JP5012655B2 - 単結晶成長装置 - Google Patents
単結晶成長装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5012655B2 JP5012655B2 JP2008129417A JP2008129417A JP5012655B2 JP 5012655 B2 JP5012655 B2 JP 5012655B2 JP 2008129417 A JP2008129417 A JP 2008129417A JP 2008129417 A JP2008129417 A JP 2008129417A JP 5012655 B2 JP5012655 B2 JP 5012655B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- polycrystal
- separation guide
- crystal growth
- crucible
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Description
多結晶の析出により単結晶多結晶分離用ガイド下端のガス経路が塞がれると、単結晶多結晶分離用ガイド内壁に多結晶が析出しやすくなる。また、多結晶の析出により単結晶多結晶分離用ガイドと単結晶との間のガス経路が塞がれると、分離用ガイドの内側で原料ガスの対流が生じたり、その原料ガスの対流により分離用ガイドがエッチングされ分離用ガイドに穴が開いたりして、原料ガスが単結晶成長に寄与しない単結晶多結晶分離用ガイドの外側に流れてしまうことがあった。
このように、特許文献2に示された単結晶成長方法においても、単結晶の長尺化が阻害される場合があった。
図1は、この発明を実施するための実施の形態1における単結晶成長装置の主要部を示す断面模式図である。図1において、外形が円筒形でグラファイト製の坩堝10の一方には、掘り込み部とその開口部が形成されており、開口部から見て掘り込み部の奥側には、原料を充填するための、その内径が掘り込み部の内径より小さい充填部13が形成されている。掘り込み部の内径と充填部13の内径には差があるため、掘り込み部と充填部13の境界には放射面15と呼ぶ面ができる。
また、開口部は、坩堝10の外形と同程度の外径のグラファイト製の蓋体20により被蓋されており、蓋体20の中央部には、坩堝10の奥側に向けて種結晶を固定するための突起物である台座21が形成されている。台座21の外径は、充填部13の内径と等しく形成されている。
ここで、坩堝10と蓋体20と単結晶多結晶分離用ガイド30とは全て坩堝10の中心の軸1を中心に上部から見て対称の形状を有している。
まず、図2に示すように蓋体20の台座21の先端に単結晶炭化珪素の種結晶40を取り付ける。つづいて、図3に示すように、充填部13に炭化珪素原料50を充填する。また、種結晶40を取り付けた蓋体20で坩堝10に蓋をする。
つづいて、図3に示した単結晶成長装置の主要部を真空引きし、高純度アルゴン(Ar)ガスで置換する。次に、高純度アルゴンガス雰囲気下に設置された図3に示した単結晶成長装置の主要部を、図示しない誘導コイルなどの加熱手段により加熱する。このとき、炭化珪素原料50が充填された充填部13の温度が炭化珪素の昇華する温度(2000〜2500℃)となるようにし、種結晶40を取り付けた蓋体20の温度を炭化珪素原料50の温度より低く設定する。Ar雰囲気の圧力を減圧することにより、炭化珪素原料50が昇華したガスが種結晶40部に届くようになり、単結晶成長が始まる。
また、本実施の形態においては、充填部13の周囲に設けられた放射面15が水平である例を示したが、放射面15は水平である必要はなく傾斜していてもよい。放射面15の傾斜が単結晶多結晶分離用ガイド30の傾斜に近づくような傾斜であると、放射面15と単結晶多結晶分離用ガイド30の下面とがより対向するので、より好ましい。
図5は、この発明を実施するための実施の形態2における、単結晶成長中の単結晶成長装置の主要部を示す断面模式図である。図5において、坩堝10の掘り込み部と充填部13の内径が同じであり、充填部13の上部にはグラファイト製の原料ガス整流ガイド31が設けられている。原料ガス整流ガイド31の上側の面は、放射面15であり、単結晶多結晶分離用ガイド30に対向して形成されている。これら以外は、実施の形態1と同様であるので説明を省略する。ここで、原料ガス整流ガイド31は坩堝10の中心軸を中心に上部から見て点対称の形状を有しており、原料ガス整流ガイド31の最上部の開口径は種結晶40が設置される台座21の径と等しい。また、本実施の形態における単結晶成長方法は、本実施の形態の単結晶成長装置を用いて実施の形態1と同様に行うものである。
図6は、この発明を実施するための実施の形態3における、単結晶成長中の単結晶成長装置の主要部を示す断面模式図である。図6において、実施の形態2の図5の単結晶多結晶分離用ガイド30が折り返し構造部32を備えていることのほかは図5と同じである。また、その単結晶成長方法も実施の形態2と同様である。単結晶多結晶分離ガイド30の折り返し構造部32は、軸1に対してほぼ全周に設けられ、真空引きのための経路以外には円周方向に隙間はないものとする。
Claims (2)
- 原料を充填する充填部を有する坩堝と、
前記坩堝の蓋となる蓋体と、
前記蓋体に前記充填部に対向して設けられた、種結晶を取り付ける台座と、
前記坩堝から前記台座に向けて設けられた単結晶多結晶分離用ガイドと、
前記単結晶多結晶分離用ガイドに対向して設けられ、前記単結晶多結晶分離用ガイドを下方から放射加熱する放射面とを備え、
充填部の内径は、台座の径以下であることを特徴とする単結晶成長装置。 - 放射面は、充填部の周囲に設けられることを特徴とする請求項1に記載の単結晶成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008129417A JP5012655B2 (ja) | 2008-05-16 | 2008-05-16 | 単結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008129417A JP5012655B2 (ja) | 2008-05-16 | 2008-05-16 | 単結晶成長装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012123429A Division JP5397503B2 (ja) | 2012-05-30 | 2012-05-30 | 単結晶成長装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009274933A JP2009274933A (ja) | 2009-11-26 |
JP5012655B2 true JP5012655B2 (ja) | 2012-08-29 |
Family
ID=41440696
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008129417A Active JP5012655B2 (ja) | 2008-05-16 | 2008-05-16 | 単結晶成長装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5012655B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013133273A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Fujikura Ltd | 単結晶製造装置および単結晶の製造方法 |
