JP2010514648A - マイクロパイプ・フリーの炭化ケイ素およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】なし
Description
Claims (43)
- 炭化ケイ素の単結晶(SiC結晶)を、昇華装置において、物理的気相輸送(PVT)プロセスを用いて名目C軸成長方向に成長させる方法であって、ここで前記結晶はマイクロパイプ欠陥をまったく含まず:
シード材料をシードホルダに取り付け、前記シード材料と前記シードホルダの間に均一な熱的接触を形成すること;
供給材料および前記シードホルダに取り付けられた前記シード材料を反応坩堝内に配置すること、ここで、少なくとも前記供給材料、前記シードホルダ、および前記反応坩堝を含む前記昇華装置の構成要素は、意図していない不純物を実質的に含まない;および、
成長温度、成長圧力、SiC昇華流束およびその組成、ならびに前記供給材料と前記シード材料または前記シード材料上に成長する前記SiC結晶との間の温度勾配を、前記PVTプロセスの間制御して、マイクロパイプを誘発するプロセス不安定性を排除し、マイクロパイプ・フリーのSiC結晶を前記シード材料上に成長させること
を含む、前記方法。 - 供給材料、およびシード材料が取り付けられたシードホルダを反応坩堝内に配置し、昇華装置内に前記反応坩堝を配置した後、次いで前記昇華装置を排気して周囲の空気、ガス不純物および異物固体粒子を取り除くこと;
少なくとも一つの不活性ガスを用いて前記昇華装置を再充填すること;
前記昇華装置を、SiC結晶成長を助長する温度に加熱すること;
前記昇華装置の中において前記反応坩堝にかかる圧力を減少させ、SiC結晶成長を開始すること
を更に含む、請求項1に記載の方法。 - SiC結晶成長の名目方向が、C軸方向から0〜10°の範囲である、請求項1に記載の方法。
- マイクロパイプ・フリーのSiC結晶が、3C,4H,6H,および15Rから成るポリタイプの群から選択されるポリタイプを有する、請求項1に記載の方法。
- シード材料が、2cm−2よりも小さいマイクロパイプ密度を有するSiCシードウエハを含む、請求項1に記載の方法。
- シード材料が、1cm−2よりも小さいマイクロパイプ密度を有するSiCシードウエハを含む、請求項1に記載の方法。
- シード材料が、50アークセカント(2.4×10−4rad)よりも小さい最大半値幅を示す均一なX線回折によって特徴付けられるSiCシードウエハを含む、請求項1に記載の方法。
- シード材料が、30アークセカント(1.5×10−4rad)よりも小さい最大半値幅を示す均一なX線回折によって特徴付けられるSiCシードウエハを含む、請求項1に記載の方法。
- シード材料が、異質なポリタイプインクルージョンを含まないSiCシードウエハを含む、請求項1に記載の方法。
- シード材料のシードホルダへの取り付けが、前記シード材料と前記シードホルダの間に接着剤を使用するか否かに関わらず、前記シード材料と前記シードホルダの間の直接的な物理接触を用いてなされるか、または前記シード材料の熱的な裏面保護を含む制御されたギャップ構造を用いてなされる、請求項1に記載の方法。
- 制御されたギャップ構造が、10μmまたはそれより小さい、5μmまたはそれより小さい、2μmまたはそれより小さい、および1μmまたはそれより小さいものからなる群から選択される、シード材料とシードホルダの間の分離間隔を維持している、請求項11に記載の方法。
- 成長圧力が約760〜0.1torr(1.0×105〜1×10Pa)の範囲に制御されている、請求項1に記載の方法。
- 成長圧力が約300〜0.1torr(4.0×104〜1×10Pa)の範囲に制御されている、請求項1に記載の方法。
- 成長圧力が約50〜0.1torr(6×103〜1×10Pa)の範囲に制御されている、請求項1に記載の方法。
- 成長温度が約2000〜2500℃の範囲に制御される、請求項1に記載の方法。
- SiC結晶のための成長核生成のための開始温度が、約2000〜2200℃の範囲に制御されている、請求項1に記載の方法。
- 温度勾配が、約50〜150℃/cmの範囲に制御される、請求項1に記載の方法。
- 成長温度を約0.3〜10℃/時の範囲で傾斜上昇させることによってSiC昇華流束が制御されている、請求項1に記載の方法。
- 供給材料が、高純度の、固体、粉末、液体、および気体のうち少なくとも一つを含む、請求項1に記載の方法。
- 供給材料が、重量基準で100万分の5部より少ない総濃度の金属不純物を含有する、請求項20に記載の方法。
- 供給材料が、重量基準で100万分の2部より少ない総濃度の金属不純物を含有する、請求項20に記載の方法。
- 供給材料が、重量基準で100万分の1部より少ない総濃度の金属不純物を含有し、前記金属不純物が、Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Zr,Mo,Pd,Ta,およびWからなる金属の群から選択される、少なくとも一つの金属を含む、請求項20に記載の方法。
- 昇華装置の反応坩堝に供給材料およびシード材料を配置し、ここで、少なくとも前記供給材料および前記反応坩堝を含む前記昇華装置の構成要素は、意図していない不純物を実質的に含まず、そして、成長温度、成長圧力、SiC昇華流束およびその組成、および前記供給材料と前記シード材料または前記シード材料上に成長するSiC結晶との間の温度勾配を、物理的気相輸送(PVT)プロセスの間制御して、マイクロパイプを誘発するプロセス不安定性を排除するプロセスによって名目C軸方向に成長させたSiC結晶からスライスされた、マイクロパイプ・フリーの炭化ケイ素(SiC)ウエハ。
- 少なくとも2インチ(50mm)、少なくとも3インチ(75mm)、および少なくとも100mmからなる径の群から選択される最小径を有する、請求項24に記載のマイクロパイプ・フリーのSiCウエハ。
- ウエハの主表面に形成されたホモエピタキシャル層を含む、請求項24に記載のマイクロパイプ・フリーのSiCウエハ。
- ホモエピタキシャル層がSiCである、請求項26に記載のマイクロパイプ・フリーのSiCウエハ。
- ウエハの主表面に形成されたヘテロエピタキシャル層を含む、請求項24に記載のマイクロパイプ・フリーのSiCウエハ。
