JP2018046079A - 保持装置 - Google Patents

Abstract

【課題】所望の領域に熱電対を配置することができ、且つ、熱電対の屈曲半径を確保したうえで発熱抵抗体に接続される端子の配置位置の自由度を向上させることが可能な保持装置を提供する。【解決手段】セラミックスヒータ１００は、板状の基材１０と、基材１０の内部に埋設された発熱抵抗体２０と、基材１０の内部において基材１０の上面に沿った外縁に向う方向に延びる第１の穴部５１と、基材１０の下面１２にて開口する開口部を有するとともに、第１の穴部５１と連通する第を２の穴部５２とを備え、基材１０の上面１１上に対象物Ｘを保持する。基材１０の下面１２を含む仮想平面Ｓからの第２の穴部５２の深さが、基材１０の外縁に向う方向に向って連続的に深くなる部分を有する。【選択図】図１

Description

本発明は、半導体ウエハなどの対象物を保持する保持装置に関する。

成膜又はエッチング等の処理の対象となる半導体ウエハなどの対象物をセラミックスからなる基材の上面上に保持する保持装置が知られている。このような保持装置においては、例えば基材に埋設した発熱抵抗体によって、対象物を適宜な温度に加熱する。そのため、基材の温度管理を厳密に行う必要があり、基材内に熱電対を配置し、基材の温度を計測している。

例えば、特許文献１には、サセプタブロック（基材）の下面から支持台（シャフト）内に突出した凸部に配置された金属部材に熱電対が嵌め込めていることが記載されている。

また、特許文献２には、発熱体（抵抗発熱体）が埋設されたセラミックスプレート（基材）にパイプ状のガイドが裏面から斜め方向に突出するように取り付けられ、このガイドを介して、熱電対がセラミックスプレートの上面と水平に形成された通路内に配置されていることが記載されている。

特開平７−１５３７０６号公報 特許第５５０１４６７号公報

しかしながら、上記特許文献１に記載の技術においては、上面視でシャフトの内方に位置する領域にしか熱電対を配置することができず、基材全体の温度管理が困難となる。

上記特許文献２に記載の技術においては、ガイドがシャフト内に位置するため、熱電対の屈曲半径が小さくなる。屈曲半径を大きくすると、ガイドが大型化する。その結果、基材に埋設された発熱抵抗体に電力を供給するための端子を配置する際に、端子の配置位置が制限される。

本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、所望の領域に熱電対を配置することができ、且つ、熱電対の屈曲半径を確保したうえで発熱抵抗体に接続される端子の配置位置の自由度を向上させることが可能な保持装置を提供することを目的とする。

本発明は、セラミックスからなり、上面及び該上面の反対側に位置する下面を有する板状の基材と、前記基材の内部に埋設された発熱抵抗体と、前記基材の内部において前記基材の上面に沿った第１の方向に延びる第１の穴部と、前記基材の下面にて開口する開口部を有するとともに、前記第１の穴部と連通する第２の穴部とを備え、前記基材の上面上に対象物を保持する保持装置であって、前記基材の下面を含む仮想平面からの前記第２の穴部の深さが、前記第１の方向に向って連続的に深くなる部分を有することを特徴とする。

本発明によれば、第１及び第２の穴部の内壁面に沿って熱電対を挿入させれば、基材の内部における所望の領域に、熱電対の先端部を侵入させることができるので、熱電対の挿入作業が容易である。

そして、上記特許文献１に記載された技術とは異なり、上面視でシャフトの外方に位置する領域に熱電対の先端部を配置することが可能となる。さらに、上記特許文献２に記載の技術と比較して、ガイドなどの部材が存在しないので、発熱抵抗体に接続される端子の配置位置の自由度を向上させることが可能となる。

