JP2005209723A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】熱電対の温度追従性を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】熱電対56は、例えば石英製の保護管58に覆われている。この保護管58の内壁面、又は内壁面及び外壁面には、輻射熱吸収用の膜66が設けられている。この膜66は、例えばシリコンから構成されている。反応炉内で輻射した熱が膜66により吸収されるので、反応炉内の温度に対する熱電対56の検出温度が追従するようになる。保護管58内は真空とすることができる。
【選択図】 図4
【解決手段】熱電対56は、例えば石英製の保護管58に覆われている。この保護管58の内壁面、又は内壁面及び外壁面には、輻射熱吸収用の膜66が設けられている。この膜66は、例えばシリコンから構成されている。反応炉内で輻射した熱が膜66により吸収されるので、反応炉内の温度に対する熱電対56の検出温度が追従するようになる。保護管58内は真空とすることができる。
【選択図】 図4
Description
本発明は、半導体ウエハやガラス基板等を処理するための基板処理装置に関する。
例えば縦型拡散・CVD装置においては、反応炉内の温度を検出するために熱電対が反応炉内に挿入されている。この熱電対は、汚染低減のため石英製の保護管に入れて使われる。
しかしながら、保護管は透明な石英から構成されているので、輻射による熱を受けにくく、周囲の温度に対して熱電対で検出する温度が追従するのに時間がかかるという問題があった。
本発明の目的は、熱電対の温度追従性を向上させることができる基板処理装置を提供することにある。
上記課題を解決するため、本発明の特徴とするところは、基板を処理する反応炉と、前記反応炉内の温度を検出する熱電対と、前記熱電対を覆うように設けられた保護管と、を有する基板処理装置であって、前記保護管の内壁面、又は内壁面と外壁面の両面に輻射熱吸収用の膜を形成した基板処理装置にある。
好ましくは、輻射熱吸収用の膜は、シリコン(Si)から構成する。 また、好ましくは、保護管内を真空とする。保護管内を真空にすると、保護管の温度に影響を受けないので、早く周囲の温度に追従する。また、好ましくは、保護管は石英(SiO2)から構成する。また、好ましくは、前記熱電対の接点を保護管の先端部に配置し、前記輻射熱吸収用の膜を保護管の中央よりも先端部側に形成する。
本発明における処理は、好ましくはMax1200°C、好ましくは1100°C以下の高温で行うのが好ましい。
本発明は、基板を反応炉内に搬入する工程と、内壁面に輻射熱吸収用の膜が形成された保護管で覆われた熱電対により反応炉内の温度を検出しつつ基板を処理する工程と、処理後の基板を反応炉から搬出する工程と、を有する基板の製造方法を含む。
また、本発明は、基板を反応炉内に搬入する工程と、内壁面に輻射熱吸収用の膜が形成された保護管で覆われた熱電対により反応炉内の温度を検出しつつ基板を処理する工程と、処理後の基板を反応炉から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法を含む。
本発明は、基板を反応炉内に搬入する工程と、内壁面に輻射熱吸収用の膜が形成された保護管で覆われた熱電対により反応炉内の温度を検出しつつ基板を処理する工程と、処理後の基板を反応炉から搬出する工程と、を有する基板の製造方法を含む。
また、本発明は、基板を反応炉内に搬入する工程と、内壁面に輻射熱吸収用の膜が形成された保護管で覆われた熱電対により反応炉内の温度を検出しつつ基板を処理する工程と、処理後の基板を反応炉から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法を含む。
次に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図1には、本発明の実施形態に係る基板処理装置10が示されている。この基板処理装置10は、例えば縦型であり、主要部が配置された筺体12を有する。この筺体12には、ポッドステージ14が接続されており、このポッドステージ14にポッド16が搬送される。ポッド16は、例えば25枚の基板が収納され、図示しない蓋が閉じられた状態でポッドステージ14にセットされる。
図1には、本発明の実施形態に係る基板処理装置10が示されている。この基板処理装置10は、例えば縦型であり、主要部が配置された筺体12を有する。この筺体12には、ポッドステージ14が接続されており、このポッドステージ14にポッド16が搬送される。ポッド16は、例えば25枚の基板が収納され、図示しない蓋が閉じられた状態でポッドステージ14にセットされる。
筺体12内において、ポッドステージ14に対向する位置には、ポッド搬送装置18が配置されている。また、このポッド搬送装置18の近傍には、ポッド棚20、ポッドオープナ22及び基板枚数検知器24が配置されている。ポッド搬送装置18は、ポッドステージ14とポッド棚20とポッドオープナ22との間でポッド16を搬送する。ポッドオープナ22は、ポッド16の蓋を開けるものであり、この蓋が開けられたポッド16内の基板枚数が基板枚数検知器24により検知される。
