JP5980551B2 - 温度検出部、基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
反応管とヒータの間には、上端が閉塞し下端が開放された略円筒形の均熱管が設けられている。均熱管は、ヒータからウェハに輻射される熱が、場所により不均一にならないよう均等にするためのものである。
下記の特許文献1には、反応管とヒータを有する縦型熱処理炉において、処理炉の温度を検出するための熱電対を設置する技術が開示されている。
図12の例では、熱電対は、熱電対接合部423aを有する第1熱電対、熱電対接合部423bを有する第2熱電対、熱電対接合部423cを有する第3熱電対、熱電対接合部423dを有する第4熱電対、熱電対接合部423eを有する第5熱電対の5つ存在する。
第1熱電対と第4熱電対は、保護管431a内に挿入されており、第2熱電対と第5熱電対は、保護管431b内に挿入されており、第3熱電対は、保護管431c内に挿入されている。
第1熱電対の絶縁管432aは断面が長円形で、2つの穴が貫通しており、その穴にプラス側の熱電対素線421aとマイナス側の熱電対素線422aが挿通するように収容されている。第2熱電対〜第5熱電対の絶縁管432b〜432eも同様である。熱電対素線は、温度を熱起電力に変換する熱電対の素線部分である。
熱電対素線421aと熱電対素線422aは、互いに短絡することのないよう、2穴の絶縁管432a内にそれぞれ収容されている。絶縁管432aの上端には、熱電対接合部423aを封止するように、キャップ434aが取り付けられている。絶縁管432aは、保護管431a内に挿入されており、保護管431aは、その下部を保護管ホルダ436により固定されている。また、鉛直方向に延在する絶縁管432aは、その下部を、水平方向に延在する絶縁管433aと当接しており、絶縁管433aは保護管ホルダ436に固定されている。
絶縁管432a内を鉛直方向に通過する熱電対素線421aと熱電対素線422aは、絶縁管432aの下端で90度方向を変えて、絶縁管433a内を水平方向に通過し、温度制御部(不図示)に接続されている。
第3熱電対は、プラス側の熱電対素線421cとマイナス側の熱電対素線422c、熱電対素線421cと熱電対素線422cがそれらの先端部で接合された熱電対接合部423c、熱電対素線421cと熱電対素線422cとを互いに絶縁するための絶縁管432c、絶縁管432cの上端を閉塞するキャップ434c等から構成される。
第4熱電対は、プラス側の熱電対素線421dとマイナス側の熱電対素線422d、熱電対素線421dと熱電対素線422dがそれらの先端部で接合された熱電対接合部423d、熱電対素線421dと熱電対素線422dとを互いに絶縁するための絶縁管432d、絶縁管432dの上端を閉塞するキャップ434d等から構成される。
第5熱電対は、プラス側の熱電対素線421eとマイナス側の熱電対素線422e、熱電対素線421eと熱電対素線422eがそれらの先端部で接合された熱電対接合部423e、熱電対素線421eと熱電対素線422eとを互いに絶縁するための絶縁管432e、絶縁管432eの上端を閉塞するキャップ434e等から構成される。
なお、熱電対素線421a〜421eを熱電対素線421、熱電対素線422a〜422eを熱電対素線422、熱電対接合部423a〜423eを熱電対接合部423、絶縁管432a〜432eを絶縁管432、絶縁管433a〜433eを絶縁管433、キャップ434a〜434eをキャップ434と総称する。
図17は、従来の熱電対が断線する様子を示す図であり、図17(a)は待機状態、図17(b)は熱処理状態を示す。図17(a)の待機状態と、図17(b)の熱処理状態を繰り返すと、例えば熱電対素線422が伸びて素線変形部411が発生し、絶縁管432との摩擦力が大きくなる。また、絶縁管432が絶縁管433から上方に離間する。
更に経時変化が進行すると、図17(c)に示すように、熱収縮時において、熱電対素線422が絶縁管432に拘束される拘束力が強くなり、熱電対素線421への引張り応力が大きくなる。最終的には、熱電対素線422の引張り強度を超過し、断線部412において断線に至る。
鉛直方向に延在するように設置され、鉛直方向の貫通穴を有する絶縁管と、
上端に熱電対接合部を有する熱電対素線であって、前記絶縁管の貫通穴に挿通され、前記絶縁管の下端から出た鉛直方向の部分が水平方向に向きを変える熱電対素線と、
前記絶縁管の下方に設けられた空間であって、前記絶縁管の下端から出た熱電対素線の熱膨張が拘束されることを抑制するバッファエリアとを有し、
前記熱電対素線の上部又は鉛直方向における中間部を前記絶縁管に支持された温度検出装置。
本発明を実施するための形態において、半導体装置(IC等)の製造工程の1工程としての熱処理による基板処理工程を実施する基板処理装置の構成例について、図1を用いて説明する。
図1は、本発明の第1〜第4の各実施形態における基板処理装置の斜透視図である。図1に示すように、本発明の各実施形態に係る基板処理装置10は、筐体101を備え、シリコン等からなる基板であるウェハ200を筐体101内外へ搬送するために、ウェハキャリア(基板収容器)としてカセット110が使用される。
筐体101内の前後方向における略中央部には、カセット棚114が設置されている。カセット棚114は、複数個のカセット110を保管する。カセット棚114の一部として、移載棚123が設けられ、移載棚123には、後述するウェハ移載機構112の搬送対象となるカセット110が収納される。
カセットステージ105とカセット棚114との間には、カセット搬送装置115が設置されている。カセット搬送装置115は、カセットステージ105、カセット棚114、移載棚123の間で、カセット110を搬送する。
処理炉202の下方には、ボート217を昇降させて処理炉202内外へ搬送する機構としてのボートエレベータ121が設置されている。ボートエレベータ121には、昇降台としてのアーム122が設置されている。アーム122上には、シールキャップ219が水平姿勢で設置されている。シールキャップ219は、ボート217を鉛直に支持するとともに、ボートエレベータ121によりボート217が上昇したときに、処理炉202の下端部を気密に閉塞する蓋体として機能するものである。ボート217の構成については後述する。
次に、第1〜第4の各実施形態における処理炉202の構成について、図2を用いて説明する。図2は、基板処理装置の処理炉の垂直断面図である。この実施形態においては、処理炉202は、バッチ式縦形ホットウオール形の熱処理炉として構成されている。
処理炉202は、その内側に、縦形の反応管222を備えている。反応管222は、上端が閉塞され下端が開口された略円筒形状をしており、開口された下端が下方を向くように、かつ、筒方向の中心線が鉛直になるように縦向きに配置されている。
反応管222内には、基板保持具としてのボート217によって水平姿勢で多段に積層された複数枚のウェハ200を収容して処理する処理室204が形成される。反応管222の内径は、ウェハ200群を保持するボート217の最大外径よりも大きくなるように設定されている。