JP5699963B2 (ja) * | 2012-02-16 | 2015-04-15 | 三菱電機株式会社 | 単結晶の製造方法および製造装置 |
JP5582585B2 (ja) * | 2012-04-25 | 2014-09-03 | 國防部軍備局中山科學研究院 | るつぼ |
WO2014017648A1 (ja) * | 2012-07-27 | 2014-01-30 | 京セラ株式会社 | 坩堝、結晶成長装置および結晶成長方法 |
US10801126B2 (en) | 2013-09-06 | 2020-10-13 | Gtat Corporation | Method for producing bulk silicon carbide |
US20150132486A1 (en) * | 2013-11-12 | 2015-05-14 | Chung-Shan Institute of Science and Technology, Armaments Bureau, Ministry of National Defence | Vapor deposition apparatus and method using the same |
JP6237248B2 (ja) * | 2014-01-15 | 2017-11-29 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
JP7305818B1 (ja) | 2022-01-26 | 2023-07-10 | 國家中山科學研究院 | 炭化ケイ素単結晶成長の熱場調整方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4503736B2 (ja) * | 1999-08-31 | 2010-07-14 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 単結晶の製造方法およびその装置 |
JP3961750B2 (ja) * | 2000-08-21 | 2007-08-22 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 単結晶の成長装置および成長方法 |
JP2007204309A (ja) * | 2006-02-01 | 2007-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 単結晶成長装置及び単結晶成長方法 |
JP4692394B2 (ja) * | 2006-05-31 | 2011-06-01 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 |
-
2008
- 2008-05-16 JP JP2008129417A patent/JP5012655B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009274933A (ja) | 2009-11-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5012655B2 (ja) | 単結晶成長装置 | |
JP3961750B2 (ja) | 単結晶の成長装置および成長方法 | |
JP4388538B2 (ja) | 炭化珪素単結晶製造装置 | |
JP5271601B2 (ja) | 単結晶の製造装置及び製造方法 | |
JP2010514648A (ja) | マイクロパイプ・フリーの炭化ケイ素およびその製造方法 | |
JP2004323351A (ja) | 気相成長法による単結晶の製造装置および製造法 | |
JP5346821B2 (ja) | 炭化ケイ素単結晶の製造装置 | |
JP5240100B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 | |
JP5397503B2 (ja) | 単結晶成長装置 | |
JP4459211B2 (ja) | 単結晶の成長装置および成長方法 | |
JP5143139B2 (ja) | 単結晶成長装置 | |
JP5732288B2 (ja) | 自立基板の製造方法 | |
JP4197178B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
JP3843615B2 (ja) | 単結晶成長装置 | |
JP7170470B2 (ja) | 単結晶成長用坩堝及び単結晶成長方法 | |
JP5516167B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 | |
JP2010076990A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置及び炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP4850807B2 (ja) | 炭化珪素単結晶育成用坩堝、及びこれを用いた炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP5252495B2 (ja) | 窒化アルミニウム単結晶の製造方法 | |
JP2010275166A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
WO2022045291A1 (ja) | SiC多結晶体の製造方法 | |
WO2022004703A1 (ja) | SiC結晶の製造方法 | |
JP7305818B1 (ja) | 炭化ケイ素単結晶成長の熱場調整方法 | |
JP5287675B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 | |
JP2000044396A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100120 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110620 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110705 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110823 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120508 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120521 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150615 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5012655 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150615 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |