JP2015517224A - リアルタイム加熱ゾーン調整機能を備えた高温静電チャック - Google Patents

Abstract

本発明の実施形態は、高温で動作させるための静電チャックを提供する。本発明の一実施形態は、静電チャック用の誘電体チャック本体を提供する。誘電体チャック本体は、基板を受けるための上面と、上面と反対の裏面を有する基板支持プレートと、基板支持プレート内に埋設された電極と、基板支持プレートの裏面に取り付けられた第１端部と、第１端部と反対の第２端部を有するシャフトを含む。第２端部は、冷却ベースに接触し、基板支持プレートに温度制御を提供するように構成される。シャフトは、中空であり、中央開口部を取り囲む側壁と、側壁を貫通して形成され、第１端部から第２端部まで延在する２以上のチャネルを有する。

Description

背景

（分野）
本発明の実施形態は、概して、高温で基板を処理するための装置及び方法に関する。特に、本発明の実施形態は、高温で動作する処理チャンバ内で基板を支持するための装置及び方法に関する。

（関連技術の説明）
静電チャックは、処理チャンバ内で基板を支持し固定する際に一般的に使用される。静電チャックは、一般的に、吸着力を発生させるための埋設されたＤＣ電極を有する非導電性本体（例えば、セラミックス本体）を有する。１以上の加熱要素を基板支持体内に含み、これによって処理中に加熱を提供することができる。ＲＦ電極を、非導電性本体内部に埋設してもよい。ＲＦ電極は、プラズマを発生させるバイアス電力を送出し、同時にＤＣ電極は、その上に基板を固定するための吸着力を生成する。ヒータを非導電性本体内に埋設し、これによって加熱を提供することができる。冷却ベースが非導電性本体に取り付けられ、これによって非導電性本体を冷却することができる。ヒータと冷却ベースが協働し、これによって静電チャック及びその上で支持された基板の温度を制御する。

既存の静電チャックは、一般的に、非導電性本体と冷却ベースを固定するための金属クランプ装置を有し、シールを提供するための有機体のＯリングを使用する。しかしながら、金属クランプ装置と有機体のＯリングは、高温（例えば、３５０℃より高い温度）では適切に機能することができない。３５０℃では、動作温度が高温有機体Ｏリングの性能限界を超える。高温で、金属クランプ装置は、非導電性本体と冷却ベースの熱膨張を制約する。更に、一般的にチタンなどの耐熱金属からなる金属クランプ装置もまた、処理化学薬品の下で金属汚染を導入するだろう。

したがって、高温で動作させるための静電チャックが必要とされている。

概要

本発明の実施形態は、高温で動作する処理チャンバ内で基板を支持するための装置及び方法に関する。特に、本発明の実施形態は、高温で動作させるための静電チャックを提供する。

本発明の一実施形態は、静電チャック用の誘電体チャック本体を提供する。誘電体チャック本体は、基板を受けるための上面と、上面と反対の裏面を有する基板支持プレートと、基板支持プレート内に埋設され、上面に基板を固定するための吸着力を発生させる、及び／又は処理用のプラズマを発生させるように構成された電極と、基板支持プレートの裏面に取り付けられた第１端部と、第１端部と反対の第２端部を有するシャフトを含む。第２端部は、冷却ベースに接触し、基板支持プレートに温度制御を提供するように構成される。シャフトは、中空であり、中央開口部を取り囲む側壁と、側壁を貫通して形成され、第１端部から第２端部まで延在する２以上のチャネルを有する。

本発明の別の一実施形態は、静電チャックアセンブリを提供する。静電チャックアセンブリは、本発明の一実施形態に係る誘電体チャック本体と、誘電体チャック本体に温度制御を提供するように構成された冷却ベースを含む。冷却ベースと誘電体チャック本体は、誘電体チャック本体のシャフトの第２端部で共に結合される。基板支持プレートの裏面と冷却ベースの上面との間にはギャップが形成される。

本発明の別の一実施形態は、基板を処理するための装置を提供する。この装置は、内部容積を画定するチャンバハウジングアセンブリと、内部容積内に配置され、処理中に内部容積内に基板を固定し支持するように構成された本発明の一実施形態に係る静電チャックアセンブリを含む。この装置は、静電チャックアセンブリ上に配置された基板の上方に１以上の処理ガスを送出するように構成されたガス注入アセンブリを更に含む。