反応管222は、本例では、石英(SiO2)や炭化シリコン(SiC)等の耐熱性の高い材料によって、略円筒形状に一体成形されている。
均熱管221は、反応管222より大きく、かつ、反応管222と略相似形状であり、反応管222の外側を取り囲むように同心円状に被せられている。均熱管221の下端部は、筐体101の一部である金属製のベース209によって支えられている。
均熱管221は、本例では、石英(SiO2)や炭化シリコン(SiC)等の耐熱性の高い材料によって、略円筒形状に一体成形されている。
マニホールド206には、マニホールド206の下端開口を閉塞するシールキャップ219が、鉛直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ219は反応管222の外径と同等以上の外径を有する円盤形状に形成されており、反応管222の外部に鉛直に設備されたボートエレベータ121によって、前記円盤形状を水平姿勢に保った状態で鉛直方向に昇降されるように構成されている。
シールキャップ219上には、ウェハ200を保持する基板保持具としてのボート217が鉛直に支持されるようになっている。ボート217は、上下で一対の端板と、両端板間に渡って鉛直に設けられた複数本、本例では3本のウェハ保持部材(ボート支柱)とを備えている。端板及びウェハ保持部材は、例えば、石英(SiO2)や炭化珪素(SiC)等の耐熱性の高い材料から構成される。
ボート回転機構237及びボートエレベータ121は、制御部280に電気的に接続されている。制御部280は、ボート回転機構237及びボートエレベータ121が所望のタイミングにて所望の動作をするように制御する。
均熱管221の外部には、反応管222内を全体にわたって均一または所定の温度分布に加熱する加熱機構としてのヒータユニット208が、均熱管221を包囲するように設けられている。ヒータユニット208は、基板処理装置10の筐体101に支持されることにより鉛直に据え付けられた状態になっており、例えば、カーボンヒータ等の抵抗加熱ヒータにより構成されている。
均熱管221と反応管222の間には、温度測定素子である熱電対を内蔵し保護する保護管31が、鉛直方向に延在するように設置されている。保護管31の下端は、保護管ホルダ36により支持され固定されている。
保護管31は、炭化シリコン(SiC)等の耐熱性の高い材料によって、円筒形状に形成され、その長さは約1500mm、外径は約8mmであり、上端は閉じられ、下端に開口部を有する。その開口部から、熱電対素線を収容した絶縁管を挿入する。こうして、熱電対素線を腐食性ガスに曝さないようにするとともに、絶縁管や熱電対から発生する汚染物質を拡散させないようになっている。絶縁管や熱電対素線については後述する。
保護管ホルダ36は、アルミナやステンレス等によって形成され、保護管31を支える鉛直部分と、熱電対素線を挿通して処理室204外へ導く水平部分を備える。
これらの構成により、熱膨張時において、熱電対素線21と熱電対素線22が自重で直線状を保つことができ、部分的に屈曲することや拘束力を受けることを抑制でき、その結果、熱電対素線21,22と絶縁管32との間に大きな摩擦力が発生することを抑制できる。これらの構成については以下に詳しく説明する。
第1実施形態においては、図4(a)に示すように、熱電対の保護管は、保護管31a、保護管31b、保護管31cの3本存在する。各保護管は、その下端を保護管ホルダ36で支持されている。詳しくは、保護管ホルダ36は、基板処理装置10の筐体101に部品を介して固定され、保護管31を挿入固定して保護管31が鉛直方向に直立するよう保持している。
絶縁管32と絶縁管ストッパ33の材質は、例えばアルミナであり、プラス側の熱電対素線21とマイナス側の熱電対素線22の材質は、例えばそれぞれ、白金ロジウム合金と白金である。
第2熱電対を構成する第2温度検出装置は、プラス側の熱電対素線21bとマイナス側の熱電対素線22b、熱電対素線21b,22bがそれらの先端部で接合された熱電対接合部23b、熱電対素線21b,22bを互いに絶縁するための絶縁管32b、絶縁管32bの上端を閉塞するキャップ34b、絶縁管ストッパ33b、保護管31b、保護管ホルダ36等から構成される。
第3熱電対を構成する第3温度検出装置は、プラス側の熱電対素線21dとマイナス側の熱電対素線22d、熱電対素線21d,22dがそれらの先端部で接合された熱電対接合部23d、熱電対素線21d,22dを互いに絶縁するための絶縁管32a、絶縁管32aの上端を閉塞するキャップ34a、絶縁管ストッパ33a、保護管31a、保護管ホルダ36等から構成される。
第4熱電対を構成する第4温度検出装置は、プラス側の熱電対素線21eとマイナス側の熱電対素線22e、熱電対素線21e,22eがそれらの先端部で接合された熱電対接合部23e、熱電対素線21e,22eを互いに絶縁するための絶縁管32b、絶縁管32bの上端を閉塞するキャップ34b、絶縁管ストッパ33b、保護管31b、保護管ホルダ36等から構成される。
第5熱電対を構成する第5温度検出装置は、プラス側の熱電対素線21cとマイナス側の熱電対素線22c、熱電対素線21c,22cがそれらの先端部で接合された熱電対接合部23c、熱電対素線21c,22cを互いに絶縁するための絶縁管32c、絶縁管32cの上端を閉塞するキャップ34c、絶縁管ストッパ33c、保護管31c、保護管ホルダ36等から構成される。
また、絶縁管32bは、断面が円形で4つの穴が貫通しており、その4つの穴に、第2熱電対用の熱電対素線21b,22bと第4熱電対用の熱電対素線21e,22eが挿通し収容されるようになっている。
また、絶縁管32cは、断面が円形で4つの穴が貫通しており、そのうち2つの穴に、第5熱電対用の熱電対素線21c,22cが挿通し収容されるようになっている。
図4(c)に示すように、熱電対素線21aと熱電対素線22a(熱電対素線22aは不図示)は、絶縁管32aの内部を鉛直方向に延在しており、それらの上端には熱電対接合部23aが設けられている。熱電対接合部23aが設けられている部分の絶縁管32aは、絶縁管32aの外周部だけが残る円筒状になっており、熱電対接合部23aは、熱電対素線21a用の穴と熱電対素線22a用の穴との境界における絶縁管32aの壁部の上端(図3の32kに相当)により支持されている。
なお、図4(b)では、熱電対素線21dのみを示しているが、熱電対素線22d,21a,22aや、絶縁管32b内の熱電対素線21b,22b,21e,22eや、絶縁管32c内の熱電対素線21c,22cについても、熱電対素線21dと同様であるので、以下、熱電対素線21dについて説明する。
絶縁管ストッパ33は、絶縁管32の底部をバッファエリア38より高い位置、つまり、素線保持部35の一端35aより高い位置で支持する。これにより、バッファエリアを広くすることがより容易になる。
絶縁管ストッパ33aは、内部が鉛直方向に貫通されており、この貫通穴により絶縁管32a下端からの熱電対素線21dをバッファエリア38に導くようになっている。これにより、熱電対素線が鉛直方向に直線状を保つことが容易となり、絶縁管ストッパから受ける拘束力を抑制できる。
図4(b)では、バッファエリア38内において、熱処理前後の待機状態(500℃)における熱電対素線21dを実線で、熱処理中のプロセス状態(1200℃)における熱電対素線21dを破線で示している。
また、絶縁管32の線膨張係数は、熱電対素線21,22の線膨張係数よりも小さいものを採用しており、熱膨張に伴う熱電対接合部23の位置、つまり温度測定位置の変化を従来よりも小さくすることができる。例えば、絶縁管32の線膨張係数は8.1×10−4/℃であり、熱電対素線21の線膨張係数は10.2×10−4/℃であり、熱電対素線22の線膨張係数は10.6×10−4/℃である。
ガス供給系について、図2を用いて説明する。図2に示すように、処理室204内に処理ガスを供給するガスノズル224が、反応管222の側壁に沿ってして設けられ、反応管222の上部にノズル開口部224aが設けられている。ガスノズル224には、処理ガス供給管225が接続されている。処理ガス供給管225には、処理ガス供給機構226が接続されている。処理ガス供給機構226は、上流から順に、処理ガスを供給する処理ガス供給源、流量制御装置としてのMFC(マスフローコントローラ)、及び開閉バルブを有する。主にガスノズル224、処理ガス供給管225、処理ガス供給機構226から処理ガス供給部が構成される。
処理ガス供給機構226のMFCや開閉バルブは、制御部280に電気的に接続されている。制御部280は、処理室204内に供給するガスの種類が所望のタイミングにて所望のガス種となるよう、また、供給するガスの流量が所望のタイミングにて所望の流量となるよう、MFC及び開閉バルブを制御する。
マニホールド206の側壁の一部には、処理室204内の雰囲気を排気する排気管231が接続されている。排気管231には、上流から順に、圧力検出器としての圧力センサ236、圧力調整器としてのAPC(Auto Pressure Controller)バルブ232が設けられている。APCバルブ232の下流には、排気管233を介し、真空排気装置としての真空ポンプ234が接続されている。主に排気管231、APCバルブ232、真空ポンプ234から、反応管222内からガスを排気する排気部が構成される。
APCバルブ232および圧力センサ236は、制御部280に電気的に接続されている。制御部280は、処理室204内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように、圧力センサ236により検出された圧力値に基づいてAPCバルブ232の開度を制御する。
制御部280は、図示しない操作部や入出力部を備え、基板処理装置10の各構成部と電気的に接続されており、基板処理装置10の各構成部を制御する。制御部280は、成膜等のプロセスの制御シーケンスを時間軸で示したレシピに基づく温度制御や圧力制御、流量制御および機械駆動制御を指令する。
次に、本実施形態に係る基板処理動作を、ICの製造方法における成膜工程を例にして説明する。この基板処理動作は、コントローラ280により制御される。まず、ウェハチャージングステップにおいて、ウェハ200はボート217に装填される。複数枚のウェハ200は、ボート217におけるチャージング状態において、その中心を揃えられて互いに平行かつ水平、多段に積載され、整列されている。
次に、ボートローディングステップにおいて、複数枚のウェハ200を積載、保持したボート217は、処理室204に搬入(ボートローディング)される。続いて、減圧ステップにおいて、排気管231を介して真空ポンプ234により、反応管222の内部が所定の真空度に減圧されるとともに、昇温ステップにおいて、温度検出装置により測定した温度に基づき、ヒータユニット208により反応管222の内部が所定の温度に昇温される。
(1)熱電対素線をその上部で支持し、熱電対素線の下方にバッファエリアを設けて、熱電対素線の下部を他の部材、例えば保護管ホルダの底部等で拘束されない状態としたので、熱電対素線が自重で直線状を保つことができ、部分的に屈曲することを抑制でき、熱電対素線の断線を抑制できる。
(2)熱電対素線を収容する絶縁管の下端の高さと、熱電対素線の一部を固定する素線保持部の高さを、保護管ホルダの底部から10mm以上の高さとしたので、熱電対素線の下方に十分なバッファエリアを容易に設けることができる。
(3)熱電対素線を収容する絶縁管の下端を、熱電対素線の一部を固定する素線保持部より高い位置で支持するようにしたので、バッファエリアを広くすることがより容易になる。
(4)絶縁管ストッパに鉛直方向の貫通穴を設け、該貫通穴に熱電対素線を通すようにしたので、熱電対素線が鉛直方向に直線状を保つことが容易となり、絶縁管ストッパから受ける拘束力を抑制できる。
(5)熱電対素線を素線保持部内で固定しているので、バッファエリア内の熱電対素線が処理室外から引張力を受けることを防止できる。
(6)熱電対素線を収容する絶縁管の下端を絶縁管ストッパで支持し、絶縁管ストッパの下端を保護管ホルダの底部で支持するようにしたので、熱電対素線を絶縁管に接着剤で接着しなくても済み、熱電対素線の上部を容易に支持することができる。
(7)絶縁管を、断面が円形で4つの穴が鉛直方向に貫通するよう構成し、その4つの穴に、複数の熱電対用の熱電対素線を収容しているので、保護管の直径を小さくすることができる。
第2実施形態の温度検出装置の構成について、図6ないし図8を用いて説明する。なお、温度検出装置以外の構成や基板処理動作は、第1実施形態と同じであるので説明を省略する。
本実施形態においては、図6に示すように、鉛直方向(上下方向)に延在する熱電対の熱電対素線支持部25、つまり熱電対素線の支持位置25を、鉛直方向における熱電対素線21,22の概ね中間位置に設けている。図6は、第2実施形態における熱電対の支持状態を示す図である。
この構成により熱膨張時において、支持位置25より下部では、熱電対素線21,22の自重によって、それ自身の直線性を高める効果が得られ、絶縁管との摩擦力増加を抑制することができ、経時変化に伴う素線変形による引掛りの発生を抑えることが可能となる。また、熱電対支持位置25より上部では、支持位置25から熱電対接合点23までの距離の短縮により、熱電対自身の自重が減少し、絶縁管との摩擦力が減少するので、同様に経時変化に伴う素線変形による引掛りの発生を抑えることが可能となる。これらの構成については以下に詳しく説明する。
第2実施形態においては、図7(a)に示すように、熱電対の保護管は、保護管31a、保護管31bの2本存在する。各保護管は、その下端を保護管ホルダ36で支持されている。保護管ホルダ36の構造や保護管ホルダ36が保護管を支持する構造は、第1実施形態と同様であるので、説明を省略する。
図7(a)(b)に示すように、絶縁管32aの下端は絶縁管ストッパ33aに挿入されて支持され、絶縁管32bと絶縁管32cの下端は絶縁管ストッパ33bに挿入されて支持されている。絶縁管ストッパ33a,33bの下端は、保護管ホルダ36の底部により支持されている。
絶縁管32、絶縁管ストッパ33、熱電対素線21,22の材質は、第1実施形態と同様である。
第2熱電対を構成する第2温度検出装置は、プラス側の熱電対素線21bとマイナス側の熱電対素線22b、熱電対素線21b,22bがそれらの先端部で接合された熱電対接合部23b、熱電対素線21b,22bとを互いに絶縁するための絶縁管32b、絶縁管32bの上端を閉塞するキャップ34b、絶縁管ストッパ33b、保護管31b、保護管ホルダ36等から構成される。
第3熱電対を構成する第3温度検出装置は、プラス側の熱電対素線21cとマイナス側の熱電対素線22c、熱電対素線21c,22cがそれらの先端部で接合された熱電対接合部23c、熱電対素線21c,22cとを互いに絶縁するための絶縁管32c、絶縁管32cの上端を閉塞するキャップ34c、絶縁管ストッパ33b、保護管31b、保護管ホルダ36等から構成される。
また、絶縁管32bも、絶縁管32aと同様の形状で、その2つの穴に、第2熱電対用の熱電対素線21b,22bが挿通し収容されるようになっている。
また、絶縁管32cも、絶縁管32aと同様の形状で、その2つの穴に、第3熱電対用の熱電対素線21c,22cが挿通し収容されるようになっている。
また、図7(a)に示すように、絶縁管32b内において、第3熱電対が前方(処理室204の中心側)にあり、第2熱電対が後方にある。
図7(c)に示すように、熱電対素線21a,22aは、絶縁管32aの内部を鉛直方向に延在しており、それらの上端には熱電対接合部23aが設けられている。絶縁管32aの上端と下端の中間位置には、熱電対素線21aを絶縁管32aに固定して支持する固定部41と、熱電対素線22aを絶縁管32aに固定して支持する固定部42が設けられている。
また、図7(c)に示すように、いったん暴露された熱電対素線21aを若干曲げ、曲げた状態で固定することによって、熱電対素線21aの固定をさらに強化することができる。
図7(d)に示すように、いったん暴露された熱電対素線21c,22cを若干曲げ、曲げた状態で固定することによって固定をさらに強化することができる。
固定部43の上下方向の大きさ及び深さは、いずれも例えば20〜30mmとしており、熱電対素線21c,22cを固定支持するという目的を十分に達成するようにしている。
なお、図7(b)では、熱電対素線21aのみを示しているが、熱電対素線22a,21b,22b,21c,22cについても、熱電対素線21aと同様である。
絶縁管ストッパ33は、第1実施形態と同様に、絶縁管32の底部をバッファエリア38より高い位置で支持するもので、内部が鉛直方向に貫通されており、この貫通穴により絶縁管32a下端からの熱電対素線21aをバッファエリア38に導くようになっている。
図7(b)では、バッファエリア38内において、熱処理前後の待機状態(500℃)における熱電対素線21aを実線で、熱処理中のプロセス状態(1200℃)における熱電対素線21aを破線で示している。
また、熱電対素線21aは、第1実施形態と同様に、素線保持部35内で固定されている。
したがって、熱膨張時において、熱電対素線21a,22aの支持部の下部では、熱電対素線21a,22aが自重で直線状を保ち、部分的に屈曲することを抑制できる。熱電対素線21a,22aの支持部の上部では、絶縁管32a上端からの熱電対素線21a,22aの飛出し量ΔLが従来よりも小さくなる。その結果、熱電対素線21a,22aと絶縁管32aとの間に大きな摩擦力が発生することを抑制でき、熱電対素線21a,22aの断線を抑制できる。
また、絶縁管32aの線膨張係数は、熱電対素線21a,22aの線膨張係数よりも小さいものを採用しており、熱膨張に伴う熱電対接合部23aの位置、つまり温度測定位置の変化を従来よりも小さくすることができる。
(8)熱電対素線をその鉛直方向における中間位置で固定して支持し、熱電対素線の下方にバッファエリアを設けて、熱電対素線の下部を他の部材、例えば保護管ホルダの底部等で拘束されない状態としたので、前記中間位置の下部の熱電対素線が自重で直線状を保つことができ、部分的に屈曲することを抑制でき、熱電対素線の断線を抑制できる。また、前記中間位置の上部の熱電対素線が自重で屈曲することを、従来よりも抑制できる。
(9)熱電対素線を絶縁管の上部や中間位置で固定する際に、絶縁管の一部を抉り、その抉り部分にセメント等の接着剤を注入するようにしたので、熱電対素線を絶縁管に固定することが容易となる。
(10)熱電対素線を絶縁管の抉り部分で固定する際に、該抉り部分に露出した熱電対素線を曲げ、曲げた状態で接着剤を注入して固定するようにしたので、熱電対素線を絶縁管により確実に固定することができる。
(11)熱電対素線を絶縁管に固定する位置を、絶縁管の中間部から先端側にずらした位置にしているので、固定位置から上方の熱電対素線が屈曲することを、より抑制できる。
第3実施形態の温度検出装置の構成について、図9ないし図11を用いて説明する。
本実施形態においては、図9に示すように、鉛直方向(上下方向)に延在する熱電対の熱電対素線支持部26を、鉛直方向における熱電対素線21,22の上端に設け、該支持位置において、熱電対素線21,22の上端および熱電対接合部23を、セメント等の接着剤により絶縁管に固定して支持する。
この構成により熱膨張時において、熱電対素線21,22の自重によって、それ自身の直線性を高める効果が得られ、絶縁管との摩擦力増加を抑制することができ、経時変化に伴う素線変形による引掛りの発生を抑えることが可能となる。これらの構成については以下に詳しく説明する。
図10(a)(b)に示すように、保護管31aは、その下端を保護管ホルダ36で支持されている。絶縁管32aの下端は絶縁管ストッパ33aに挿入されて支持されている。絶縁管ストッパ33aの下端は、保護管ホルダ36の底部により支持されている。
第1熱電対を構成する第1温度検出装置は、プラス側の熱電対素線21aとマイナス側の熱電対素線22a、熱電対素線21a,22aがそれらの先端部で接合された熱電対接合部23a、熱電対素線21a,22aとを互いに絶縁するための絶縁管32a、絶縁管32aの上端を閉塞するキャップ34a、絶縁管ストッパ33a、保護管31a、保護管ホルダ36等から構成される。
第3熱電対を構成する第3温度検出装置は、プラス側の熱電対素線21dとマイナス側の熱電対素線22d、熱電対素線21d,22dがそれらの先端部で接合された熱電対接合部23d、熱電対素線21d,22dとを互いに絶縁するための絶縁管32a、絶縁管32aの上端を閉塞するキャップ34a、絶縁管ストッパ33a、保護管31a、保護管ホルダ36等から構成される。
図10(a)のA−A断面図である図11に示すとおり、第1実施形態の絶縁管と同様に、絶縁管32aは、断面が円形で4つの穴が貫通しており、その4つの穴に、第1熱電対用の熱電対素線21a,22aと第3熱電対用の熱電対素線21d,22dが挿通し収容されるようになっている。絶縁管32a内において、第1熱電対が前方(処理室204の中心側)にあり、第3熱電対が後方にある。