本発明において、前記第２の穴部を前記基材の上面から下面に向う方向に投影した領域は、前記開口部が形成されている領域に含まれることが好ましい。

この場合、第２の穴部は溝状となり、切削加工での形成が容易となる。

また、本発明において、前記基材の下面に接続された上端面及び該上端面の反対側に位置する下端面を有する筒状のシャフトを有し、前記シャフトの下端面又は内側面から上端面に向って延びるとともに、前記第２の穴部と連通する第３の穴部が形成されていることが好ましい。

本発明の実施形態に係るセラミックスヒータの模式断面図。 本発明の別の実施形態に係るセラミックスヒータの模式断面図。 本発明のさらに別の実施形態に係るセラミックスヒータの模式断面図。 本発明のさらに別の実施形態に係るセラミックスヒータの模式断面図。

まず、本発明の保持装置の実施形態に係るセラミックスヒータ１００について図１を参照して、説明する。

セラミックスヒータ１００は、ウエハ（基板）などの対象物Ｘを保持するための略円板状のセラミックスからなる基材１０と、基材１０に埋設されている発熱抵抗体２０と、基材１０の下面に接続された筒状のシャフト３０とを備えている。

基材１０は、対象物Ｘを上に保持する上面（表面）１１と、上面１１の反対側の面である下面（裏面）１２を有している。図示しないが、上面１１には、多数の凸部が形成されており、この凸部の上面で対象物Ｘを保持する。

基材１０は、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素等からなるセラミックス焼結体である。基材１０は、上記の材料を所定形状の型に入れて成形し、緻密化させるため、例えばホットプレス焼成等によって円板状に作製すればよい。

発熱抵抗体２０は、本実施形態では、モリブデン（Ｍｏ）又はタングステン（Ｗ）等の耐熱金属などのメッシュからなり、面状の形態をしている。ただし、発熱抵抗体２０は、耐熱金属などからなる膜、板、線、箔、繊維、コイル、リボン状などの構成であってもよく、螺旋、折返し状などの形態であってもよい。

基材１０となる上記の材料の間に発熱抵抗体２０を挟み込んだ状態で焼成することにより、発熱抵抗体２０が埋設された基材１０が作製される。

なお、基材１０には、発熱抵抗体２０のほか、ウエハをクーロン力により上面（保持面）１１に引き付けるための静電チャック電極及び基材１０の上方にプラズマを発生させるためのプラズマ電極のうち少なくとも一方が埋設されていてもよい。

シャフト３０は、大略円筒形状であり、基材１０の中央部の下面１２に接続されている上端面３１と、上端面３１と反対側に位置する下端面３２とを備えている。

シャフト３０は、上下方向中央部に位置する円筒部３３と、円筒部３３より拡径した拡径部３４を上下両端部に有している。シャフト３０の上端面３１は、円筒部３３と拡径部３４との上端面からなり、基材１０との接合面となっている。

基材１０の下面１２とシャフト３０の上端面３１とが、拡散接合又はセラミックス若しくはガラス等の接合材による固相接合によって接合されている。なお、基材１０とシャフト３０とは、ねじ止めやろう付けなどによって接続されてもよい。

シャフト３０の材質は、基材１０の材質と同等でよいが、断熱性を高めるために、基材１０の素材より熱伝導率の低い素材から形成されていてもよい。

さらに、セラミックスヒータ１００は、発熱抵抗体２０に対して電力を供給するための図示しない端子を備えている。端子には、それぞれ基材１０に埋設されている図示しない給電部材が接続されている。そして、給電部材には、シャフト３０の中空部を通って配線されている図示しないロッド状やワイヤー状の給電線が接続され、この給電線は図示しない電源に接続されている。

端子と給電部材とは機械的に締結、ろう付け又は溶接されている。端子は、箔、板、塊状のニッケル（Ｎｉ）、コバール（登録商標）（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、又はモリブデン（Ｍｏ）及びタングステン（Ｗ）を主成分とする耐熱合金などの耐熱金属から構成される。供電部材はモリブデン（Ｍｏ）又はタングステン（Ｗ）などからなる。

