JP4924105B2 - 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 - Google Patents
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Description
種結晶(7)の結晶成長面は円形状であり、中心部用ガス導入管(4a)は、直径が種結晶の直径の1/2であって種結晶と同心の円(11)よりも内側の領域に配置されており、周辺部用ガス導入管(4b)は、円(11)よりも外側の領域に配置されており、
中心部用ガス導入管(4a)および周辺部用ガス導入管(4b)のガス噴出口(5c)と種結晶(7)との距離(L)は、5mm以上40mm以下であり、
中心部用ガス導入管(4a)と周辺部用ガス導入管(4b)は、横断面形状が同じ直径の円形状であり、種結晶(7)の直径のインチ数をNとした場合、中心部用ガス導入管(4a)は、1本以上5N本以下であって、周辺部用ガス導入管(4b)は2N本以上10N本以下であり、
中心部用ガス導入管(4a)および周辺部用ガス導入管(4b)は、それぞれのガス噴出口を構成する導入管の配管内径(d3、d4)が、2mm以上かつ種結晶(7)の直径(d2)の1/3以下の大きさであることを特徴としている。
図1に、本発明の第1実施形態におけるSiC単結晶製造装置の断面図を示す。
上側部分5aの上面(種結晶7側の面)5cに、混合ガスのガス噴出口が形成された状態となっている。
図5に、本発明の第2実施形態におけるガス噴出口の平面図を示す。なお、図5は、図2中のA−A矢視図に相当する。
(1)上記した各実施形態では、中心部用ガス導入管4aと周辺部用ガス導入管4bは、それぞれ、複数でなくても良く、ガス導入管4を、1本の中心部用ガス導入管4aと、1本の周辺部用ガス導入管4bとによって構成しても良い。この場合、中心部用ガス導入管4aおよび周辺部用ガス導入管4bの横断面形状を、それぞれ、図3中の中心部用ガス導入管4a同士を連結させ、周辺部用ガス導入管4b同士を連結させた形状としたり、周辺部用ガス導入管4bの内部に中心部用ガス導入管4aを配置した同心円形状としたりできる。
4a…中心部用ガス導入管、4b…周辺部用ガス導入管、
5…伝熱ブロック、6…坩堝、7…種結晶。
Claims (3)
- 原料ガスおよびキャリアガスの混合ガスを外部から導入して種結晶の表面上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
種結晶(7)の結晶成長面における中心部(7a)と前記中心部の周辺に位置する周辺部(7b)とのうち、前記中心部(7a)のみに前記混合ガスを導入するための中心部用ガス導入管(4a)と、
前記中心部(7a)と前記周辺部(7b)のうち前記周辺部(7b)のみに前記混合ガスを導入するための周辺部用ガス導入管(4b)とを備え、
前記中心部用ガス導入管(4a)は、そのガス噴出口が前記中心部に正対する位置に複数本配置されており、
前記周辺部用ガス導入管(4b)は、そのガス噴出口が前記周辺部に正対する位置に複数本配置されており、
前記中心部用ガス導入管(4a)を流れる前記混合ガスの流量と、前記周辺部用ガス導入管(4b)を流れる前記混合ガスの流量とが、それぞれ独立して調整されるようになっており、
前記種結晶(7)の前記結晶成長面は円形状であり、
前記中心部用ガス導入管(4a)は、直径が前記種結晶の直径の1/2であって前記種結晶と同心の円(11)よりも内側の領域に配置されており、
前記周辺部用ガス導入管(4b)は、前記円(11)よりも外側の領域に配置されており、
前記中心部用ガス導入管(4a)および前記周辺部用ガス導入管(4b)のガス噴出口(5c)と前記種結晶(7)との距離(L)は、5mm以上40mm以下であり、
前記中心部用ガス導入管(4a)と前記周辺部用ガス導入管(4b)は、横断面形状が同じ直径の円形状であり、
前記種結晶(7)の直径のインチ数をNとした場合、前記中心部用ガス導入管(4a)は、1本以上5N本以下であって、前記周辺部用ガス導入管(4b)は2N本以上10N本以下であり、
前記中心部用ガス導入管(4a)および前記周辺部用ガス導入管(4b)は、それぞれのガス噴出口を構成する導入管の配管内径(d3、d4)が、2mm以上かつ前記種結晶(7)の直径(d2)の1/3以下の大きさであることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記中心部用ガス導入管(4a)および前記周辺部用ガス導入管(4b)のガス噴出口側を所定間隔で保持する保持部材(5)を備え、
前記保持部材(5)は、前記中心部用ガス導入管(4a)および前記周辺部用ガス導入管(4b)の外径に応じた穴(5d)を複数有し、前記中心部用ガス導入管(4a)および前記周辺部用ガス導入管(4b)は、複数の前記穴(5d)にはめ込まれた状態で保持されており、
前記炭化珪素単結晶の成長中に、前記保持部材(5)からの熱伝達によって、前記中心部用ガス導入管(4a)および前記周辺部用ガス導入管(4b)を加熱するようになっていることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。 - 請求項1または2に記載の炭化珪素単結晶の製造装置を用いて、前記中心部用ガス導入管(4a)および前記周辺部用ガス導入管(4b)から前記混合ガスを前記種結晶(7)に導入して、前記種結晶(7)の表面上に炭化珪素単結晶(10)を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法であって、
前記炭化珪素単結晶(10)の成長時において、前記炭化珪素単結晶(10)の成長表面上での原料ガスの過飽和度が、前記成長表面の中央部で最も高い状態で維持されるように、前記炭化珪素単結晶の成長量の増大に伴って、前記中心部用ガス導入管(4a)および前記周辺部用ガス導入管(4b)を同時に流れる前記混合ガスの全流量に対しての前記中心部用ガス導入管(4a)を流れる前記混合ガスの流量割合を増大させながら、前記炭化珪素単結晶を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
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