JP2009091173A - 炭化珪素単結晶の製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】環状ひさし部25を覆うようにTaCコーティング26を形成する。これにより、昇華ガスによって環状ひさし部25や支持板23aの裏面が侵食されて穴が開くことを防止できる。また、環状ひさし部25の内壁面もTaCコーティング26で覆うようにしているため、ここからの昇華ガスによる侵食も防止できる。これにより、SiC単結晶70の口径が拡大され過ぎることを防止でき、SiC単結晶70を長尺成長させることが可能となる。
【選択図】図1
Description
以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。図1は、本発明の第1実施形態にかかるSiC単結晶製造装置の断面構成を示したものである。この図に示されるように、SiC単結晶製造装置は、有底円筒状の容器本体10と、円形状の蓋体20と、によって構成された黒鉛製の坩堝1を備えている。
本発明の第2実施形態について説明する。上記第1実施形態では、環状ひさし部25を備えた構造としているが、環状ひさし部25を無くしても良い。図2は、本実施形態にかかるSiC単結晶製造装置の断面構成図である。
本発明の第3実施形態について説明する。上記第1、第2実施形態では、環状ひさし部25もしくは支持板23aの裏面にTaCコーティング26を備える構造としたが、TaCコーティング26に代えて、SiCコーティングを備える構造とすることも可能である。図3は、本実施形態にかかるSiC単結晶製造装置の断面構成図である。
上記実施形態では、環状ひさし部25を支持板23aと別部材により構成したが、これらを一体成形しても良い。
Claims (8)
- 有底円筒状の容器本体(10)と当該容器本体(10)を蓋閉めするための蓋体(20)とを有した中空状の円柱形状をなす坩堝(1)を有し、前記蓋体(20)に炭化珪素基板からなる種結晶(40)を配置すると共に前記容器本体(10)に炭化珪素原料(50)を配置し、前記炭化珪素原料(50)の昇華ガスを供給することにより、前記種結晶(40)上に炭化珪素単結晶(70)を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
前記蓋体(20)は、
中空筒状の側壁部(21)と、
一面側に前記種結晶(40)が配置されると共に、前記種結晶(40)が前記側壁部(21)の中空部分に収納されるように前記側壁部(21)の開口端の一方に取り付けられる蓋材(22)と、
円盤状部材にて構成され、前記種結晶(40)が差し込まれる貫通した窓部(23c)を有しており、前記円盤状部材の側面が前記側壁部(21)の内壁に一体化される支持板(23a)と、
前記側壁部(21)の内側に配置され、中空部を有する円筒状をなしており、前記中空部内が成長空間領域(60)とされて前記昇華ガスが供給されるようになっており、前記支持板(23a)のうち前記蓋材(22)に対向する面とは反対側の面と結合された円筒部(23b)と、
前記支持板(23a)のうち前記円筒部(23b)が結合される側と反対側となる裏面に、前記窓部(23c)を囲むように形成された炭化タンタルコーティング(26)と、を備えていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記支持板(23a)の前記裏面には、前記種結晶(40)が差し込まれる貫通した窓部(25a)が形成された円環状の環状ひさし部(25)が備えられており、
前記炭化タンタルコーティング(26)は、前記環状ひさし部(25)のうち少なくとも前記支持板(23a)と反対側の面を覆うように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記環状ひさし部(25)は前記支持板(23a)と一体成形されていることを特徴とする請求項2に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記炭化タンタルコーティング(26)は、前記環状ひさし部(25)の前記窓部(25a)の内壁面も覆っていることを特徴とする請求項2または3に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 有底円筒状の容器本体(10)と当該容器本体(10)を蓋閉めするための蓋体(20)とを有した中空状の円柱形状をなす坩堝(1)を有し、前記蓋体(20)に炭化珪素基板からなる種結晶(40)を配置すると共に前記容器本体(10)に炭化珪素原料(50)を配置し、前記炭化珪素原料(50)の昇華ガスを供給することにより、前記種結晶(40)上に炭化珪素単結晶(70)を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
前記蓋体(20)は、
中空筒状の側壁部(21)と、
一面側に前記種結晶(40)が配置されると共に、前記種結晶(40)が前記側壁部(21)の中空部分に収納されるように前記側壁部(21)の開口端の一方に取り付けられる蓋材(22)と、
円盤状部材にて構成され、前記種結晶(40)が差し込まれる貫通した窓部(23c)を有しており、前記円盤状部材の側面が前記側壁部(21)の内壁に一体化される支持板(23a)と、
前記側壁部(21)の内側に配置され、中空部を有する円筒状をなしており、前記中空部内が成長空間領域(60)とされて前記昇華ガスが供給されるようになっており、前記支持板(23a)のうち前記蓋材(22)に対向する面とは反対側の面と結合された円筒部(23b)と、
前記支持板(23a)のうち前記円筒部(23b)が結合される側と反対側となる裏面に、前記窓部(23c)を囲むように形成された炭化珪素コーティング(27)と、を備えていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記支持板(23a)の前記裏面には、前記種結晶(40)が差し込まれる貫通した窓部(25a)が形成された円環状の環状ひさし部(25)が備えられており、
前記炭化珪素コーティング(27)は、前記環状ひさし部(25)のうち少なくとも前記支持板(23a)と反対側の面を覆うように形成されていることを特徴とする請求項5に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記環状ひさし部(25)は前記支持板(23a)と一体成形されていることを特徴とする請求項6に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記炭化珪素コーティング(27)は、前記環状ひさし部(25)の前記窓部(25a)の内壁面も覆っていることを特徴とする請求項6または7に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
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