そして、基材１０及びシャフト３０には、熱電対４０を配置するための穴部５０が形成されている。

熱電対４０は、詳細な構成は図示しないが、熱電対素線がシースに挿入され、熱電対素線間及び熱電対素線とシースの間が絶縁物で絶縁された構成を有している。熱電対４０の先端部が穴部５０の奥部と接触するように固定されている。図１においては熱電対４０は１つしか図示していないが、その個数は複数個であってもよく、この場合、１個の熱電対４０につき１個の穴部５０が形成されている。

基材１０には、このような穴部５０の一部として基材１０の上面１１に沿った第１の方向に向って延びる第１の穴部５１が形成されている。第１の穴部５１は、基材１０の内部に、ここでは上面１１に平行に、すなわち水平に、基材１０の外縁に向う方向に延びるように形成されている。第１の穴部５１の奥部は、基材１０とシャフト３０との接合部分よりも外縁側であって、基材１０の外縁近傍に位置している。

さらに、基材１０には、穴部５０の一部として第２の穴部５２が、基材１０の下面１２にて開口する開口部を有するとともに第１の穴部５１と連通するように形成されている。ここでは、第２の穴部５２の上端部は、拡径部３４の上方に位置する第１の穴部５１の端部に接続される。ただし、第１の穴部５１は、さらに基材１０の中央部の方向に延び、その途中部で第２の穴部５２の上端部に接続されていてもよい。

第２の穴部５２の開口部は、基材１０の下面１２のシャフト３０の上端面３１との接合面に位置している。

シャフト３０には、穴部５０の一部として第３の穴部５３が形成されている。第３の穴部５３は、シャフト３０の周壁部の内部に、ここでは上下方向に形成されている。第３の穴部５３の下端部は、シャフト３０の下端面３２に開口し、第３の穴部５３の上端部は、シャフト３０の上端面３１の基材１０の下面１２との接合面に位置し、第２の穴部５２の開口部と連通している。このように、第３の穴部５３は、シャフト３０の円筒部３３を上下方向に貫通している。

第１乃至第３の穴部５１〜５３は、ともに、その軸線Ｌ１〜Ｌ３が直線状に形成されている。そして、第１乃至第３の穴部５１〜５３は、ともに、断面形状が同一又は類似であって、ここでは、円形状に形成されている。ただし、断面形状は、第１乃至第３の穴部５１〜５３において互いに相違していてもよく、円形状ではなく、矩形状などの多角形状、楕円形状などであってもよい。

そして、基材１０は、基材１０の下面１２を含む仮想平面Ｓからの第２の穴部５２の深さＨが、第１の穴部５１の方向に向って連続的に深くなる部分を有している。ここでは、第２の穴部５２は、その軸線Ｌ２が直線状であり、その深さＨは、仮想平面Ｓから第１の方向、すなわち基材１０の外縁側に向って連続的に一様に深くなっている。このように、
第２の穴部５２の軸線Ｌ２は、第１及び第３の穴部５１，５３の軸線Ｌ１，Ｌ３に対してそれぞれ所定の角度、図１では１３５度をなして傾斜している。ただし、第２の穴部５２の軸線Ｌ２は、第１及び第３の穴部５１，５３の軸線Ｌ１，Ｌ３に対してそれぞれ異なる角度をなして傾斜しているものであってもよい。

また、第２の穴部５２の軸線Ｌ２は鈍角に折れ曲った角部を有する複数の直線の組み合わせにより形成されていてもよい。特に第２の穴部５２の軸線Ｌ２は、第３の穴部５３の軸線Ｌ３と連続して軸線Ｌ３との間に１５０度（鈍角）の角部を形成する直線と、当該直線との間に１５０度（鈍角）の角部を形成する直線との組み合わせにより形成されることが好ましい。

以上のように構成されたセラミックスヒータ１００において、作業者は、熱電対４０を、第３の穴部５３のシャフト３０の下端面３２の開口から奥部に侵入させて、穴部５０内部に挿入させる。

