다. 열전대 가이드(432)는, 통형 샤프트(440)의 내부에서 하방으로부터 상방으로 곧게 연장된 후 원호형으로 구부러져 90°방향 전환되어 있다. 이 열전대 가이드(432)는, 세라믹 플레이트(420)의 이면 중 통형 샤프트(440)에 둘러싸인 영역에 마련된 슬릿(426a)에 장착되어 있다. 슬릿(426a)은, 열전대 통로(426)의 입구 부분을 이룬다. 외주측 열전대(450)는, 열전대 가이드(432)의 통 내에 삽입되어 열전대 통로(426)의 종단(終端) 위치에 도달해 있다.
국제 공개 제2012/039453호 팸플릿(도 11)
그러나, 열전대 통로(426)는 한 방향으로 곧게 뻗어 있기 때문에, 측온 위치에 따라서는 세라믹 플레이트(420)내의 장애물과 충돌하는 경우가 있었다. 그 때문에, 측온 위치의 설계 자유도가 제한되는 경우가 있었다.
본 발명은 이러한 과제를 해결하기 위해 이루어진 것이며, 측온 위치의 설계 자유도를 높이는 것을 주목적으로 한다.
본 발명의 세라믹 히터는,
표면에 웨이퍼 적재면을 갖는 세라믹 플레이트와,
상기 세라믹 플레이트에 매설된 저항 발열체와,
상기 세라믹 플레이트를 상기 세라믹 플레이트의 이면으로부터 지지하는 통형 샤프트와,
상기 세라믹 플레이트의 상기 이면 중 상기 통형 샤프트에 둘러싸인 샤프트 내 영역의 기점으로부터 상기 세라믹 플레이트의 외주부의 종단 위치에 이르는 열전대 통로를 구비하고,
상기 열전대 통로는, 상기 기점과 상기 종단 위치 사이에 커브부를 갖는
것이다.
이 세라믹 히터에서는, 열전대 통로는 기점과 종단 위치 사이에 커브부를 갖는다.
세라믹 플레이트 내에 장애물이 있었다고 해도, 커브부에서 그 장애물을 회피할 수 있다. 따라서, 측온 위치의 설계 자유도가 높아진다.
본 발명의 세라믹 히터에 있어서, 상기 커브부는, 상기 세라믹 플레이트에 마련된 소정 부위를 회피하도록 마련되어 있어도 된다. 소정 부위란, 예를 들어 세라믹 플레이트를 두께 방향으로 관통하는 구멍(리프트 핀 구멍, 가스 구멍 등)이나 저항 발열체가 배선되어 있는 부위 등을 들 수 있다.
본 발명의 세라믹 히터에 있어서, 상기 커브부는, 상기 세라믹 플레이트의 면 방향으로 커브되어 있어도 된다. 이렇게 하면, 세라믹 플레이트를 두께 방향으로 관통하는 구멍 등을 용이하게 회피할 수 있다.
본 발명의 세라믹 히터에 있어서, 상기 커브부는, 상기 세라믹 플레이트의 두께 방향으로 커브되어 있어도 된다. 이렇게 하면, 세라믹 플레이트 내에 웨이퍼 적재면과 대략 평행해지도록 매설된 저항 발열체를 용이하게 회피할 수 있다. 이 경우, 상기 종단 위치는, 상기 세라믹 플레이트 중 상기 저항 발열체가 매설되어 있는 면과 상기 웨이퍼 적재면 사이에 마련되어 있어도 된다. 이렇게 하면, 측온 위치인 종단 위치는 웨이퍼 적재면에 가깝기 때문에, 열전대의 측온 결과와 웨이퍼의 표면 온도의 차가 작아져, 보다 실용적인 측온 결과가 얻어진다.
본 발명의 세라믹 히터에 있어서, 상기 커브부의 곡률 반경은 20mm 이상인 것이 바람직하다. 이렇게 하면, 열전대 통로에 열전대를 비교적 원활하게 삽입 관통시킬 수 있다.
본 발명의 세라믹 히터는, 상기 열전대 통로에 추가로 삽입 관통되고, 선단의 측온부가 상기 종단 위치에 도달해 있는 열전대를 구비하고 있어도 된다.