本発明の上述した構成を詳細に理解することができるように、上記に簡単に要約した本発明のより具体的な説明を、実施形態を参照して行う。実施形態のいくつかは添付図面に示されている。しかしながら、添付図面は本発明の典型的な実施形態を示しているに過ぎず、したがってこの範囲を制限されていると解釈されるべきではなく、本発明は他の等しく有効な実施形態を含み得ることに留意すべきである。
本発明の一実施形態に係る静電チャックアセンブリを有するプラズマ処理チャンバの断面側面図である。 本発明の一実施形態に係るチャック本体の分解斜視断面図である。 本発明の一実施形態に係る静電チャックアセンブリの分解斜視断面図である。

理解を促進するために、図面に共通する同一の要素を示す際には可能な限り同一の参照番号を使用している。一実施形態で開示された要素を、特に説明することなく、他の実施形態で有益に利用してもよいと理解される。

詳細な説明

本発明の実施形態は、高温で動作する処理チャンバ内で基板を支持するための装置及び方法に関する。より具体的には、本発明の実施形態は、高温で動作させるための静電チャックアセンブリを提供する。一実施形態は、誘電体ディスクと誘電体ディスクから延びるシャフトを有する誘電体チャック本体を提供する。シャフトは中空であり、誘電体ディスクに埋設されたＲＦ、ＤＣ又はＲＦ／ＤＣ兼用電極、及び／又は加熱要素へコネクタ用通路を提供する中央開口部を有する。シャフトは、軸方向に沿って側壁を貫通して形成された１以上のチャネルも有する。１以上のチャネルは、冷却流体及び／又は基板センサの通路又は接続のための統合された通路を提供するために使用することができる。シャフトの側壁内に形成されたチャネルを使用することによって、本発明の実施形態は、高温に耐えることのできないＯリングを使用した冷却流体通路のシールを回避する。

本発明の実施形態は、誘電体チャック本体に温度制御を提供するために、シャフトの遠位端で誘電体チャック本体に取り付けられた冷却ベースを更に提供する。冷却ベースと、誘電体チャック本体の支持ディスクのエッジ部との間に、クランプは印加されない。シャフトの遠位端で冷却ベースと誘電体チャック本体を取り付け、支持ディスクのエッジ部にクランプするのを回避することによって、本発明の実施形態は、構造内での熱膨張の拘束を排除し、また従来のクランプ構造によって引き起こされるパーティクルの発生を低減させる。

本発明の実施形態は、静電チャックを高温で実行可能にすることを含む。例えば、本発明の実施形態に係る静電チャックは、最大摂氏約４００度の温度に維持されたエッチング環境内で動作させることができる。本発明の特定の実施形態はまた、ターゲット基板温度プロファイルを達成するために２つのゾーン温度制御を提供する。本発明の実施形態はまた、冷却ベースに誘電体チャック本体を固定するための、従来の静電チャックに用いられる金属クランプ構造に関連する金属汚染を排除する。本発明の実施形態はまた、冷却流体及び／又はセンサへのリード線用の統合された通路を提供し、高温に耐えられないシール用Ｏリングの使用を排除する。本発明の特定の実施形態はまた、プロセス品質を向上させるウェハ温度監視（ＷＴＭ）システムを提供する。

図１は、本発明の一実施形態に係る静電チャックアセンブリ１２０を有するプラズマ処理チャンバ１００の断面側面図である。プラズマ処理チャンバ１００は、内部容積１１０を画定するチャンバハウジングアセンブリ１０１を含む。チャンバハウジングアセンブリ１０１は、チャンバ壁１０４、チャンバ壁１０４の上方に配置されたチャンバ蓋１０２、及びチャンバ底１０５を含む。

静電チャックアセンブリ１２０は、上で基板１１２を支持するために、ハウジングアセンブリ１０１の内部容積１１０内に配置される。静電チャックアセンブリ１２０は、インタフェースプレート１０８を介してハウジングアセンブリ１０１に取り付けることができ、チャンバ底１０５を貫通して形成された底部開口部１０６を介してプラズマ処理チャンバ１００の外側に延びることができる。

ライナ１３０は、静電チャックアセンブリ１２０の上方で内部容積１１０の一部を取り囲むチャンバ側壁１０４の内側に配置され、これによって基板１１２の上方に処理容積１３２を作ることができる。スリットバルブ開口部１０４ａは、チャンバ壁１０４と、ライナ１３０を貫通して形成された対応する開口部１３０ａを貫通して形成され、これによって基板と、静電チャックアセンブリ１２０から基板を配置し取り出すために使用される基板搬送機構の通過を可能にする。

ガス注入アセンブリ１３４は、静電チャックアセンブリ１２０の上方に配置され、これによって１以上の処理ガスをガス源１３６から処理容積１３２に提供する。真空ポンプ１４０を内部容積１１０に結合させ、これによって処理容積１３２のエッジ領域に配置されたプレナム１３８を介してプラズマ処理チャンバ１００から外へ処理ガスをポンピングすることができる。

一実施形態では、アンテナアセンブリ１４２が、チャンバ蓋１０２の外部に配置され、これによってプラズマ処理を促進させることができる。アンテナアセンブリ１４２は、整合ネットワーク１４４を介して高周波（ＲＦ）プラズマ電源１４６に結合することができる。処理中に、アンテナアセンブリ１４２は、電源１４６によって供給されるＲＦ電力によって通電され、これによって処理容積１３２内で処理ガスのプラズマを点火し、プラズマを維持する。

静電チャックアセンブリ１２０は、基板１１２を固定して支持するように構成された誘電体チャック本体１２１と、誘電体チャック本体１２１の温度制御を提供するように構成された冷却ベース１２６を含む。誘電体チャック本体１２１は、基板１１２を支持するための上面１２３と、上面１２３と反対の裏面１２５を有する基板支持プレート１２２を含む。誘電体チャック本体１２１は、基板支持プレート１２２の裏面１２５から延びるシャフト１２４も含む。シャフト１２４は、第１端部１２４ａで基板支持プレート１２２に固定して取り付けられ、第２端部１２４ｂで冷却ベース１２６に取り付けられる。本発明の一実施形態によると、誘電体チャック本体１２１及び冷却ベース１２６は、シャフト１２４の第２端部１２４ｂでの接続以外に、追加的な固定された接続（例えば、基板支持プレート１２２の周りのクランプ要素）を有さない。この構成によって、誘電体チャック本体１２１及び冷却ベース１２６は、熱膨張の下で互いに対して移動することができ、したがって、誘電体チャック本体１２１と冷却ベース１２６との間の熱応力を回避する。誘電体チャック本体１２１及び冷却ベース１２６は、誘電体チャック本体１２１の中央で接続されているので、誘電体チャック本体１２１は、冷却ベース１２６に対して全方向に放射状に拡張することが自由にできる。第２端部１２４ｂと冷却ベース１２６との間の接触は、冷却ベース１２６と誘電体チャック本体１２１の間で主要な熱交換を提供する。

基板支持プレート１２２は、一般的に、実質的に平面であり、基板１１２全体を支持するように形作られる。基板支持プレート１２２は、円形基板、矩形基板、又は他の形状の基板を支持するために、円形、矩形、又は他の適切な形状であってもよい。基板支持プレート１２２は、セラミックス（例えば、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム）、又はドープされたセラミックス（例えば、窒化チタン又は窒化クロムがドープされたアルミナ、ドープされた酸化アルミニウム、ドープされた窒化ホウ素）などから製造することができる。一実施形態では、基板支持プレート１２２は、基板支持プレート１２２の熱伝導率を高めるために純度約９５％の窒化アルミニウムから形成することができる。

誘電体チャック本体１２１は、基板支持プレート１２２内に埋設された電極１５６を更に含む。電極１５６は、薄い金属プレート又は金属メッシュであることができる。電極１５６は、基板１１２の実質的全領域を包含するのに十分に大きくすることができる。電極１５６は、電源（例えば、直流電圧源）に結合して、これによって上面１２３の上に基板１１２を引き付け固定するための静電吸着力を生成することができる。オプションで、電極１５６は、処理チャンバ１００内に容量結合プラズマを発生させるためのＲＦ電源に結合することもできる。

一実施形態では、誘電体チャック本体１２１は、基板支持プレート１２２内に埋設された１以上の加熱要素１６０を更に含む。１以上の加熱要素１６０は、抵抗ヒータとすることができる。１以上の加熱要素１６０によって、基板支持プレート１２２は、基板１２２を所望の温度（例えば、摂氏約２００〜約４００度の間の温度）に加熱することができる。一実施形態では、１以上の加熱要素１６０は、２つの独立した制御された温度ゾーンを形成することができる。

本発明の一実施形態によれば、３以上のリフトピン１１６が、リフトピンドライブ１１４によって、基板支持プレート１２２と、冷却ベース１２６と、インタフェースプレート１０８を貫通して移動可能であってもよい。３以上のリフトピン１１６は、基板支持プレート１２２から基板１１２を取り出すように構成される。