この挿入時、熱電対４０は、まず、第３の穴部５３を上方向に真直ぐに侵入し、第２の穴部５２と第３の穴部５３との境界における屈曲部において、ここでは４５度屈曲して、第２の穴部５２の上面に沿って斜上方の奥方に向う。

その後、熱電対４０は、第１の穴部５１と第２の穴部５２との境界における接続部において、ここでは４５度屈曲して、第１の穴部５１の上面に沿って外方の奥方に向う。そして、熱電対４０の先端部が第１の穴部５１の奥部に到達した時点で、熱電対４０の挿入が完了する。

このように、熱電対４０は、第１乃至第３の穴部５１〜５３の内壁面に沿って奥部まで挿入されるので、挿入が簡単である。そして、熱電対４０の屈曲部は、第１乃至第３の穴部５１〜５３の接続部の２か所だけであり、屈曲させる角度は共に４５度であり、屈曲部間に長い間隔が確保されている。

これにより、上記特許文献１に記載された技術とは異なり、上面視でシャフト３０の外方に位置する領域に熱電対４０を配置することが可能となる。さらに、上記特許文献２に記載の技術と比較して、シャフト３０内にガイドなどの部材が存在しないので、多数の熱電対４０を配置することが可能となる。

次に、本発明の保持装置の別の実施形態に係るセラミックスヒータ１００Ａについて図２を参照して、説明する。

ここで、セラミックスヒータ１００Ａは上述したセラミックスヒータ１００に対して、穴部５０Ａが異なるだけであるので、他の構成の説明は省略する。

穴部５０Ａのうち第１及び第３の穴部５１，５３は、穴部５０の第１及び第３の穴部５１，５３と同じである。

穴部５０Ａのうち第２の穴部５２Ａは、穴部５０の第２の穴部５２と同様に、基材１０の下面１２にて開口する開口部を有するとともに第１の穴部５１と連通するように形成されている。そして、基材１０は、基材１０の上面１１に沿った仮想平面Ｓからの第２の穴部５２Ａの深さＨが、基材１０の外縁に向う方向に向って連続的に深くなる部分を有している。

第２の穴部５２Ａは、上述した第２の穴部５２とは異なり、溝状になっている。つまり、第２の穴部５２Ａを基材１０の上面１１から下面１２に向う方向に投影した領域は、第２の穴部５２Ａの基材１０の下面１２における開口部が形成されている領域と一致している。

第２の穴部５２Ａをこのように構成することにより、斜め方向から穴開け加工を行うことが必要な第２の穴部５２と比較して、第２の穴部５２Ａは溝状であるので、加工が容易化する。

なお、熱電対４０が挿入される際、第２の穴部５２Ａの上側の面と当接して進むので、熱電対４０の挿入作業は、上述した実施形態と同様に容易である。

なお、図示しないが、第２の穴部５２Ａが部分的に溝状になり、第２の穴部５２Ａを基材１０の上面１１から下面１２に向う方向に投影した領域が、第２の穴部５２Ａの基材１０の下面１２における開口部が形成されている領域に含まれていてもよい。

次に、本発明の保持装置のさらに別の実施形態に係るセラミックスヒータ１００Ｂについて図３を参照して、説明する。

ここで、セラミックスヒータ１００Ｂは上述したセラミックスヒータ１００Ａと対して、穴部５０Ｂが異なるだけであるので、他の構成の説明は省略する。

穴部５０Ｂのうち第１及び第３の穴部５１，５３は、穴部５０Ａの第１及び第３の穴部５１，５３と同じである。

穴部５０Ｂのうち第２の穴部５２Ｂは、穴部５０Ａの第２の穴部５２Ａと同様に、基材１０の下面１２にて開口する開口部を有するとともに第１の穴部５１と連通するように形成されている。そして、基材１０は、仮想平面Ｓからの第２の穴部５２Ｂの深さＨが、基材１０の外縁に向う方向に向って連続的に深くなる部分を有している。