- ヘテロエピタキシャル層がIII属窒化物層である、請求項28に記載のマイクロパイプ・フリーのSiCウエハ。
- III属窒化物層が、GaN,AlGaN,AlN,AlInGaN,InN,およびAlInNから成る属から選択される、少なくとも一つを含む、請求項29に記載のマイクロパイプ・フリーのSiCウエハ。
- 3C,4H,6H,および15Rから成るポリタイプの群から選択されるポリタイプを有する、請求項24に記載のマイクロパイプ・フリーのSiCウエハ。
- 名目C軸方向に成長し、マイクロパイプ密度がゼロであるSiC結晶からスライスされた、マイクロパイプ・フリーの炭化ケイ素(SiC)ウエハであって、対向する第一および第二の面を含む前記SiC基板;
前記SiC基板の少なくとも第一の面に形成されたエピタキシャル層であって、前記エピタキシャル層にとっての伝導性を定義づける濃度のドーパント原子を含む前記エピタキシャル層;および、
前記エピタキシャル層に形成され、前記エピタキシャル層においてチャネル領域を定義づけているソース/ドレイン領域を含む半導体デバイス
を含む、半導体ウエハ。 - チャネル領域に形成されたゲート誘電体層;および、
前記チャネル領域の上の前記ゲート誘電体層に形成された、金属ゲート構造
を更に含む、請求項32に記載の半導体ウエハ。 - 半導体デバイスが、接合型電界効果トランジスタおよびヘテロ電界効果トランジスタの少なくとも一つを含む、請求項32に記載の半導体ウエハ。
- SiC基板が、少なくとも2インチ(50mm)、少なくとも3インチ(75mm)、および少なくとも100mmからなる径の群から選択される最小径を有する、請求項32に記載の半導体ウエハ。
- 名目C軸方向に成長し、マイクロパイプ密度がゼロであるSiC結晶からスライスされた、マイクロパイプ・フリーの炭化ケイ素(SiC)ウエハであって、対向する第一および第二の面を含む前記SiC基板;
前記SiC基板の少なくとも第一の面に形成されたエピタキシャル層であって、前記エピタキシャル層にとっての伝導性を定義づける濃度のドーパント原子を含む前記エピタキシャル層;および、
少なくとも前記エピタキシャル層の一部分に形成された半導体デバイス
を含む、半導体ウエハ。 - 半導体デバイスが、ショットキー障壁ダイオード、接合型障壁ショットキーダイオード、サイリスター、双極接合型トランジスタ、およびPiNダイオードの少なくとも一つを含む、請求項36に記載の半導体ウエハ。
- SiC基板が、少なくとも2インチ(50mm)、少なくとも3インチ(75mm)、および少なくとも100mmから成る径の群から選択される最小径を有する、請求項36に記載の半導体ウエハ。
- III属窒化物の単結晶(III属窒化物結晶)を、昇華装置において、物理的気相輸送(PVT)プロセスを用いて名目C軸成長方向に成長させる方法であって、ここで前記III属窒化物結晶はマイクロパイプ欠陥をまったく含まず:
シード材料をシードホルダに取り付け、前記シード材料とシードホルダの間に均一な熱的接触を形成すること;
供給材料および前記シードホルダに取り付けられた前記シード材料を反応坩堝に配置すること、ここで、少なくとも前記供給材料、前記シードホルダ、および前記反応坩堝を含む前記昇華装置の構成要素は、意図していない不純物を実質的に含まない;および
成長温度、成長圧力、III属窒化物昇華流束およびその組成、ならびに前記供給材料と前記シード材料または前記シード材料上に成長する前記III属窒化物結晶との間の温度勾配を、前記PVTプロセスの間制御して、マイクロパイプを誘発するプロセス不安定性を排除し、マイクロパイプ・フリーの前記III属窒化物結晶を前記シード材料上に成長させること
を含む、前記方法。 - 3インチ(75mm)の最小径を有し、マイクロパイプ密度がゼロである結晶からスライスされた、マイクロパイプ・フリーの炭化ケイ素(SiC)ウエハであって、対向する第一および第二の面を含む前記SiC基板;および、
前記SiC基板の少なくとも第一の面に形成されたエピタキシャル層であって、前記エピタキシャル層にとっての伝導性を定義する濃度のドーパント原子を含む前記エピタキシャル層、
を含む、半導体ウエハ。 - エピタキシャル層に形成され、前記エピタキシャル層においてチャネル領域を定義づけているソース/ドレイン領域を含む半導体デバイスを更に含む、請求項40に記載の半導体ウエハ。
- 半導体デバイスが、接合型電界効果トランジスタおよびヘテロ電界効果トランジスタの少なくとも一つを含む、請求項41に記載の半導体ウエハ。
- 少なくともエピタキシャル層の一部分に形成された半導体デバイスを更に含む、請求項40に記載の半導体ウエハであって、ここで、前記半導体デバイスが、ショットキー障壁ダイオード、接合型障壁ショットキーダイオード、サイリスター、双極接合型トランジスタ、およびPiNダイオードの少なくとも一つを含む、前記半導体ウエハ。
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014024703A (ja) * | 2012-07-26 | 2014-02-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
JP2014101252A (ja) * | 2012-11-20 | 2014-06-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素基板および炭化珪素インゴット、ならびにこれらの製造方法 |
KR20150095344A (ko) * | 2014-02-13 | 2015-08-21 | 한국전기연구원 | 액상 기법을 이용한 SiC 단결정 성장 방법 |
WO2015182474A1 (ja) * | 2014-05-29 | 2015-12-03 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素インゴットの製造方法、炭化珪素種基板、炭化珪素基板、半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2015214489A (ja) * | 2015-09-02 | 2015-12-03 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素基板および炭化珪素インゴットの製造方法 |
