JP5582585B2 - るつぼ - Google Patents
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Description
Vapor Transport、PVT)や物理蒸着法(Physical
Vapor Deposition、PVD)により、結晶成長させるが、結晶成長法は、上記によって制限されることない。るつぼ1は、成長室10と保持器20、反射装置30及び複数の気体導引装置40が備えられる。
10 成長室
20 保持器
30 反射装置
40、40a、40b、40c 気体導引装置
90 種晶
91 材料の源
A 設置角度
L 熱放射
Claims (13)
- 種晶に、材料の源で、結晶成長させるためのるつぼであって、上記材料の源を収納する成長室と、上記成長室の上方に位置して、上記種晶を固定する保持器と、上記保持器の周りに位置する反射装置と、上記成長室の下方に位置して、気化した上記材料の源を導引する複数の気体導引装置が含有され、上記反射装置は、設置角度が0度乃至30度の範囲内に調節され、上記複数の気体導引装置は、上記複数の気体導引装置の中心から外へ向かって等距離に配列されており、さらに上記複数の気体導引装置の中心の近くにある上記気体導引装置の高さが、上記複数の気体導引装置の外側の近くにある上記気体導引装置の高さよりも高いことを特徴とするるつぼ。
- 上記複数の気体導引装置は、高さが上記材料の源よりも高いことを特徴とする請求項1に記載のるつぼ。
- 上記複数の気体導引装置は、形状が針状で、上記複数の気体導引装置は、実質直径が2ミリメートル以下であることを特徴とする請求項2に記載のるつぼ。
- 上記複数の気体導引装置は、形状が棒状で、実質直径が2ミリメートル以上であることを特徴とする請求項2に記載のるつぼ。
- 上記複数の気体導引装置は、形状がシート状であることを特徴とする請求項2に記載のるつぼ。
- 上記複数の気体導引装置は、同心リング状や螺旋状に配列されることを特徴とする請求項5に記載のるつぼ。
- 上記反射装置は、高温金属炭化物からや、上記成長室或いは上記材料の源と同じ材料からなり、上記高温金属炭化物や上記材料の成分に、酸化物や炭化物、窒化物或いはフッ化物が含まれることを特徴とする請求項3乃至6の何れかの一つに記載のるつぼ。
- 上記複数の気体導引装置は、上記高温金属炭化物や、上記成長室や上記材料の源と同じ材料からなり、上記高温金属炭化物や上記材料の成分に、酸化物や炭化物、窒化物或いはフッ化物が含まれることを特徴とする請求項7に記載のるつぼ。
- 上記反射装置と上記複数の気体導引装置は、1500℃乃至3000℃の温度を耐えることを特徴とする請求項8に記載のるつぼ。
- るつぼの成長室の下方に位置して、気化した、るつぼの成長室内に位置する材料の源を導引する複数の気体導引装置であって、るつぼの中心から等距離に外へ配列され、中心の近くにあるものの高さが、外側に位置するものよりも高いことを特徴とする複数の気体導引装置。
- 高さが、上記材料の源よりも高いことを特徴とする請求項10に記載の複数の気体導引装置。
- 針状や棒状或いはシート状であり、針状であれば、実質直径が、2ミリメートル以下であり、棒状であれば実質直径が2ミリメートル以上であり、シート状であれば同心リング状や螺旋状に配列されることを特徴とする請求項11に記載の複数の気体導引装置。
- 高温金属炭化物や、上記成長室や上記材料の源と同じ材料からなり、上記高温金属炭化物や上記材料の成分に、酸化物や炭化物、窒化物或いはフッ化物が含まれ、1500℃乃至3000℃の温度を耐えることを特徴とする請求項12に記載の複数の気体導引装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012099455A JP5582585B2 (ja) | 2012-04-25 | 2012-04-25 | るつぼ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012099455A JP5582585B2 (ja) | 2012-04-25 | 2012-04-25 | るつぼ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013227162A JP2013227162A (ja) | 2013-11-07 |
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ID=49675235
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5582585B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI648525B (zh) * | 2017-12-18 | 2019-01-21 | 國家中山科學研究院 | 一種用於量測坩堝內部熱場分布之裝置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0558774A (ja) * | 1991-09-03 | 1993-03-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 炭化ケイ素単結晶成長装置用容器 |
JP4048606B2 (ja) * | 1998-06-25 | 2008-02-20 | 株式会社デンソー | 単結晶の製造方法 |
JP4962205B2 (ja) * | 2007-08-09 | 2012-06-27 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 |
JP5012655B2 (ja) * | 2008-05-16 | 2012-08-29 | 三菱電機株式会社 | 単結晶成長装置 |
JP5403671B2 (ja) * | 2009-06-10 | 2014-01-29 | 昭和電工株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
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2012
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013227162A (ja) | 2013-11-07 |
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A977 | Report on retrieval |
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