さらに、筺体12内には、基板移載機26、ノッチアライナ28及び基板支持体30(ボート)が配置されている。基板移載機26は、例えば5枚の基板を取り出すことができるアーム32を有し、このアーム32を動かすことにより、ポッドオープナ22の位置に置かれたポッド、ノッチアライナ28及び基板支持体30間で基板を搬送する。ノッチアライナ28は、基板に形成されたノッチまたはオリフラを検出して基板のノッチまたはオリフラを一定の位置に揃えるものである。
図2において、反応炉40が示されている。この反応炉40は、反応管42を有し、この反応管42内に基板支持体30が挿入される。反応管42の下方は、基板支持体30を挿入するために開放され、この開放部分はシールキャップ44により密閉されるようにしてある。また、反応管42の周囲は、均熱管46により覆われ、さらに均熱管46の周囲にヒータ48が配置されている。温度センサ(温度検出手段)50は、反応管42と均熱管46との間に配置され、反応炉40内の温度をモニタできるようにしてある。そして、反応管42には、処理ガスを導入する導入管52と、処理ガスを排気する排気管54とが接続されている。
次に上述したように構成された基板処理装置10の作用について説明する。
まず、ポッドステージ14に複数枚の基板を収容したポッド16がセットされると、ポッド搬送装置18によりポッド16をポッドステージ14からポッド棚20へ搬送し、このポッド棚20にストックする。次に、ポッド搬送装置18により、このポッド棚20にストックされたポッド16をポッドオープナ22に搬送してセットし、このポッドオープナ22によりポッド16の蓋を開き、基板枚数検知器24によりポッド16に収容されている基板の枚数を検知する。
まず、ポッドステージ14に複数枚の基板を収容したポッド16がセットされると、ポッド搬送装置18によりポッド16をポッドステージ14からポッド棚20へ搬送し、このポッド棚20にストックする。次に、ポッド搬送装置18により、このポッド棚20にストックされたポッド16をポッドオープナ22に搬送してセットし、このポッドオープナ22によりポッド16の蓋を開き、基板枚数検知器24によりポッド16に収容されている基板の枚数を検知する。
次に、基板移載機26により、ポッドオープナ22の位置にあるポッド16から基板を取り出し、ノッチアライナ28に移載する。このノッチアライナ28においては、基板を回転させながら、ノッチを検出し、検出した情報に基づいて複数枚の基板のノッチを同じ位置に整列させる。次に、基板移載機26により、ノッチアライナ28から基板を取り出し、基板支持体30に移載する。
このようにして、1バッチ分の基板を基板支持体30に移載すると、例えば700°C程度の温度に設定された反応炉40内に複数枚の基板を装填した基板支持体30を装入し、シールキャップ44により反応管42内を密閉する。次に、炉内温度を熱処理温度まで昇温させて、導入管52から処理ガスを導入する。処理ガスには、窒素、アルゴン、水素、酸素等が含まれる。基板を熱処理する際、基板は例えば1000°C程度以上の温度に加熱される。なお、この間、温度センサ50により反応管42内の温度をモニタしながら、予め設定された昇温、熱処理プログラムに従って基板の熱処理を実施する。
基板の熱処理が終了すると、例えば炉内温度を700°C程度の温度に降温した後、基板支持体30を反応炉40からアンロードし、基板支持体30に支持された全ての基板が冷えるまで、基板支持体30を所定位置で待機させる。なお、炉内温度降温の際も、温度センサ50により反応管42内の温度をモニタしながら、予め設定された降温プログラムに従って降温を実施する。次に、待機させた基板支持体30の基板が所定温度まで冷却されると、基板移載機26により、基板支持体30から基板を取り出し、ポッドオープナ22にセットされている空のポッド16に搬送して収容する。次に、ポッド搬送装置18により、基板が収容されたポッド16をポッド棚20に搬送し、さらにポッドステージ14に搬送して完了する。
図3及び図4において、前述した温度センサ50の詳細が示されている。温度センサ50は、熱電対56と、この熱電対56の周囲を覆う保護管58とを有する。熱電対56は、例えば白金ー白金ロジウム合金等が用いられ、接点間の温度差に応じて微弱な電流(熱電流)が生じることを利用して温度を検出する。この熱電対56は、先端の接点56aを除いて例えばアルミナ(Al2O3)製の絶縁体60に覆われている。保護管58は、例えば透明な石英(SiO2)ガラスからなり、先端部がドーム状に閉じられた円筒状のもので、後端がコネクタ62により閉じられている。このコネクタ62には、熱電対56に接続される素線64a,64bが接続されている。また、熱電対56の接点56aは、保護管58の先端部に配置されている。