US9422639B2 (en) | 2014-03-06 | 2016-08-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide substrate, silicon carbide ingot, and methods for manufacturing silicon carbide substrate and silicon carbide ingot |
WO2018043171A1 (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びに、欠陥識別方法 |
JP2018041942A (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-15 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びに、欠陥識別方法 |
JP2022018072A (ja) * | 2020-07-14 | 2022-01-26 | セニック・インコーポレイテッド | ウエハ及びウエハの製造方法 |
US11320388B2 (en) | 2016-08-31 | 2022-05-03 | Showa Denko K.K. | SiC epitaxial wafer containing large pit defects with a surface density of 0.5 defects/CM2 or less, and production method therefor |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7314520B2 (en) * | 2004-10-04 | 2008-01-01 | Cree, Inc. | Low 1c screw dislocation 3 inch silicon carbide wafer |
US8410488B2 (en) * | 2006-09-14 | 2013-04-02 | Cree, Inc. | Micropipe-free silicon carbide and related method of manufacture |
US20100147835A1 (en) * | 2008-05-09 | 2010-06-17 | Mulpuri Rao V | Doped Gallium Nitride Annealing |
CN104120489B (zh) * | 2008-12-08 | 2017-04-26 | Ii-Vi有限公司 | 高晶体质量的SiC单晶晶锭及其形成方法 |
JP5565070B2 (ja) * | 2010-04-26 | 2014-08-06 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素結晶および炭化珪素結晶の製造方法 |
US8377806B2 (en) * | 2010-04-28 | 2013-02-19 | Cree, Inc. | Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same |
JP2011243770A (ja) * | 2010-05-19 | 2011-12-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素基板、半導体装置、炭化珪素基板の製造方法 |
US8445386B2 (en) * | 2010-05-27 | 2013-05-21 | Cree, Inc. | Smoothing method for semiconductor material and wafers produced by same |
JP5696630B2 (ja) * | 2011-09-21 | 2015-04-08 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素基板およびその製造方法 |
JP6226959B2 (ja) * | 2012-04-20 | 2017-11-08 | トゥー‐シックス・インコーポレイテッド | 大口径高品質SiC単結晶、方法、及び装置 |
US9041010B2 (en) * | 2012-05-29 | 2015-05-26 | William F. Seng | Wide band gap semiconductor wafers grown and processed in a microgravity environment and method of production |
KR101926694B1 (ko) * | 2012-05-30 | 2018-12-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 에피 웨이퍼 및 이의 제조 방법 |
KR101926678B1 (ko) * | 2012-05-31 | 2018-12-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 에피 웨이퍼 및 이의 제조 방법 |
US8860040B2 (en) | 2012-09-11 | 2014-10-14 | Dow Corning Corporation | High voltage power semiconductor devices on SiC |
US9018639B2 (en) | 2012-10-26 | 2015-04-28 | Dow Corning Corporation | Flat SiC semiconductor substrate |
US9017804B2 (en) | 2013-02-05 | 2015-04-28 | Dow Corning Corporation | Method to reduce dislocations in SiC crystal growth |