シャフト１２４は、セラミックス（例えば、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム）、又はドープされたセラミックス（例えば、窒化チタン又は窒化クロムがドープされたアルミナ、ドープされた酸化アルミニウム、ドープされた窒化ホウ素）などから製造することができる。一実施形態では、シャフト１２４は、熱伝導率を高めるために純度約９５％の窒化アルミニウムから形成することができる。一実施形態では、シャフト１２４及び基板支持プレート１２２は、同じ材料から製造することができる。シャフト１２４は、接着によって基板支持プレート１２２に接合し、これによって統合された誘電体チャック本体を形成することができる。一実施形態では、シャフト１２４は、爆着によって基板支持プレート１２２に接合することができる。一実施形態では、シャフト１２４は、拡散接合によって基板支持プレート１２４に接合することができる。あるいはまた、シャフト１２４は、ろう付け、又は統合された誘電体チャック本体を形成することができる他の適当な接合方法によって、基板支持プレート１２４に接合することができる。

シャフト１２４は、中空であり、第１端部１２４ａから第２端部１２４ｂまで延びる中央開口部１７２を画定する側壁１７０を有する。一実施形態では、中央開口部１７２は、電極１５６を電源１５８に、１以上の加熱要素１６０を加熱用電源１６２に接続するコネクタ１５７、１５９、１６１のための通路を提供するように構成される。

本発明の一実施形態によると、１以上のチャンネル１７４、１７６は、シャフト１２４の側壁１７０を貫通して形成することができる。１以上のチャネル１７４、１７６は、第１端部１２４ａから第２端部１２４ｂまで延びることができる。シャフト１２４が、基板支持プレート１２２に接合されたとき、１以上のチャネル１７４、１７６は、冷却流体及び／又はセンサのリード線用の１以上の通路を形成する、基板支持プレート１２２内のチャンネル１７８、１８０と接続し統合する。シャフト１２４と基板支持プレート１２２との間の接合の性質は、チャンネル１７４、１７６とチャネル１７８、１８０との間で漏れのないインタフェースを提供する。一実施形態では、チャネル１７６は、処理容積１３２内の処理環境にセンサを曝露させることなく、センサ（例えば、熱電対）を受けるための止まり穴であってもよい。

図１に示されるように、チャネル１７４は、基板支持プレート１２２内のチャネル１７８を冷却流体源１８２に接続する。チャネル１７８は、基板支持プレート１２２の上面１２３で開放する。チャンネル１７４及びチャネル１７８は、冷却流体源１８２から基板１１２の裏面まで、冷却流体（例えば、ヘリウム）を支持するための通路を形成し、これによって基板温度を制御する。シャフト１２４内のチャネル１７６は、基板支持プレート１２２内のチャネル１８０に接続し、これによってセンサ１８６用の通路を形成する。センサ１８６は、上面１２３に近接して基板支持プレート１２２内に配置することができる。センサ１８６は、チャネル１７６及びチャネル１８０内に配置されたセンサリード線１８５を介してコントローラ１８４に接続することができる。オプションで、センサは、シャフト１２４の端部１２４ｂに配置してもよい。一実施形態では、センサ１８６は、基板支持プレート１２２の上方に配置された基板１１２の温度を測定するように構成された温度センサである。

シャフト１２４と基板支持プレート１２２は共に結合され、これによって漏れのないシールを作る。一実施形態では、シャフト１２４及び基板支持プレート１２２は、爆着されることができる。チャンネル１７４、１７６は、高温に耐えることができないかもしれないいかなるＯリングをも使用せずに、統合によって、チャネル１７８、１８０に接続する。その結果、統合されたチャンネル１７４、１７６、１７８、１８０は、静電チャック本体１２０がほとんどのＯ−リングの使用温度限界を超える温度で動作するのを可能にする。

冷却ベース１２６は、内部容積１１０内の誘電体チャック本体１２０の下に配置される。一実施形態では、冷却ベース１２６は、チャンバ底１０５上に配置されたインタフェースプレート１０８上に取り付けられる。冷却ベース１２６は、実質的に平坦な上面１８７と、上面１８７と反対の円筒形延長部１９０を有する本体１８８を有することができる。凹部１８９は、誘電体チャック本体１２０のシャフト１２４を受けるための上面１８７から形成され、円筒形延長部１９０内に延びている。円筒形延長部１９０は、チャンバ底１０５の底部開口部１０６を貫通して延びることができる。

