JP2007077017A - 単結晶の成長装置および成長方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 るつぼ8に収容した原料粉末7上方の空間を囲むように、テーパ状のガイド部材6を設けて、その下端を炭化珪素原料粉末7近傍のるつぼ8内壁に固定し、上端を蓋体1に固定した炭化珪素単結晶基板3の近傍に開口させて、原料の昇華ガスを炭化珪素単結晶基板3表面に誘導し、結晶成長を促進する。ガイド部材6の上端側端面および内外周面は、炭化珪素単結晶基板3、種結晶支持部2、蓋体1下面、るつぼ8内壁のいずれとも接触しておらず、昇華ガスの一部がこれらの隙間から外部へ流出することによって、成長する炭化珪素単結晶5がガイド部材6に接触して、応力を受けることが防止され、高品質な単結晶を大口径で得ることができる。
【選択図】 図1
Description
2種結晶支持部
3炭化珪素単結晶基板(種結晶)
4炭化珪素多結晶
5炭化珪素単結晶
6ガイド部材
7原料粉末
8るつぼ
9単結晶成長装置
Claims (18)
- 容器内に成長させる単結晶の原料を収容し、該原料に対向する容器内壁面の一部を上記原料側に突出させて種結晶を支持する種結晶支持部となし、上記原料を加熱昇華させて上記種結晶上に単結晶を成長させる装置において、上記種結晶と上記原料の間に、一端が上記種結晶の近傍に位置して該一端側外周側面とその径方向外方に位置する上記容器内側壁との間に空間を形成し他端が上記原料の近傍の上記容器内側壁に支持固定される筒状部材を設けて、上記原料の昇華ガスを上記種結晶表面へ導くとともに、その内部を上記単結晶の成長空間とするガイド部材となし、かつ上記ガイド部材の上記一端側端面および内外周側面が、上記種結晶、上記種結晶支持部、上記種結晶支持部を有する上記容器内壁面、および上記容器内側壁のいずれとも接触せず、上記一端側における外周縁部と上記容器内側壁との距離が5mm以上となるように配置したことを特徴とする単結晶の成長装置。
- 容器内に成長させる単結晶の原料を収容し、該原料に対向する容器内壁面の一部を上記原料側に突出させて種結晶を支持する種結晶支持部となし、上記原料を加熱昇華させて上記種結晶上に単結晶を成長させる装置において、上記種結晶と上記原料の間に、一端が上記種結晶の近傍に位置して該一端側外周側面とその径方向外方に位置する上記容器内側壁との間に空間を形成し他端が上記原料の近傍の上記容器内側壁に支持固定される筒状部材を設けて、上記原料の昇華ガスを上記種結晶表面へ導くとともに、その内部を上記単結晶の成長空間とするガイド部材となし、かつ上記ガイド部材の上記一端側端面および内外周側面が、上記種結晶、上記種結晶支持部、上記種結晶支持部を有する上記容器内壁面、および上記容器内側壁のいずれとも接触せず、上記一端側における外周縁部と上記容器内側壁との距離および上記一端側端面と上記種結晶支持部を有する上記容器内壁面との距離がそれぞれ5mm以上となるように配置したことを特徴とする単結晶の成長装置。
- 容器内に成長させる単結晶の原料を収容し、該原料に対向する容器内壁面の一部を上記原料側に突出させて種結晶を支持する種結晶支持部となし、上記原料を加熱昇華させて上記種結晶上に単結晶を成長させる装置において、上記種結晶と上記原料の間に、一端が上記種結晶の近傍に位置して該一端側外周側面とその径方向外方に位置する上記容器内側壁との間に空間を形成し他端が上記原料の近傍の上記容器内側壁に支持固定される筒状部材を設けて、上記原料の昇華ガスを上記種結晶表面へ導くとともに、その内部を上記単結晶の成長空間とするガイド部材となし、上記ガイド部材の上記一端側端面および内外周側面が、上記種結晶、上記種結晶支持部、上記種結晶支持部を有する上記容器内壁面、および上記容器内側壁のいずれとも接触せず、上記一端側における外周縁部と上記容器内側壁との距離が5mm以上となるように配置するとともに、上記一端側の開口内径を、上記種結晶支持部および上記種結晶のいずれの外径よりも大きくして、上記一端側の開口内周縁と上記種結晶支持部側壁および上記種結晶外周面との距離が0.5mm以上5mm以下となるように配置したことを特徴とする単結晶の成長装置。