US9738991B2 (en) | 2013-02-05 | 2017-08-22 | Dow Corning Corporation | Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a supporting shelf which permits thermal expansion |
US9797064B2 (en) | 2013-02-05 | 2017-10-24 | Dow Corning Corporation | Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a support shelf which permits thermal expansion |
US8940614B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-01-27 | Dow Corning Corporation | SiC substrate with SiC epitaxial film |
US9657409B2 (en) * | 2013-05-02 | 2017-05-23 | Melior Innovations, Inc. | High purity SiOC and SiC, methods compositions and applications |
US9919972B2 (en) | 2013-05-02 | 2018-03-20 | Melior Innovations, Inc. | Pressed and self sintered polymer derived SiC materials, applications and devices |
US10322936B2 (en) | 2013-05-02 | 2019-06-18 | Pallidus, Inc. | High purity polysilocarb materials, applications and processes |
US11091370B2 (en) | 2013-05-02 | 2021-08-17 | Pallidus, Inc. | Polysilocarb based silicon carbide materials, applications and devices |
JP6183010B2 (ja) * | 2013-07-03 | 2017-08-23 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素単結晶基板およびその製造方法 |
US9279192B2 (en) | 2014-07-29 | 2016-03-08 | Dow Corning Corporation | Method for manufacturing SiC wafer fit for integration with power device manufacturing technology |
CN104357912B (zh) * | 2014-12-07 | 2016-09-21 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种感应加热炉内的钨坩埚保护方法 |
CN108138359A (zh) * | 2015-10-02 | 2018-06-08 | 昭和电工株式会社 | SiC单晶锭 |
US20170137962A1 (en) * | 2015-11-16 | 2017-05-18 | National Chung-Shan Institute Of Science And Technology | Fabrication Method for Growing Single Crystal of Multi-Type Compound |
CN106894090B (zh) * | 2017-03-17 | 2019-09-24 | 山东大学 | 一种高质量低电阻率的p型SiC单晶制备方法 |
CN106968018B (zh) * | 2017-04-10 | 2019-02-05 | 山东大学 | 一种锗氮共掺的碳化硅单晶材料的生长方法 |
CN107190323A (zh) * | 2017-06-06 | 2017-09-22 | 宝鸡文理学院 | 一种生长低缺陷碳化硅单晶的方法 |
CN107699955A (zh) * | 2017-08-30 | 2018-02-16 | 昆明理工大学 | 一种利用微波加热去除碳化硅单晶缺陷中及表面有机杂质的方法 |
CN107460547B (zh) * | 2017-09-12 | 2019-11-15 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种pvt法氮化铝晶体生长炉用复合保温屏及生成方法 |
JP6881365B2 (ja) * | 2018-03-16 | 2021-06-02 | 信越半導体株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置 |
CN108411368B (zh) * | 2018-06-11 | 2020-12-08 | 山东大学 | 一种快速有选择性的降低SiC晶体中微管和位错密度的方法 |
CN108977886A (zh) * | 2018-08-20 | 2018-12-11 | 孙月静 | 一种SiC晶体的制造方法 |
US11453957B2 (en) | 2018-12-07 | 2022-09-27 | Showa Denko K.K. | Crystal growing apparatus and crucible having a main body portion and a first portion having a radiation rate different from that of the main body portion |
JP7148427B2 (ja) * | 2019-02-06 | 2022-10-05 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法 |