複数の冷却チャンネル１９４が、冷却流体の循環のために冷却ベース１２６内に形成される。冷却チャネル１９４は、冷却流体源１９６と流体連通することができる。冷却ベース１２６は、熱伝導性材料から製造することができ、一実施形態では、金属（例えば、一実施形態では、アルミニウム又はステンレス鋼）から製造される。

冷却ベース１２６及びシャフト１２４の対向面は、（例えば、複数のねじ１３３を用いて）共にクランプされる。一実施形態では、座金１３１が、シャフト１２４と冷却ベース１２６の間に配置され、これによって冷却ベース１２６とシャフト１２４との間の固体接触及び良好な熱交換を保証することができる。

組み立てられたとき、シャフト１２４の第２端部１２４ｂは、冷却ベース１２６の凹部１８９の底面１９２上に着座し、同時に冷却ベース１２６の上面１８７と基板支持プレート１２２の裏面１２５は、直接接触しない。同様に、凹部１８９の側壁１９１もまた、シャフト１２４に直接接触しない。ギャップ１２７が冷却ベース１２６と誘電体チャック本体１２０との間に形成され、これによっての相対的な熱膨張を可能にする。

オプションで、冷却ベース１２６と誘電体チャック本体１２０との間に配置された接触要素１２８及びばね要素１２９によって、冷却ベース１２６と誘電体チャック本体１２０との間の二次的な熱接触が確立されてもよい。一実施形態では、溝１３５は、冷却ベース１２６の上面１８７内に形成することができる。溝１３５は、基板支持プレート１２２のエッジ領域に対応して配置され形作られ、これによって基板支持プレート１２２のエッジ領域に温度制御を提供する。ばね要素１２９は、溝１３５内に配置される。接触要素１２８は、ばね要素１２９の上方に配置される。ばね要素１２９は、基板支持プレート１２２の裏面１２５に対して接触要素１２８を押圧する。ばね要素１２９及び接触要素１２８は、基板支持プレート１２２と冷却ベース１２６の間にいかなる横方向及び縦方向の動きの制約をも与えることなく、冷却ベース１２６と基板支持プレート１２２の間に導電性経路を提供する。接触要素１２８及びばね要素１２９は、熱伝導性材料から形成することができる。一実施形態では、接触要素１２８は、セラミックス材料（例えば、酸化アルミニウム又は窒化アルミニウム）から形成される。ばね要素１２９は、金属（例えば、アルミニウム又はステンレス鋼）から形成することができる。

本発明の一実施形態によると、エッジリングアセンブリ１５０は、処理容積１３２からギャップ１２７及び１８９を分離するために、ギャップ１２７の周りに配置することができる。エッジリングアセンブリ１５０は、下部リング１５１と上部リング１５２を含むことができる。下部リング１５１は、ギャップ１２７を囲む冷却ベース１２６の上方に配置することができる。上部リング１５２は、基板支持プレート１２２のエッジ部によって支持され、下部リング１５１の上方に懸架されることができる。ギャップ１５０ａは、上部リング１５２の下面１５２ａと下部リング１５１の上面１５１ａとの間に形成され、これによって冷却ベース１２６及び誘電体チャック本体１２０の熱膨張を可能にする。上部リング１５２の下面１５２ａと下部リング１５１の上面１５１ａは、ギャップ１５０ａ内にラビリンス（迷路）を形成する交互構造（例えば、リブ及び溝）を有することができる。ギャップ１５０ａ内のラビリンスは、ギャップ１２７と処理容積１３２の間の分離を提供する。ラビリンスは実質的に、処理容積１３２内の処理ガスがギャップ１２７、１８９へ入るのを防止し、こうして望ましくない汚染を低減する。下部リング１５１及び上部リング１５２は、処理化学薬品に相性の良い材料から形成することができる。一実施形態では、下部リング１５１及び上部リング１５２は、セラミックス又は石英から製造することができる。シャドウリング１５４は、エッジ領域の周りで基板支持プレート１２２の上方に配置され、これによって基板１１２の外側の領域を覆い、覆われた領域の処理化学薬品への曝露を防止することができる。

図２は、誘電体チャック本体１２０の分解斜視断面図である。側壁１７０内のチャンネル１７４、１７６は、冷却流体及び／又はセンサのリード線用の統合された通路を形成する。図２には２つのチャネル１７４、１７６が示されているが、より多くのチャンネルを追加のニーズに対応するように形成してもよい。シャフト１２６は、冷却ベース１２６との熱交換を高めるための増大した表面積を提供するフランジ２０２を有する。