図4に示すように、保護管58の先端部において保護管58の内壁面には、輻射熱吸収用の膜66が形成されている。この輻射熱吸収用の膜66は、例えばシリコン(Si)からなり、例えば膜厚は0.4μmから20μmである。この膜66は、例えばCVDやスパッタリング等により形成することができる。また、この膜66は、保護管58の内壁面の全面をコートしてもよいが、この実施形態においては保護管58の中央より先端部側に形成されている。
前述したように、温度センサ50により反応炉40の温度が検出されるが、この実施形態のように、保護管58の内壁面に輻射熱吸収用の膜66を形成すると、反応炉40の輻射熱が膜66に吸収され、反応炉40内の温度が変動した場合、熱電対56の接点56aの温度が周囲の温度と短時間で同じとなり、温度追従性を改善することができるものである。
図5において、本本発明の他の実施形態が示されている。この実施形態においては、保護管58の内壁面のみならず、外壁面にも輻射熱吸収用の膜66を形成したものである。
もう1つの方法として、保護管58内部を真空にすれば熱電対56は保護管58の影響を受けず、温度追従性が良くなる。
もう1つの方法として、保護管58内部を真空にすれば熱電対56は保護管58の影響を受けず、温度追従性が良くなる。
本発明の基板処理装置は、基板の製造工程にも適用することができる。
例えば、水素アニールウエハの製造工程の一工程に本発明の基板処理装置を適用することも可能である。この場合、ウエハを本発明の基板処理装置を用いて、水素雰囲気中で1200°C程度の高温でアニールすることとなる。これによりICが作られるウエハ表面層の結晶欠陥を低減することができ、結晶の完全性を高めることができる。また、この他、エピタキシャルウエハの製造工程の一工程に本発明の基板処理装置を適用することも可能である。
以上のような基板の製造工程の一工程として行う高温アニール処理を行うMax1200°C、好ましくは1100°C以下の場合であっても、上述した温度センサを用いることにより、温度追従性を向上させることができる。
本発明の基板処理装置は、半導体装置の製造工程にも適用することも可能である。
特に、比較的高い温度で行う熱処理工程、例えば、ウェット酸化、ドライ酸化、水素燃焼酸化(パイロジェニック酸化)、HCl酸化等の熱酸化工程や、硼素(B)、リン(P)、砒素(As)、アンチモン(Sb)等の不純物(ドーパント)を半導体薄膜に拡散する熱拡散工程等に適用するのが好ましい。
このような半導体デバイスの製造工程の一工程としての熱処理工程を行う場合においても、上述した温度センサを用いることにより、温度追従性を向上させることができる。
特に、比較的高い温度で行う熱処理工程、例えば、ウェット酸化、ドライ酸化、水素燃焼酸化(パイロジェニック酸化)、HCl酸化等の熱酸化工程や、硼素(B)、リン(P)、砒素(As)、アンチモン(Sb)等の不純物(ドーパント)を半導体薄膜に拡散する熱拡散工程等に適用するのが好ましい。
このような半導体デバイスの製造工程の一工程としての熱処理工程を行う場合においても、上述した温度センサを用いることにより、温度追従性を向上させることができる。
本発明は、反応炉の温度を熱電対により検出する基板処理装置において、熱電対の温度追従性を向上させる必要があるものに利用することができる。
10 基板処理装置
40 反応炉
56 熱電対
56a 接点
58 保護管
66 輻射熱吸収用の膜
40 反応炉
56 熱電対
56a 接点
58 保護管
66 輻射熱吸収用の膜
Claims (1)
- 基板を処理する反応炉と、
前記反応炉内の温度を検出する熱電対と、
前記熱電対を覆うように設けられた保護管と、
を有する基板処理装置であって、
前記保護管の内壁面、又は内壁面と外壁面の両面に輻射熱吸収用の膜を形成したことを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004012167A JP2005209723A (ja) | 2004-01-20 | 2004-01-20 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004012167A JP2005209723A (ja) | 2004-01-20 | 2004-01-20 | 基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2005209723A true JP2005209723A (ja) | 2005-08-04 |
Family
ID=34898629
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2004012167A Pending JP2005209723A (ja) | 2004-01-20 | 2004-01-20 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2005209723A (ja) |
-
2004
- 2004-01-20 JP JP2004012167A patent/JP2005209723A/ja active Pending
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