CN110042470A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-07-23 | 南通大学 | 一种多尺寸莫桑石的制备方法 |
CN110670123B (zh) * | 2019-09-23 | 2021-03-26 | 河北同光晶体有限公司 | 一种延续单一生长中心制备碳化硅单晶的方法 |
KR102284879B1 (ko) | 2019-10-29 | 2021-07-30 | 에스케이씨 주식회사 | 탄화규소 웨이퍼 및 탄화규소 웨이퍼의 제조방법 |
CN110919465A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-03-27 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 无损伤、高平面度单晶碳化硅平面光学元件及其制备方法 |
CN110983434B (zh) * | 2019-12-27 | 2021-04-16 | 北京天科合达半导体股份有限公司 | 一种有效降低碳化硅单晶缺陷的生长方法和高质量碳化硅单晶 |
WO2022123078A1 (en) * | 2020-12-11 | 2022-06-16 | Zadient Technologies SAS | Method and device for producing a sic solid material |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000044395A (ja) * | 1998-07-29 | 2000-02-15 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
JP2002284599A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-03 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 炭化珪素単結晶の成長方法 |
JP2006069851A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素単結晶の製造方法及び製造装置 |
US20060075958A1 (en) * | 2004-09-21 | 2006-04-13 | Adrian Powell | Low basal plane dislocation bulk grown SiC wafers |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US34861A (en) | 1862-04-01 | Improved washing-machine | ||
US4912064A (en) | 1987-10-26 | 1990-03-27 | North Carolina State University | Homoepitaxial growth of alpha-SiC thin films and semiconductor devices fabricated thereon |
US4866005A (en) | 1987-10-26 | 1989-09-12 | North Carolina State University | Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide |
US6344663B1 (en) * | 1992-06-05 | 2002-02-05 | Cree, Inc. | Silicon carbide CMOS devices |
US5679153A (en) * | 1994-11-30 | 1997-10-21 | Cree Research, Inc. | Method for reducing micropipe formation in the epitaxial growth of silicon carbide and resulting silicon carbide structures |
US5718760A (en) * | 1996-02-05 | 1998-02-17 | Cree Research, Inc. | Growth of colorless silicon carbide crystals |
US5873937A (en) * | 1997-05-05 | 1999-02-23 | Northrop Grumman Corporation | Method of growing 4H silicon carbide crystal |
JP3043689B2 (ja) * | 1997-11-17 | 2000-05-22 | 日本ピラー工業株式会社 | 単結晶SiC及びその製造方法 |
TW565630B (en) | 1999-09-07 | 2003-12-11 | Sixon Inc | SiC wafer, SiC semiconductor device and method for manufacturing SiC wafer |
FR2816113A1 (fr) * | 2000-10-31 | 2002-05-03 | St Microelectronics Sa | Procede de realisation d'une zone dopee dans du carbure de silicium et application a une diode schottky |
JP4903946B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2012-03-28 | 株式会社ブリヂストン | 炭化ケイ素単結晶の製造方法及び製造装置 |
JP4942255B2 (ja) | 2001-05-08 | 2012-05-30 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