第２の穴部５２Ｂの上壁面は、穴部５０Ａの第２の穴部５２の上壁面が全体に亘って直線状に延びるのに対して、１か所で折れ曲った２本の直線状に延びている。

第２の穴部５２Ｂの第１の穴部５１と連続する部分の上壁面は第１の穴部５１の軸線Ｌ１、ひいては上壁面に対して３０度傾斜している。そして、第２の穴部５２Ｂの第３の穴部５３と連続する部分の上壁面は第３の穴部５３の軸線Ｌ３に対して３０度傾斜している。このようにして、第２の穴部５２Ｂの上壁面は、３０度の角度をなした２本の折れ曲った２本の直線状に延びている。

ただし、第２の穴部５２Ｂの上壁面は、このように第１及び第３の穴部５１，５３の上壁面に対して１か所で折れ曲った２本の直線状に延びていることに限定されない。第２の穴部５２Ｂの上壁面は、第１の穴部５１の上壁面又は第３の穴部５３の壁面に対して直線状に連続して延びていてもよい。また、第２の穴部５２Ｂの上壁面は、角度を有する２か所以上で折れ曲った３本以上の直線状に延びていてもよい。

第２の穴部５２Ｂをこのように構成することにより、第２の穴部５２内における熱電対４０の屈曲角度をさらに大きくすることが可能となり、熱電対４０の挿入作業は容易化する。

また、第２の穴部５２Ｂの上壁面は基材１０の上面１１と平行な直線状に延びている部分を有していてもよい。

次に、本発明の保持装置のさらに別の実施形態に係るセラミックスヒータ１００Ｃについて図４を参照して、説明する。

ここで、セラミックスヒータ１００Ｃは上述したセラミックスヒータ１００Ａに対して、シャフト３０Ｃ及び穴部５０Ｃが異なるだけであるので、他の構成の説明は省略する。

シャフト３０Ｃは、シャフト３０の上端部の拡径部３４を有さない。シャフト３０Ｃは、その円筒部３３の上端面３１においてのみ基材１０の下面１２と接合されている。

穴部５０Ｃのうち第１及び第３の穴部５１，５３は、穴部５０Ｃのこれら穴部５１，５３と同じである。

穴部５０Ｃのうち第２の穴部５２Ｃは、穴部５０Ａの第２の穴部５２と同様に、基材１０の下面１２にて開口する開口部を有するとともに第１の穴部５１と連通するように形成されている。そして、基材１０は、仮想平面Ｓからの第２の穴部５２Ｃの深さＨが、基材１０の外縁に向う方向に向って連続的に深くなる部分を有している。

ただし、第２の穴部５２Ｃの基材１０の下面１２における開口部は、穴部５０Ａの第２の穴部５２Ａが基材１０とシャフト３０との接合面内でのみ開口しているのとは異なり、基材１０の下面１２のシャフト３０Ｃとの接合面の内方、すなわちシャフト３０Ｃの円筒部３３の内方においても開口している。

第２の穴部５２Ｂをこのように構成することにより、基材１０とシャフト３０Ｃの接合面が狭い場合、例えば、シャフト３０の上端部に拡径部３４を有さない場合であっても、本発明を適用することが可能となる。

このように穴部５０Ｃの一部がシャフト３０Ｃ内に露出していても、セラミックスヒータ１００Ｃを半導体製造装置などで使用する場合、シャフト３０Ｃ内にはプロセスガスが侵入しないので、熱電対４０がプロセスガスの影響を受けることはない。

さらに、第２の穴部５２Ｃの上壁面は、穴部５０Ａの第２の穴部５２の上壁面が全体に亘って直線状に延びているのに対して、曲線状に延びている。

第２の穴部５２Ｃの第１の穴部５１と連続する部分の上壁面は第１の穴部５１の上壁面と連続するように形成されている。そして、第２の穴部５２Ｃの第３の穴部５１と連続する部分の上壁面は第３の穴部５３の壁面と連続するように形成されている。そして、第２の穴部５２Ｃのこれらの間の部分の上壁面は、滑らかな曲線状に延びている。

ただし、第２の穴部５２Ｃの上壁面は、このように第１及び第３の穴部５１，５３の上壁面に対して連続して延びているものに限定されない。第２の穴部５２Ｃの上壁面は、第１の穴部５１又は第３の穴部５３の上壁面に対して連続して延びていてもよい。また、第２の穴部５２Ｃの上壁面は、部分的に直線状である部分を有するように延びていてもよい。

第２の穴部５２Ｃをこのように構成することにより、第２の穴部５２Ｃ内における熱電対４０の屈曲角度をさらに大きくすることが可能となり、熱電対４０の挿入作業は容易化する。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれらに限定されない。

例えば、第３の穴部５３が、シャフト３０の下端面３２に開口する場合について説明したが、これに限定されず、シャフト３０の内側面に開口するものであってもよい。

また、シャフト３０，３０Ｃを備えているものについて説明したが、これには限定されずシャフトを有していないセラミックスヒータであってもよい。

（実施例１）
基材１０として、窒化アルミニウムからなり、直径３４０ｍｍ、厚さ２５ｍｍの円板状のものを用意した。

この基材１０には、基材１０の厚さの４０％である、上面から１０ｍｍの位置に、線径０．１ｍｍの純モリブデン線からなる５０メッシュの発熱抵抗体２０が埋設されている。

そして、この基材１０には、基材１０厚さの６０％である、上面から１５ｍｍの位置に、上面１１と水平な直線状をなす第１の穴部５１を形成した。第１の穴部５１の断面形状は１辺２ｍｍの正方形であった。第１の穴部５１の奥部は、基材１０の中心から１３０ｍｍの位置であり、中央側の端部は、基材１０の中心から２８ｍｍの位置であった。

なお、第１の穴部５１は、基材１０となる２枚のプレートを接合することによって形成される。詳述すると、まず、発熱抵抗体２０が埋設された厚さ１５ｍｍの一方のプレートを作製し、このプレートの片面に一辺２ｍｍ、深さ２ｍｍの第１の穴部５１となる溝を形成する。

次に、溝が形成された一方のプレートの片面に厚さ１０ｍｍの他方のプレートを重ね合わせ、拡散接合を行うことにより２つのプレートを一体化する。これにより第１の穴部５１を有する基材１０が形成される。

さらに、基材１０に、図２を参照して、切削加工により第２の穴部５２Ａを形成した。第２の穴部５２Ａは、溝状であり、その幅は２ｍｍ、溝の長さは１２ｍｍ、上壁面が第１の穴部５１の上壁面となす角度は１３５度であった。

シャフト３０として、基材１０よりも熱伝導率が低い材料である、常温の熱伝導率が８０ｋＷ／（ｍ・ｋ）の窒化アルミニウムからなり、内径５０ｍｍ、外径６０ｍｍ、長さ２００ｍｍの円筒部３３を有し、上端部と下端部に共に外径７０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの拡径部を有するものを用意した。

シャフト３０の円筒部３３に上端面３１から下端面３２に向って貫通する第３の穴部５３を形成した。第３の穴部５３の断面形状は直径３ｍｍの円形状であった。

そして、基材１０の下面１２の中央部に、シャフト３０の上端面の中央部を拡散接合法によって接合し、セラミックスヒータ１００Ａを作製した。

このセラミックスヒータ１００Ａに、第３の穴部５３の下端部の開口から、熱電対４０を挿入した。熱電対４０は、直径１．６ｍｍのＳＵＳ３１６Ｌからなるシースを有するＫ熱電対を用いた。