図３は、上述の構成要素を示す、冷却ベース１２６と誘電体チャック本体１２０を含む静電チャックアセンブリの分解斜視断面図である。

上記は本発明の実施形態を対象としているが、本発明の他の及び更なる実施形態は本発明の基本的範囲を逸脱することなく創作することができ、その範囲は以下の特許請求の範囲に基づいて定められる。

Claims (15)

1. 静電チャック用の誘電体チャック本体であって、
   基板を受けるための上面と、上面と反対の裏面を有する基板支持プレートと、
   基板支持プレート内に埋設された電極と、
   基板支持プレートの裏面に取り付けられた第１端部と、第１端部と反対の第２端部を有するシャフトを含み、第２端部は、冷却ベースに接触し、基板支持プレートに温度制御を提供するように構成され、シャフトは、中空であり、中央開口部を取り囲む側壁と、側壁を貫通して形成され、第１端部から第２端部まで延在する２以上のチャネルを有する誘電体チャック本体。
2. 基板支持プレート内に埋設され、上面の上に配置された基板を加熱するように構成された１以上の加熱要素を含む請求項１記載の誘電体チャック本体。
3. １以上の加熱要素が２以上の独立した加熱ゾーンを形成する請求項２記載の誘電体チャック本体。
4. シャフトの中央開口部内に配置されたコネクタを含み、コネクタは、１以上の加熱要素及び電極に結合され、１以上の加熱要素と外部電源への電極とを接続するように用いられる請求項２記載の誘電体チャック本体。
5. 基板支持プレート及びシャフトは、それらの間に漏れのないチャンネルを形成するように共に結合される請求項１記載の誘電体チャック本体。
6. 基板支持プレートは、基板に冷却流体を供給するように構成された冷却チャネルを有する請求項１記載の誘電体チャック本体。
7. 基板支持プレート内に配置された温度センサを含み、温度センサは、基板支持プレート上に配置された基板の温度を測定するように構成され、センサのリード線が、シャフトの側壁を貫通して形成された２以上のチャネルのうちの１つを通過する請求項６記載の誘電体チャック本体。
8. 基板支持プレート及びシャフトは、セラミックスから製造される請求項５記載の誘電体チャック本体。
9. シャフトは、冷却ベースとの効果的な熱交換のための、第２端部に形成されたフランジを有する請求項１記載の誘電体チャック本体。
10. 請求項１〜９のいずれか１項記載の誘電体チャック本体と、
    誘電体チャック本体に温度制御を提供するように構成された冷却ベースを含み、冷却ベースと誘電体チャック本体は、誘電体チャック本体のシャフトの第２端部で共に結合され、基板支持プレートの裏面と冷却ベースの上面との間にギャップが形成された静電チャックアセンブリ。
11. 冷却ベースは、凹部が内部に形成された本体を含み、凹部の底面は、誘電体チャック本体のシャフトに接触する請求項１０記載の静電チャックアセンブリ。
12. 接触要素と、
    ばね要素を含み、接触要素とばね要素は、冷却ベースと基板支持プレートの間のギャップを結び、冷却ベースと基板支持プレートの裏面との間に導電性経路を提供する請求項１１記載の静電チャックアセンブリ。
13. 冷却ベースの上方に配置された下部リングと、
    基板支持プレートによって支持された上部リングを含み、上部リングは、下部リングの上方に懸架され、上部リングの下面は、下部リングの上面に対向し、上部リングの下面と下部リングの上面の中に交互構造が形成され、交互構造は、下部リングと上部リングの間にラビリンスを形成するエッジリングアセンブリを含む請求項１２記載の静電チャックアセンブリ。
14. 基板を処理するための装置であって、
    内部容積を画定するチャンバハウジングアセンブリと、
    内部容積内に配置され、処理中に内部容積内に基板を固定し支持するように構成された請求項１０記載の静電チャックアセンブリと、
    静電チャックアセンブリ上に配置された基板の上方に１以上の処理ガスを送出するように構成されたガス注入アセンブリを含む装置。
15. 静電チャックアセンブリの上方で内部容積の一部を取り囲むチャンバハウジングアセンブリの内部に配置されたライナを含み、これによって基板の上方に処理容積を生成する請求項１４記載の装置。