JP2014101252A - 炭化珪素基板および炭化珪素インゴット、ならびにこれらの製造方法 - Google Patents
炭化珪素基板および炭化珪素インゴット、ならびにこれらの製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】炭化珪素基板2では、一方の主表面2a上において、<11−20>方向に沿った直線が交差することにより形成され、X線トポグラフィにより観察することが可能な交差模様20が0.1個/cm2以下の数密度で存在している。このように、炭化珪素基板2では、主表面2aに存在する交差模様20の数密度が0.1個/cm2以下にまで低減されている。そのため、炭化珪素基板2を用いて半導体装置を製造した場合、交差模様20に起因した歩留まり低下を抑制することができる。
【選択図】図3
Description
Claims (10)
- 一方の主表面上において、<11−20>方向に沿った直線が交差することにより形成され、X線トポグラフィにより観察することが可能な模様が、0.1個/cm2以下の数密度で存在している、炭化珪素基板。
- 一方の表面上において、<11−20>方向に沿った直線が交差することにより形成された模様が、0.1個/cm2以下の数密度で存在している、炭化珪素インゴット。
- ポリタイプが4H型である、請求項2に記載の炭化珪素インゴット。
- 請求項2または3に記載の炭化珪素インゴットをスライスすることにより得られる炭化珪素基板であって、
一方の主表面上において、<11−20>方向に沿った直線が交差することにより形成され、X線トポグラフィにより観察することが可能な模様が0.1個/cm2以下の数密度で存在している、炭化珪素基板。 - 単結晶炭化珪素からなる種基板を準備する工程と、
前記種基板の一方の表面が成長容器の上面と接触するように、前記種基板を前記成長容器内に配置する工程と、
前記種基板が配置された後、前記成長容器を昇温する工程と、
前記成長容器を昇温した後、前記種基板の前記一方の表面とは反対側の他方の表面上に炭化珪素層を成長させる工程とを備え、
前記成長容器を昇温する工程では、前記上面における温度をT1とし、前記上面に対向する前記成長容器の底面における温度をT2とし、前記底面から前記上面に向かう方向における前記上面と前記底面との間の距離をLとした場合に、(T2−T1)/Lの値が1より小さい状態が維持される、炭化珪素インゴットの製造方法。 - 前記種基板を準備する工程では、マイクロパイプ密度が10個/cm2以下である前記種基板が準備される、請求項5に記載の炭化珪素インゴットの製造方法。
- 前記炭化珪素層を成長させる工程では、前記炭化珪素層の成長方向側から見たときの幅方向における温度勾配が10℃/cm以下とされる、請求項5または6に記載の炭化珪素インゴットの製造方法。
- 単結晶炭化珪素からなる種基板を準備する工程と、
前記種基板の表面上に炭化珪素層を成長させる工程とを備え、
前記種基板を準備する工程では、マイクロパイプ密度が10個/cm2以下である前記種基板が準備される、炭化珪素インゴットの製造方法。 - 前記炭化珪素層を成長させる工程では、前記炭化珪素層の成長方向側から見たときの幅方向における温度勾配が10℃/cm以下とされる、請求項8に記載の炭化珪素インゴットの製造方法。
- 請求項5〜9のいずれか1項に記載された炭化珪素インゴットの製造方法により製造された炭化珪素インゴットを準備する工程と、
前記炭化珪素インゴットをスライスして炭化珪素基板を得る工程とを備える、炭化珪素基板の製造方法。
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