JP2010219225A - Iii族窒化物半導体の気相成長装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】結晶成長面が下向きになるように基板を保持するサセプタ、サセプタの対面、基板を加熱するためのヒータ、サセプタの中心部に設けられた原料ガス導入部、サセプタとサセプタの対面の間隙からなる反応炉、及びサセプタより外周側に設けられた反応ガス排出部を有するフェイスダウン型のIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、直径3インチ以上の大きさの基板を気相成長する場合であっても、基板の割れを防止できるIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタが1個の基板ホルダー8に対して4個以上のツメ10を備えたものとする。
【選択図】図4
【解決手段】サセプタが1個の基板ホルダー8に対して4個以上のツメ10を備えたものとする。
【選択図】図4
Description
本発明は、III族窒化物半導体の気相成長装置(MOCVD装置)に関し、さらに詳細には、基板を保持するサセプタ、基板を加熱するためのヒータ、原料ガス導入部、反応炉、及び反応ガス排出部等を備えたIII族窒化物半導体の気相成長装置に関する。
有機金属化合物気相成長法(MOCVD法)は、分子線エピタキシー法(MBE法)と並び窒化物半導体の結晶成長によく用いられる。特に、MOCVD法は、MBE法に比べて結晶成長速度も速く、またMBE法のように高真空装置等も必要ないことから、産業界の化合物半導体量産装置において広く用いられている。近年、青色または紫外LED及び青色または紫外レーザーダイオードの普及にともない、窒化ガリウム、窒化インジウムガリウム、窒化アルミニウムガリウムの量産性を向上させるために、MOCVD法の対象となる基板の大口径化、多数枚化が数多く研究されている。
このような気相成長装置としては、例えば特許文献1〜3に示すように、基板を保持するためのサセプタ、基板を加熱するためのヒータ、サセプタの中心部に設けられた原料ガス導入部、サセプタとサセプタの対面の間隙からなる反応炉、及びサセプタより外周側に設けられた反応ガス排出部を有する気相成長装置を挙げることができる。これらの気相成長装置においては、複数の基板ホルダーがサセプタに設けられており、駆動手段によってサセプタが自転するとともに、基板ホルダーが自公転する構成となっている。
前記のような気相成長装置の中でも、結晶成長面を下向きにした気相成長装置(フェイスダウン型の気相成長装置)は、成長の対象とする基板表面上に反応炉に堆積した微粒子状のゴミが付着しにくいという特長を持つ。しかし、こうした気相成長装置においても、未だ解決されない課題がある。
フェイスダウン型気相成長装置においては、気相成長の対象となる基板は、サセプタに設けられた3個のツメの上に基板の周辺部を乗せることで保持される。その理由は、2個のツメでは基板の保持が不安定になり、3個のツメでは基板の保持が安定になるとともに、ツメが表面を覆うことによりIII族窒化物半導体が成長しない基板表面の面積を、4個以上のツメに比べて小さくすることができるからである。
フェイスダウン型気相成長装置においては、気相成長の対象となる基板は、サセプタに設けられた3個のツメの上に基板の周辺部を乗せることで保持される。その理由は、2個のツメでは基板の保持が不安定になり、3個のツメでは基板の保持が安定になるとともに、ツメが表面を覆うことによりIII族窒化物半導体が成長しない基板表面の面積を、4個以上のツメに比べて小さくすることができるからである。
現在、汎用的に最も多く用いられている2インチ基板に関しては、3個のツメが備えられたサセプタを用いても、気相成長中に基板が割れるといった問題はほとんど存在しない。しかし、3インチ基板、4インチ基板を用いたときには、III族窒化物半導体の気相成長中に、例えば図8に示す写真の基板のような状態で割れが発生する。
従って、本発明が解決しようとする課題は、基板の割れの原因を解明し、前述のようなフェイスダウン型の気相成長装置であって、直径3インチ以上の大きさの基板を気相成長する場合であっても、基板の割れを防止できるIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供することである。
従って、本発明が解決しようとする課題は、基板の割れの原因を解明し、前述のようなフェイスダウン型の気相成長装置であって、直径3インチ以上の大きさの基板を気相成長する場合であっても、基板の割れを防止できるIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供することである。
本発明者らは、これらの課題を解決すべく鋭意検討した結果、前記の基板割れの方向には規則性があり、成長するIII族窒化物半導体結晶のa軸<11−20>(3方向)に沿って割れることが極めて多いこと、ツメの位置をa軸方向に一致して基板ホルダーに基板をセットすると割れやすいこと、ツメの位置をa軸方向から外して基板ホルダーに基板をセットすると割れにくくなること、及びツメの数を増やすと割れにくくなること等を見出し、本発明のIII族窒化物半導体の気相成長装置に到達した。
すなわち本発明は、結晶成長面が下向きになるように基板を保持するサセプタ、該サセプタの対面、該基板を加熱するためのヒータ、該サセプタの中心部に設けられた原料ガス導入部、該サセプタと該サセプタの対面の間隙からなる反応炉、及び該サセプタより外周側に設けられた反応ガス排出部を有するフェイスダウン型のIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、該サセプタが1個の基板ホルダーに対して4個以上のツメを備えてなることを特徴とするIII族窒化物半導体の気相成長装置である。
本発明の気相成長装置は、サセプタの基板ホルダーに保持される1枚の基板に対して4個以上のツメを備えた構成なので、ツメの位置が、ひびが入りやすいIII族窒化物半導体結晶のa軸<11−20>(3方向)に一致しにくくなり、また基板を下からツメで支える際に、1個のツメにかかる基板の重量が軽減され、3個のツメを備えた場合よりも基板の割れを飛躍的に改善することができる。
本発明は、結晶成長面が下向きになるように基板を保持するサセプタ、該サセプタの対面、該基板を加熱するためのヒータ、該サセプタの中心部に設けられた原料ガス導入部、該サセプタと該サセプタの対面の間隙からなる反応炉、及び該サセプタより外周側に設けられた反応ガス排出部を有するフェイスダウン型のIII族窒化物半導体の気相成長装置に適用される。本発明の気相成長装置は、主に、ガリウム、インジウム、アルミニウムから選ばれる1種または2種以上の金属と、窒素との化合物からなる窒化物半導体の結晶成長を行なうための気相成長装置である。本発明においては、特に直径3インチ以上の大きさの基板を複数枚保持する気相成長の場合に、効果を充分に発揮させることができる。
以下、本発明の気相成長装置を、図1〜図8に基づいて詳細に説明するが、本発明がこれらにより限定されるものではない。
尚、図1、図2は、本発明の気相成長装置の一例を示す垂直断面図である。(図1は、回転発生部13を回転させることにより、サセプタ2を回転させる機構を有する気相成長装置であり、図2は、サセプタ回転軸14を回転させることにより、サセプタ2を回転させる機構を有する気相成長装置である。)図3は、本発明の気相成長装置におけるサセプタの一例を示す構成図、図4は、本発明の気相成長装置における基板ホルダーの一例を示す斜視図、図5は、本発明の気相成長装置における基板ホルダーの一例を示す垂直断面図である。図6は、III族窒化物半導体結晶のa面を示す構成図、図7は、基板表面に結晶成長するIII族窒化物半導体結晶のa軸<11−20>の方向を示す構成図、図8は、基板の割れの形態の一例を示す写真である。
尚、図1、図2は、本発明の気相成長装置の一例を示す垂直断面図である。(図1は、回転発生部13を回転させることにより、サセプタ2を回転させる機構を有する気相成長装置であり、図2は、サセプタ回転軸14を回転させることにより、サセプタ2を回転させる機構を有する気相成長装置である。)図3は、本発明の気相成長装置におけるサセプタの一例を示す構成図、図4は、本発明の気相成長装置における基板ホルダーの一例を示す斜視図、図5は、本発明の気相成長装置における基板ホルダーの一例を示す垂直断面図である。図6は、III族窒化物半導体結晶のa面を示す構成図、図7は、基板表面に結晶成長するIII族窒化物半導体結晶のa軸<11−20>の方向を示す構成図、図8は、基板の割れの形態の一例を示す写真である。
本発明のIII族窒化物半導体の気相成長装置は、図1、図2に示すように、結晶成長面が下向きになるように基板1を保持するためのサセプタ2、サセプタの対面3、基板を加熱するためのヒータ4、サセプタの中心部に設けられた原料ガス導入部5、サセプタとサセプタの対面の間隙からなる反応炉6、及びサセプタより外周側に設けられた反応ガス排出部7を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、図4、図5に示すように、サセプタの基板ホルダー8が4個以上のツメ10を備えてなるIII族窒化物半導体の気相成長装置である。
