JP2009051699A - 炭化珪素単結晶の製造装置 - Google Patents
炭化珪素単結晶の製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009051699A JP2009051699A JP2007221126A JP2007221126A JP2009051699A JP 2009051699 A JP2009051699 A JP 2009051699A JP 2007221126 A JP2007221126 A JP 2007221126A JP 2007221126 A JP2007221126 A JP 2007221126A JP 2009051699 A JP2009051699 A JP 2009051699A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- ring
- tac
- cylindrical
- silicon carbide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【解決手段】TaCリング24にて遮蔽部23の円筒部23bの内壁面を全面覆うのではなく、TaCリング24が支持板23aから所定距離離れた位置に配置されるようにしている。これにより、TaCリング24の輻射熱を抑制することが可能となる。このため、TaCリング24による輻射熱の影響でSiC単結晶70の成長表面の温度分布にバラツキが生じること、具体的には円筒部23bと坩堝1の中心軸との間の温度勾配が大きくなることを抑制できる。これにより、SiC単結晶70の口径拡大に伴って凸形状となることを防止でき、SiC単結晶70が割れることを防止できる。
【選択図】図1
Description
以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。図1は、本発明の第1実施形態にかかるSiC単結晶製造装置の断面構成を示したものである。この図に示されるように、SiC単結晶製造装置は、有底円筒状の容器本体10と、円形状の蓋体20と、これら容器本体10と蓋体20とによって構成された黒鉛製の坩堝1を備えている。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態のSiC単結晶製造装置は、第1実施形態に対して円筒部23bの構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。
Claims (3)
- 有底円筒状の容器本体(10)と当該容器本体(10)を蓋閉めするための蓋体(20)とを有した中空状の円柱形状をなす坩堝(1)を有し、前記蓋体(20)に炭化珪素基板からなる種結晶(40)を配置すると共に前記容器本体(10)に炭化珪素原料(50)を配置し、前記炭化珪素原料(50)の昇華ガスを供給することにより、前記種結晶(40)上に炭化珪素単結晶(70)を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
前記蓋体(20)は、
中空筒状の側壁部(21)と、
一面側に前記種結晶(40)が配置されると共に、前記種結晶(40)が前記側壁部(21)の中空部分に収納されるように前記側壁部(21)の開口端の一方に取り付けられる蓋材(22)と、
円盤状部材にて構成され、前記種結晶(40)が差し込まれる貫通した窓部(23c)を有しており、前記円盤状部材の側面が前記側壁部(21)の内壁に一体化される支持板(23a)と、
前記側壁部(21)の内側に配置され、中空部を有する円筒状をなしており、前記中空部内が成長空間領域(60)とされて前記昇華ガスが供給されるようになっており、前記支持板(23a)のうち前記蓋材(22)に対向する面とは反対側の面と結合された円筒部(23b)と、
前記円筒部(23b)の内壁面に備えられた円筒状の炭化タンタルリング(24)と、を備え、
前記炭化タンタルリング(24)は、前記円筒部(23b)のうち前記支持板(23a)と結合された端部から所定距離離間して配置されていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記円筒部(23b)の内壁面には段付部(23d)が構成され、該段付部(23d)により前記円筒部(23b)の内径が拡大されており、この内径が拡大された部分に前記炭化タンタルリング(24)が配置されていることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記炭化タンタルリング(24)は、前記円筒部(23b)のうち前記支持板(23a)と結合される端部とは反対側となる他端から突出していることを特徴とする請求項1または2に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007221126A JP4735622B2 (ja) | 2007-08-28 | 2007-08-28 | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007221126A JP4735622B2 (ja) | 2007-08-28 | 2007-08-28 | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009051699A true JP2009051699A (ja) | 2009-03-12 |
JP4735622B2 JP4735622B2 (ja) | 2011-07-27 |
Family
ID=40503117
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007221126A Active JP4735622B2 (ja) | 2007-08-28 | 2007-08-28 | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4735622B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011011926A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000219595A (ja) * | 1999-01-28 | 2000-08-08 | Shikusuon:Kk | 坩堝、結晶成長装置、および、結晶成長方法 |
JP2001526163A (ja) * | 1997-12-11 | 2001-12-18 | ノースロップ グラマン コーポレーション | 高純度単結晶炭化ケイ素を成長させる方法及び装置 |
JP2002060297A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-02-26 | Agency Of Ind Science & Technol | 単結晶の成長装置および成長方法 |
JP2003511337A (ja) * | 1999-10-08 | 2003-03-25 | クリー インコーポレイテッド | 炭化珪素結晶を成長させる方法及びその装置 |
JP2005225710A (ja) * | 2004-02-12 | 2005-08-25 | Denso Corp | SiC単結晶の製造方法およびSiC単結晶の製造装置 |
-
2007
- 2007-08-28 JP JP2007221126A patent/JP4735622B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001526163A (ja) * | 1997-12-11 | 2001-12-18 | ノースロップ グラマン コーポレーション | 高純度単結晶炭化ケイ素を成長させる方法及び装置 |
JP2000219595A (ja) * | 1999-01-28 | 2000-08-08 | Shikusuon:Kk | 坩堝、結晶成長装置、および、結晶成長方法 |
JP2003511337A (ja) * | 1999-10-08 | 2003-03-25 | クリー インコーポレイテッド | 炭化珪素結晶を成長させる方法及びその装置 |
JP2002060297A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-02-26 | Agency Of Ind Science & Technol | 単結晶の成長装置および成長方法 |
JP2005225710A (ja) * | 2004-02-12 | 2005-08-25 | Denso Corp | SiC単結晶の製造方法およびSiC単結晶の製造装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011011926A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4735622B2 (ja) | 2011-07-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4275308B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法およびその製造装置 | |
JP5271601B2 (ja) | 単結晶の製造装置及び製造方法 | |
JP3792699B2 (ja) | SiC単結晶の製造方法およびSiC単結晶の製造装置 | |
JP5392169B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP5659381B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 | |
JP2008290903A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 | |
JP5240100B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 | |
JP5544988B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP2009051701A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置およびその製造方法 | |
JP2009091173A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 | |
JP4238450B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置 | |
JP2011136903A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 | |
JPH11268990A (ja) | 単結晶の製造方法および製造装置 | |
JP4766022B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 | |
JP4735622B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 | |
JP5516167B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 | |
KR101724291B1 (ko) | 역 승화법을 이용한 탄화규소 단결정 성장장치 | |
KR101747686B1 (ko) | 단결정 성장용 도가니 및 이를 이용한 단결정 성장용 종자결정의 부착 방법 | |
JP5602093B2 (ja) | 単結晶の製造方法および製造装置 | |
JP4962186B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 | |
JP2011207691A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置および炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP4831041B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 | |
JP4957672B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置の製造方法および炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP5783230B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP5287675B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091019 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110324 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110329 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110411 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4735622 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140513 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |