JP2010232624A

JP2010232624A - Ｉｉｉ族窒化物半導体の気相成長装置

Info

Publication number: JP2010232624A
Application number: JP2009134165A
Authority: JP
Inventors: Kenji Iso; 憲司磯; Yoshiyasu Ishihama; 義康石濱; Ryohei Takagi; 亮平高木; Yuzuru Takahashi; 譲高橋
Original assignee: Japan Pionics Ltd
Current assignee: Japan Pionics Ltd
Priority date: 2009-02-26
Filing date: 2009-06-03
Publication date: 2010-10-14
Also published as: US20100229794A1; TWI390078B; TW201040310A; KR20100097609A; CN101818333A

Abstract

【課題】基板を保持するためのサセプタ、サセプタの対面、基板を加熱するためのヒータ、サセプタの中心部に設けられた原料ガス導入部、サセプタとサセプタの対面の間隙からなる反応炉等を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、大きな直径を有するサセプタに保持された、大口径、多数枚の基板の表面に、結晶成長する場合であっても、基板を１０００℃以上の温度で加熱して結晶成長する場合であっても、効率よく高品質の結晶成長が可能なIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供する。
【解決手段】設置される基板とサセプタの対面との距離が非常に狭く、かつサセプタの対面に冷媒を流通する構成を備えてなる気相成長装置とする。さらに、サセプタの対面に、不活性ガスを反応炉内に向かって噴出するための微多孔部、及び不活性ガスを微多孔部に供給するための構成を備えてなる気相成長装置とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、III族窒化物半導体の気相成長装置（ＭＯＣＶＤ装置）に関し、さらに詳細には、基板を保持するサセプタ、基板を加熱するためのヒータ、原料ガス導入部、反応炉、及び反応ガス排出部等を備えたIII族窒化物半導体の気相成長装置に関する。

有機金属化合物気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）は、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）と並び窒化物半導体の結晶成長によく用いられる。特に、ＭＯＣＶＤ法は、ＭＢＥ法に比べて結晶成長速度も速く、またＭＢＥ法のように高真空装置等も必要ないことから、産業界の化合物半導体量産装置において広く用いられている。近年、青色または紫外ＬＥＤ及び青色または紫外レーザーダイオードの普及にともない、窒化ガリウム、窒化インジウムガリウム、窒化アルミニウムガリウムの量産性を向上させるために、ＭＯＣＶＤ法の対象となる基板の大口径化、多数枚化が数多く研究されている。

このような気相成長装置としては、例えば特許文献１〜３に示すように、基板を保持するためのサセプタ、基板を加熱するためのヒータ、サセプタの中心部に設けられた原料ガス導入部、サセプタとサセプタの対面の間隙からなる反応炉、及びサセプタより外周側に設けられた反応ガス排出部を有する気相成長装置を挙げることができる。これらの気相成長装置においては、複数の基板ホルダーがサセプタに設けられており、駆動手段によってサセプタが自転するとともに、基板ホルダーが自公転する構成となっている。

特開２００２−１７５９９２号公報特開２００７−９６２８０号公報特開２００７−２４３０６０号公報特開２００２−２４６３２３号公報

しかし、こうした気相成長装置においても、未だ解決されない多くの課題がある。気相成長装置の反応炉においては、各種原料ガスは高温に熱せられた基板表面で分解し、基板表面において結晶化する。しかし、基板の大口径化、多数枚化にともない、反応炉内の原料ガス流路が長くなり、原料ガスが効率的に下流側に行きわたらずに、下流側の基板表面の結晶成長速度が減少するという問題がある。また、有機金属気相成長の対象となる基板の向かい側に設置された対面がヒータにより加熱され、この対面の表面で原料ガスが反応し、結晶化して、成長回数を繰り返すにつれ、結晶が徐々に堆積する。このために、基板上への原料ガスの反応効率は減少し、経済性が落ちるのみならず、高品質の結晶膜を再現性良く得ることも難しくなる。