図10(d)に示すように、絶縁管32aの内部を鉛直方向に延在する熱電対素線21dと熱電対素線22dの上端には熱電対接合部23dが設けられている。熱電対接合部23dが設けられている部分の絶縁管32aは、絶縁管32aの外周部の一部を残して抉り取られている。該抉り部52において、熱電対素線21dと熱電対素線22dおよび熱電対接合部23dは、セメント等の接着剤により固定されて支持されている。
熱電対素線21aは、絶縁管32aの下端から鉛直下方に出た後、水平方向に向きを変え、素線保持部35の一端35aから素線保持部35内に入っている。前記一端35aから保護管ホルダ36の底部までの寸法は、第1実施形態と同様に、例えば約10〜15mmであり、熱膨張時に熱電対素線21aが保護管ホルダ36に拘束されないためのバッファエリア38が、保護管ホルダ36内に形成されている。
絶縁管ストッパ33は、第1実施形態と同様に、絶縁管32の底部をバッファエリア38より高い位置で支持するもので、内部が鉛直方向に貫通されており、この貫通穴により絶縁管32a下端からの熱電対素線21aをバッファエリア38に導くようになっている。
図10(b)では、バッファエリア38内において、熱処理前後の待機状態(500℃)における熱電対素線21aを実線で、熱処理中のプロセス状態(1200℃)における熱電対素線21aを破線で示している。
また、熱電対素線21aは、第1実施形態と同様に、素線保持部35内で固定されている。
(12)熱電対素線を絶縁管の上部や中間位置で固定する際に、絶縁管の一部を抉り、その抉り部分にセメント等の接着剤を注入するようにしたので、熱電対素線を絶縁管に固定することが容易となる。
第4実施形態の温度検出装置の構成について、図18ないし図21を用いて説明する。
図18は、本発明の第4実施形態における熱電対の支持状態を示す図である。第4実施形態の温度検出装置が第3実施形態(図10)と異なるのは、熱電対素線の支持構造のみであり、他の構成は第3実施形態と同様である。第4実施形態においては、図18に示すように、熱電対接合部23の概ね直下において、熱電対素線21と熱電対素線22は外側に膨らむように曲げられて、熱電対素線21と熱電対素線22にそれぞれ、水平方向外側に膨らむ膨らみ部Aと膨らみ部Bとが形成される。膨らみ部Aと膨らみ部Bにより形成される素線幅は、熱電対素線21と熱電対素線22とが挿通されている2つの貫通穴により形成される穴幅よりも大きくなるように構成されている。
ここで、素線幅とは、熱電対接合部23で接合される2つの熱電対素線の膨らみ部Aと膨らみ部Bの外縁が、絶縁管32の上端よりも上方においてなす最大距離、つまり、絶縁管32の上端面と熱電対接合部23との間における2つの熱電対素線の外縁を水平方向に結ぶ直線のうち最も長い直線の距離である。穴幅とは、熱電対素線21と熱電対素線22とが挿通されている2つの貫通穴を含む楕円の長径であって、上記2つの貫通穴の外縁(図18の例では円周)を結ぶ直線のうち最も長い直線の距離、詳しくは、絶縁管32の上端において上記2つの貫通穴の水平断面がなす2つの円の円周を水平方向に結ぶ直線のうち最も長い直線の距離である。
例えば前述の第1実施形態においては、素線幅が穴幅よりも大きくなるように構成されていないので、熱電対接合部23が絶縁管32により支持された状態において、熱電対素線21と熱電対素線22の重力により、熱電対接合部23に対し外側方向の力が発生する。このため、熱電対素線21と熱電対素線22とが接合している熱電対接合部23が損傷しないよう、熱電対接合部23の大きさを大きくする等、強度を上げる必要がある。
これに対し、第4実施形態では、素線幅が穴幅よりも大きい構成としたので、A熱電対素線21と熱電対素線22が絶縁管32の上端面により支持された状態において、熱電対素線21と熱電対素線22の重力は、絶縁管32の上端面で支持され、熱電対接合部23にかかる力を第1実施形態よりも低減することができる。
また、基板処理装置製作の際の熱電対の組み立て時において、誤って熱電対素線が下側に引っ張られることがあっても、熱電対接合部の損傷を抑制できる。また、基板処理装置運搬時において振動により、熱電対素線に対し下側に力がかかっても、熱電対接合部の損傷を抑制できる。
図19は、第4実施形態における温度検出装置の構造の一例を示す図である。図19(a)は、反応管と均熱管の間にある熱電対を、処理炉の中心から見た図である。図19(b)は、図19(a)の温度検出装置を側面から見た垂直断面図である。図20は、図19(a)のA−A部における水平断面図である。なお、第4実施形態においても第3実施形態と同様に、熱電対の保護管は保護管31a〜31cの3本存在し、第1熱電対〜第5熱電対が存在するが、図19では、説明を簡明にするため保護管31aのみを示し、保護管31aに関連する事項について説明する。
図19(a)(b)に示すように、保護管31aは、その下端を保護管ホルダ36で支持されている。絶縁管32aの下端は絶縁管ストッパ33aに挿入されて支持されている。絶縁管ストッパ33aの下端は、保護管ホルダ36の底部により支持されている。
第1熱電対を構成する第1温度検出装置は、プラス側の熱電対素線21aとマイナス側の熱電対素線22a、熱電対素線21a,22aがそれらの先端部で接合された熱電対接合部23a、熱電対素線21a,22aを互いに絶縁するための絶縁管32a、絶縁管32aの上端を閉塞するキャップ34a、熱電対接合部23d近傍において絶縁管32aの外周を覆うカバー37、絶縁管ストッパ33a、保護管31a、保護管ホルダ36等から構成される。
第3熱電対を構成する第3温度検出装置は、プラス側の熱電対素線21dとマイナス側の熱電対素線22d、熱電対素線21d,22dがそれらの先端部で接合された熱電対接合部23d、熱電対素線21d,22dを互いに絶縁するための絶縁管32a、絶縁管32aの上端を閉塞するキャップ34a、熱電対接合部23d近傍において絶縁管32aの外周を覆うカバー37、絶縁管ストッパ33a、保護管31a、保護管ホルダ36等から構成される。
図19(a)のA−A断面図である図20に示すとおり、第3実施形態の絶縁管と同様に、絶縁管32aは、断面が円形で4つの穴が貫通しており、その4つの穴に、第1熱電対用の熱電対素線21a,22aと第3熱電対用の熱電対素線21d,22dが挿通し収容されるようになっている。絶縁管32a内において、第1熱電対が前方(処理室204の中心側)にあり、第3熱電対が後方にある。
図19(c)に示すように、絶縁管32aの内部を鉛直方向に延在する熱電対素線21aと熱電対素線22aの上端には熱電対接合部23aが設けられ、絶縁管32aの上端面と熱電対接合部23aとの間における2つの熱電対素線21aと熱電対素線22aは、それぞれ水平方向外側に膨らみ部を形成している。図18で説明したように、これらの膨らみ部により形成される素線幅は、熱電対素線21aと熱電対素線22aとが挿通されている2つの貫通穴により形成される穴幅よりも大きくなるように構成されている。したがって、熱電対素線21aと熱電対素線22aは、絶縁管32aの上端で支持される。
図19(e)に示すように、絶縁管32aの内部を鉛直方向に延在する熱電対素線21dと熱電対素線22dの上端には熱電対接合部23dが設けられている。熱電対接合部23dが設けられている部分の絶縁管32aは、絶縁管32aの外周部の一部を残して抉り取られている。該抉り部52において、熱電対素線21dと熱電対素線22dは、それぞれ水平方向外側に膨らみ部を形成している。図18で説明したように、これらの膨らみ部により形成される素線幅は、熱電対素線21dと熱電対素線22dとが挿通されている2つの貫通穴により形成される穴幅よりも大きくなるように構成されている。したがって、熱電対素線21dと熱電対素線22dは、絶縁管32aの抉り部52の下端で支持される。
抉り部52の外側には、抉り部52内の熱電対接合部23dや熱電対素線21dや熱電対素線22dを保護するための円筒形のカバー37が、絶縁管32aの外周を囲み覆うように固定して設けられている。カバー37の材質は、キャップ34と同様に、例えばアルミナである。
なお、図19(b)に示すように、熱電対素線21,22の他端は、中空構造の保護管ホルダ36内にあるが、保護管ホルダ36内における構成や作用は、第3実施形態と同様である。
図21は、第4実施形態における温度検出装置の他の構成例の構造を示す図である。図21(a)は、反応管と均熱管の間にある熱電対を、処理炉の中心から見た図である。図21(b)は、図21(a)の温度検出装置を側面から見た垂直断面図である。
この構成例は、第2実施形態の温度検出装置(図7)において、熱電対素線の支持構造のみを変更したものであり、他の構成は第2実施形態と同様である。
各保護管31内には、プラス側の熱電対素線21とマイナス側の熱電対素線22を収容し、該熱電対素線21,22を互いに絶縁するための絶縁管32が挿入されている。保護管31aには絶縁管32aが挿入され、保護管31bには絶縁管32bと絶縁管32cが挿入されている。
各熱電対を構成する各温度検出装置の構成は、第2実施形態と同様であり、例えば、第1熱電対を構成する第1温度検出装置は、プラス側の熱電対素線21aとマイナス側の熱電対素線22a、熱電対素線21a,22aがそれらの先端部で接合された熱電対接合部23a、熱電対素線21a,22aを互いに絶縁するための絶縁管32a、絶縁管32aの上端を閉塞するキャップ34a、絶縁管ストッパ33a、保護管31a、保護管ホルダ36等から構成される。
図13に示す従来例の絶縁管と同様に、絶縁管32aは、断面が長円形で2つの穴が貫通しており、その2つの穴に、第1熱電対用の熱電対素線21a,22aが挿通し収容されるようになっている。絶縁管32bや絶縁管32cも、絶縁管32aと同様の形状である。
図21(c)に示すように、熱電対素線21a,22aは、絶縁管32aの内部を鉛直方向に延在しており、それらの上端には熱電対接合部23aが設けられている。熱電対接合部23aと絶縁管32aの上端面との間の熱電対素線21a,22aには、水平方向外側に膨らむ膨らみ部が設けられている。これらの膨らみ部により形成される素線幅は、熱電対素線21a,22aが挿通されている2つの貫通穴により形成される穴幅よりも大きくなるように構成されている。したがって、熱電対素線21a,22aを絶縁管32aの上端で支持することができ、熱電対接合部23aにかかる力を低減できる。
(13)熱電対接合部と絶縁管の上端面との間の熱電対素線に水平方向外側に膨らむ膨らみ部を形成し、これらの膨らみ部により形成される素線幅は、熱電対素線21と熱電対素線22とが挿通されている2つの貫通穴により形成される穴幅よりも大きくなるように構成したので、熱電対素線を絶縁管の上端で支持することができ、熱電対接合部にかかる力を低減できる。
上述した第1実施形態では、熱電対素線の上端を絶縁管の貫通穴の間の壁の上端で支持するようにしたが、第3実施形態のように、熱電対素線の上端を絶縁管に接着剤で固定して支持するようにしてもよい。
また、上述した第1実施形態や第3実施形態では絶縁管の貫通穴を4つとし、第2実施形態では絶縁管の貫通穴を2つとしたが、他の数とすることもできる。例えば、絶縁管の貫通穴を1つとし、プラス側の熱電対素線又はマイナス側の熱電対素線を通すこともできる。この場合は、1つの熱電対にプラス線用とマイナス線用の2つの絶縁管が必要となる。
また、上述した第4実施形態では、熱電対素線に膨らみ部を形成し、この膨らみ部により熱電対素線を絶縁管の上端で支持するようにしたが、熱電対接合部と絶縁管の上端面との間の熱電対素線に、熱電対素線21と熱電対素線22とが挿通されている2つの貫通穴により形成される穴幅よりも水平方向に長い被支持体を設けるよう構成することも可能である。この被支持体は、例えばアルミナ製の棒状物体を、熱電対素線21と熱電対素線22に接着剤で接着することにより構成できる。このようにしても、熱電対素線に膨らみ部を形成した構成と同様に、熱電対接合部にかかる力を低減できる。
また、熱電対素線に膨らみ部を形成するのではなく、2つの貫通穴の外縁を結ぶ最小長よりも、2つの熱電対素線間の間隔を小さくすることにより、熱電対素線を絶縁管の上端面で支持することも可能である。
また、2つの熱電対素線を捩じるあるいは撚ることにより、熱電対素線を絶縁管の上端面で支持することも可能である。この場合、2つの熱電対素線が電気的にショートしないよう、2つの熱電対素線間を絶縁する。
また、上述した実施形態では、反応管と均熱管を用いるバッチ式縦形ホットウオール形装置に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、均熱管を用いない基板処理装置にも適用することができる。
また、本発明は、半導体製造装置だけでなく、LCD製造装置のようなガラス基板を処理する装置や、他の基板処理装置にも適用できる。基板処理の処理内容は、CVD、PVD、酸化膜、窒化膜、金属含有膜等を形成する成膜処理だけでなく、露光処理、リソグラフィ、塗布処理等であってもよい。
第1の発明は、
鉛直方向に延在するように設置され、鉛直方向の貫通穴を有する絶縁管と、
上端に熱電対接合部を有する熱電対素線であって、前記絶縁管の貫通穴に挿通され、前記絶縁管の下端から出た鉛直方向の部分が水平方向に向きを変える熱電対素線と、
前記絶縁管の下方に設けられた空間であって、前記絶縁管の下端から出た熱電対素線の熱膨張が拘束されることを抑制するバッファエリアとを有し、
前記熱電対素線の上部又は鉛直方向における中間部を前記絶縁管に支持された温度検出装置。
さらに、前記絶縁管の下端から出て水平方向に向きを変えた熱電対素線の一部を固定する素線保持部を有する温度検出装置。
さらに、前記絶縁管を収容する保護管と、該保護管の下部を支持する保護管ホルダを有し、
前記絶縁管の下端は、前記保護管の下端開口から前記保護管ホルダ内に露出しており、
前記保護管ホルダ内の前記絶縁管の下端の高さと、前記素線保持部の高さが、前記保護管ホルダの底部よりも10mm以上高い温度検出装置。
さらに、前記絶縁管の下端を支持する絶縁管ストッパを有し、
前記絶縁管ストッパに設けられた鉛直方向の貫通穴に熱電対素線を通すようにした温度検出装置。
前記絶縁管の下端の高さが、前記素線保持部の高さよりも高い温度検出装置。
前記絶縁管の下端を前記絶縁管ストッパで支持し、前記絶縁管ストッパの下端を前記護管ホルダの底部で支持するようにした温度検出装置。
前記絶縁管には前記鉛直方向の貫通穴が4つ存在しており、1つの絶縁管に2組の熱電対素線を通すようにした温度検出装置。
前記絶縁管の一部を抉り、その抉り部分に接着剤を注入して、前記熱電対素線を前記絶縁管に固定した温度検出装置。
前記抉り部分に露出した熱電対素線を曲げた状態で接着剤を注入して固定した温度検出装置。
前記熱電対素線を前記絶縁管に固定する位置を、前記絶縁管の中間部から先端側にずらした位置にした温度検出装置。
複数枚の基板を鉛直方向に夫々が間隔を成すように積層して保持するボートと、
前記ボートを収容し、該ボート上に保持された前記基板を処理する反応管と、
前記反応管の周囲に設置され、前記処理室内に収容された前記基板を加熱する加熱部と、
前記反応管内の温度検出を行うための温度検出装置と、
前記反応管内へ処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記反応管内からガスを排気する排気部とを備える基板処理装置であって、
前記温度検出装置は、
鉛直方向に延在するように設置され、鉛直方向の貫通穴を有する絶縁管と、
上端に熱電対接合部を有する熱電対素線であって、前記絶縁管の貫通穴に挿通され、前記絶縁管の下端から出た鉛直方向の部分が水平方向に向きを変える熱電対素線と、
前記絶縁管の下方に設けられた空間であって、前記絶縁管の下端から出た熱電対素線の熱膨張が拘束されることを抑制するバッファエリアと、を有し
前記熱電対素線の上部又は鉛直方向における中間部を前記絶縁管に支持されたものである基板処理装置。
鉛直方向に延在するように設置され、鉛直方向の貫通穴を有する絶縁管と、
上端に熱電対接合部を有する熱電対素線であって、前記絶縁管の貫通穴に挿通され、前記絶縁管の下端から出た鉛直方向の部分が水平方向に向きを変える熱電対素線と、
前記絶縁管の下方に設けられた空間であって、前記絶縁管の下端から出た熱電対素線の熱膨張が拘束されることを抑制するバッファエリアとを有し、
前記絶縁管の上端面と前記熱電対接合部との間の熱電対素線に、前記絶縁管の上端面に支持される被支持部を設けた温度検出装置。
この第12の発明に対して、上述の第2の発明ないし第11の発明の構成を適用することも可能である。
前記被支持部は、前記絶縁管の上端面と前記熱電対接合部との間の熱電対素線を、水平方向外側に膨らませた膨らみ部である温度検出装置。
前記膨らみ部の水平方向の長さは、前記絶縁管の上端面における前記絶縁管の2つの貫通穴の外縁を結ぶ最大長である穴幅よりも長い温度検出装置。
複数枚の基板を鉛直方向に夫々が間隔を成すように積層して保持するボートと、
前記ボートを収容し、該ボート上に保持された前記基板を処理する反応管と、
前記反応管の周囲に設置され、前記処理室内に収容された前記基板を加熱する加熱部と、
前記反応管内の温度検出を行うための温度検出装置と、
前記反応管内へ処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記反応管内からガスを排気する排気部とを備える基板処理装置であって、
前記温度検出装置は、
鉛直方向に延在するように設置され、鉛直方向の貫通穴を有する絶縁管と、
上端に熱電対接合部を有する熱電対素線であって、前記絶縁管の貫通穴に挿通され、前記絶縁管の下端から出た鉛直方向の部分が水平方向に向きを変える熱電対素線と、
前記絶縁管の下方に設けられた空間であって、前記絶縁管の下端から出た熱電対素線の熱膨張が拘束されることを抑制するバッファエリアと、を有し
前記絶縁管の上端面と前記熱電対接合部との間の熱電対素線に、前記絶縁管の上端面に支持される被支持部を設けたものである基板処理装置。
複数枚の基板を鉛直方向に夫々が間隔を成すように積層して保持するボートと、
前記ボートを収容し、該ボート上に保持された前記基板を処理する反応管と、
前記反応管の周囲に設置され、前記処理室内に収容された前記基板を加熱する加熱部と、
前記反応管内の温度検出を行うための温度検出装置と、
前記反応管内へ処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記反応管内からガスを排気する排気部とを備え、
前記温度検出装置は、
鉛直方向に延在するように設置され、鉛直方向の貫通穴を有する絶縁管と、
上端に熱電対接合部を有する熱電対素線であって、前記絶縁管の貫通穴に挿通され、前記絶縁管の下端から出た鉛直方向の部分が水平方向に向きを変える熱電対素線と、
前記絶縁管の下方に設けられた空間であって、前記絶縁管の下端から出た熱電対素線の熱膨張が拘束されることを抑制するバッファエリアと、を有し
前記前記絶縁管の上端面と前記熱電対接合部との間の熱電対素線に、前記絶縁管の上端面に支持される被支持部を設けたものである基板処理装置における半導体装置の製造方法であって、
複数枚の基板を保持した前記ボートを前記反応管に収容する工程と、
前記温度検出装置により前記反応管内の温度検出を行いつつ、前記反応管内を前記加熱部により所定の温度に加熱する工程と、
前記処理ガス供給部により前記反応管内へ処理ガスを供給しつつ、前記排気部により前記反応管内からガスを排気して、前記ボート上に保持した複数枚の基板を処理する工程と、
前記処理された複数枚の基板を保持したボートを前記反応管から搬出する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
Claims (3)
- 鉛直方向に延在するように設置され、鉛直方向の貫通穴を有する絶縁管と、
上端に熱電対接合部を有する熱電対素線であって、前記絶縁管の貫通穴に挿通され、前記絶縁管の下端から出た鉛直方向の部分が水平方向に向きを変える熱電対素線と、
前記絶縁管の下方に設けられた空間であって、前記絶縁管の下端から出た前記熱電対素線の熱膨張が拘束されることを抑制するバッファエリアと、
前記絶縁管の下端を支持する絶縁管ストッパと、を有し、
前記絶縁管の上端面と前記熱電対接合部との間の前記熱電対素線に、前記絶縁管の上端面に支持される被支持部が設けられ、前記絶縁管ストッパに設けられた鉛直方向の貫通穴に前記熱電対素線を通すようにした温度検出部。 - 複数枚の基板を積層して保持する基板保持具と、
前記基板保持具を収容し、該基板保持具上に保持された前記基板を処理する反応管と、
前記反応管内の温度検出を行うための温度検出部と、を備える基板処理装置であって、
前記温度検出部は、
鉛直方向に延在するように設置され、鉛直方向の貫通穴を有する絶縁管と、
上端に熱電対接合部を有する熱電対素線であって、前記絶縁管の貫通穴に挿通され、前記絶縁管の下端から出た鉛直方向の部分が水平方向に向きを変える熱電対素線と、
前記絶縁管の下方に設けられた空間であって、前記絶縁管の下端から出た前記熱電対素線の熱膨張が拘束されることを抑制するバッファエリアと、
前記絶縁管の下端を支持する絶縁管ストッパと、を有し、
前記絶縁管の上端面と前記熱電対接合部との間の前記熱電対素線に、前記絶縁管の上端面に支持される被支持部が設けられ、前記絶縁管ストッパに設けられた鉛直方向の貫通穴に前記熱電対素線を通すようにした基板処理装置。 - 複数枚の基板を保持した基板保持具を反応管に収容する工程と、
鉛直方向に延在するように設置され、鉛直方向の貫通穴を有する絶縁管と、上端に熱電対接合部を有する熱電対素線であって、前記絶縁管の貫通穴に挿通され、前記絶縁管の下端から出た鉛直方向の部分が水平方向に向きを変える熱電対素線と、前記絶縁管の下方に設けられた空間であって、前記絶縁管の下端から出た前記熱電対素線の熱膨張が拘束されることを抑制するバッファエリアと、前記絶縁管の下端を支持する絶縁管ストッパとを有し、前記絶縁管の上端面と前記熱電対接合部との間の前記熱電対素線に、前記絶縁管の上端面に支持される被支持部が設けられ、前記絶縁管ストッパに設けられた鉛直方向の貫通穴に前記熱電対素線を通すようにした温度検出部により前記反応管内の温度検出を行う工程と、
前記反応管内へ処理ガスを供給し、前記基板を処理する工程と、
前記基板保持具を前記反応管から搬出する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101034386B1 (ko) * | 2010-09-28 | 2011-05-16 | 주식회사 창성에이스산업 | 다중 위치 온도 측정 케이블 |
JP6080451B2 (ja) * | 2012-09-25 | 2017-02-15 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及び熱電対支持体 |
US20140353864A1 (en) * | 2013-05-28 | 2014-12-04 | Chester Grochoski | System, method and apparatus for controlling ground or concrete temperature |
CN104296887B (zh) * | 2013-07-17 | 2017-04-05 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种实现稳定测温的测温装置及其所在的半导体设备 |
JP2015163850A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-10 | 株式会社東芝 | 温度検出装置及び半導体製造装置 |
JP6579974B2 (ja) * | 2015-02-25 | 2019-09-25 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、温度センサ及び半導体装置の製造方法 |
CN105509914B (zh) * | 2015-11-10 | 2021-07-20 | 深圳市国创新能源研究院 | 一种绝缘且抗电磁场的热电偶 |
US10725485B2 (en) * | 2016-12-15 | 2020-07-28 | Lam Research Corporation | System and method for calculating substrate support temperature |
US10535538B2 (en) * | 2017-01-26 | 2020-01-14 | Gary Hillman | System and method for heat treatment of substrates |
CN108895791B (zh) * | 2018-09-12 | 2024-05-17 | 深圳市时代高科技设备股份有限公司 | 粉体干燥系统 |
US10998205B2 (en) * | 2018-09-14 | 2021-05-04 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
JP7151369B2 (ja) * | 2018-10-22 | 2022-10-12 | 株式会社デンソー | 温度センサ |
CN109871052A (zh) * | 2019-04-03 | 2019-06-11 | 上海颐柏科技股份有限公司 | 一种电热辐射管温度控制装置及其控制方法 |
CN110411600A (zh) * | 2019-08-28 | 2019-11-05 | 清河县华源精密仪表厂 | 一种profile热电偶 |
CN110739252B (zh) * | 2019-11-27 | 2021-09-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体加工设备 |
CN114509652B (zh) * | 2022-04-19 | 2022-06-21 | 合肥航太电物理技术有限公司 | 一种飞机静电放电器射频放电噪音试验测试装置及方法 |
CN116631909B (zh) * | 2023-05-25 | 2024-03-22 | 上海稷以科技有限公司 | 半导体测试设备及位置调整方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6367834U (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-07 | ||
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JPH09145491A (ja) * | 1995-11-16 | 1997-06-06 | Kokusai Electric Co Ltd | 熱処理炉の温度制御装置 |
US6641350B2 (en) * | 2000-04-17 | 2003-11-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Dual loading port semiconductor processing equipment |
JP3771795B2 (ja) | 2000-11-28 | 2006-04-26 | 京セラ株式会社 | ウエハ加熱装置 |
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JP2004039735A (ja) * | 2002-07-01 | 2004-02-05 | Fujitsu Ltd | 半導体基板及びその製造方法 |
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KR100946994B1 (ko) * | 2005-10-04 | 2010-03-10 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
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KR101096602B1 (ko) * | 2009-07-21 | 2011-12-20 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 가열 장치, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
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