尚、本発明におけるサセプタの形態は、例えば図3に示すように、基板ホルダーをセットするための空間11を周辺部に複数個有する円盤状のものである。III族窒化物半導体の気相成長の際には、基板1が均熱板9とともに基板ホルダー8にセットされ、さらに複数の基板ホルダー8がサセプタ2にセットされる。また、図1に示すような気相成長装置においては、外周に歯車を有する複数個の円盤(サセプタ2を回転させる機構13)が、サセプタの外周の歯車と噛合うように設置されており、外部の回転発生部を通じて円盤2を回転させることにより、サセプタが回転する構成になっている。
本発明の気相成長装置において、原料ガスとなる有機金属化合物(トリメチルガリウム、トリエチルガリウム、トリメチルインジウム、トリエチルインジウム、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム等)、アンモニア、及びキャリヤガス(水素、窒素等の不活性ガス、またはこれらの混合ガス)等は、図1、図2に示すように、外部からの配管12により原料ガス導入部5に供給され、さらに原料ガス導入部5から反応炉6に導入されて、反応後のガスは排出部7から外部に排出される。尚、原料ガス導入部の各ガス噴出口は、図1、図2では2個の上下平行噴出タイプであるが、本発明においては、噴出口数、形態等の条件に限定されることはない。例えば、有機金属化合物、アンモニア、及びキャリヤガスの各噴出口(合計3個の噴出口)を設けてもよい。
サセプタの基板ホルダーが3個のツメを備えたフェイスダウン型の気相成長装置においては、3インチ基板、4インチ基板、あるいはそれ以上の大きさの径を有する基板を用いたときには、III族窒化物半導体の成長中に基板が割れる可能性があるという問題が発生するが、例えば、基板ホルダーに基板をセットした後、有機金属ガスを流さずに単にIII族窒化物半導体の成長温度と同温度まで昇温し、ある一定時間その温度を保持したときには基板の割れは全く起きない。また、基板に成長の目的となるIII族窒化物半導体と同一構造から成るバルク基板(例えば、GaNの成長を行なうときには、GaNのバルク基板)を用いて成長を行なったときにも基板割れは全く起きない。従って、この基板割れ現象は、成長中の基板とその上に成長するIII族窒化物半導体の格子不整合による歪みにより起きていると考えられる。
また、この基板割れは、成長するIII族窒化物半導体のa軸<11−20>の方向とツメの位置が一致したときによく発生することが観測されている。a軸16は、図6で示すようなIII族窒化物(ガリウム、インジウム、及びアルミニウムから選ばれる1種または2種以上の金属と、窒素との化合物)の結晶におけるa面15とは垂直の位置関係にある。従って、サファイヤのC面(0001)上に、III族窒化物を成長させたときのa軸16は、図7に示すように6回対称であり、基板の割れる方向としては7図のa軸で示した3方向が考えられ、円周上に等間隔で配置された3個のツメがこの方向上にあるときに基板割れは最も起こりやすい。尚、オリエンテーションフラット(オリフラ)17はa面を表している。
本発明の気相成長装置は、1個の基板ホルダーに対して4個以上のツメを設けて、前記のような基板割れを防止したものである。尚、6個のツメ、9個のツメ等3の倍数個のツメを等間隔に配置した場合は、1個当たりのツメにかかる基板の重量が軽減、分散されて、基板割れは3個のツメを配置した場合よりも相当減少する。1個の基板ホルダーに対するツメの数は、通常は4〜10個程度であるが、実用上4個または5個が好ましい。ツメの形状は、反応炉内のガスの流れを妨げず、基板を保持するのに適したものが好ましく、通常は薄板状のものである。
基板ホルダーの円形空間部の内周上へのツメの取付け位置は任意であるが、基板を水平に安定して保持するという目的においては、この内周上に等間隔でツメを配置することが好ましい。しかし、実質的に基板を安定して保持できれば、等間隔に限定されることはない。例えば、ツメの取付け位置が各々等間隔となる位置から20度の範囲内でずれていても、基板を安定して保持することが可能である。また、ツメの形状、面積等も任意であるが、形状は板状であることが好ましく、またツメが基板に重なる面積には、III族窒化物半導体が成長しないので、できる限り小さな面積となることが好ましい。1個当たりのツメの突出部の片面の面積(基板と接触する部分の面積)は、通常は0.5〜10mm2である。
尚、基板を基板ホルダーにセットする際に、基板が回転しないように固定して、ツメの位置をa軸方向に一致させないようにすることも考えられるが、熱膨張率の相違等により基板に負荷がかかることを避けなければならないという問題がある。
尚、基板を基板ホルダーにセットする際に、基板が回転しないように固定して、ツメの位置をa軸方向に一致させないようにすることも考えられるが、熱膨張率の相違等により基板に負荷がかかることを避けなければならないという問題がある。
基板ホルダー及びツメの構成材料は、高耐熱性かつ高熱伝導性の性能を持つものが好ましい。例えば、カーボン、ボロンナイトライド、パイロリティックグラファイト(PG)、PGコートカーボン、TaCコートカーボン、モリブデン、石英、シリコンカーバイト(SiC)、または、それらの複合材料が用いられる。しかし、本発明においては、これらの材料に限定されるものではない。
また、本発明において、気相成長に用いる基板としては、通常はサファイヤまたはSiCのC面(0001)が用いられる。しかし、本発明はこれらの基板の種類に限定されるものではない。
また、本発明において、気相成長に用いる基板としては、通常はサファイヤまたはSiCのC面(0001)が用いられる。しかし、本発明はこれらの基板の種類に限定されるものではない。
本発明においては、基板及び均熱板が基板ホルダーにセットされ、さらに基板ホルダーがサセプタにセットされ、これらが反応炉内に保持された後、III族窒化物半導体の成長が行われる。基板ホルダーにセットされた基板は、ヒータからの熱で均熱板を介して加熱される。原料ガス導入部から流された有機金属とアンモニアからなる原料ガスは、基板表面で分解し、基板表面に結晶成長する。成長中は基板ホルダーを任意の速さで回転させながら行なう。また、本発明の構成は、III族窒化物半導体の成長条件には影響を受けなく、単結晶が成長できる条件ならばいずれでも良い。
次に、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明がこれらにより限定されるものではない。
[実施例1]
(気相成長装置の製作)
ステンレス製の反応容器の内部に、円板状のサセプタ(直径600mm、厚さ20mm)、サセプタの対面(カーボン製)、ヒータ、原料ガスの導入部、反応ガス排出部等を設けて、図1に示すような気相成長装置を製作した。また、3インチの基板を1枚保持できる円板状の基板ホルダー(直径200mm、厚さ10mm、カーボン製)を製作した。この基板ホルダーは、図4に示すように、円形空間部の内周上に等間隔でツメを4個配置したものであった。3インチサイズのサファイヤ(C面)よりなる基板8枚及び均熱板8枚を前記のような基板ホルダー8個にセットし、さらにこれらの基板ホルダーをサセプタにセットした。
(気相成長装置の製作)
ステンレス製の反応容器の内部に、円板状のサセプタ(直径600mm、厚さ20mm)、サセプタの対面(カーボン製)、ヒータ、原料ガスの導入部、反応ガス排出部等を設けて、図1に示すような気相成長装置を製作した。また、3インチの基板を1枚保持できる円板状の基板ホルダー(直径200mm、厚さ10mm、カーボン製)を製作した。この基板ホルダーは、図4に示すように、円形空間部の内周上に等間隔でツメを4個配置したものであった。3インチサイズのサファイヤ(C面)よりなる基板8枚及び均熱板8枚を前記のような基板ホルダー8個にセットし、さらにこれらの基板ホルダーをサセプタにセットした。
(気相成長実験)
このような気相成長装置を用いて、基板の表面に窒化ガリウム(GaN)の成長を行なった。最初に水素を流しながら基板の温度を1050℃まで上昇させ、基板のクリーニングを行なった。続いて、基板の温度を510℃まで下げて、原料ガスとしてトリメチルガリウム(TMG)とアンモニア、キャリヤガスとして水素を用いて、サファイヤ基板上にGaNから成るバッファー層を約20nmの膜厚で成長させた。
このような気相成長装置を用いて、基板の表面に窒化ガリウム(GaN)の成長を行なった。最初に水素を流しながら基板の温度を1050℃まで上昇させ、基板のクリーニングを行なった。続いて、基板の温度を510℃まで下げて、原料ガスとしてトリメチルガリウム(TMG)とアンモニア、キャリヤガスとして水素を用いて、サファイヤ基板上にGaNから成るバッファー層を約20nmの膜厚で成長させた。
バッファー層成長後に、TMGのみ供給を停止し、温度を1050℃まで上昇させた。その後、原料ガスとして、TMG(流量:120cc/min)、アンモニア(流量:50L/min)、キャリヤガスとして、水素(流量:80L/min)、窒素(流量:95L/min)を用いて、アンドープGaNを1時間成長させた。尚、バッファー層を含めた全ての成長は基板を10rpmの速度で自転させながら行なった。気相成長終了後、温度を下げ、基板を反応容器から取り出した。
さらに、このような気相成長実験を合計10回繰返して行なった。その結果、GaN膜形成済の80枚のサファイヤ基板のうち割れたものは全くなかった。尚、GaN膜厚の平均値は4.3μmであった。