도 1은 세라믹 히터(10)의 사시도.
도 2는 도 1의 A-A 단면도.
도 3은 도 1의 B-B 단면도.
도 4는 열전대 통로(26)를 세라믹 플레이트(20)의 이면(20b)으로부터 볼 때의 평면도.
도 5는 열전대 가이드(32)의 정면도.
도 6은 열전대 통로(26)의 변형예를 세라믹 플레이트(20)의 이면(20b)으로부터 볼 때의 평면도.
도 7은 세라믹 히터(10)의 변형예의 종단면도.
도 8은 열전대 통로(26)의 변형예를 세라믹 플레이트(20)의 이면(20b)으로부터 볼 때의 평면도.
도 9는 열전대 통로(26)의 변형예를 세라믹 플레이트(20)의 이면(20b)으로부터 볼 때의 평면도.
도 10은 종래예의 설명도.
본 발명의 적합한 실시 형태를, 도면을 참조하면서 이하에 설명한다. 도 1은 세라믹 히터(10)의 사시도, 도 2는 도 1의 A-A 단면도, 도 3은 도 1의 B-B 단면도, 도 4는 열전대 통로(26)를 세라믹 플레이트(20)의 이면(20b)으로부터 볼 때의 평면도, 도 5는 열전대 가이드(32)의 정면도이다.
세라믹 히터(10)는, 에칭이나 CVD 등의 처리가 실시되는 웨이퍼 W를 가열하기 위해 사용되는 것이며, 도시하지 않은 진공 챔버 내에 설치된다. 이 세라믹 히터(10)는, 웨이퍼 적재면(20a)을 갖는 원반형 세라믹 플레이트(20)와, 세라믹 플레이트(20)의 웨이퍼 적재면(20a)과는 반대측면(이면)(20b)에 접합된 통형 샤프트(40)를 구비하고 있다.
세라믹 플레이트(20)는, 질화알루미늄이나 알루미나 등으로 대표되는 세라믹 재료를 포함하는 원반형의 플레이트이다. 세라믹 플레이트(20)의 직경은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 300mm 정도이다. 세라믹 플레이트(20)는, 세라믹 플레이트(20)와 동심원형 가상 경계(20c)(도 3 참조)에 의해 소원형 내주측 존 Z1과 원환형 외주측 존 Z2로 나누어져 있다. 세라믹 플레이트(20)의 내주측 존 Z1에는 내주측 저항 발열체(22)이 매설되고, 외주측 존 Z2에는 외주측 저항 발열체(24)가 매설되어 있다. 양쪽 저항 발열체(22, 24)는, 예를 들어 몰리브덴, 텅스텐 또는 탄화텅스텐을 주성분으로 하는 코일로 구성되어 있다. 세라믹 플레이트(20)는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 상측 플레이트 P1과 그 상측 플레이트 P1보다도 얇은 하측 플레이트 P2를 면 접합함으로써 제작되어 있다.
통형 샤프트(40)는, 세라믹 플레이트(20)와 동일하게 질화알루미늄, 알루미나 등의 세라믹스로 형성되어 있다. 통형 샤프트(40)는, 상단의 플랜지부(40a)가 세라믹 플레이트(20)에 확산 접합되어 있다.
내주측 저항 발열체(22)는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 한쌍의 단자(22a, 22b) 중 한쪽으로부터 시작이 되어, 끊김 없이 한번에 이어지는 형태로 복수의 폴딩부에서 폴딩되면서 내주측 존 Z1의 거의 전역에 배선된 후, 한쌍의 단자(22a, 22b) 중 다른 쪽에 이르도록 형성되어 있다. 한쌍의 단자(22a, 22b)는, 샤프트 내 영역(20d)(세라믹 플레이트(20)의 이면(20b) 중 통형 샤프트(40)의 내측 영역)에 마련되어 있다. 한쌍의 단자(22a, 22b)에는, 각각 금속제(예를 들어 Ni제)의 급전봉(42a, 42b)이 접합되어 있다.