DE10247017B4 (de) | 2001-10-12 | 2009-06-10 | Denso Corp., Kariya-shi | SiC-Einkristall, Verfahren zur Herstellung eines SiC-Einkristalls, SiC-Wafer mit einem Epitaxiefilm und Verfahren zur Herstellung eines SiC-Wafers, der einen Epitaxiefilm aufweist |
KR100773624B1 (ko) * | 2002-04-04 | 2007-11-05 | 신닛뽄세이테쯔 카부시키카이샤 | 탄화 규소 단결정으로 이루어지는 종결정 및 그를 이용한잉곳의 제조 방법 |
US7601441B2 (en) * | 2002-06-24 | 2009-10-13 | Cree, Inc. | One hundred millimeter high purity semi-insulating single crystal silicon carbide wafer |
US6814801B2 (en) * | 2002-06-24 | 2004-11-09 | Cree, Inc. | Method for producing semi-insulating resistivity in high purity silicon carbide crystals |
JP2004200188A (ja) | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ヘテロエピタキシャルウエーハおよびその製造方法 |
JP4382748B2 (ja) * | 2003-03-19 | 2009-12-16 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 半導体結晶成長方法 |
JP4480349B2 (ja) | 2003-05-30 | 2010-06-16 | 株式会社ブリヂストン | 炭化ケイ素単結晶の製造方法及び製造装置 |
TWI313060B (en) * | 2003-07-28 | 2009-08-01 | Japan Science & Tech Agency | Feild effect transisitor and fabricating method thereof |
JP4635470B2 (ja) | 2004-04-19 | 2011-02-23 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
DE102005017814B4 (de) | 2004-04-19 | 2016-08-11 | Denso Corporation | Siliziumkarbid-Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP4494856B2 (ja) | 2004-04-28 | 2010-06-30 | 新日本製鐵株式会社 | 炭化珪素単結晶成長用種結晶とその製造方法及びそれを用いた結晶成長方法 |
US7314521B2 (en) * | 2004-10-04 | 2008-01-01 | Cree, Inc. | Low micropipe 100 mm silicon carbide wafer |
US7314520B2 (en) | 2004-10-04 | 2008-01-01 | Cree, Inc. | Low 1c screw dislocation 3 inch silicon carbide wafer |
JP4586547B2 (ja) | 2005-01-24 | 2010-11-24 | 住友電気工業株式会社 | 接合型電界効果トランジスタ |
US7387680B2 (en) | 2005-05-13 | 2008-06-17 | Cree, Inc. | Method and apparatus for the production of silicon carbide crystals |
US8410488B2 (en) * | 2006-09-14 | 2013-04-02 | Cree, Inc. | Micropipe-free silicon carbide and related method of manufacture |
-
2007
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-
2013
- 2013-03-04 US US13/784,083 patent/US20130181231A1/en not_active Abandoned
-
2014
- 2014-06-05 JP JP2014116662A patent/JP2014221711A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000044395A (ja) * | 1998-07-29 | 2000-02-15 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
JP2002284599A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-03 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 炭化珪素単結晶の成長方法 |
JP2006069851A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素単結晶の製造方法及び製造装置 |
US20060075958A1 (en) * | 2004-09-21 | 2006-04-13 | Adrian Powell | Low basal plane dislocation bulk grown SiC wafers |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JPN6013009815; C. Basceri et al.: 'Growth of micropipe-free single crystal silicon carbide (SiC) ingots via physical vapor transport (P' Mater. Sci. Forum Vol. 527-529, 2006, pp. 39-42, Trans Tech Publications * |
JPN6013059456; H. Shiomi et al.: 'Crystal growth of micropipe free 4H-SiC on 4H-SiC{03-38} seed and high-purity semi-insulating 6H-SiC' J. Cryst. Growth Vol. 292, 20060526, pp. 188-191, Elsevier B. V. * |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014024703A (ja) * | 2012-07-26 | 2014-02-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
JP2014101252A (ja) * | 2012-11-20 | 2014-06-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素基板および炭化珪素インゴット、ならびにこれらの製造方法 |
KR20150095344A (ko) * | 2014-02-13 | 2015-08-21 | 한국전기연구원 | 액상 기법을 이용한 SiC 단결정 성장 방법 |
KR101669444B1 (ko) * | 2014-02-13 | 2016-10-26 | 한국전기연구원 | 액상 기법을 이용한 SiC 단결정 성장 방법 |
US9422639B2 (en) | 2014-03-06 | 2016-08-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide substrate, silicon carbide ingot, and methods for manufacturing silicon carbide substrate and silicon carbide ingot |
US9605358B2 (en) | 2014-03-06 | 2017-03-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide substrate, silicon carbide ingot, and methods for manufacturing silicon carbide substrate and silicon carbide ingot |
WO2015182474A1 (ja) * | 2014-05-29 | 2015-12-03 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素インゴットの製造方法、炭化珪素種基板、炭化珪素基板、半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JPWO2015182474A1 (ja) * | 2014-05-29 | 2017-04-20 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素インゴットの製造方法、炭化珪素種基板、炭化珪素基板、半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2015214489A (ja) * | 2015-09-02 | 2015-12-03 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素基板および炭化珪素インゴットの製造方法 |
JP2018041942A (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-15 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びに、欠陥識別方法 |
WO2018043171A1 (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びに、欠陥識別方法 |
CN109642342A (zh) * | 2016-08-31 | 2019-04-16 | 昭和电工株式会社 | SiC外延晶片及其制造方法、以及缺陷识别方法 |
CN109642342B (zh) * | 2016-08-31 | 2021-10-26 | 昭和电工株式会社 | SiC外延晶片及其制造方法、以及缺陷识别方法 |
US11293115B2 (en) | 2016-08-31 | 2022-04-05 | Showa Denko K.K. | Method for producing a SiC epitaxial wafer containing a total density of large pit defects and triangular defects of 0.01 defects/cm2 or more and 0.6 defects/cm2 or less |
US11320388B2 (en) | 2016-08-31 | 2022-05-03 | Showa Denko K.K. | SiC epitaxial wafer containing large pit defects with a surface density of 0.5 defects/CM2 or less, and production method therefor |
US11961736B2 (en) | 2016-08-31 | 2024-04-16 | Resonac Corporation | SiC epitaxial wafer, production method therefor, and defect identification method |
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