JPH0687463B2 - 半導体気相成長装置 - Google Patents
半導体気相成長装置Info
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- JPH0687463B2 JPH0687463B2 JP1217845A JP21784589A JPH0687463B2 JP H0687463 B2 JPH0687463 B2 JP H0687463B2 JP 1217845 A JP1217845 A JP 1217845A JP 21784589 A JP21784589 A JP 21784589A JP H0687463 B2 JPH0687463 B2 JP H0687463B2
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- Japan
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- casing
- susceptor
- vapor phase
- resistance heating
- heating element
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体気相成長装置の係わり、特に、III−
Ｖ族化合物半導体基板に化学的気相成長（Chemical Vap
our Deposition）層を形成するのに好適する。
Ｖ族化合物半導体基板に化学的気相成長（Chemical Vap
our Deposition）層を形成するのに好適する。
（従来の技術） III−Ｖ族化合物半導体基板例えばGaAs半導体基板にMOC
VD（Metal Organic Chemical Vapour Deposition）層を
堆積するのには、いわゆるハイフレ（High Frequency）
装置即ち高周波誘導加熱装置を利用した方式が利用され
ており、これを第１図及び第２図により説明する。
VD（Metal Organic Chemical Vapour Deposition）層を
堆積するのには、いわゆるハイフレ（High Frequency）
装置即ち高周波誘導加熱装置を利用した方式が利用され
ており、これを第１図及び第２図により説明する。
第１図の要部を示す斜視図に明らかなように、石英製反
応管１を設置する筐体２内には、高周波誘導加熱用コイ
ル３（以下コイルと省略する）を昇降するいわゆるエレ
ベータ装置４が設けられており、このコイル３の誘導管
５は安全カバー６により高周波発振器７に接続するが、
後述する第１種アース工事に相当する。高周波発振器７
に電気的に接続し300KHz程度を出力するコイル３は、反
応ガス導入管８を先端に取付けた石英製反応管１を囲む
ように配置して、所定の加熱状態を形成するが、その位
置設定は、エレベータ装置４により行われる。また、コ
イル３は中空に形成されており、中に水を流して冷却る
う方式が採られている。
応管１を設置する筐体２内には、高周波誘導加熱用コイ
ル３（以下コイルと省略する）を昇降するいわゆるエレ
ベータ装置４が設けられており、このコイル３の誘導管
５は安全カバー６により高周波発振器７に接続するが、
後述する第１種アース工事に相当する。高周波発振器７
に電気的に接続し300KHz程度を出力するコイル３は、反
応ガス導入管８を先端に取付けた石英製反応管１を囲む
ように配置して、所定の加熱状態を形成するが、その位
置設定は、エレベータ装置４により行われる。また、コ
イル３は中空に形成されており、中に水を流して冷却る
う方式が採られている。
第２図には、石英製反応管１内部と、コイル３を外挿し
た状態を断面図により示した。即ち、石英製反応管１の
内部には、図示しない回転部材に接続して回転可能なカ
ーボンからなるサセプター（Sucepter）９に被処理半導
体基板10を載置する外に、温度制御用として機能する熱