외주측 저항 발열체(24)는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 한쌍의 단자(24a, 24b)의 한쪽으로부터 시작이 되어, 끊김 없이 한번에 이어지는 형태로 복수의 폴딩부에서 폴딩되면서 외주측 존 Z2의 거의 전역에 배선된 뒤 한쌍의 단자(24a, 24b) 중 다른 쪽에 이르도록 형성되어 있다. 한쌍의 단자(24a, 24b)는, 세라믹 플레이트(20)의 이면(20b)의 샤프트 내 영역(20d)에 마련되어 있다. 한쌍의 단자(24a, 24b)에는, 각각 금속제(예를 들어 Ni제)의 급전봉(44a, 44b)이 접합되어 있다.
세라믹 플레이트(20)는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 세라믹 플레이트(20)를 두께 방향으로 관통하는 복수(여기서는 3개)의 리프트 핀 구멍 H1 내지 H3을 갖고 있다. 3개의 리프트 핀 구멍 H1 내지 H3은, 세라믹 플레이트(20)와 동심원 상에 소정 각도(여기서는 120°) 간격으로 배치되어 있다. 리프트 핀 구멍 H1 내지 H3에는, 도시하지 않은 리프트 핀이 상하 이동 가능하게 삽입된다. 리프트 핀은, 웨이퍼 적재면(20a)에 대해 웨이퍼 W를 상하 이동시키는 데 사용된다.
세라믹 플레이트(20)의 내부에는, 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 외주측 열전대(50)를 삽입하기 위한 긴 구멍 형상의 열전대 통로(26)가 웨이퍼 적재면(20a)과 평행하게 마련되어 있다. 열전대 통로(26)는, 세라믹 플레이트(20)의 이면(20b) 중 샤프트 내 영역(20d)의 기점(26s)으로부터 세라믹 플레이트(20)의 외주측에 마련된 종단 위치(26e)까지 연장되어 있다. 종단 위치(26e)는, 도 3 및 도 4에 도시하는 바와 같이, 리프트 핀 구멍 H1을 통해 세라믹 플레이트(20)의 반경과 일치하는 직선(70) 위이며 리프트 핀 구멍 H1보다도 외주측에 마련되어 있다. 열전대 통로(26) 중, 기점(26s)으로부터 플랜지부(40a)에 이르는 입구 부분은, 열전대 가이드(32)의 만곡부(34)의 선단을 끼워 넣기 위한 긴 홈 형상의 도입부(26a)로 되어 있다. 도입부(26a)는, 샤프트 내 영역(20d)에 개구되어 있다. 열전대 통로(26)는, 기점(26s)과 종단 위치(26e) 사이에 대략 C자형으로 만곡된 커브부(26c)를 갖는다.
커브부(26c)는, 세라믹 플레이트(20)의 면 방향으로 커브되어 있고, 리프트 핀 구멍 H1을 회피하도록 마련되어 있다. 세라믹 플레이트(20)는, 도입부(26a)가 관통 구멍으로서 마련된 하측 플레이트 P2와, 열전대 통로(26) 중 도입부(26a)를 제외한 부분이 커브 홈으로서 파인 상측 플레이트 P1을 접합함으로써 제조된다.
열전대 가이드(32)는, 도 5에 도시하는 바와 같이, 가이드 구멍(32a)을 구비한 금속제(예를 들어 스테인리스제)의 통형 부재이다. 열전대 가이드(32)는, 웨이퍼 적재면(20a)에 대해 수직 방향으로 연장되는 수직부(33)와, 수직 방향으로부터 수평 방향으로 전환되는 만곡부(34)를 구비하고 있다.
수직부(33)의 외경은 만곡부(34)의 외경보다 크지만, 수직부(33)의 내경은 만곡부(34)의 내경과 동일하다. 이와 같이 만곡부(34)의 외경을 작게 함으로써, 만곡부(34)를 삽입하는 열전대 통로(26)의 도입부(26a)의 폭을 작게 할 수 있다. 단, 수직부(33)의 외경과 만곡부(34)의 외경을 동일하게 해도 된다. 만곡부(34)의 곡률 반경 R은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 30mm 정도이다. 열전대 가이드(32)의 가이드 구멍(32a)에는, 외주측 열전대(50)가 삽입 관통되어 있다. 만곡부(34)의 선단은, 도입부(26a) 내에 단순히 끼워 넣어져 있기만 해도 되고, 도입부(26a) 내에 접합 또는 접착되어 있어도 된다.
