JP6052051B2 - 炭化珪素単結晶の製造装置 - Google Patents
炭化珪素単結晶の製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6052051B2 JP6052051B2 JP2013104051A JP2013104051A JP6052051B2 JP 6052051 B2 JP6052051 B2 JP 6052051B2 JP 2013104051 A JP2013104051 A JP 2013104051A JP 2013104051 A JP2013104051 A JP 2013104051A JP 6052051 B2 JP6052051 B2 JP 6052051B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- pedestal
- silicon carbide
- sic single
- carbide single
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 124
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 111
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 110
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 30
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 77
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 33
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 9
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 18
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 7
- UNASZPQZIFZUSI-UHFFFAOYSA-N methylidyneniobium Chemical compound [Nb]#C UNASZPQZIFZUSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008710 crystal-8 Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
図1および図2を参照して、本実施形態にかかるSiC単結晶製造装置1の構造について説明する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してSiC単結晶製造装置1の構成を一部変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第2実施形態に対してSiC単結晶製造装置1の構成を一部変更したものであり、その他については第2実施形態と同様であるため、第2実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
5 種結晶
8 坩堝
10 台座
10a 上面
10b 下面
10c 内周部
10d 外縁部
10e 溝部
10f 内部空間
12 ガイド
13 パージガス供給源
17 パージガス導入通路
20 SiC単結晶
Claims (7)
- 種結晶(5)から炭化珪素単結晶(20)を成長させる反応室を構成し、中心軸が天地方向に向けて配置された円筒形状の坩堝(8)と、
前記坩堝の中心軸に対して同軸で配置される円盤状部材で構成され、前記坩堝内において、上面(10a)を上方に向けると共に下面(10b)を下方に向けて配置された台座(10)と、
前記台座の外周を囲むことで前記炭化珪素単結晶の成長空間を構成し、かつ、前記台座の外周面から離間して配置されたガイド(12)と、
前記台座と前記ガイドとの間の隙間をパージガス導入通路(17)として、該パージガス導入通路を通じて不活性ガスと炭化珪素のエッチングガスの少なくとも一方を含むパージガスを供給し、前記台座の外周において上方から下方に向けて前記パージガスを流動させるパージガス供給源(13)と、を備え、
前記台座の下面の径は、前記種結晶の径よりも大きくされ、前記種結晶が配置される内周部(10c)と、前記種結晶よりも外側に位置する外縁部(10d)とを有した構成とされ、
前記台座の下面における前記内周部と前記外縁部との境界位置には、前記下面から前記上面に向かう方向を深さ方向として前記内周部を囲む溝部(10e)が形成されていることを特徴とする炭化珪素単結晶製造装置。 - 前記台座内には、前記溝部に繋がる内部空間(10f)が構成されていることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶製造装置。
- 前記台座は、前記上面から下方に向かう高さについて、前記内周部の方が前記外縁部のよりも高くされていることを特徴とする請求項1または2に記載の炭化珪素単結晶製造装置。
- 前記台座は、前記下面に段差が設けられ、前記内周部と前記外縁部との間の高さが前記段差により異ならせてあることを特徴とする請求項3に記載の炭化珪素単結晶製造装置。
- 前記台座は、前記下面のうちの前記外縁部が下方から上方に向けて徐々に外径が大きくなるテーパ面とされることで、前記内周部と前記外縁部との間の高さが異ならせてあることを特徴とする請求項3に記載の炭化珪素単結晶製造装置。
- 前記ガイドは、内径が上方から下方にかけて徐々に拡大させられていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶製造装置。
- 前記ガイドは、表面が高融点金属炭化物によってコーティングされており、該コーティングの厚みが0.1mm以下とされていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013104051A JP6052051B2 (ja) | 2013-05-16 | 2013-05-16 | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013104051A JP6052051B2 (ja) | 2013-05-16 | 2013-05-16 | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014224014A JP2014224014A (ja) | 2014-12-04 |
JP6052051B2 true JP6052051B2 (ja) | 2016-12-27 |
Family
ID=52123018
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013104051A Active JP6052051B2 (ja) | 2013-05-16 | 2013-05-16 | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6052051B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7221363B1 (ja) | 2021-11-18 | 2023-02-13 | 國家中山科學研究院 | 炭化ケイ素単結晶の成長収率を向上する方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ITMI20051308A1 (it) * | 2005-07-11 | 2007-01-12 | Milano Politecnico | Metodo e reattore per crescere cristalli |
JP5287840B2 (ja) * | 2010-12-16 | 2013-09-11 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
-
2013
- 2013-05-16 JP JP2013104051A patent/JP6052051B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014224014A (ja) | 2014-12-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101447476B1 (ko) | 탄화규소 단결정 제조 장치 | |
JP4992965B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 | |
CN103732808B (zh) | 碳化硅单晶制造设备 | |
JP6052051B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 | |
JP5287840B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 | |
JP5278302B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 | |
JP5648604B2 (ja) | 炭化珪素単結晶製造装置 | |
JP5831339B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP5381957B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 | |
JP5910442B2 (ja) | 炭化珪素単結晶製造装置 | |
JP6187372B2 (ja) | 炭化珪素単結晶製造装置 | |
JP6413925B2 (ja) | 炭化珪素単結晶製造装置 | |
JP5867335B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 | |
JP4941475B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法およびそれに適した製造装置 | |
JP5811012B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 | |
JP5482669B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 | |
JP5842725B2 (ja) | 炭化珪素単結晶製造装置 | |
JP5578146B2 (ja) | 炭化珪素単結晶製造装置 | |
WO2019225697A1 (ja) | 炭化珪素単結晶製造装置および炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP5696804B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 | |
JP5407899B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 | |
JP2012067012A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP2013035730A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150828 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160414 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160426 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160622 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161101 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161114 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6052051 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |