JP4735622B2 - 炭化珪素単結晶の製造装置 - Google Patents
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Description
以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。図1は、本発明の第1実施形態にかかるSiC単結晶製造装置の断面構成を示したものである。この図に示されるように、SiC単結晶製造装置は、有底円筒状の容器本体10と、円形状の蓋体20と、これら容器本体10と蓋体20とによって構成された黒鉛製の坩堝1を備えている。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態のSiC単結晶製造装置は、第1実施形態に対して円筒部23bの構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。
Claims (3)
- 有底円筒状の容器本体(10)と当該容器本体(10)を蓋閉めするための蓋体(20)とを有した中空状の円柱形状をなす坩堝(1)を有し、前記蓋体(20)に炭化珪素基板からなる種結晶(40)を配置すると共に前記容器本体(10)に炭化珪素原料(50)を配置し、前記炭化珪素原料(50)の昇華ガスを供給することにより、前記種結晶(40)上に炭化珪素単結晶(70)を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
前記蓋体(20)は、
中空筒状の側壁部(21)と、
一面側に前記種結晶(40)が配置されると共に、前記種結晶(40)が前記側壁部(21)の中空部分に収納されるように前記側壁部(21)の開口端の一方に取り付けられる蓋材(22)と、
円盤状部材にて構成され、前記種結晶(40)が差し込まれる貫通した窓部(23c)を有しており、前記円盤状部材の側面が前記側壁部(21)の内壁に一体化される支持板(23a)と、
前記側壁部(21)の内側に配置され、中空部を有する円筒状をなしており、前記中空部内が成長空間領域(60)とされて前記昇華ガスが供給されるようになっており、前記支持板(23a)のうち前記蓋材(22)に対向する面とは反対側の面と結合された円筒部(23b)と、
前記円筒部(23b)の内壁面に備えられた円筒状の炭化タンタルリング(24)と、を備え、
前記炭化タンタルリング(24)は、前記円筒部(23b)のうち前記支持板(23a)と結合された端部から所定距離離間して配置されていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記円筒部(23b)の内壁面には段付部(23d)が構成され、該段付部(23d)により前記円筒部(23b)の内径が拡大されており、この内径が拡大された部分に前記炭化タンタルリング(24)が配置されていることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記炭化タンタルリング(24)は、前記円筒部(23b)のうち前記支持板(23a)と結合される端部とは反対側となる他端から突出していることを特徴とする請求項1または2に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
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