CN106229284A - 一种点阵式控温静电吸附盘 - Google Patents

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CN106229284A CN201610573274.9A CN201610573274A CN106229284A CN 106229284 A CN106229284 A CN 106229284A CN 201610573274 A CN201610573274 A CN 201610573274A CN 106229284 A CN106229284 A CN 106229284A
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刘孟勇
陆飞
夏建军
胡瑞
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Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd
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Abstract

本发明涉及一种点阵式控温静电吸附盘，包括静电吸附盘体、冷却管、温控回路和温度控制器，所述冷却管设有多根，多根所述冷却管独立且点阵式密布在所述静电吸附盘体上，每根所述冷却管上均独立配设有一个所述温控回路，所述温度控制器设有的个数为大于等于1小于等于所述冷却循环系统的个数，每个所述温控回路均与若干个所述温度控制器中的一个温度控制器电连接。本发明一种点阵式控温静电吸附盘采用密集分布的独立冷却管进行温度传导，各个冷却管采用独立温控回路，可以实现任意不同区域温度差异化控制，有效提升半导体制成的均匀性；同时提高温控响应速度，大幅提高制成能力。

Description

一种点阵式控温静电吸附盘
技术领域
本发明涉及一种静电吸盘，具体的涉及一种点阵式控温静电吸附盘。
背景技术
静电吸附盘是半导体工艺中常用的工具，现有半导体机台所使用的静电吸附盘采用区间控温方式：一个区间采用一个控温回路来控制，其控温区间较大，控温的均匀性不是很好，同时，单个控温区间采用同一回路，易引起温控串扰，温控响应速度慢。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种点阵式控温静电吸附盘，其控温均匀、精确，温控相应速度快。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种点阵式控温静电吸附盘，包括静电吸附盘体、冷却管、冷却循环系统和温度控制器，所述冷却管设有多根，多根所述冷却管独立且点阵式密布在所述静电吸附盘体上，所述冷却循环系统的个数与所述冷却管的个数相同且与所述冷却管一一对应形成多个独立的温控回路,每根所述冷却管的进口和出口对应连接在相应的所述冷却循环系统的出口和进口上，所述温度控制器设有的个数为大于等于一小于等于所述冷却循环系统的个数，每个所述冷却循环系统均其中任一个温度控制器电连接。
本发明的有益效果是：本发明一种点阵式控温静电吸附盘采用密集分布的独立冷却管进行温度传导，各个冷却管采用独立温控回路，可以实现任意不同区域温度差异化控制，有效提升半导体制成的均匀性；同时提高温控响应速度，大幅提高制成能力。
在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。
进一步，还包括温度传感器,所述温度传感器的个数与所述冷却管的个数相同且与所述冷却管一一对应，每个所述温度传感器的温度感应端靠近相应的所述冷却管,每个所述温度传感器的信号输出端电连接在与相应的所述冷却管对应的温度控制器上。
采用上述进一步方案的有益效果是：每个所述控温回路上均独立电连接有一个温度传感器提高了本发明的温控精度。
进一步，还包括温差控制器，所述温差控制器的个数与所述冷却循环系统的个数相同且与所述冷却循环系统一一对应，每个所述温差控制器的一端与相应的所述冷却循环系统电连接，每个所述温差控制器的另一端电连接在控制相应的所述冷却循环系统的温度控制器上。
采用上述进一步方案的有益效果是：每个所述温控回路上均独立设有一个温差控制器，进一步提高了温控的响应速度。