挿入作業は容易であり、熱電対４０を第１の穴部５１の奥部まで挿入した後、熱電対４０を取り出したところ、熱電対４０に破損などを目視で確認したが、破損などはなかった。

（実施例２）
第２の穴部５２Ｂの形状を除いて、実施例１と同様にして、セラミックスヒータ１００Ｂを作製した。

第２の穴部５２Ｂは、図３を参照して、溝状であり、その幅は２ｍｍ、溝の長さは１２ｍｍであった。そして、第２の穴部５２Ｂの上壁面のうち、第１の穴部５１の上壁面と連続する部分は第１の穴部５１の上壁面に対して３０度の角度をなして傾斜して直線状に延び、第３の穴部５３の壁面と連続する部分は第３の穴部５３の上壁面に対して３０度の角度をなして傾斜して直線状に延びており、これら直線状に延びる部分は、互いに１５０度の角度をなして接続されている。

このようにして作製したセラミックスヒータ１００Ｂに、第３の穴部５３の下端部の開口から、実施例１と同じ熱電対４０を挿入した。

挿入作業は容易であり、熱電対４０を第１の穴部５１の奥部まで挿入した後、熱電対４０を取り出したところ、熱電対４０に破損などを目視で確認したが、破損などはなかった。

（実施例３）
第２の穴部５２Ｂの形状を除いて、実施例１と同様にして、セラミックスヒータ１００を作製した。

第２の穴部５２Ｂは、溝状であり、その幅は２ｍｍ、溝の長さは１２ｍｍであった。そして、第２の穴部５２Ｂの上壁面は、半径１２ｍｍの円弧状に延びている。

このようにして作製したセラミックスヒータ１００に、第３の穴部５３の下端部の開口から、実施例１と同じ熱電対４０を挿入した。

挿入作業は容易であり、熱電対４０を第１の穴部５１の奥部まで挿入した後、熱電対４０を取り出したところ、熱電対４０に破損などを目視で確認したが、破損などはなかった。

（実施例４）
シャフト３０Ｃを除いて、実施例３と同様にして、セラミックスヒータ１００Ｃを作製した。

シャフト３０Ｃとして、図４を参照して、上端部に拡径部３４を有さないものを用意した。第２の穴部５２Ｃの基材１０の下面１２における開口部の一部は、シャフト３０の円筒部３３の内方にて露出した。

このようにして作製したセラミックスヒータ１００に、第３の穴部５３の下端部の開口から、実施例１と同じ熱電対４０を挿入した。

挿入作業は容易であり、熱電対４０を第１の穴部５１の奥部まで挿入した後、熱電対４０を取り出したところ、熱電対４０に破損などを目視で確認したが、破損などはなかった。

１０…基材、 １１…上面、 １２…下面、 ２０…発熱抵抗体、 ３０，３０Ｃ…シャフト、 ３１…上端面、 ３２…下端面、 ３３…円筒部、 ３４…拡径部、 ４０…熱電対、 ５０…穴部、 ５１…第１の穴部、 ５２，５２Ａ，５２Ｂ，５２Ｃ…第２の穴部、 １００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ…セラミックスヒータ（保持装置）、 Ｈ…深さ、 Ｓ…仮想平面、 Ｘ…対象物。

Claims (3)

1. セラミックスからなり、上面及び該上面の反対側に位置する下面を有する板状の基材と、
   前記基材の内部に埋設された発熱抵抗体と、
   前記基材の内部において前記基材の上面に沿った第１の方向に延びる第１の穴部と、
   前記基材の下面にて開口する開口部を有するとともに、前記第１の穴部と連通する第２の穴部とを備え、前記基材の上面上に対象物を保持する保持装置であって、
   前記基材の下面を含む仮想平面からの前記第２の穴部の深さが、前記第１の方向に向って連続的に深くなる部分を有することを特徴とする保持装置。
2. 前記第２の穴部を前記基材の上面から下面に向う方向に投影した領域は、前記開口部が形成されている領域に含まれることを特徴とする請求項１に記載の保持装置。
3. 前記基材の下面に接続された上端面及び該上端面の反対側に位置する下端面を有する筒状のシャフトを有し、
   前記シャフトの下端面又は内側面から上端面に向って延びるとともに、前記第２の穴部と連通する第３の穴部が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の保持装置。