통형 샤프트(40)의 내부에는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 열전대 가이드(32) 외에, 내주측 저항 발열체(22)의 한쌍의 단자(22a, 22b) 각각에 접속되는 급전봉(42a, 42b)과 외주측 저항 발열체(24)의 한쌍의 단자(24a, 24b)의 각각에 접속되는 급전봉(44a, 44b)이 배치되어 있다. 통형 샤프트(40)의 내부에는, 세라믹 플레이트(20)의 중앙 부근의 온도를 측정하기 위한 내주측 열전대(48)와 세라믹 플레이트(20)의 외주 부근의 온도를 측정하기 위한 외주측 열전대(50)도 배치되어 있다. 내주측 열전대(48)는, 세라믹 플레이트(20)의 샤프트 내 영역(20d)에 형성된 오목부(49)에 삽입되며, 선단의 측온부(48a)가 세라믹 플레이트(20)에 접촉하고 있다. 오목부(49)는, 각 단자(22a, 22b, 24a, 24b)나 열전대 통로(26)의 도입부(26a)와 간섭하지 않는 위치에 마련되어 있다. 외주측 열전대(50)는, 시스 열전대이며, 열전대 가이드(32)의 가이드 구멍(32a) 및 열전대 통로(26)를 통과하도록 배치되어 있다. 외주측 열전대(50)의 선단 측온부(50a)는 열전대 통로(26)를 통하여 종단 위치(26e)에 접해 있다.
다음에, 세라믹 히터(10)의 사용예에 대해 설명한다. 우선, 도시하지 않은 진공 챔버 내에 세라믹 히터(10)를 설치하고, 그 세라믹 히터(10)의 웨이퍼 적재면(20a)에 웨이퍼 W를 적재한다. 그리고, 내주측 열전대(48)에 의해 검출된 온도가 미리 정해진 내주측 목표 온도가 되도록 내주측 저항 발열체(22)에 공급하는 전력을 조정함과 함께, 외주측 열전대(50)에 의해 검출된 온도가 미리 정해진 외주측 목표 온도가 되도록 외주측 저항 발열체(24)에 공급하는 전력을 조정한다. 이에 의해, 웨이퍼 W의 온도가 원하는 온도가 되도록 제어된다. 그리고, 진공 챔버 내를 진공 분위기 혹은 감압 분위기가 되도록 설정하고, 진공 챔버 내에 플라스마를 발생시켜 그 플라스마를 이용하여 웨이퍼 W에 CVD 성막을 실시하거나 에칭을 실시하거나 한다.
이상 설명한 본 실시 형태의 세라믹 히터(10)에서는, 열전대 통로(26)는, 기점(26s)과 종단 위치(26e) 사이에 커브부(26c)를 갖는다. 그 때문에, 세라믹 플레이트(20) 내에 리프트 핀 구멍 H1과 같은 장애물이 있었다고 해도, 커브부(26c)로 그 장애물을 회피할 수 있다. 따라서, 외주측 열전대(50)의 측온 위치의 설계 자유도가 높아진다.
또한, 커브부(26c)는, 세라믹 플레이트(20)의 면 방향으로 커브되어 있기 때문에, 세라믹 플레이트(20)를 두께 방향으로 관통하는 리프트 핀 구멍 H1을 용이하게 회피할 수 있다.
또한, 외주측 열전대(50)의 측온 위치인 열전대 통로(26)의 종단 위치(26e)는, 리프트 핀 구멍 H1의 외주측에 마련되어 있다. 구체적으로는, 종단 위치(26e)는, 리프트 핀 구멍 H1을 통해 세라믹 플레이트(20)의 반경과 일치하는 직선(70) 위이며 리프트 핀 구멍 H1보다도 외주측에 마련되어 있다. 그 때문에, 샤프트 내 영역(20d)의 기점(26s)과 종단 위치(26e)를 직선적으로 연결할 수는 없다. 따라서, 열전대 통로(26)에 커브부(26c)를 마련하는 의의가 높다.
또한, 커브부(26c)의 곡률 반경은 20mm 이상인 것이 바람직하다. 이렇게 하면, 열전대 통로(26)에 외주측 열전대(50)를 비교적 원활하게 삽입 관통시킬 수 있다. 실제로, 커브부(26c)의 곡률 반경이 20mm인 열전대 통로(26)를 형성하여 외주측 열전대(50)를 복수회 삽입 관통시킨 바, 대부분의 케이스에서는 외주측 열전대(50)는 커브부(26c)를 원활하게 통과하였지만, 일부의 케이스에서 외주측 열전대(50)가 커브부(26c)에서 절곡되어 버려 원활하게 통과하지 못하는 경우가 있었다. 한편, 커브부(26c)의 곡률 반경이 30mm인 열전대 통로(26)를 형성하여 외주측 열전대(50)를 복수회 삽입 관통시킨 바, 모든 케이스에서 외주측 열전대(50)는 커브부(26c)를 원활하게 통과하였다. 그 때문에, 커브부(26c)의 곡률 반경은 30mm 이상인 것이 보다 바람직하다.
또한, 본 발명은 상술한 실시 형태에 전혀 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 한 다양한 형태로 실시할 수 있음은 물론이다.
상술한 실시 형태에서는, 열전대 통로(26)의 종단 위치(26e)를 리프트 핀 구멍 H1의 외주측에 마련하였지만, 특별히 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 6에 도시하는 바와 같이, 열전대 통로(26)의 종단 위치(26e)를 리프트 핀 구멍 H1을 통해 세라믹 플레이트(20)의 반경과 일치하는 직선(70)으로부터 벗어난 위치에 마련해도 된다. 도 6에서는, 긴 홈 형상의 도입부(26a)의 축선(26A) 상에 리프트 핀 구멍 H1이 마련되어 있다. 여기서는, 축선(26A)은 직선(70)과 겹치도록 하였다. 도 6에서는, 상술한 실시 형태와 동일 구성 요소에 대해서는 동일한 번호를 붙였다. 이 경우, 도입부(26a)의 축선(26A)을 따라 직선적으로 열전대 통로를 마련하면, 그 열전대 통로는 리프트 핀 구멍 H1에 부딪쳐버린다. 그 때문에, 그것을 회피하기 위해 열전대 통로(26)에는 커브부(26c)가 마련되어 있다.
상술한 실시 형태에서는, 커브부(26c)로서, 세라믹 플레이트(20)의 면 방향으로 커브되는 것을 예시하였지만, 특별히 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 7에 도시하는 바와 같이, 열전대 통로(126)의 커브부(126c)를 기점(126s)과 종단 위치(126e) 사이에서 세라믹 플레이트(20)의 두께 방향으로 커브하도록 마련해도 된다. 커브부(126c)의 곡률 반경은 20mm 이상인 것이 바람직하고, 30㎜ 이상인 것이 보다 바람직하다. 도 7에서는, 열전대 통로(126)의 종단 위치(126e)를 웨이퍼 적재면(20a)과 세라믹 플레이트(20) 중 외주측 저항 발열체(24)가 매설되어 있는 면 사이에 마련하고, 외주측 열전대(150)의 측온부(150a)를 종단 위치(126e)에 접하도록 배치하였다. 도 7에서는, 상술한 실시 형태와 동일 구성 요소에 대해서는 동일한 번호를 붙였다. 이렇게 하면, 열전대 통로(126)는, 세라믹 플레이트(20) 내에 웨이퍼 적재면(20a)과 대략 평행해지도록 매설된 내주측 및 외주측 저항 발열체(22, 24)를 커브부(126c)에 의해 용이하게 회피할 수 있다. 또한, 종단 위치(126e)(측온부(150a)의 위치)는 웨이퍼 적재면(20a)에 가깝기 때문에, 외주측 열전대(150)의 측온 결과와 웨이퍼 W의 표면 온도의 차가 작아져, 보다 실용적인 측온 결과가 얻어진다. 이 경우, 열전대 통로(126) 중 저항 발열체(22, 24)가 마련된 면을 통과하는 부분을, 다존 히터의 히터 영역간(내주측 존 Z1과 외주측 존 Z2 사이)을 통과하도록 해도 된다. 이렇게 하면, 열전대 통로(126)의 내주측 및 외주측 저항 발열체(22, 24)에 대한 영향을 작게 할 수 있다.
