JP5516167B2 - 炭化珪素単結晶の製造装置 - Google Patents
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Description
具体的には、請求項1に記載の発明では、遮蔽部(6)に、一端が坩堝本体(1a)の底面に固定されると共に、他端に遮蔽板(6a)が配置される支持部(6c)を備え、該支持部(6c)により遮蔽板(6a)を支持した構造としている。
本発明の第1実施形態について説明する。図1は、本実施形態にかかるSiC単結晶の製造装置を用いてSiC単結晶を成長させるときの様子を示した断面図である。図2は、図1のA−A矢視断面図である。また、図3は、図1に示すSiC単結晶の製造装置を用いて成長させたSiC単結晶近傍の拡大図である。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態のSiC単結晶の製造装置は、第1実施形態に対してリング部材5および遮蔽部6の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態のSiC単結晶の製造装置は、第1実施形態に対して遮蔽部6の構成を変更すると共にリング部材5を無くしたものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
上記各実施形態では、リング部材5や遮蔽部6などの構成例について説明したが、これらの形状や材質などは一例を示したに過ぎない。例えば、遮蔽部6のガス供給孔6bは、螺旋転位発生可能領域3aと対応する位置に形成されていれば良いため、螺旋転位発生可能領域3aを黒鉛製坩堝1の中心軸上に備えるようにする場合には、ガス供給孔6bが黒鉛製坩堝1の中心軸に位置する構造であっても良い。
1a 坩堝本体
1b 蓋材
1c 台座
2 SiC原料粉末
3 SiC単結晶基板
3a 螺旋転位発生可能領域
3b 低密度螺旋転位領域
4 SiC単結晶
4a 成長途中表面
4b C面ファセット
4c 螺旋転位
5 リング部材
5a 炭素リング
5b TaCリング
6 遮蔽部
6a 遮蔽板
6b ガス供給孔
6c 支持部
Claims (5)
- 有底円筒状の容器本体(1a)と当該容器本体(1a)を蓋閉めするための蓋体(1b)とを有した中空状の円柱形状をなす坩堝(1)を備え、前記容器本体(1a)に炭化珪素原料(2)を配置すると共に、C面{0001}面にオフ角がある炭化珪素基板にて構成され、該炭化珪素基板の一部が螺旋転位発生可能領域(3a)となり、前記螺旋転位発生可能領域(3a)ではない部分が低密度螺旋転位領域(3b)となった種結晶(3)を用意し、前記蓋体(1b)に設けられた台座(1c)に対して前記種結晶(3)の中心を該台座(1c)の中心に一致させて配置し、前記炭化珪素原料(2)を加熱して発生させた昇華ガスを供給することにより、前記種結晶(3)上に炭化珪素単結晶(4)を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
前記坩堝(1)には、前記種結晶(3)における前記螺旋転位発生可能領域(3a)が配置される場所と対応する位置に前記昇華ガスの供給を行うガス供給孔(6b)が形成された遮蔽板(6a)を有する遮蔽部(6)が備えられ、前記遮蔽板(6a)を前記種結晶(3)が配置される前記台座(1c)に対向配置していると共に、該遮蔽板(6a)にて前記台座(1c)を囲みつつ前記炭化珪素単結晶(4)の成長空間を覆っており、
前記遮蔽部(6)には、一端が前記坩堝本体(1a)の底面に固定されると共に、他端に前記遮蔽板(6a)が配置される支持部(6c)が備えられ、該支持部(6c)により前記遮蔽板(6a)が支持されていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 有底円筒状の容器本体(1a)と当該容器本体(1a)を蓋閉めするための蓋体(1b)とを有した中空状の円柱形状をなす坩堝(1)を備え、前記容器本体(1a)に炭化珪素原料(2)を配置すると共に、C面{0001}面にオフ角がある炭化珪素基板にて構成され、該炭化珪素基板の一部が螺旋転位発生可能領域(3a)となり、前記螺旋転位発生可能領域(3a)ではない部分が低密度螺旋転位領域(3b)となった種結晶(3)を用意し、前記蓋体(1b)に設けられた台座(1c)に対して前記種結晶(3)の中心を該台座(1c)の中心に一致させて配置し、前記炭化珪素原料(2)を加熱して発生させた昇華ガスを供給することにより、前記種結晶(3)上に炭化珪素単結晶(4)を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
前記坩堝(1)には、前記種結晶(3)における前記螺旋転位発生可能領域(3a)が配置される場所と対応する位置に前記昇華ガスの供給を行うガス供給孔(6b)が形成された遮蔽板(6a)を有する遮蔽部(6)が備えられ、前記遮蔽板(6a)を前記種結晶(3)が配置される前記台座(1c)に対向配置していると共に、該遮蔽板(6a)にて前記台座(1c)を囲みつつ前記炭化珪素単結晶(4)の成長空間を覆っており、
前記蓋材(1b)には、前記台座(1c)を囲みつつ、一端側が前記蓋材(1b)の端面に結合されて一体化されたリング部材(5)が備えられ、
前記遮蔽部(6)に備えられた前記遮蔽板(6a)の外側面は、前記リング部材(5)の内壁面に対向配置されており、該内壁面との間隔が1mm以下とされていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記ガス供給孔(6b)の大きさは直径1mm以上でかつ螺旋転位発生可能領域(3a)以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記種結晶(3)が配置される前記台座(1c)は前記昇華ガスの供給を行うガス供給孔(6b)が形成された遮蔽板(6a)を有する遮蔽部(6)と分離して移動可能であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記ガス供給孔(6b)と前記炭化珪素基板の距離は螺旋転位発生可能領域(3a)の幅以下であることを特徴とする請求項4に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
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