尚、特許文献４において、ＭＯＣＶＤ反応炉のサセプタの対面を冷却し、反応管の他の部分を、石英を以て形成することを特徴としたIII族窒化物半導体用のＭＯＣＶＤ装置を挙げている。この発明においては、対面を水冷することにより、サファイア上のＡｌＮ成膜速度が、従来の未水冷の成膜速度の２．４倍に達したことが記載されている。しかしながら、この発明においても未だＡｌＮの成膜速度としては１．２μｍ／ｈしか得られていなく、効率的な原料ガスの利用という点において不十分である。工業的に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）の成長を行う場合、２．５μｍ／ｈの成長速度では、経済的に成り立たなく、４．０μｍ／ｈ以上の成長速度が求められる。実際に、工業的に現在製造されているＧａＮ膜は約４．０μｍ／ｈの成長速度で成長が行われている。また、この発明は、反応炉を構成する材料として、ステンレスと石英を用いているが、ステンレスは温度が７００℃以上で劣化することが良く知られているし、石英は熱伝導率が著しく小さいために反応炉を均一の温度に保つことが難しい。

従って、本発明が解決しようとする課題は、前述のような気相成長装置であって、大きな直径を有するサセプタに保持された、大口径、多数枚の基板の表面に、結晶成長する場合であっても、基板を１０００℃以上の温度で加熱して結晶成長する場合であっても、４．０μｍ／ｈ以上の成長速度で高品質の結晶成長が可能なIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供することである。

本発明者らは、これらの課題を解決すべく鋭意検討した結果、サセプタとサセプタの対面の間隙を狭くし、さらに、対面の表面で原料ガスが反応して結晶化することを抑制するために、対面の温度を低くコントロールする構成とすることにより、基板上への原料ガスの反応効率が向上するとともに、高品質の結晶膜が再現性良く得られることを見出し、本発明の気相成長装置に到達した。

すなわち本発明は、基板を保持するためのサセプタ、該サセプタの対面、該基板を加熱するためのヒータ、該サセプタの中心部に設けられた原料ガス導入部、該サセプタと該サセプタの対面の間隙からなる反応炉、及び該サセプタより外周側に設けられた反応ガス排出部を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、基板とサセプタの対面の間隙が、基板の上流側の位置で８ｍｍ以内、かつ基板の下流側の位置で５ｍｍ以内であり、該サセプタの対面に冷媒を流通する構成を備えており、反応炉において原料ガスが接触する部分の材料が、カーボン系材料、窒化物系材料、炭化物系材料、モリブデン、銅、アルミナ、またはこれらの複合材料からなることを特徴とするIII族窒化物半導体の気相成長装置である。

本発明の気相成長装置は、サセプタとサセプタの対面の間隙を狭くし、かつ、サセプタの対面に冷媒を流通させて、該対面の表面を冷却することにより、大口径、多数枚の基板の表面に結晶成長しても、基板を１０００℃以上の温度で加熱しても、下流側の基板表面の結晶成長速度が減少するという問題を緩和あるいは解消でき、基板上への原料ガスの反応効率が向上し、高品質の結晶膜が再現性良く得られる。

本発明は、基板を保持するためのサセプタ、該サセプタの対面、該基板を加熱するためのヒータ、該サセプタの中心部に設けられた原料ガス導入部、該サセプタと該サセプタの対面の間隙からなる反応炉、及び該サセプタより外周側に設けられた反応ガス排出部を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置に適用される。本発明の気相成長装置は、主に、ガリウム、インジウム、アルミニウムから選ばれる１種または２種以上の金属と、窒素との化合物からなる窒化物半導体の結晶成長を行なうための気相成長装置である。本発明においては、特に直径３インチ以上の大きさの基板を複数枚保持する気相成長の場合に、効果を充分に発揮させることができる。

以下、本発明の気相成長装置を、図１〜図５に基づいて詳細に説明するが、本発明がこれらにより限定されるものではない。
尚、図１、図２は、本発明の気相成長装置の一例を示す垂直断面図である。（図１は、回転発生部１２を回転させることにより、サセプタ２を回転させる機構を有する気相成長装置であり、図２は、サセプタ回転軸１３を回転させることにより、サセプタ２を回転させる機構を有する気相成長装置である。）図３、図４は、各々図１、図２における冷媒を流通する構成近辺の拡大断面図である。図５は、本発明の気相成長装置におけるサセプタの形態の例を示す構成図である。