さらに、このような気相成長実験を合計10回繰返して行なった。その結果、GaN膜形成済の80枚のサファイヤ基板のうち割れたものは全くなかった。尚、GaN膜厚の平均値は4.3μmであった。
[実施例2]
実施例1の気相成長装置の製作において、基板ホルダーを円形空間部の内周上に5個のツメを等間隔で配置したものに替えたほかは実施例1と同様にして気相成長装置を製作した。
実施例1の気相成長実験と同様にして、基板の表面に窒化ガリウム(GaN)の成長を行なった。その結果、GaN膜形成済の80枚のサファイヤ基板のうち割れたものは全くなかった。
実施例1の気相成長装置の製作において、基板ホルダーを円形空間部の内周上に5個のツメを等間隔で配置したものに替えたほかは実施例1と同様にして気相成長装置を製作した。
実施例1の気相成長実験と同様にして、基板の表面に窒化ガリウム(GaN)の成長を行なった。その結果、GaN膜形成済の80枚のサファイヤ基板のうち割れたものは全くなかった。
[実施例3]
実施例1の気相成長装置の製作において、基板ホルダーを円形空間部の内周上に6個のツメを等間隔で配置したものに替えたほかは実施例1と同様にして気相成長装置を製作した。
実施例1の気相成長実験と同様にして、基板の表面に窒化ガリウム(GaN)の成長を行なった。その結果、GaN膜形成済の80枚のサファイヤ基板のうち割れたものは全くなかった。
実施例1の気相成長装置の製作において、基板ホルダーを円形空間部の内周上に6個のツメを等間隔で配置したものに替えたほかは実施例1と同様にして気相成長装置を製作した。
実施例1の気相成長実験と同様にして、基板の表面に窒化ガリウム(GaN)の成長を行なった。その結果、GaN膜形成済の80枚のサファイヤ基板のうち割れたものは全くなかった。
[比較例1]
実施例1の気相成長装置の製作において、基板ホルダーを円形空間部の内周上に3個のツメを等間隔で配置したものに替えたほかは実施例1と同様にして気相成長装置を製作した。
実施例1の気相成長実験と同様にして、基板の表面に窒化ガリウム(GaN)の成長を行なった。その結果、GaN膜形成済の80枚のサファイヤ基板のうち8枚割れていた。
実施例1の気相成長装置の製作において、基板ホルダーを円形空間部の内周上に3個のツメを等間隔で配置したものに替えたほかは実施例1と同様にして気相成長装置を製作した。
実施例1の気相成長実験と同様にして、基板の表面に窒化ガリウム(GaN)の成長を行なった。その結果、GaN膜形成済の80枚のサファイヤ基板のうち8枚割れていた。
以上のように、本発明の気相成長装置は、直径3インチ以上の大きさの基板を気相成長する場合であっても、基板の割れを防止できることがわかった。
1 基板
2 サセプタ
3 サセプタの対面
4 ヒータ
5 原料ガス導入部
6 反応炉
7 反応ガス排出部
8 基板ホルダー
9 均熱板
10 ツメ
11 基板ホルダーをセットするための空間
12 ガス配管
13 回転発生部
14 サセプタ回転軸
15 III族窒化物の結晶におけるa面
16 a軸<11−20>の方向
17 オリエンテーションフラット
18 ツメの跡
2 サセプタ
3 サセプタの対面
4 ヒータ
5 原料ガス導入部
6 反応炉
7 反応ガス排出部
8 基板ホルダー
9 均熱板
10 ツメ
11 基板ホルダーをセットするための空間
12 ガス配管
13 回転発生部
14 サセプタ回転軸
15 III族窒化物の結晶におけるa面
16 a軸<11−20>の方向
17 オリエンテーションフラット
18 ツメの跡
Claims (3)
- 結晶成長面が下向きになるように基板を保持するサセプタ、該サセプタの対面、該基板を加熱するためのヒータ、該サセプタの中心部に設けられた原料ガス導入部、該サセプタと該サセプタの対面の間隙からなる反応炉、及び該サセプタより外周側に設けられた反応ガス排出部を有するフェイスダウン型のIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、該サセプタが1個の基板ホルダーに対して4個以上のツメを備えてなることを特徴とするIII族窒化物半導体の気相成長装置。
- サセプタが、直径3インチ以上の大きさの基板を保持されるように設定された請求項1に記載のIII族窒化物半導体の気相成長装置。
- 窒化物半導体が、ガリウム、インジウム、及びアルミニウムから選ばれる1種または2種以上の金属と、窒素との化合物である請求項1に記載のIII族窒化物半導体の気相成長装置。
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