電対11を取付ける。勿論熱電対11は固定状態とする。一
方、被処理半導体基板10をセットした石英製反応管１の
外部にコイル３を配置するに当たっては、この被処理半
導体基板10に対応する位置を境にしてその上下のコイル
３部分の比が一定になるように、エレベータ装置４を利
用して作業者が調整する。図には書かれていないが石英
製反応管１を収容する炉が設定されている。
た状態を断面図により示した。即ち、石英製反応管１の
内部には、図示しない回転部材に接続して回転可能なカ
ーボンからなるサセプター（Sucepter）９に被処理半導
体基板10を載置する外に、温度制御用として機能する熱
電対11を取付ける。勿論熱電対11は固定状態とする。一
方、被処理半導体基板10をセットした石英製反応管１の
外部にコイル３を配置するに当たっては、この被処理半
導体基板10に対応する位置を境にしてその上下のコイル
３部分の比が一定になるように、エレベータ装置４を利
用して作業者が調整する。図には書かれていないが石英
製反応管１を収容する炉が設定されている。
（発明が解決しようとする課題） このように高周波誘導加熱装置を利用する方式では、高
周波発振器が必要となり、出力が200KHz程度のもので約
600万円と非常に高価であり、しかも、高周波発振器
は、10KW以上の高出力を使用するために外形も大きくな
り反応管１を収容するは筐体２に収容できず、自立形と
して設置せざるを得ず、当然であるがスペーサが必要と
なる。この高周波誘導加熱装置に必要な高周波発振器で
は、第１種アース工事即ち離れた場所に独立した接地棒
を地中に埋込む義務が生じる外に、接続用誘導管を天井
に敷設したり、安全カバーの取付けなどにも費用が要る
ことになる。
周波発振器が必要となり、出力が200KHz程度のもので約
600万円と非常に高価であり、しかも、高周波発振器
は、10KW以上の高出力を使用するために外形も大きくな
り反応管１を収容するは筐体２に収容できず、自立形と
して設置せざるを得ず、当然であるがスペーサが必要と
なる。この高周波誘導加熱装置に必要な高周波発振器で
は、第１種アース工事即ち離れた場所に独立した接地棒
を地中に埋込む義務が生じる外に、接続用誘導管を天井
に敷設したり、安全カバーの取付けなどにも費用が要る
ことになる。
高価な石英製反応管を取外すには、反応ガス導入管に設
置する継手（Joint）をはずしてから、コイルを専用の
エレベータ装置により高く上げる手順の作業となり、多
大の注意が必要となる。このような作業を終えると、再
び石英製反応管とコイルを元の位置に設定しなければな
らないが、コイルとサセプターの位置関係がばらつくと
被処置半導体基板の温度もばらついて堆積する膜厚にも
変化が生れる難点がある。
置する継手（Joint）をはずしてから、コイルを専用の
エレベータ装置により高く上げる手順の作業となり、多
大の注意が必要となる。このような作業を終えると、再
び石英製反応管とコイルを元の位置に設定しなければな
らないが、コイルとサセプターの位置関係がばらつくと
被処置半導体基板の温度もばらついて堆積する膜厚にも
変化が生れる難点がある。
更に、最近のように生産性の向上により進められている
半導体基板の大口径化及び被処置枚数の増大により、サ
セプターの径も大きくする必要にせまられているが、単
に径大なサセプターを使用しても均熱が採れなくなる外
に、上記位置関係のより厳格な調整が要る。
半導体基板の大口径化及び被処置枚数の増大により、サ
セプターの径も大きくする必要にせまられているが、単
に径大なサセプターを使用しても均熱が採れなくなる外
に、上記位置関係のより厳格な調整が要る。
本発明は、このような事情により成されたもので、特
に、量産性に富みしかも安価な半導体気相成長装置を提
供することを目的とする。
に、量産性に富みしかも安価な半導体気相成長装置を提
供することを目的とする。
（課題を解決するための手段） 半導体基板を固定するサセプタと，これに係止され回転
