JP5910442B2 - 炭化珪素単結晶製造装置 - Google Patents
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Images
Description
本発明の第1実施形態について、図1を参照して説明する。図1に示すように、SiC単結晶製造装置1には、底部に流入口2が備えられており、この流入口2を通じて図示しない原料ガス供給源からの原料ガス3(例えば、シラン等のシラン系ガスとプロパン等の炭化水素系ガスの混合ガス)をキャリアガスと共に導入する。また、SiC単結晶製造装置1には、上部に流出口4が備えられており、この流出口4を通じて原料ガス3のうちの未反応ガスなどを排出する。そして、SiC単結晶製造装置1は、装置内に配置したSiC単結晶基板からなる種結晶5上にSiC単結晶を成長させることにより、SiC単結晶のインゴットを形成する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してより磁気的な分離が行えるようにしたものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
上記第2実施形態に対して、低抵抗体15の径方向寸法を更に大きくすることができる。例えば、図6に示すように、低抵抗体15の内径寸法を容器本体81の筒状部内径寸法と同じにしておき、外径寸法を高周波誘導コイル13、14の外径寸法と等しくすることができる。また、図7に示すように、低抵抗体15の内径寸法を容器本体81の筒状部内径寸法と同じにしておき、外径寸法を高周波誘導コイル13、14の外径寸法よりも大きくすることもできる。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して下部加熱体81bおよび上部加熱体81cの形状や寸法などを変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
上記第3実施形態に対して、各庇部81ba、81caおよび各庇部10aa、10baの張り出した先端位置と各コイル13、14の寸法関係を変更しても良い。
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態は、第3実施形態およびその変形例に対して下部加熱体81bおよび上部加熱体81cの形状などを変更したものであり、その他については第3実施形態などと同様であるため、第3実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
上記各実施形態では、SiC単結晶製造装置1の構成の一例を示したが、適宜設計変更可能である。
3 原料ガス
5 種結晶
8 反応容器
81 容器本体
81b、81c 下部加熱体
81ba、81ca 庇部
81bb、81cb 折返部
9 台座
13、14 高周波誘導コイル(下段コイル、上段コイル)
15 低抵抗体
Claims (8)
- 中空筒状部材の加熱体を含む容器本体(81)を有し、前記容器本体が上下に物理的に分割された下部加熱体(81b)および上部加熱体(81c)とされた反応容器(8)と、
前記反応容器内に配置された台座(9)と、
前記反応容器の外周のうち前記下部加熱体と対応する位置に配置され、前記下部加熱体を誘導加熱する高周波誘導コイルにて構成された下段コイル(13)と、
前記反応容器の外周のうち前記上部加熱体と対応する位置に配置され、前記上部加熱体を誘導加熱する高周波誘導コイルにて構成された上段コイル(14)と、を備え、
前記台座に対して炭化珪素単結晶基板からなる種結晶(5)を設置し、前記下段コイルにて前記下部加熱体を誘導加熱すると共に前記上段コイルにて前記上部加熱体を誘導加熱し、前記反応容器の中空部を通じて前記種結晶の表面に炭化珪素の原料ガス(3)を供給することで前記種結晶の表面に炭化珪素単結晶を結晶成長させるものであり、前記下部加熱体および前記上部加熱体が物理的に分離されることで誘導加熱時に磁気的にも分離させられており、
物理的に分離させられた前記下部加熱体と前記上部加熱体との間に、前記容器本体よりも低抵抗な材料で構成された低抵抗体(15)が備えられていることを特徴とする炭化珪素単結晶製造装置。 - 前記低抵抗体は、前記誘導加熱時に前記下段コイルや前記上段コイルの周りに形成される磁場に対する垂直方向に一周する形状とされていることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶製造装置。
- 前記低抵抗体と前記下段コイルおよび前記上段コイルは円環状とされ、
前記下段コイルおよび前記上段コイルのコイル巻回中心軸方向から見て前記下段コイルおよび前記上段コイルの外径寸法が最も大きくなるときの外径と前記低抵抗体の外径寸法が等しい、もしくは、それよりも大きくされていることを特徴とする請求項2に記載の炭化珪素単結晶製造装置。 - 前記低抵抗体は、低抵抗黒鉛と高融点金属および高融点金属の化合物のうちのいずれかによって構成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶製造装置。
- 中空筒状部材の加熱体を含む容器本体(81)を有し、前記容器本体が上下に物理的に分割された下部加熱体(81b)および上部加熱体(81c)とされた反応容器(8)と、
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前記反応容器の外周のうち前記上部加熱体と対応する位置に配置され、前記上部加熱体を誘導加熱する高周波誘導コイルにて構成された上段コイル(14)と、を備え、
前記台座に対して炭化珪素単結晶基板からなる種結晶(5)を設置し、前記下段コイルにて前記下部加熱体を誘導加熱すると共に前記上段コイルにて前記上部加熱体を誘導加熱し、前記反応容器の中空部を通じて前記種結晶の表面に炭化珪素の原料ガス(3)を供給することで前記種結晶の表面に炭化珪素単結晶を結晶成長させるものであり、前記下部加熱体および前記上部加熱体が物理的に分離されることで誘導加熱時に磁気的にも分離させられており、
前記下部加熱体のうち前記上部加熱体側の先端と前記上部加熱体のうち前記下部加熱体側の先端のうちの少なくとも一方には、前記下部加熱体もしくは前記上部加熱体の径方向外側に張り出させた庇部(81ba、81ca)が備えられていることを特徴とする炭化珪素単結晶製造装置。 - 前記下段コイルおよび前記上段コイルは円環状とされ、
前記下段コイルおよび前記上段コイルのコイル巻回中心軸方向から見て前記下段コイルおよび前記上段コイルの外径寸法が最も大きくなるときの外径と前記庇部の外径寸法が等しい、もしくは、それよりも大きくされていることを特徴とする請求項5に記載の炭化珪素単結晶製造装置。 - 前記庇部は、前記下部加熱体のうち前記上部加熱体側の先端と前記上部加熱体のうち前記下部加熱体側の先端の両方に設けられており、
前記下部加熱体のうち前記上部加熱体側の先端に設けられた前記庇部(81ba)の先端位置と前記上部加熱体のうち前記下部加熱体側の先端に設けられた前記庇部(81ca)の先端位置とが一致させられていることを特徴とする請求項5または6に記載の炭化珪素単結晶製造装置。 - 前記庇部における径方向外方の先端位置には、前記下部加熱体もしくは前記上部加熱体の軸方向に沿って折り返した折返部(81bb、81cb)が備えられていることを特徴とする請求項5ないし7のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶製造装置。
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