进一步，所述温度控制器为半导体温度控制器。
采用上述进一步方案的有益效果是：采用半导体温度控制器，提高了控制精度。
进一步，所述温度控制器设有一个，每个所述冷却循环系统的信号输入端均与同一个所述温度控制器的控制端电连接。
进一步，所述温度控制器的个数与所述冷却循环系统的个数相同且与所述冷却循环系统一一对应，每个所述冷却循环系统的信号输入端分别与对应的所述温度控制器的控制端电连接。
进一步，所述温度控制器的个数大于一且小于所述冷却循环系统的个数，每个所述冷却循环系统的信号输入端随机的与若干个所述温度控制器的控制端中的一个电连接，且每个所述温度控制器的控制端均连接有所述冷却循环系统。
附图说明
图1为本发明一种点阵式控温静电吸附盘的第一种结构示意图；
图2为本发明一种点阵式控温静电吸附盘的第二种结构示意图；
图3为本发明一种点阵式控温静电吸附盘的第三种结构示意图。
附图中，各标号所代表的部件列表如下：
1、静电吸附盘体，2、冷却管，3、冷却循环系统，4、温度控制器，5、温度传感器，6、温差控制器。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
如图1、图2和图3所示，一种点阵式控温静电吸附盘，包括静电吸附盘体1、冷却管2、冷却循环系统3和温度控制器4，所述冷却管2设有多根，多根所述冷却管2独立且点阵式密布在所述静电吸附盘体1上，所述冷却循环系统3的个数与所述冷却管2的个数相同且与所述冷却管2一一对应形成多个独立的温控回路,每根所述冷却管2的进口和出口对应连接在相应的所述冷却循环系统3的出口和进口上，所述温度控制器4设有的个数为大于等于一小于等于所述冷却循环系统3的个数，每个所述冷却循环系统3均与其中任一个温度控制器4电连接。
本发明还包括温度传感器5,所述温度传感器5的个数与所述冷却管2的个数相同且与所述冷却管2一一对应，每个所述温度传感器5的温度感应端靠近相应的所述冷却管2,每个所述温度传感器5的信号输出端电连接在与相应的所述冷却管2对应的温度控制器4上。
本发明还包括温差控制器6，所述温差控制器6的个数与所述冷却循环系统3的个数相同且与所述冷却循环系统3一一对应，每个所述温差控制器6的一端与相应的所述冷却循环系统3电连接，每个所述温差控制器6的另一端电连接在控制相应的所述冷却循环系统3的温度控制器4上。
所述温度控制器4为半导体温度控制器。
实施例1：如图1所示，所述温度控制器4设有一个，每个所述冷却循环系统3的信号输入端均与同一个所述温度控制器4的控制端电连接；例如冷却管2设有100根，100根冷却管2独立且点阵式密布在所述静电吸附盘体1上，所述冷却循环系统3也设有100个且与所述冷却管2一一对应形成100个独立的温控回路,每根所述冷却管2的进口和出口对应连接在相应的所述冷却循环系统3的出口和进口上，所述温度控制器4设有1个，即所有的冷却循环系统3均与同一个温度控制器4电连接；所述温度传感器5也设有100个且与所述冷却管2一一对应，每个所述温度传感器5的温度感应端靠近相应的所述冷却管2,每个所述温度传感器5的信号输出端电连接在与相应的所述冷却管2对应的温度控制器4上；所述温差控制器6也设有100个且与所述冷却循环系统3一一对应，每个所述温差控制器6的一端与相应的所述冷却循环系统3电连接，每个所述温差控制器6的另一端电连接在控制相应的所述冷却循环系统3的温度控制器4上。
实施例2：如图2所示，所述温度控制器4的个数大于一且小于所述冷却循环系统3的个数，每个所述冷却循环系统3的信号输入端随机的与若干个所述温度控制器4的控制端中的一个电连接，且每个所述温度控制器4的控制端均连接有所述冷却循环系统3；例如冷却管2设有70根，70根冷却管2独立且点阵式密布在所述静电吸附盘体1上，所述冷却循环系统3也设有70个且与所述冷却管2一一对应形成70个独立的温控回路,每根所述冷却管2的进口和出口对应连接在相应的所述冷却循环系统3的出口和进口上，所述温度控制器4设有10个，即将所有冷却循环系统3分为10组，优选的是每组7个，每组7个冷却循环系统3共用一个温度控制器4；所述温度传感器5也设有70个且与所述冷却管2一一对应，每个所述温度传感器5的温度感应端靠近相应的所述冷却管2,每个所述温度传感器5的信号输出端电连接在与相应的所述冷却管2对应的温度控制器4上；所述温差控制器6也设有70个且与所述冷却循环系统3一一对应，每个所述温差控制器6的一端与相应的所述冷却循环系统3电连接，每个所述温差控制器6的另一端电连接在控制相应的所述冷却循环系统3的温度控制器4上。