本発明のIII族窒化物半導体の気相成長装置は、図１に示すように、基板１を保持するためのサセプタ２、サセプタの対面３、基板を加熱するためのヒータ４、サセプタの中心部に設けられた原料ガス導入部５、サセプタとサセプタの対面の間隙からなる反応炉６、及びサセプタより外周側に設けられた反応ガス排出部７を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、サセプタの対面３に冷媒を流通する構成８を備えてなるIII族窒化物半導体の気相成長装置である。

また、本発明のIII族窒化物半導体の気相成長装置は、図２に示すように、さらに不活性ガスを反応炉内に向かって噴出するための微多孔部９、及び不活性ガスをこの微多孔部に供給するための構成１０が、サセプタの対面に設けられた気相成長装置とすることもできる。
本発明においては、どちらの気相成長装置であっても、基板とサセプタの対面の間隙が、基板の上流側の位置で８ｍｍ以内、かつ基板の下流側の位置で５ｍｍ以内であり、反応炉において原料ガスが接触する部分の材料が、カーボン系材料、窒化物系材料、炭化物系材料、モリブデン、銅、アルミナ、またはこれらの複合材料からなるものである。

尚、本発明におけるサセプタの形態は、例えば図５に示すように、複数枚の基板を保持するための空間を周辺部に有する円盤状のものである。図１に示すような気相成長装置においては、外周に歯車を有する複数個の円盤（サセプタ２を回転させる機構１２）が、サセプタの外周の歯車と噛合うように設置されており、外部の回転発生部を通じて円盤２を回転させることにより、サセプタが回転する構成になっている。

本発明の気相成長装置において、原料ガスとなる有機金属化合物（トリメチルガリウム、トリエチルガリウム、トリメチルインジウム、トリエチルインジウム、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム等）、アンモニア、及びキャリヤガス（水素、窒素等の不活性ガス、またはこれらの混合ガス）等は、図１、図２に示すように、外部からの配管１１により原料ガス導入部５に供給され、さらに原料ガス導入部５から反応炉６に導入されて、反応後のガスは排出部７から外部に排出される。尚、原料ガス導入部の各ガス噴出口は、図１、図２では２個の上下平行噴出タイプであるが、本発明においては、噴出口数、形態等の条件に限定されることはない。例えば、有機金属化合物、アンモニア、及びキャリヤガスの各噴出口（合計３個の噴出口）を設けてもよい。

基板ホルダー１５により保持された有機金属気相成長の対象となる基板１は、図３、図４に示すように、ヒータ４により加熱された均熱板１４を通して熱せられる。原料ガスは、熱せられた基板表面付近で分解、反応し、基板上に結晶化する。従来の気相成長装置に関しては、一般的に、基板の対面３は、基板から１０ｍｍ以上離れた位置に置かれる。なぜなら、対面を基板から１０ｍｍ以下の距離に近づけて設置した場合、対面もヒータからの輻射熱により熱せられ、対面の表面に窒化物半導体が結晶化するという問題が生じる。

この現象は、窒化物半導体の成長に関して、再現性良く高品質の結晶膜が得られないといった問題に繋がる。また、対面３の表面を基板から１０ｍｍ以上離れた位置に設置すると、原料ガスは充分に基板表面に近づくことができず、その結果として窒化物半導体の成長速度が低下する。この成長速度の低下は、基板の下流側で特に顕著となり、例えば基板のサイズが３インチ以上になると、下流側の基板表面では原料ガスがほとんど基板表面に届かなくなる虞がある。その結果、基板下流側の表面では全く窒化物半導体の成長ができない可能性が高くなる。

本発明の気相成長装置においては、対面を基板に近づけ、さらに、対面の表面上への窒化物半導体の結晶化を抑制するために、対面（の構成物）に設置した冷媒を流通する構成８に冷媒を流すことにより、対面（の構成物）の温度を低くコントロールした。具体的には、基板の上流側の位置１６（図３、図４）で８ｍｍ以内、かつ基板の下流側の位置１７（図３、図４）で５ｍｍ以内としたときに、原料ガスを効率的に下流側の基板表面まで分解せずに供給することが可能となった。また、サセプタとサセプタの対面の間隙は、サセプタの中心部から周辺部に向かって狭くなる構成であることが好ましい。

尚、前記のサセプタ（基板）とサセプタの対面の間隙に関して、例えば、基板と対面の間隙を８ｍｍとし、基板を１０５０℃に加熱すると、冷媒（水）を流通しない場合、対面の表面温度は８００℃前後に達するのに対して、冷媒（水）を流通する場合、対面の表面温度は通常は４００℃程度、冷媒の流通条件によっては２００℃程度まで低下させることができる。対面の表面温度が８００℃前後になると、対面の表面では結晶成長反応が起こり、窒化物半導体の結晶が堆積するが、対面の表面温度が４００℃以下では、結晶成長反応は極めて遅く、窒化物半導体の結晶の堆積を極めて少なくすることができる。

本発明の気相成長装置の反応炉において、原料ガスが接触する部分の材料（例えば、図３においては、サセプタ２、サセプタの対面３、サセプタ回転軸１２を指し、図４においては、サセプタ２、サセプタの対面３、微多孔部９を指す）は次のものが用いられる。すなわち、カーボン系材料としては、カーボン、パイロリティックグラファイト（ＰＧ）、グラッシカーボン（ＧＣ）、窒化物系材料としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ボロンナイトナイド（ＢＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、炭化物系材料としては、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ボロンカーバイト（Ｂ_４Ｃ）、その他の材料としては、モリブデン、銅、アルミナが挙げられる。また、前記の材料を２種以上組み合わせた複合材料としては、ＰＧコートカーボン、ＧＣコートカーボン、ＳｉＣコートカーボンが挙げられる。ただし、カーボン系材料、窒化物系、炭化物系材料、複合材料は前記の材料に限定されるものではない。また、例えばサセプタの対面（の構成物）の材料にカーボン、サセプタの材料にＳｉＣコートカーボンを用いるように、反応炉において原料ガスが接触する部分の材料は同一のものでなくて良い。

冷媒を流通する構成８としては、通常は配管が対面（の構成物）の内部に設置される。配管は１本であっても複数本であってもよい。また、配管の構成については、特に限定されることはなく、例えば、複数本の配管が対面（の構成物）の中心部から放射状に設置されたもの、あるいは渦巻き状に設置されたもの等を挙げることができる。冷媒の流れる方向は、特に限定されることはない。配管８に通す冷媒としては、任意の高沸点溶媒が用いられ、特に沸点９０℃以上の溶媒が好ましい。このような冷媒としては、水、有機溶媒、油等を例示することができる。

また、さらに図２、図４に示すように、サセプタの対面には、冷媒を流通する構成とは別に、不活性ガスを反応炉内に向かって噴出するための微多孔部９、及び不活性ガスを微多孔部に供給するための構成１０を設けることができる。微多孔の設置位置は、通常は少なくとも基板の位置に相当する対面の表面に設けられる。また、不活性ガスを微多孔に供給するための構成１０としては、通常は配管が用いられる。

本発明においては、不活性ガスを微多孔部から反応炉内に向かって噴出することにより、対面表面上への窒化物半導体の結晶化防止を効果的にすることが可能となる。図１、図３に示すような構造の気相成長装置であっても、対面に冷媒を流さない構造の気相成長装置に比べると、対面表面上への窒化物半導体の結晶化は著しく減少する。しかし、図２、図４に示すように対面の表面に設けた多数の孔から不活性ガスを噴出させることにより、対面の表面上への窒化物半導体の結晶化をより効果的に防止することが可能となる。

次に、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明がこれらにより限定されるものではない。

［実施例１］
（気相成長装置の製作）
ステンレス製の反応容器の内部に、円板状のサセプタ（ＳｉＣコートカーボン製、直径６００ｍｍ、厚さ２０ｍｍ、３インチの基板を５枚保持可能）、冷媒を流通する構成を備えたサセプタの対面（カーボン製）、ヒータ、原料ガスの導入部（カーボン製）、反応ガス排出部等を設けて、図１に示すような気相成長装置を製作した。また、３インチサイズのサファイア（Ｃ面）よりなる基板を５枚気相成長装置にセットした。尚、冷媒を流通する構成として、配管１本を中心部から周辺部に向かって渦巻き状に配置した。

（気相成長実験）
このような気相成長装置を用いて、基板の上流側の位置における間隙（図３における符号１６）が８．０ｍｍ、基板の下流側の位置における間隙（図３における符号１７）が３．０ｍｍとなるようにサファイア基板５枚をサセプタに保持し、基板の表面に窒化ガリウム（ＧａＮ）の成長を行なった。対面の冷却用配管への冷却水循環（流量：１８Ｌ／ｍｉｎ）を開始した後、水素を流しながら基板の温度を１０５０℃まで上昇させ、基板のクリーニングを行なった。続いて、基板の温度を５１０℃まで下げて、原料ガスとしてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）とアンモニア、キャリヤガスとして水素を用いて、サファイア基板上にＧａＮから成るバッファー層を約２０ｎｍの膜厚で成長させた。

バッファー層成長後に、ＴＭＧのみ供給を停止し、温度を１０５０℃まで上昇させた。その後、原料ガスとして、ＴＭＧ（流量：１２０ｃｃ／ｍｉｎ）、アンモニア（流量：５０Ｌ／ｍｉｎ）、キャリヤガスとして、水素（流量：８０Ｌ／ｍｉｎ）、窒素（流量：９５Ｌ／ｍｉｎ）を用いて、アンドープＧａＮを１時間成長させた。尚、バッファー層を含めた全ての成長は基板を１０ｒｐｍの速度で自転させながら行なった。このときのサセプタの対面の表面温度は、４１０℃であった。

以上のように窒化物半導体を成長させた後、温度を下げ、基板を反応容器から取り出して、ＧａＮ膜厚を測定した。その結果、ＧａＮ膜厚の平均値は４．２３μｍであった。これは、ＧａＮ平均成長速度が、４．２３μｍ／ｈであったことを示している。また、サセプタの対面の表面には、結晶はほとんど見られなかった。
実施例１におけるＧａＮ成膜の３インチ基板面内膜厚分布を図６に示した。尚、横軸において０点は、基板の中心を示し、その他の値はこの中心からの距離を示すものである。３インチの基板においても、面内の膜厚変動がほとんどなしに（膜厚の変動２％）、基板全体に渡って４．０μｍ／ｈ以上の成長速度で成膜できていることがわかる。

［実施例２〜６］
実施例１の気相成長装置の製作において、サセプタの対面の材料を、各々窒化物系材料（実施例２）、炭化物系材料（実施例３）、モリブデン（実施例４）、銅（実施例５）、アルミナ（実施例６）に変更したほかは実施例１と同様にして気相成長装置を製作した。
実施例１の気相成長実験と同様にして、基板の表面に窒化ガリウム（ＧａＮ）の成長を行なった結果、ＧａＮ膜厚の平均値はいずれも４．１〜４．３μｍの範囲内であった。

［実施例７］
実施例１の気相成長実験において、気相成長中に基板を自転させなかったほかは実施例１と同様にして気相成長実験を行なった。（気相成長装置、ガスの流量、温度等の条件は全く同一である。）実施例７におけるＧａＮ成膜の３インチ基板面内膜厚成長速度を図７に示した。尚、横軸において０点は、基板の原料ガス上流側基板端を示し、その他の値は、この基板端から基盤中心を通り原料ガス下流側基板端までの距離を示すものである。基板上流側において約５．５μｍ／ｈ、基板下流側においても３．０μｍ／ｈ以上の成長速度で成膜できていることがわかる。

［比較例１］
実施例１の気相成長装置の製作において、サセプタの対面の傾斜を変更したほかは実施例１と同様にして気相成長装置を製作した。これにより、サファイア基板５枚をサセプタに保持した際に、基板の上流側の位置における間隙（図３における符号１６）が１０．７ｍｍ、基板の下流側の位置における間隙（図３における符号１７）が４．０ｍｍとなった。
実施例１の気相成長実験と同様にして、基板の表面に窒化ガリウム（ＧａＮ）の成長を行なった結果、ＧａＮ膜厚の平均値は１．７０μｍであった。これは、ＧａＮ平均成長速度が、１．７０μｍ／ｈであったことを示している。この結果は、対面の冷却のみでは効率的な成長速度を得ることはできないことを示している。比較例１におけるＧａＮ成膜の３インチ基板面内膜厚分布は図６に示す通りである。