自在な筒状のケーシングと，この筒状のケーシングに取
付ける回転機構と，この回転自在な筒状のケーシング内
に非接触状態で前記サセプタに対向して配置する支持台
と，前記支持台に配置する抵抗発熱体と，この抵抗発熱
体と絶縁して前記サセプタに固定する温度測定器と，前
記筒状のケーシングに交差する方向に配置する横方向部
分と，この横方向部分に直交しかつ前記筒状のケーシン
グを囲んで配置する縦方向部分と，前記横方向部分に形
成され、縦方向部分及び横方向部分により一部が構成さ
れる反応管内の気体雰囲気を調整する排気孔と，前記ケ
ーシングに形成され所定の雰囲気へ流出する他の気体用
孔部と，前記横方向部分に連続して配置する磁性流体シ
ールとを具備し，所定の温度を前記抵抗発熱体により維
持しかつ前記磁性流体シールにより形成される所定の気
体雰囲気下で気相成長層を堆積する点に本発明に係る半
導体気相成長装置の特徴がある。
自在な筒状のケーシングと，この筒状のケーシングに取
付ける回転機構と，この回転自在な筒状のケーシング内
に非接触状態で前記サセプタに対向して配置する支持台
と，前記支持台に配置する抵抗発熱体と，この抵抗発熱
体と絶縁して前記サセプタに固定する温度測定器と，前
記筒状のケーシングに交差する方向に配置する横方向部
分と，この横方向部分に直交しかつ前記筒状のケーシン
グを囲んで配置する縦方向部分と，前記横方向部分に形
成され、縦方向部分及び横方向部分により一部が構成さ
れる反応管内の気体雰囲気を調整する排気孔と，前記ケ
ーシングに形成され所定の雰囲気へ流出する他の気体用
孔部と，前記横方向部分に連続して配置する磁性流体シ
ールとを具備し，所定の温度を前記抵抗発熱体により維
持しかつ前記磁性流体シールにより形成される所定の気
体雰囲気下で気相成長層を堆積する点に本発明に係る半
導体気相成長装置の特徴がある。
更に前記筒状のケーシングに連続して形成する外壁に取
付ける環状ボスと，これを囲んで固定する非磁性マス
と，この非磁性マス及び前記環状ボス間に配置する磁石
とより構成する磁性流体シールを具備する請求項１記載
の半導体気相成長装置にも特徴がある。
付ける環状ボスと，これを囲んで固定する非磁性マス
と，この非磁性マス及び前記環状ボス間に配置する磁石
とより構成する磁性流体シールを具備する請求項１記載
の半導体気相成長装置にも特徴がある。
（作用） 本発明では、被処理半導体基板を回転させながら気相成
長層を堆積する方式を採っている。と言うのは、回転状
態の被処理半導体基板に気相成長反応に必要な気体を流
すと、一定した反応速度が得られて気相成長層の歩留り
が向上する事実を基に完成されたものである。このため
に、被処理半導体基板を載置するサセプターを回転自在
とし、このサセプターに対向して配置する抵抗発熱体は
固定状態とする方式を採った。この結果、半導体基板に
堆積する気相成長層の歩留りを従来方式よりほぼ10％向
上することができた。
長層を堆積する方式を採っている。と言うのは、回転状
態の被処理半導体基板に気相成長反応に必要な気体を流
すと、一定した反応速度が得られて気相成長層の歩留り
が向上する事実を基に完成されたものである。このため
に、被処理半導体基板を載置するサセプターを回転自在
とし、このサセプターに対向して配置する抵抗発熱体は
固定状態とする方式を採った。この結果、半導体基板に
堆積する気相成長層の歩留りを従来方式よりほぼ10％向
上することができた。
（実施例） 第３図乃至第５図により本発明に係わる一実施例を説明
する。第３図に示す半導体気相成長装置は、回転自在な
筒状のケーシング20と、この中に配置する固定状態が維
持される支持台21から構成され、この端部に抵抗発熱体
22を固定する。これは、タングステン、モリブデンまた
は炭素からなる材料を渦巻状に形成してほぼ円盤状と
し、（第４図参照）その中央部分には絶縁リング23を嵌
込んで熱電対45を挿入できるように成形する。この抵抗
発熱体22は、終端付近に一対の脚部24を設け、支持台21
とのねじ止めに備える。この支持台21には、抵抗発熱体
22に取付ける両端子25a,25bを鉛直方向に延長させて
（第１図参照）半導体気相成長装置外からの電力供給が
できるようにする。
する。第３図に示す半導体気相成長装置は、回転自在な
筒状のケーシング20と、この中に配置する固定状態が維
持される支持台21から構成され、この端部に抵抗発熱体
22を固定する。これは、タングステン、モリブデンまた
は炭素からなる材料を渦巻状に形成してほぼ円盤状と
し、（第４図参照）その中央部分には絶縁リング23を嵌
込んで熱電対45を挿入できるように成形する。この抵抗
発熱体22は、終端付近に一対の脚部24を設け、支持台21
とのねじ止めに備える。この支持台21には、抵抗発熱体
22に取付ける両端子25a,25bを鉛直方向に延長させて
（第１図参照）半導体気相成長装置外からの電力供給が
できるようにする。
第１図に明らかなようにケーシング20の開口面には、モ
リブデンもしくはグラファイト（Graphite）からなるサ
セプター26を固定して、被処理半導体基板即ちIII−Ｖ
族化合物半導体基板例えばGaAs半導体基板27を載置する
が、MOCVD被膜またはCVD（Chemical Vapour Depositio
n）被膜を堆積するために、所定に気体雰囲気にさらさ
れる。従って、ケーシング20には、サセプター26などを
囲いかつ気体の漏洩を防ぐような気密な外壁28が一体に
形成されているが、本発明では、ケーシング20に包含す
るものである。
リブデンもしくはグラファイト（Graphite）からなるサ
セプター26を固定して、被処理半導体基板即ちIII−Ｖ
族化合物半導体基板例えばGaAs半導体基板27を載置する
が、MOCVD被膜またはCVD（Chemical Vapour Depositio
n）被膜を堆積するために、所定に気体雰囲気にさらさ
れる。従って、ケーシング20には、サセプター26などを
囲いかつ気体の漏洩を防ぐような気密な外壁28が一体に
形成されているが、本発明では、ケーシング20に包含す
るものである。
第３図に示すように、この外壁28とケーシング20は、鉛
直方向に延長した抵抗発熱体22用端子25a,25b部分と機
械的に結合されており、また、ケーシング20の外壁28に
は磁性流体シール（Seal）部29を設置している。
直方向に延長した抵抗発熱体22用端子25a,25b部分と機
械的に結合されており、また、ケーシング20の外壁28に
は磁性流体シール（Seal）部29を設置している。
磁性流体シール部29は、ケーシング20の外壁28に取付
け、サセプタ26上に載置する被処理半導体基板27にはMO
CVD又はCVD被膜を堆積させるために、縦方向部分42、横
方向部分43ならびにケーシング20の外壁28と共に反応管
を第３図に明らかにするように反応管を構成して、所定
の気体雰囲気にさらせようにする。更に第５図ａに示す
ように、環状ボス30の外側には、非磁性マス31を配置
し、その間に磁石32を固定すると共に、磁石32…に当た
っては、非磁性マス31と環状ボス30間に多少の隙間34を
形成する。また、半導体気相成長装置としては、加熱状
態が不可欠であるので環状ボス30などは、水冷方式によ
り冷却する。
け、サセプタ26上に載置する被処理半導体基板27にはMO
CVD又はCVD被膜を堆積させるために、縦方向部分42、横
方向部分43ならびにケーシング20の外壁28と共に反応管
を第３図に明らかにするように反応管を構成して、所定
の気体雰囲気にさらせようにする。更に第５図ａに示す
ように、環状ボス30の外側には、非磁性マス31を配置
し、その間に磁石32を固定すると共に、磁石32…に当た
っては、非磁性マス31と環状ボス30間に多少の隙間34を
形成する。また、半導体気相成長装置としては、加熱状
態が不可欠であるので環状ボス30などは、水冷方式によ
り冷却する。
