JP2017200868A - 半導体結晶製造装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1に、本実施形態のSiC単結晶製造装置1の断面図を示す。以下、この図を参照してSiC単結晶製造装置1の構造について説明する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して反応容器7側からもパージガス16を導入する形態としたものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して真空容器6の保護構造を追加したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態は、第1〜第3実施形態に対して第1、第2加熱装置13、14の構成を追加したものであり、その他に関しては第1〜第3実施形態と同様であるため、第1〜第3実施形態と異なる部分についてのみ説明する。なお、ここでは第1実施形態の構成について本実施形態で説明する第1、第2加熱装置13、14の構成を適用した場合を説明するが、第2、第3実施形態の構成についても同様に適用できる。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
5 種結晶
7 加熱容器
9 台座
13、14 第1、第2加熱装置
13a、14a 誘導加熱コイル
13b、14b コイル保護管
13c、14c 輻射抑制保護管
15 輻射抑制管
20 SiC単結晶
Claims (5)
- 真空容器(6)内に配置された台座(9)に対して半導体にて構成された種結晶(5)を配置し、該種結晶(5)の下方から半導体の原料ガス(3)を供給することにより、前記種結晶(5)の表面に半導体結晶(20)を成長させる半導体結晶製造装置において、
前記真空容器内に配置される加熱物(7、10、20)を加熱する誘導加熱コイル(13a、14a)を含む加熱装置(13、14)を有し、
前記加熱物と前記誘導加熱コイルとの間に、前記誘導加熱コイルの誘導加熱によって加熱された前記加熱物からの前記誘導加熱コイルへの輻射を抑制する輻射抑制部材(13b、13c、14b、14c、15)が配置されている半導体結晶製造装置。 - 前記輻射抑制部材は、耐放電性を有するとともに導体よりも導電性が低く、前記誘導加熱コイルが付与する磁場を透過して前記加熱物の加熱を行える透磁率の材料で構成されている請求項1に記載の半導体結晶製造装置。
- 前記輻射抑制部材は、セラミックスで構成されている請求項1または2に記載の半導体結晶製造装置。
- 前記セラミックスは、アルミナまたはムライトである請求項3に記載の半導体結晶製造装置。
- 前記加熱装置は、前記輻射抑制部材(15)とは別に、前記誘導加熱コイルを覆う透明材料で構成されたコイル保護部材(13b、14b)を有し、
前記輻射抑制部材は、前記コイル保護部材と前記加熱物との間に配置されている請求項1ないし4のいずれか1つに記載の半導体結晶製造装置。
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