［比較例２］
実施例７の気相成長装置の製作において、サセプタの対面の傾斜を変更したほかは実施例７と同様にして気相成長装置を製作した。これにより、サファイア基板５枚をサセプタに保持した際に、基板の上流側の位置における間隙（図３における符号１６）が１０．７ｍｍ、基板の下流側の位置における間隙（図３における符号１７）が８．０ｍｍとなった。
実施例７の気相成長実験と同様にして（気相成長中に基板を自転させない）、基板の表面に窒化ガリウム（ＧａＮ）の成長を行なった。比較例２におけるＧａＮ成膜の３インチ基板面内膜厚成長速度を図７に示した。基板上流側においては約４．１μｍ／ｈで成長が行なわれたが、基板下流側においては、成長速度はほぼゼロであった。

［比較例３］
実施例７の気相成長装置の製作において、サセプタの対面の傾斜を変更したほかは実施例７と同様にして気相成長装置を製作した。これにより、サファイア基板５枚をサセプタに保持した際に、基板の上流側の位置における間隙（図３における符号１６）が１２．０ｍｍ、基板の下流側の位置における間隙（図３における符号１７）が１２．０ｍｍとなった。
実施例７の気相成長実験と同様にして（気相成長中に基板を自転させない）、基板の表面に窒化ガリウム（ＧａＮ）の成長を行なった。比較例３におけるＧａＮ成膜の３インチ基板面内膜厚成長速度を図７に示した。基板上流側においては約１．０μｍ／ｈで成長が行なわれたが、基板位置１５ｍｍから基板下流側にわたって成長速度はゼロであった。

以上のように、本発明の気相成長装置は、基板表面への気相成長の際に、サセプタの対面表面における結晶化を大幅に抑制することができ、効率よく高品質の結晶膜が得られることがわかった。

本発明の気相成長装置の一例を示す垂直断面図本発明の図１以外の気相成長装置の一例を示す垂直断面図図１における冷媒を流通する冷却管近辺の拡大断面図図２における冷媒を流通する冷却管近辺の拡大断面図本発明の気相成長装置におけるサセプタの形態の例を示す構成図実施例１及び比較例１における３インチ基板面内膜厚分布実施例７、比較例２、及び比較例３における３インチ基板面内膜厚分布

１基板
２サセプタ
３サセプタの対面
４ヒータ
５原料ガス導入部
６反応炉
７反応ガス排出部
８冷媒を流通する構成
９微多孔部
１０不活性ガスを供給するための構成
１１ガス配管
１２回転発生部
１３サセプタ回転軸
１４均熱板
１５基板ホルダー
１６基板の上流側の位置における間隙
１７基板の下流側の位置における間隙

Claims

基板を保持するためのサセプタ、該サセプタの対面、該基板を加熱するためのヒータ、該サセプタの中心部に設けられた原料ガス導入部、該サセプタと該サセプタの対面の間隙からなる反応炉、及び該サセプタより外周側に設けられた反応ガス排出部を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、基板とサセプタの対面の間隙が、基板の上流側の位置で８ｍｍ以内、かつ基板の下流側の位置で５ｍｍ以内であり、該サセプタの対面に冷媒を流通する構成を備えており、反応炉において原料ガスが接触する部分の材料が、カーボン系材料、窒化物系材料、炭化物系材料、モリブデン、銅、アルミナ、またはこれらの複合材料からなることを特徴とするIII族窒化物半導体の気相成長装置。
サセプタとサセプタの対面の間隙が、サセプタの中心部から周辺部に向かって狭くなる構成である請求項１に記載のIII族窒化物半導体の気相成長装置。
不活性ガスを反応炉内に向かって噴出するための微多孔部、及び該不活性ガスを該微多孔部に供給するための構成が、サセプタの対面に設けられた請求項１に記載のIII族窒化物半導体の気相成長装置。
基板の結晶成長面が、下向きになるように設定された請求項１に記載のIII族窒化物半導体の気相成長装置。
サセプタが、直径３インチ以上の大きさの基板を複数枚保持されるように設定された請求項１に記載のIII族窒化物半導体の気相成長装置。
窒化物半導体が、ガリウム、インジウム、及びアルミニウムから選ばれる１種または２種以上の金属と、窒素との化合物である請求項１に記載のIII族窒化物半導体の気相成長装置。