상술한 실시 형태에서는, 열전대 통로(26)의 도입부(26a)의 단부로부터 종단 위치(26e)까지의 구간 전체를 커브부(26c)로 하였지만, 특별히 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 8에 도시하는 바와 같이, 열전대 통로(26) 중 도입부(26a)의 단부로부터 리프트 핀 구멍 H1의 직전까지의 구간은 도입부(26a)의 축선(26A)을 따라 마련하고, 리프트 핀 구멍 H1의 직전으로부터 종단 위치(26e)까지의 구간만, 대략 C자형의 커브부(26c)로 되도록 마련해도 된다.
상술한 실시 형태에서는, 열전대 통로(26)의 커브부(26c)를 대략 C자형으로 하였지만, 특별히 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 9에 도시하는 바와 같이, 도입부(26a)의 축선(26A) 상에 리프트 핀 구멍 H1과 가스 구멍 h1(세라믹 플레이트(20)를 두께 방향으로 관통하고, 웨이퍼 W의 이면측에 He 가스를 공급하기 위한 구멍)이 마련되어 있는 경우, 커브부(26c)를 리프트 핀 구멍 H1과 가스 구멍 h1의 양쪽을 회피하도록 대략 S자형으로 해도 된다. 또한, 그 밖에, 커브부(26c)를 S자와 C자를 적절하게 조합한 형상으로 하거나 랜덤하게 만곡된 형상으로 해도 된다.
상술한 실시 형태에 있어서, 열전대 통로(26)는, 세라믹 플레이트(20)의 면 방향으로 커브되는 커브부와 두께 방향으로 커브되는 커브부가 조합되어 있어도 된다. 예를 들어, 면 방향으로 커브되는 커브부에서 리프트 핀 구멍을 회피함과 함께, 두께 방향으로 커브되는 커브부에서 내주측 및 외주측 저항 발열체를 회피하여 종단 위치(측온부의 위치)를 웨이퍼 적재면에 접근시킬 수 있다.
상술한 실시 형태에서는, 양쪽 저항 발열체(22, 24)를 코일 형상으로 하였지만, 특별히 코일 형상으로 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 인쇄 패턴이어도 되고, 리본 형상이나 메쉬 형상 등이어도 된다.
상술한 실시 형태에 있어서, 세라믹 플레이트(20)에 저항 발열체(22, 24) 이외에도 정전 전극이나 RF 전극을 내장해도 된다.
상술한 실시 형태에서는, 소위 2존 히터를 예시하였지만, 특별히 2존 히터에 한정되지 않는다. 예를 들어, 내주측 존 Z1을 복수의 내주측 소존으로 나누어 내주측 소존마다 저항 발열체를 끊김 없이 한번에 이어지는 형태로 배선해도 된다. 또한, 외주측 존 Z2를 복수의 외주측 소존으로 나누어 외주측 소존마다 저항 발열체를 끊김 없이 한번에 이어지는 형태로 배선해도 된다. 내주측 및 외주측 소존의 형상은, 환형으로 해도 되고 부채형으로 해도 되고 그 밖의 형상으로 해도 된다.
상술한 실시 형태에서는, 열전대 가이드(32)를 열전대 통로(26)의 도입부(26a)에 장착하였지만, 외주측 열전대(50)를 열전대 통로(26)에 삽입할 때에는 열전대 가이드(32)를 도입부(26a)에 배치하고, 외주측 열전대(50)를 열전대 통로(26)에 삽입한 후에는 열전대 가이드(32)를 제거해도 된다. 혹은, 열전대 가이드(32)를 사용하지 않고, 외주측 열전대(50)를 열전대 통로(26)에 삽입해도 된다.
