JP5867335B2 - 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 - Google Patents
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Description
図1に示すように、SiC単結晶製造装置1は、底部に備えられた流入口2を通じて原料ガス供給源3からの原料ガス3aを供給すると共に、上部の流出口4を通じて原料ガス3aのうちの未反応ガスを排出する。そして、SiC単結晶製造装置1は、装置内に配置したSiC単結晶基板からなる種結晶5上にSiC単結晶20を成長させることにより、SiC単結晶20のインゴットを形成する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して第1加熱装置12の加熱形態を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
上記第1実施形態では、下部坩堝8a内に坩堝内円筒部9を配置し、これらの間の隙間を通じてパージガス14aが導入されるようにしたが、これと同様の構造を第2実施形態に対して備えるようにしても良い。また、上記第1実施形態では、中間坩堝8bの開口部の内壁面がテーパ面となるようにしたが、第2実施形態に対しても、同様の構造とすることができる。
3a 原料ガス
5 種結晶
6 真空容器
7 断熱材
8 坩堝
8a 下部坩堝
8b 中間坩堝
8c 上部坩堝
10 台座
12、13 第1、第2加熱装置
20 SiC単結晶
Claims (6)
- 中空部を有し、外径が変化する段付き円筒形状で構成され、前記中空部内に導入された原料ガス(3a)を加熱分解する原料分解領域と炭化珪素単結晶(20)を成長させる成長領域を構成する坩堝(8)と、
前記坩堝内における前記成長領域に配置された台座(10)と、
前記坩堝を加熱する加熱装置(12)と、を有し、
前記台座に対して炭化珪素単結晶基板からなる種結晶(5)を設置し、前記加熱装置にて前記坩堝のうちの下方となる下部坩堝(8a)を加熱して前記原料ガスを加熱分解させつつ該原料ガスを前記種結晶の表面に供給することで、前記坩堝のうちの上方となる上部坩堝(8c)内を前記成長領域として前記種結晶の表面に前記炭化珪素単結晶を結晶成長させる炭化珪素単結晶の製造装置であって、
前記加熱装置は、前記下部坩堝の周囲を囲んで配置されており、該加熱装置の外径は前記上部坩堝の外径よりも小さくされていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記加熱装置は、該加熱装置の内径が前記台座の外径よりも小さくされていることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記下部坩堝と前記上部坩堝の間には断熱材(7a)が配置されていることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記断熱材は、前記下部坩堝における前記原料ガスの導入される中空部と対応する位置に開口部が形成されており、
前記坩堝には、前記下部坩堝と前記上部坩堝とに連結され、前記断熱材の開口部の内壁面を覆う中間坩堝(8b)が備えられ、該中間坩堝のうち前記断熱材の開口部内に位置する中空部の内壁面が前記原料ガスの流動方向下流側に向かうに連れて徐々に内径が拡大されたテーパ面とされていることを特徴とする請求項3に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記下部坩堝の内側に、該下部坩堝に対して同軸的に配置された中空部を有する坩堝内円筒部(9)を備え、
前記坩堝内円筒部の中空部を通じて前記原料ガスを導入すると共に、前記坩堝内円筒部と前記下部坩堝の間の隙間から不活性ガスあるいはエッチングガスを含むパージガスを流入させる構成とされていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。 - 請求項1ないし5のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置を用いて、前記加熱装置にて前記原料ガスを加熱分解させつつ前記台座に貼り付けた種結晶に対して供給し、前記成長領域において前記種結晶の表面に前記炭化珪素単結晶を結晶成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
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