实施例3：如图3所示，所述温度控制器4的个数与所述冷却循环系统3的个数相同且与所述冷却循环系统3一一对应，每个所述冷却循环系统3的信号输入端分别与对应的所述温度控制器4的控制端电连接；例如冷却管2设有200根，200根冷却管2独立且点阵式密布在所述静电吸附盘体1上，所述冷却循环系统3也设有200个且与所述冷却管2一一对应形成200个独立的温控回路,每根所述冷却管2的进口和出口对应连接在相应的所述冷却循环系统3的出口和进口上，所述温度控制器4设有200个，即每一个冷却循环系统3对应一个温度控制器4；所述温度传感器5也设有200个且与所述冷却管2一一对应，每个所述温度传感器5的温度感应端靠近相应的所述冷却管2,每个所述温度传感器5的信号输出端电连接在与相应的所述冷却管2对应的温度控制器4上；所述温差控制器6也设有200个且与所述冷却循环系统3一一对应，每个所述温差控制器6的一端与相应的所述冷却循环系统3电连接，每个所述温差控制器6的另一端电连接在控制相应的所述冷却循环系统3的温度控制器4上。
在本发明一种点阵式控温静电吸附盘中，密集分布的独立冷却管间距尽可能小；相邻温控回路的温差控制器的温控能力越强越好。
本发明一种点阵式控温静电吸附盘采用密集分布的独立冷却管进行温度传导，各个冷却管采用独立温控回路，可以实现任意不同区域温度差异化控制，有效提升半导体制成的均匀性；同时提高温控响应速度，大幅提高制成能力。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种点阵式控温静电吸附盘，其特征在于：包括静电吸附盘体(1)、冷却管(2)、冷却循环系统(3)和温度控制器(4)，所述冷却管(2)设有多根，多根所述冷却管(2)独立且点阵式密布在所述静电吸附盘体(1)上，所述冷却循环系统(3)的个数与所述冷却管(2)的个数相同且与所述冷却管(2)一一对应形成多个独立的温控回路,每根所述冷却管(2)的进口和出口对应连接在相应的所述冷却循环系统(3)的出口和进口上，所述温度控制器(4)设有的个数为大于等于一小于等于所述冷却循环系统(3)的个数，每个所述冷却循环系统(3)均与其中任一个温度控制器(4)电连接。
2.根据权利要求1所述的一种点阵式控温静电吸附盘，其特征在于：还包括温度传感器(5),所述温度传感器(5)的个数与所述冷却管(2)的个数相同且与所述冷却管(2)一一对应，每个所述温度传感器(5)的温度感应端靠近相应的所述冷却管(2),每个所述温度传感器(5)的信号输出端电连接在与相应的所述冷却管(2)对应的温度控制器(4)上。
3.根据权利要求1或2所述的一种点阵式控温静电吸附盘，其特征在于：还包括温差控制器(6)，所述温差控制器(6)的个数与所述冷却循环系统(3)的个数相同且与所述冷却循环系统(3)一一对应，每个所述温差控制器(6)的一端与相应的所述冷却循环系统(3)电连接，每个所述温差控制器(6)的另一端电连接在控制相应的所述冷却循环系统(3)的温度控制器(4)上。
4.根据权利要求1或2所述的一种点阵式控温静电吸附盘，其特征在于：所述温度控制器(4)为半导体温度控制器。
5.根据权利要求1或2所述的一种点阵式控温静电吸附盘，其特征在于：所述温度控制器(4)设有一个，每个所述冷却循环系统(3)的信号输入端均与同一个所述温度控制器(4)的控制端电连接。
6.根据权利要求1或2所述的一种点阵式控温静电吸附盘，其特征在于：所述温度控制器(4)的个数与所述冷却循环系统(3)的个数相同且与所述冷却循环系统(3)一一对应，每个所述冷却循环系统(3)的信号输入端分别与对应的所述温度控制器(4)的控制端电连接。
7.根据权利要求1或2所述的一种点阵式控温静电吸附盘，其特征在于：所述温度控制器(4)的个数大于一且小于所述冷却循环系统(3)的个数，每个所述冷却循环系统(3)的信号输入端随机的与若干个所述温度控制器(4)的控制端中的一个电连接，且每个所述温度控制器(4)的控制端均连接有所述冷却循环系统(3)。
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