상술한 실시 형태에 있어서, 열전대 통로(26)를 단면 대략 사각형의 통로로 하는 경우, 통로 내의 면과 면 사이의 경계(예를 들어 저면과 측면 사이의 경계)는, 에지가 상승하지 않도록 C면 또는 R면으로 되어 있는 것이 바람직하다.
상술한 실시 형태에 있어서, 외주측 열전대(50)의 외경 d는 0.5㎜ 이상 2mm 이하로 하는 것이 바람직하다. 외경 d가 0.5㎜ 미만이면, 외주측 열전대(50)를 열전대 통로(26)에 삽입할 때 구부러져 버려, 종단 위치(26e)까지 삽입하는 것이 곤란해진다. 외경 d가 2mm를 초과하면, 외주측 열전대(50)의 유연성이 없어지기 때문에 외주측 열전대(50)를 종단 위치(26e)까지 삽입하는 것이 곤란해진다.
상술한 실시 형태에 있어서, 종단 위치(26e)는, 외주측 열전대(50)의 측온부(50a)가 볼록형 곡면인 경우, 열전대 통로(26)의 종단부면(종단 위치(26e)에 있어서의 수직 벽)의 수직 벽 중 측온부(50a)가 접촉하는 부분을 오목형 곡면으로 해도 된다. 이렇게 하면, 외주측 열전대(50)의 측온부(50a)가 면 접촉하거나 또는 그에 가까운 상태에서 접촉하기 때문에, 측온 정밀도가 향상된다.
본 출원은, 2020년 2월 3일에 출원된 일본 특허 출원 제2020-016116호를 우선권 주장의 기초로 하고 있으며, 인용에 의해 그 내용 모두가 본 명세서에 포함된다.

Claims (7)

  1. 표면에 웨이퍼 적재면을 갖는 세라믹 플레이트와,
    상기 세라믹 플레이트에 매설된 저항 발열체와,
    상기 세라믹 플레이트를 상기 세라믹 플레이트의 이면으로부터 지지하는 통형 샤프트와,
    상기 세라믹 플레이트의 상기 이면 중 상기 통형 샤프트에 둘러싸인 샤프트 내 영역의 기점으로부터 상기 세라믹 플레이트의 외주부의 종단 위치에 이르는 열전대 통로를 구비하고,
    상기 열전대 통로는, 상기 기점과 상기 종단 위치 사이에 커브부를 갖는, 세라믹 히터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 커브부는, 상기 세라믹 플레이트에 마련된 소정 부위를 회피하도록 마련되어 있는, 세라믹 히터.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 커브부는, 상기 세라믹 플레이트의 면 방향으로 커브되어 있는, 세라믹 히터.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 커브부는, 상기 세라믹 플레이트의 두께 방향으로 커브되어 있는, 세라믹 히터.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 종단 위치는, 상기 세라믹 플레이트 중 상기 저항 발열체가 매설되어 있는 면과 상기 웨이퍼 적재면 사이에 마련되어 있는, 세라믹 히터.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 커브부의 곡률 반경은 20㎜ 이상인, 세라믹 히터.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 세라믹 히터이며,
    상기 열전대 통로에 삽입 관통되고, 선단의 측온부가 상기 종단 위치에 도달해 있는 열전대를 구비한, 세라믹 히터.