- 容器内に成長させる単結晶の原料を収容し、該原料に対向する容器内壁面の一部を上記原料側に突出させて種結晶を支持する種結晶支持部となし、上記原料を加熱昇華させて上記種結晶上に単結晶を成長させる装置において、上記種結晶と上記原料の間に、一端が上記種結晶の近傍に位置して該一端側外周側面とその径方向外方に位置する上記容器内側壁との間に空間を形成し他端が上記原料の近傍の上記容器内側壁に支持固定される筒状部材を設けて、上記原料の昇華ガスを上記種結晶表面へ導くとともに、その内部を上記単結晶の成長空間とするガイド部材となし、上記ガイド部材の上記一端側端面および内外周側面が、上記種結晶、上記種結晶支持部、上記種結晶支持部を有する上記容器内壁面、および上記容器内側壁のいずれとも接触せず、上記一端側における外周縁部と上記容器内側壁との距離および上記一端側端面と上記種結晶支持部を有する上記容器内壁面との距離がそれぞれ5mm以上となるように配置するとともに、上記一端側の開口内径を、上記種結晶支持部および上記種結晶のいずれの外径よりも大きくして、上記一端側の開口内周縁と上記種結晶支持部側壁および上記種結晶外周面との距離が0.5mm以上5mm以下となるように配置したことを特徴とする単結晶の成長装置。
- 上記ガイド部材の内壁で囲まれる上記単結晶の成長空間を、一定径、または上記種結晶側から上記原料側へ向けて拡径する形状とした請求項1ないし4のいずれか記載の単結晶の成長装置。
- 上記ガイド部材の中心軸に対する上記内壁の傾斜角度を上記単結晶成長空間の径の拡がり角度とした時に、該拡がり角度が45度以下である請求項5記載の単結晶の成長装置。
- 上記ガイド部材が材質の異なる内層と外層からなる内外2層構造を有する請求項1ないし6のいずれか記載の単結晶の成長装置。
- 上記単結晶が炭化珪素単結晶である請求項1ないし7のいずれか記載の単結晶の成長装置。
- 上記ガイド部材の内層の材質が炭化珪素であり、上記単結晶が炭化珪素単結晶である請求項7記載の単結晶の成長装置。
- 容器内に成長させる単結晶の原料を収容し、該原料に対向する容器内壁面の一部を上記原料側に突出させて種結晶を支持する種結晶支持部となし、上記原料を加熱昇華させて上記種結晶上に単結晶を成長させる方法において、上記種結晶と上記原料の間に、一端が上記種結晶の近傍に位置して該一端側外周側面とその径方向外方に位置する上記容器内側壁との間に空間を形成し他端が上記原料の近傍の上記容器内側壁に支持固定される筒状ガイド部材を設けて、上記一端側端面および内外周側面が上記種結晶、上記種結晶支持部、上記種結晶支持部を有する上記容器内壁面、および上記容器内側壁のいずれとも接触せず、かつ上記一端側における外周縁部と上記容器内側壁との距離が5mm以上となるように配置し、上記原料の昇華ガスを上記種結晶表面へ導くとともに、上記ガイド部材の内部に上記単結晶の成長空間を形成することを特徴とする単結晶の成長方法。