この磁性流体シール部29は、第５図ｂにあるように、二
重シール構造に形成され、軸受36を設置して回転自在と
し、更に、ケーシング20の外壁28にＯリング36により気
密性を保持している。更にまた、ケーシング20を2000回
／分に回転自在とするために、外壁28にはプーリ37、ベ
ルト38更に他のプーリ39を介してモータ40を設置する。
重シール構造に形成され、軸受36を設置して回転自在と
し、更に、ケーシング20の外壁28にＯリング36により気
密性を保持している。更にまた、ケーシング20を2000回
／分に回転自在とするために、外壁28にはプーリ37、ベ
ルト38更に他のプーリ39を介してモータ40を設置する。
反応管を構成する縦方向部分42と横方向部分43間、ケー
シング20の外壁28と環状ボス30間には多数のＯリング36
を配置して反応管の気密性を確保する。…を利用してい
る。サセプター26を固定した付近のケーシング20には、
孔部…（図示せず）を設置して所定の気体雰囲気がケー
シング20内に入らないようにするため不活性気体例えば
窒素を流出させる。所定の気体雰囲気の流量を例えば、
15〜20l/分、不活性気体の流量を例えば１〜2l/分とす
る。更に、横方向部分42には、排気孔44を設置してい
る。
シング20の外壁28と環状ボス30間には多数のＯリング36
を配置して反応管の気密性を確保する。…を利用してい
る。サセプター26を固定した付近のケーシング20には、
孔部…（図示せず）を設置して所定の気体雰囲気がケー
シング20内に入らないようにするため不活性気体例えば
窒素を流出させる。所定の気体雰囲気の流量を例えば、
15〜20l/分、不活性気体の流量を例えば１〜2l/分とす
る。更に、横方向部分42には、排気孔44を設置してい
る。
このようにして本発明に係わる半導体気相成長装置とし
ては、第３図の終端に付加した部分があるが、本発明に
直接関係がないので省略しており、従って、ケーシング
20の外壁28と抵抗発熱体22に取付ける両端子25a,25bの
終端部分についても割愛しており、外壁28の気密性を保
つために終端を形成していることを付記しておく。この
ような半導体気相成長装置は、従来技術欄の第２図に示
したように筐体内に設置するが、エレベータなどの付属
設備なしで、ケーシング及び電力供給ユニット〔（Uni
t）温度調整設備とトランスなど〕だけが設置されるこ
とになることも合せて付記する。
ては、第３図の終端に付加した部分があるが、本発明に
直接関係がないので省略しており、従って、ケーシング
20の外壁28と抵抗発熱体22に取付ける両端子25a,25bの
終端部分についても割愛しており、外壁28の気密性を保
つために終端を形成していることを付記しておく。この
ような半導体気相成長装置は、従来技術欄の第２図に示
したように筐体内に設置するが、エレベータなどの付属
設備なしで、ケーシング及び電力供給ユニット〔（Uni
t）温度調整設備とトランスなど〕だけが設置されるこ
とになることも合せて付記する。
本発明に係わる半導体気相成長装置では、従来例と違っ
てエレベータなどは必要でなく、回転している被処理半
導体基板を所定の雰囲気にさらして加熱する方式を採用
している。しかも、加熱手段は、固定状態に保持した抵
抗加熱方式によっており、歩留りが従来方式より約10％
向上し、量産上の効果は極めて大きい。
てエレベータなどは必要でなく、回転している被処理半
導体基板を所定の雰囲気にさらして加熱する方式を採用
している。しかも、加熱手段は、固定状態に保持した抵
抗加熱方式によっており、歩留りが従来方式より約10％
向上し、量産上の効果は極めて大きい。
更に、抵抗加熱方式によっているので極めて安価（150
万円）である上に、抵抗加熱用電力供給用ユニットは、
高周波発振器より小形で炉体内に収容できてスペースが
差ほどいらない。
万円）である上に、抵抗加熱用電力供給用ユニットは、
高周波発振器より小形で炉体内に収容できてスペースが
