JP5392169B2 - 炭化珪素単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。図1は、本実施形態に係るSiC単結晶製造装置1の断面構成図である。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してSiC単結晶6の成長工程を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して坩堝2を加熱する形態を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態は、第3実施形態に対してSiC単結晶6の成長工程を変更したものであり、その他に関しては第3実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第5実施形態について説明する。本実施形態は、第3実施形態に対して断熱材の構成を変更したものであり、その他に関しては第3実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第6実施形態について説明する。本実施形態は、第5実施形態に対してSiC単結晶6の成長工程を変更したものであり、その他に関しては第5実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。
上記各実施形態では、SiC単結晶製造装置1の例を挙げて説明したが、これらは単なる一例を示したに過ぎず、どのような構造のものを用いても構わない。すなわち、SiC単結晶6を成長させる際に、凸成長と凹成長を順番に、もしくは凹成長と凸成長を順番に行うようにすれば、SiC単結晶製造装置1の構成に関わらず、SiC単結晶6の中央部近辺と外縁部それぞれに圧縮応力と引張応力の両方を発生させることが可能となり、各部の応力緩和を行うことができる。これにより、SiC単結晶6に割れや歪みが発生することを防止することが可能となる。
2 坩堝
3 台座
4 種結晶
5 粉末原料
6 SiC単結晶
7 断熱材
8 回転昇降機構
9、10 誘導コイル
11、12 ヒータ
13 棒状部材
14 中間断熱材
Claims (3)
- 炭化珪素単結晶基板にて構成された種結晶(4)に対して炭化珪素の原料ガスを供給することにより、前記種結晶(4)の表面に炭化珪素単結晶(6)を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、
前記種結晶(4)の表面に前記炭化珪素単結晶(6)を中央部が外縁部よりも突き出す凸成長にて成長させたのち、引き続き、前記炭化珪素単結晶(6)を中央部が外縁部よりも凹む凹成長にて成長させることにより、前記炭化珪素単結晶(6)を成長させ、
前記凸成長後に前記凹成長を行ったのち、さらに前記凸成長と前記凹成長を繰り返し行うことにより、前記炭化珪素単結晶(6)を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。 - 前記凹成長の際の前記炭化珪素単結晶の中央部と外縁部との段差を1mm以下とすることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記炭化珪素単結晶(6)の成長空間を加熱装置(9〜12)によって加熱しつつ、前記炭化珪素単結晶(6)の成長面を前記種結晶(4)の表面に対して垂直方向上方に移動させることにより、前記加熱装置(9〜12)に対する前記炭化珪素単結晶(6)の成長表面を移動させ、前記凸成長から前記凹成長に切り替える、または前記凹成長から前記凸成長に切り替えることを特徴とする請求項1または2に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
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