- 容器内に成長させる単結晶の原料を収容し、該原料に対向する容器内壁面の一部を上記原料側に突出させて種結晶を支持する種結晶支持部となし、上記原料を加熱昇華させて上記種結晶上に単結晶を成長させる方法において、上記種結晶と上記原料の間に、一端が上記種結晶の近傍に位置して該一端側外周側面とその径方向外方に位置する上記容器内側壁との間に空間を形成し他端が上記原料の近傍の上記容器内側壁に支持固定される筒状ガイド部材を設けて、上記一端側端面および内外周側面が上記種結晶、上記種結晶支持部、上記種結晶支持部を有する上記容器内壁面、および上記容器内側壁のいずれとも接触せず、かつ上記一端側における外周縁部と上記容器内側壁との距離および上記一端側端面と上記種結晶支持部を有する上記容器内壁面との距離がそれぞれ5mm以上となるように配置し、上記原料の昇華ガスを上記種結晶表面へ導くとともに、上記ガイド部材の内部に上記単結晶の成長空間を形成することを特徴とする単結晶の成長方法。
- 容器内に成長させる単結晶の原料を収容し、該原料に対向する容器内壁面の一部を上記原料側に突出させて種結晶を支持する種結晶支持部となし、上記原料を加熱昇華させて上記種結晶上に単結晶を成長させる方法において、上記種結晶と上記原料の間に、一端が上記種結晶の近傍に位置して該一端側外周側面とその径方向外方に位置する上記容器内側壁との間に空間を形成し他端が上記原料の近傍の上記容器内側壁に支持固定される筒状ガイド部材を設けて、上記一端側端面および内外周側面が上記種結晶、上記種結晶支持部、上記種結晶支持部を有する上記容器内壁面、および上記容器内側壁のいずれとも接触せず、かつ上記一端側における外周縁部と上記容器内側壁との距離が5mm以上となるように配置するとともに、上記一端側の開口内径を、上記種結晶支持部および上記種結晶のいずれの外径よりも大きくして、上記一端側の開口内周縁と上記種結晶支持部外周面および上記種結晶外周面との距離が0.5mm以上5mm以下となるように配置し、上記原料の昇華ガスを上記種結晶表面へ導くとともに、上記ガイド部材の内部に上記単結晶の成長空間を形成することを特徴とする単結晶の成長方法。
- 容器内に成長させる単結晶の原料を収容し、該原料に対向する容器内壁面の一部を上記原料側に突出させて種結晶を支持する種結晶支持部となし、上記原料を加熱昇華させて上記種結晶上に単結晶を成長させる方法において、上記種結晶と上記原料の間に、一端が上記種結晶の近傍に位置して該一端側外周側面とその径方向外方に位置する上記容器内側壁との間に空間を形成し他端が上記原料の近傍の上記容器内側壁に支持固定される筒状ガイド部材を設けて、上記一端側端面および内外周側面が上記種結晶、上記種結晶支持部、上記種結晶支持部を有する上記容器内壁面、および上記容器内側壁のいずれとも接触せず、かつ上記一端側における外周縁部と上記容器内側壁との距離および上記一端側端面と上記種結晶支持部を有する上記容器内壁面との距離がそれぞれ5mm以上となるように配置するとともに、上記一端側の開口内径を、上記種結晶支持部および上記種結晶のいずれの外径よりも大きくして、上記一端側の開口内周縁と上記種結晶支持部外周面および上記種結晶外周面との距離が0.5mm以上5mm以下となるように配置し、上記原料の昇華ガスを上記種結晶表面へ導くとともに、上記ガイド部材の内部に上記単結晶の成長空間を形成することを特徴とする単結晶の成長方法。
- 上記ガイド部材の内壁で囲まれる上記単結晶の成長空間を、一定径、または上記種結晶側から上記原料側へ向けて拡径する形状とした請求項11ないし13のいずれか記載の単結晶の成長方法。
- 上記ガイド部材の中心軸に対する上記内壁の傾斜角度を上記成長空間の径の拡がり角度とした時に、該拡がり角度が45度以下である請求項14記載の単結晶の成長方法。
- 上記ガイド部材が材質の異なる内層と外層からなる内外2層構造を有する請求項11ないし15のいずれか記載の単結晶の成長方法。
- 上記単結晶が炭化珪素単結晶である請求項11ないし16のいずれか記載の単結晶の成長方法。
- 上記ガイド部材の内層の材質が炭化珪素であり、上記単結晶が炭化珪素単結晶である請求項16記載の単結晶の成長方法。
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