差ほどいらない。
反応管41,42の外周に高周波コイルを配置する必要がな
いので、取外しや取付けが容易となり作業性が向上する
し、エレベータ装置も不要となってコンパクト（Compac
t）化が促進され、当然コスト（Cost）削減に寄与する
ことになる。しかも、反応管41,42は、高価な石英製か
ら水冷管41を取付けた安価なステンレス製に切替えるこ
とができるので、作業性及び寿命が長くなる利点も大き
い。しかも、アース工事などの省略ができるのでやはり
経費削減に大きく寄与することになる。
いので、取外しや取付けが容易となり作業性が向上する
し、エレベータ装置も不要となってコンパクト（Compac
t）化が促進され、当然コスト（Cost）削減に寄与する
ことになる。しかも、反応管41,42は、高価な石英製か
ら水冷管41を取付けた安価なステンレス製に切替えるこ
とができるので、作業性及び寿命が長くなる利点も大き
い。しかも、アース工事などの省略ができるのでやはり
経費削減に大きく寄与することになる。
一方、半導体基板の大口径化及び処理枚数の増大に伴っ
て、サセプターの外形寸法が大きくなると、高周波誘導
加熱方式では、全面の均熱が採れず温度分布のバラツキ
が大きくなり、これに伴う弊害が発生するが、本発明の
ような抵抗加熱方式にあっては、このような心配は全く
無く、上記のように歩留りの向上が得られる。
て、サセプターの外形寸法が大きくなると、高周波誘導
加熱方式では、全面の均熱が採れず温度分布のバラツキ
が大きくなり、これに伴う弊害が発生するが、本発明の
ような抵抗加熱方式にあっては、このような心配は全く
無く、上記のように歩留りの向上が得られる。
第１図は、従来の半導体気相成長装置の要部を示す斜視
図、第２図は、その部品の断面図、第３図は、本発明の
一実施例を示す断面図、第４図及び第５図a,bは、その
部品の断面図である。 1,41,42:反応管、20:ケーシング、 2:筐体、3:コイル、4:エレベータ、 10,27:半導体基板、21:支持台、 22:抵抗発熱体、5:端子、26:サセプター、 28:外壁、29:磁性シール、43:孔部。
図、第２図は、その部品の断面図、第３図は、本発明の
一実施例を示す断面図、第４図及び第５図a,bは、その
部品の断面図である。 1,41,42:反応管、20:ケーシング、 2:筐体、3:コイル、4:エレベータ、 10,27:半導体基板、21:支持台、 22:抵抗発熱体、5:端子、26:サセプター、 28:外壁、29:磁性シール、43:孔部。
Claims (2)
- 【請求項１】半導体基板を固定するサセプタと，これに
係止され回転自在な筒状のケーシングと，この筒状のケ
ーシングに取付ける回転機構と，この回転自在な筒状の
ケーシング内に非接触状態で前記サセプタに対向して配
置する支持台と，前記支持台に配置する抵抗発熱体と，
この抵抗発熱体と絶縁して前記サセプタに固定する温度
測定器と，前記筒状のケーシングに交差する方向に配置
する横方向部分と，この横方向部分に直交しかつ前記筒
状のケーシングを囲んで配置する縦方向部分と，前記横
方向部分に形成され、縦方向部分及び横方向部分により
一部が構成される反応管内の気体雰囲気を調整する排気
孔と，前記ケーシングに形成され所定の雰囲気へ流出す
る他の気体用孔部と，前記横方向部分に連続して配置す
る磁性流体シールとを具備し，所定の温度を前記抵抗発
熱体により維持しかつ前記磁性流体シールにより形成さ
れる所定の気体雰囲気下で気相成長層を堆積することを
特徴とする半導体気相成長装置 - 【請求項２】前記筒状のケーシングに連続して形成する
外壁に取付ける環状ボスと，これを囲んで固定する非磁
性マスと，この非磁性マス及び前記環状ボス間に配置す
る磁石とより構成する磁性流体シールを具備することを
特徴とする請求項１記載の半導体気相成長装置
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