JP5811012B2 - 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 - Google Patents
炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 Download PDFInfo
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図1に示すように、SiC単結晶製造装置1は、底部に備えられた流入口2を通じて原料ガス供給源3からの原料ガス3aを供給すると共に、上部の流出口4を通じて原料ガス3aのうちの未反応ガスを排出する。そして、SiC単結晶製造装置1は、装置内に配置したSiC単結晶基板からなる種結晶5上にSiC単結晶20を成長させることにより、SiC単結晶20のインゴットを形成する。
上記実施形態では、SiC単結晶製造装置1として、原料ガス3aがSiC単結晶20の成長表面に供給されてからSiC単結晶20の外周表面や台座9の横を通過して更に上方に排出させられる方式(アップフロー方式)のものを例に挙げて説明した。しかしながら、それに限らず、原料ガス3aがSiC単結晶20の成長表面に供給されてから、再度その供給方向と同方向に戻されるリターンフロー方式や、原料ガス3aがSiC単結晶20の成長表面に供給されてから、加熱容器8の外周方向に排出させられる方式(サイドフロー方式)にも適用できる。
3a 原料ガス
5 種結晶
8 加熱容器
9 台座
10 第2断熱材
11 回転引上機構
11a パイプ材
12、13 第1、第2加熱装置
13a〜13c 各段
14 干渉防止部材
16 パイロメータ
20 SiC単結晶
Claims (10)
- 反応室を構成する中空形状の加熱容器(8)と、
前記加熱容器内に配置された台座(9)と、
前記加熱容器の外周のうち前記台座と対応する位置に配置され、前記加熱容器を加熱する加熱装置(13)と、
前記台座を上方に引上げる引上機構(11)とを有し、
前記台座に対して炭化珪素単結晶基板からなる種結晶(5)を設置し、前記加熱装置にて前記台座の周囲を加熱しつつ前記種結晶の表面に炭化珪素の原料ガス(3a)を供給することで前記種結晶の表面に炭化珪素単結晶(20)を結晶成長させると共に、前記引上機構によって前記台座を引上げることで前記炭化珪素単結晶を長尺化させる炭化珪素単結晶の製造装置であって、
前記加熱装置は、加熱コイルによって構成されていると共に前記炭化珪素単結晶の成長方向において前記加熱コイルが多段(13a〜13c)に並べられた多段構造とされ、かつ、前記加熱コイルの各段が別々の電気回路によって駆動されることで独立して温度制御される構成とされていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記加熱コイルの各段の間には、前記各段を駆動するときの相互干渉を防止する干渉防止部材(14)が設置されていることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 反応室を構成する中空形状の加熱容器(8)と、
前記加熱容器内に配置された台座(9)と、
前記加熱容器の外周のうち前記台座と対応する位置に配置され、前記加熱容器を加熱する加熱装置(13)と、
前記台座を上方に引上げる引上機構(11)とを有する製造装置(1)を用いて、
前記台座に対して炭化珪素単結晶基板からなる種結晶(5)を設置し、前記加熱装置にて前記台座の周囲を加熱しつつ前記種結晶の表面に炭化珪素の原料ガス(3a)を供給することで前記種結晶の表面に炭化珪素単結晶(20)を結晶成長させると共に、前記引上機構によって前記台座を引上げることで前記炭化珪素単結晶を長尺化させる炭化珪素単結晶の製造方法であって、
前記加熱装置を加熱コイルによって構成すると共に前記炭化珪素単結晶の成長方向において前記加熱コイルを多段(13a〜13c)に並べられた多段構造とし、かつ、前記加熱コイルの各段を別々の電気回路によって駆動することで独立して温度制御できるように構成し、
前記炭化珪素単結晶の成長に合せて前記引上機構によって前記台座を引上げることで、前記炭化珪素単結晶の成長表面の高さを一定に保ちつつ、該炭化珪素単結晶の成長に合せて前記加熱コイルの各段を制御することを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。 - 前記種結晶の表面が前記多段のうち最も下方に位置する第1段(13a)と対応する位置に配置した状態で前記第1段(13a)を駆動して加熱を行いつつ前記炭化珪素単結晶を成長させ始め、前記炭化珪素単結晶が成長するに連れて前記多段のうちの下方から順に駆動電力を増大していくことを特徴とする請求項3に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記第1段(13a)を残りの段(13b、13c)よりも高い電力で駆動した状態で前記炭化珪素単結晶を成長させ始め、前記炭化珪素単結晶が成長するに連れて前記多段のうちの下方から順に駆動電力を増大させて前記第1段の駆動電力にすることを特徴とする請求項4に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記加熱コイルの各段の駆動周波数を異ならせることを特徴とする請求項3に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記加熱コイルの各段の間に、前記各段を駆動するときの相互干渉を防止する干渉防止部材(14)を設置することを特徴とする請求項3ないし6のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記SiC単結晶の成長表面と裏面および外周表面の温度測定を行い、該温度測定の結果に基づいて前記加熱コイルを制御することを特徴とする請求項3ないし7のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記加熱容器の外周のうち前記台座よりも下方の位置に配置された第1加熱装置(12)を備え、
前記加熱容器の外周のうち前記台座と対応する位置に配置された前記加熱装置を第2加熱装置として、前記第1加熱装置と前記第2加熱装置が独立して温度制御されることを特徴とする請求項1または2に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記加熱容器の外周のうち前記台座よりも下方の位置に第1加熱装置(12)を配置し、
前記加熱容器の外周のうち前記台座と対応する位置に配置された前記加熱装置を第2加熱装置として、前記第1加熱装置と前記第2加熱装置とを独立して温度制御することを特徴とする請求項3ないし8のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
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JP2012086574A JP5811012B2 (ja) | 2012-04-05 | 2012-04-05 | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 |
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