KR1020210011322A 2020-02-03 2021-01-27 세라믹 히터 KR102597235B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2020-016116 2020-02-03
JP2020016116A JP7202322B2 (ja) 2020-02-03 2020-02-03 セラミックヒータ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210098859A true KR20210098859A (ko) 2021-08-11
KR102597235B1 KR102597235B1 (ko) 2023-11-03

Family

ID=77062154

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210011322A KR102597235B1 (ko) 2020-02-03 2021-01-27 세라믹 히터

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20210242053A1 (ko)
JP (1) JP7202322B2 (ko)
KR (1) KR102597235B1 (ko)
CN (1) CN113286385B (ko)
TW (1) TWI773053B (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001135715A (ja) * 1999-08-24 2001-05-18 Ibiden Co Ltd 測温素子および半導体製造装置用セラミック基材
JP2012028332A (ja) * 2010-07-26 2012-02-09 Ngk Insulators Ltd セラミックヒーター
WO2012039453A1 (ja) 2010-09-24 2012-03-29 日本碍子株式会社 半導体製造装置部材
JP2012160368A (ja) * 2011-02-01 2012-08-23 Nihon Ceratec Co Ltd セラミックスヒータ及びその製造方法
US20190252162A1 (en) * 2018-02-09 2019-08-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing apparatus having improved temperature control

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3516392B2 (ja) * 2000-06-16 2004-04-05 イビデン株式会社 半導体製造・検査装置用ホットプレート
US20060127067A1 (en) * 2004-12-13 2006-06-15 General Electric Company Fast heating and cooling wafer handling assembly and method of manufacturing thereof
US9275887B2 (en) * 2006-07-20 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing with rapid temperature gradient control
JP2009074978A (ja) * 2007-09-21 2009-04-09 Fenwall Controls Of Japan Ltd 温度センサ及び温度センサの製造方法
KR101456892B1 (ko) * 2008-07-01 2014-10-31 브룩스 오토메이션, 인크. 극저온 펌프에 대한 온도 제어를 제공하기 위한 방법 및 장치
JP2012080103A (ja) * 2010-10-01 2012-04-19 Ngk Insulators Ltd サセプター及びその製法
WO2012056807A1 (ja) * 2010-10-25 2012-05-03 日本碍子株式会社 セラミックス材料、積層体、半導体製造装置用部材及びスパッタリングターゲット部材
JP5980551B2 (ja) * 2011-07-13 2016-08-31 株式会社日立国際電気 温度検出部、基板処理装置、及び半導体装置の製造方法
JPWO2013162000A1 (ja) * 2012-04-27 2015-12-24 日本発條株式会社 基板支持装置及び基板支持装置に熱電対を配設する方法
US9984866B2 (en) * 2012-06-12 2018-05-29 Component Re-Engineering Company, Inc. Multiple zone heater
JP6382295B2 (ja) * 2013-03-15 2018-08-29 コンポーネント リ−エンジニアリング カンパニー インコーポレイテッド マルチゾーンヒータ
US10840117B2 (en) * 2016-09-12 2020-11-17 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Holding apparatus
JP6704837B2 (ja) * 2016-10-31 2020-06-03 日本特殊陶業株式会社 保持装置
KR102078157B1 (ko) * 2018-04-16 2020-02-17 세메스 주식회사 기판 가열 유닛 및 이를 갖는 기판 처리 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001135715A (ja) * 1999-08-24 2001-05-18 Ibiden Co Ltd 測温素子および半導体製造装置用セラミック基材
JP2012028332A (ja) * 2010-07-26 2012-02-09 Ngk Insulators Ltd セラミックヒーター
WO2012039453A1 (ja) 2010-09-24 2012-03-29 日本碍子株式会社 半導体製造装置部材
JP2012160368A (ja) * 2011-02-01 2012-08-23 Nihon Ceratec Co Ltd セラミックスヒータ及びその製造方法
US20190252162A1 (en) * 2018-02-09 2019-08-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing apparatus having improved temperature control

Also Published As

Publication number Publication date
TWI773053B (zh) 2022-08-01
JP7202322B2 (ja) 2023-01-11
US20210242053A1 (en) 2021-08-05
CN113286385B (zh) 2024-03-29
CN113286385A (zh) 2021-08-20
TW202131757A (zh) 2021-08-16
JP2021125500A (ja) 2021-08-30
KR102597235B1 (ko) 2023-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102432592B1 (ko) 세라믹 히터
KR20210098859A (ko) 세라믹 히터
KR20210098857A (ko) 세라믹 히터 및 그의 제법
CN112514534A (zh) 陶瓷加热器
KR102495556B1 (ko) 세라믹 히터 및 열전대 가이드
US20210329743A1 (en) Ceramic heater and method of producing the same
CN111656860B (zh) 陶瓷加热器
KR102678508B1 (ko) 세라믹 히터
CN113207201B (zh) 陶瓷加热器
TWI798712B (zh) 熱電偶導件以及陶瓷加熱器
CN113811030A (zh) 热电偶引导件及陶瓷加热器

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant